黄光制程讲义工艺流程
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晶圆厂黄光工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步:ITO GLASS参数规格:长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1规格:普通,钢化等,特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。
第二步:素玻璃参数规格:素玻璃:康宁,旭硝子等。
500*500规格第三步:清洗参数规格:1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步:背保丝印参数规格:膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日,丰阳等,热固型。
第五步:光刻胶整版丝印参数规格:膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。
第六步:前烘参数规格:让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。
温度:80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步:曝光参数规格:通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。
光能量:60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s第八步:显影参数规格:用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。
弱碱:0.05-0.2 MOL.温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。
第九步:坚膜参数规格:让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。
温度:120-150度,时间:20-30.第十步:蚀刻参数规格:酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。
碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。
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黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺,主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上,形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先,将硅片进行表面清洁处理,以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来,将光刻胶涂覆在硅片表面,然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成,需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模,紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的,精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后,硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中,以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后,需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理,以确保光刻胶牢固地附着在硅片上,并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后,硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说,黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺,它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展,黄光工艺也在不断地完善和创新,为半导体工业的发展做出了重要贡献。