电容屏ITO黄光制程工艺
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电容式触摸屏生产工艺
电容式触摸屏是一种常见的现代触摸屏技术,其生产工艺通常包括以下步骤:
1. 基材准备:选择适当的基材,通常是玻璃或塑料。
在玻璃上涂覆透明导电物质,如氧化铟锡(ITO),形成触摸层。
2. 涂布导电层:将ITO溶液通过印刷或涂覆技术均匀涂覆在
基材上,形成导电层。
然后通过加热或紫外线固化,使导电层附着在基材上。
3. 电容感应器:使用光刻和化学腐蚀技术,将导电层覆盖掉的区域进行处理,形成电容感应器的结构。
通常是将导电层分割成等大小的电容单元。
4. 绝缘层涂覆:在电容感应器上涂覆一层绝缘层,通常是氟化物或无机材料。
绝缘层的主要作用是防止触摸屏受到外界干扰和划伤。
5. 顶层涂覆:在绝缘层上涂覆一层光学透明的保护层,通常使用有机硅材料。
这一层的作用是保护触摸屏免受污染和划伤,并提供良好的触感。
6. 检验和测试:对生产的触摸屏进行检验和测试,确保其质量符合要求。
常见的测试包括触摸灵敏度、精度和稳定性等方面。
7. 组装和调试:将触摸屏与显示器或其他设备进行组装,并进
行相应的调试和校准,以确保触摸效果良好。
8. 包装和出货:将生产完成的触摸屏进行包装,并进行出货准备。
总而言之,电容式触摸屏的生产工艺涉及多个步骤,包括基材准备、涂布导电层、电容感应器制作、绝缘层涂覆、顶层涂覆、检验和测试、组装和调试以及包装和出货。
这些步骤需要精密的设备和技术,并且必须保证每个步骤的准确性和质量,才能生产出高品质的电容式触摸屏产品。
黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体,进一步调整基材内部的原子位置和分子结构,消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力,降低材料方阻,和后续的生产加工过程中及产品使用过程中,得到更稳定的物理尺寸、化学性能。
2.1.2 ITO导电膜1)常见ITO有高阻值膜(老化后表面方阻400±100欧姆)和低阻值膜(老化后表面方阻150±50欧姆),厚度50um、125um、175um。
现我司使用方阻为150±50欧姆,厚度为50um和125um。
2)ITO膜主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、Polyethyleneterephthalate 层(基材)、Under coating层(消影)、ITO层组成。
图2.1 ITO导电膜结构示意图3)材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1)参数管控①老化温度:ITO膜通过高温烘烤,若温度高时,材料变形;温度偏低或老化时间短,材料不能充分调质,表面阻值达不到规格内;老化温度不均匀时,老化后材料表面阻值不均匀。
②老化时间:老化过程时间短,ITO表面不能充分调质,导致阻值不均匀。
2)生产管控①清洁:老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。
老化过程中,若有异物落到材料上,烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。
2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料(光阻/干膜)与导电膜(ITO膜或铜膜)压合在一起。
2.2.2材料特性1)金属铜膜:主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、PET层(即Polyethyleneterephthalate层基材)、Under coating层(消影)、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层(防氧化层)组成(图1),基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例,具体见表。
各家厂商触摸屏ITO SONSER工艺及设备介绍一、友晟光电(usents)1.工艺流程:1.1镀膜工艺:1.2单面黄光制程:1.3双面黄光制程:2.生产设备:镀膜生产黄光生产线背涂线蚀刻生产线蚀刻生产线切割3.检测:4.产品参数要求:4.1 ITO sonser产品尺寸适用范围:3.5″4.2MoAlMo膜层参数:MoAlMo膜层可靠性实验二、新济达光电科技2.1 电容式触摸屏工艺流程:电容式触摸屏生产原理:互电容屏是在玻璃表面用ITO制作横向电极与纵向电极,两组电极交叉的地方将会形成电容即是在这两组电极分别构成了电容的两极。
当手指触摸到电容屏时,影响了触摸点附近两个电极之间的耦合,从而改变了这两个电极之间的电容量。
检测互电容大小时,横向的电极依次发出激励信号,纵向的所有电极同时接收信号,这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小,即整个触摸屏的二维平面的电容大小。
根据触摸屏二维电容变化量数据,可以计算每一个触摸点的坐标。
因此,屏上即使有多个触摸点,也能计算出每个触摸点的真实坐标。
2.Sensor工艺流程:Sensor生产原理:Sensor是在玻璃表面用ITO(一种透明的导电材料)制作成横向与纵向电极阵列,起感应作用,是电容式触摸屏最重要的部件之一。
3.高透ITO导电玻璃工艺流程程:高透ITO导电玻璃是在AR减反射膜的基础上增镀ITO导电膜,有效降低光的反射率及提高TFT 图像的对比度和清晰度。
4.金属钼铝钼工艺流程:钼铝钼金属膜目前广泛应用于电容式触摸屏模组材料主要作为ITO线路导线用途,具有阻值低、膨胀系数低、抗氧化强,能有效提高电容屏的稳定性、反应速度及耐候性。
5.蚀刻工艺流程:将涂有光刻胶的镀膜玻璃进行曝光、显影处理,然后通过溶液实现腐蚀处理掉所需除去的部分(ITO 或金属)、用离子反应或其它机械方式来剥离、去除光刻胶材料的一种过程。
6.AR减反射玻璃工艺流程:减反射玻璃又称高透玻璃,AR玻璃是采用了光学薄膜干涉原理,通过真空磁控反应溅射先进工艺在玻璃基板上镀制一定膜系结构的纳米光学多层膜,将玻璃可见光透过率由91%提高到98%以上,反射率由普通玻璃的8%降至2%以下(最低可达0.2%)、有效地提高穿透力及削弱因背后强光导致画面变白至缺陷,享受更清晰的影像品质。
触控面板黄光制程工艺全解触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解发布时间:2014-8-22作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺,黄光制程一直备受关注。
技术发展到今天,已经拥有非常完善的工艺。
本文将从黄光制程的步骤入手,全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。
1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。
(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
word编辑版.清洗机制程参数设定十槽清洗机PRC.℃,浸泡时间为5,温度为60±1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N 温1.0N~1.6N,n. KOH溶度为/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/2~3min磨刷传动速度为3.0~4.5m/min,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,5度为40±℃,℃,干燥5±0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40转速为85~95rpm,压力为℃。
110℃±10机1.2.3段温度为溶KOH注:玻璃清洗洁净度不够之改改善对策,适当加入少许,溶液,经常擦拭风切口,喷洗等处,亦可调态清洗KOH液,改变速度,将传速度减慢。
机传动2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的,综合性的精密表面加工技术。
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步:准备光罩首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步:准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步:涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步:对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。
然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。
第五步:显影曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步:清洗将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。
第七步:检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步:后续处理根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。
ito工艺流程ITO工艺流程是指将ITO膜作为导电膜,通过一系列的加工步骤制备成特定形状和规格的ITO玻璃或ITO膜。
ITO是氧化铟锡的简称,具有良好的导电性和光透过性,广泛应用于LCD、触摸屏、太阳能电池等领域。
ITO工艺流程主要包括ITO膜涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
首先是ITO膜涂布,将ITO溶液通过特定的方法涂布在基底材料上,形成薄膜。
涂布过程需要控制好涂布头的喷雾粒径和速度,以及基底材料的表面状况,以保证涂布后的膜质量。
接下来就是光刻步骤,将ITO膜上的光刻胶涂覆在膜上,并利用光刻机将图案光刻到光刻胶上。
光刻胶的选择很关键,它需要满足良好的光刻性能和较高的耐蚀性。
光刻胶暴露后,通过曝光、显影等步骤,将需要保留的图案暴露出来,形成光刻胶模版。
然后是腐蚀步骤,将暴露在光刻胶模版上的ITO膜部分进行腐蚀。
腐蚀可以选择湿法腐蚀或干法腐蚀两种方式,湿法腐蚀一般采用酸性溶液进行,干法腐蚀则通过离子束刻蚀等方式进行。
腐蚀后,光刻胶模版可被去除,暴露出ITO膜的导电区域。
最后就是清洗步骤,将ITO膜表面的光刻胶残留物和腐蚀产物进行清洗。
清洗过程采用有机溶剂、超纯水或酸碱溶液进行,以确保膜表面的清洁度和平整度。
清洗后即可得到满足要求的ITO玻璃或ITO膜。
整个ITO工艺流程中,涂布、光刻和腐蚀是关键步骤,其中涂布和光刻的参数控制直接影响着膜的质量和性能。
涂布时要注意涂布头的均匀性和稳定性,避免出现表面不均匀、厚度不一的情况。
光刻时要保证光刻胶的厚度和质量,以及光刻机的曝光、显影参数的准确控制。
腐蚀时需要选择合适的腐蚀剂和腐蚀时间,以保证腐蚀均匀性和腐蚀深度的控制。
总的来说,ITO工艺流程是将ITO膜加工成特定形状和规格的过程,涵盖了涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。
这些步骤的参数控制和质量保证对最后的ITO玻璃或ITO膜的性能有着重要影响,因此工艺的优化和改进是提高产品质量和工艺效率的关键。
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步:ITO GLASS参数规格:长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1规格:普通,钢化等,特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。
第二步:素玻璃参数规格:素玻璃:康宁,旭硝子等。
500*500规格第三步:清洗参数规格:1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步:背保丝印参数规格:膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日,丰阳等,热固型。
第五步:光刻胶整版丝印参数规格:膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。
第六步:前烘参数规格:让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。
温度:80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步:曝光参数规格:通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。
光能量:60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s第八步:显影参数规格:用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。
弱碱:0.05-0.2 MOL.温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。
第九步:坚膜参数规格:让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。
温度:120-150度,时间:20-30.第十步:蚀刻参数规格:酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。
碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。
电容屏ITO制程工艺
三种方式:
第一种:丝印工艺
第二种:黄光工艺
第三种:激光工艺
一、丝印工艺:
①.耐酸油墨制程(简称湿蚀刻):分为UV 型和热固型。
②.蚀刻膏制程(简称干蚀刻):热固型,对丝印网版感光胶要求高
③.保护胶制程:热固型,过酸不过减蚀刻良率较高,成本较高。
丝印工艺菱形ITO图案
二、黄光工艺:
①.干膜制程:成本较贵。
(触摸屏行业目前没有用到这个工艺。
)
②.湿膜制程:丝印型,离心及滚轮型。
黄光工艺菱形ITO图案
三、激光工艺:
设备贵,效果好。
(根据ITO 具有反射红外线,吸收紫外线能量的特性。
人们利用这两个特性制作1055MM 和355MM 的激光器,进行ITO 图形制作加工。
)
激光工艺菱形ITO图案。
电容屏ITO黄光制程工艺
流程
第一步:ITO GLASS
参数规格:
长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1
规格:普通,钢化等,
特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等
电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。
第二步:素玻璃
参数规格:
素玻璃:康宁,旭硝子等。
500*500规格
第三步:清洗
参数规格:
1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步:背保丝印
参数规格:
膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,
油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着
力等。
日本朝日,丰阳等,热固型。
第五步:光刻胶整版丝印
参数规格:
膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯
的环境下进行。
光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。
第六步:前烘
参数规格:
让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。
温度:80-90 度。
时
间15-20 分钟。
第七步:曝光
参数规格:
通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。
光能量:
60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s
第八步:显影
参数规格:
用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。
弱碱:0.05-0.2 MOL.
温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。
第九步:坚膜
参数规格:
让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。
温度:120-150度,时间:20-30.
第十步:蚀刻
参数规格:
酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。
碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。
经纯水清洗,干燥。
第十一步:银浆线丝印
参数规格:
膜厚:5-15μM,400-500 目钢丝网,18-16 线径,乳剂膜厚:6-12μM,
银浆:日本朝日,丰阳等,热固型。
感光胶:田菱H-815,(具有高解像性,高精密等特性。
)
第十二步:镀钼铝钼银浆线
参数规格:
需有镀膜线厂家才可以完成,如:南玻,新济达等用工艺。
先镀一层钼,(起保护,绝缘作用。
)
再度一层铝,(起导电作用。
)
最后再镀一层钼,(两层钼作用一样。
)
第十三步:反面处理
参数规格:
因考虑到ITO GLASS 厚度等问题等,需在反面在同上处理一次或
以其他方式处理。
第十四步:组合
参数规格:
上下线组合胶:口字胶:透光率底。
OCA 光学胶:汽包多,但透光率高。
液态光学胶:技术要求高。
第十四步:切割
参数规格
大片半成品切割处理成小片半成品。
第十五步:压合
参数规格:
小片半成品与FPC 及IC 绑定形成功能片
第十六步:测试
参数规格:
功能片的功能测试。
如:线性测试,寿命测试,精度测试等。
第十七步:终检
参数规格:
最终的一个外观检查。
第十八步:包装
参数规格:
包装处理出货。