黄光制程流程图

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黄光制程工艺流程29页PPT

谢谢！
6、法律的基础有两个，而且只有两个……公平和实用。——伯克 7、有两种和平的暴力，那就是法律和礼节。——歌德
8、法律就是秩序，有好的法律才有好的秩序。——亚里士多德 9、上帝把法律和公平凑合在一起，可是人类却把它拆开。——查·科尔顿 10、一切法律都是无用的，因为好人用不着它们，而坏人又不会因为它们而变得规矩起来。——德谟耶则就不是奢侈。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学，如日中之光；志而好学，如炳烛之光。 ——刘向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好的教师是幸福，不如说好的教师是不幸。 ——海贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦。——杰纳勒尔·乔治·S·巴顿

黄光制程_??????

黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。

黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。

黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。

2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。

光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。

3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。

4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。

5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。

6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。

黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。

随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。

黄光微影制程

台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-1-黃光微影製程技術Lithography Process Technology楊啟榮博士副教授國立台灣師範大學機電科技學系Department of Mechatronic Technology National Taiwan Normal UniversityTel: 02-23583221 ext. 14E-mail:ycr@.tw台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-2-半導體IC 製造流程台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-3-Primary flat (110) planePrimary flat (110) planePrimary flat (110) planePrimary flat (110) planeSecondaryflatSecondaryflatSecondaryflatSecondary flat may be here (180o )Illustration of coded "flats" as typically used on 4 in. wafer t ohelp identify them (SEMI standard).摻雜磷摻雜硼台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-4-正摻雜(摻入的三族元素稱為受體)負摻雜(摻入的五族元素稱為施體)台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-5-晶圓最大及最小的厚度差彎曲度/撓曲度P type, 摻雜硼CZ 長晶方法晶圓為Test 等級晶圓為Prime 等級矽晶圓的規格台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-6-比例與時間各家會有所差異SiO 2會沾水Si 不沾水或是旋乾(spinning dry)去除有機物去除氧化膜去除微粒子與有機物去除金屬去除氧化膜相當重要！！台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-7-洗淨溶液及其目的(BOE)( 1:6 )(蝕刻緩衝液)(光阻)台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-8-黃光微影製程台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-9-正、負光阻的區別基板光罩光阻紫外光曝光薄膜基板基板薄膜正光阻負光阻顯影薄膜基板薄膜蝕刻薄膜基板基板薄膜光阻去除薄膜基板正、負光阻微影製程示意圖台灣師範大學機電科技學系C. R. Yang, NTNU MT-10-光罩的設計技巧z 光罩繪製是微影製程最基本步驟，透由光刻程序將光罩上的圖案的轉移至光阻，才能在基材上製作微結構。

黄光流程了解及各站点的出现的异常描述ppt课件

7
TPK Confidential and Proprietary Information
3.涂布脏污(部分因来料脏污/未清洗干净/机台脏污等~所导致)
4.涂布箭影(部分因玻璃上粘有有机物/涂布机台异常/光阻粘度/风刀水未吹干等~所导致)
8
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MO脱落/SIO2脱落/静电击伤/Organic脱落/线阻大小~ ~
6
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涂布异常图片
1. 涂布针孔(部分因脏污/光阻粘度/涂布机台异常等~所导致,目视为白色亮点)
2.涂布气泡(部分因脏污/光阻粘度/涂布机台异常等~所导致,目视为白色亮点)
11
TPK Confidential and Proprietary Information
5. 显影圈(部分因显影速度及电导率等~所导致,出现在显影后,目视为小白点/较小且密集)
6.PC405/Tory锯齿(部分因软烤温度/曝光能量/显影速度等~所导致,出现在显影后, 目视锯齿状/外观”老鼠咬”)
硬烤
3
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制程的相关示意图
Hale Waihona Puke 清洗光阻塗佈烘乾
顯影
曝光
4
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蝕刻
剝膜
檢查
5
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黄光流程了解及各站点的出现的异常描述

黄光制程

扩散 (Diffusion)
清洗 (Clean)
离子注入 (Implant)
Litho 什么是黄光区?
Litho
- Clean Room -
Separation Other Area Lithography Area † Clean
Materia l Selectio n
Cleaning System
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
FACTOR
EE / FO OL Base Line / FB Mix & Match(System)
• Process condition depends on which layer : Substrate condition,CD,Topology,OL target,Etch target etc • Key process factor : Tpr(A),Use BARC or not,SB,TARC or not,WEE,EE,FO,OL offset,PEB, Dev. Dipping time and so on. • Key machine factor : Cup exhaust pressure,Water jacket control temp,Chamber pressure,Temp,focus, Plate exhaust,PEB temp Accuracy.

黄光制程介绍

100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量：每一立方英尺的空間裡直徑0.5微米的灰塵或顆粒數目小於10000個. （10000級）
❖溫度： 21℃－25℃ ❖溼度：相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制：低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式移印式印刷式黃光轉移
通過干膜的光照反應、化學反應發生分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜去膜
曝光顯影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯影后留下的部份對底層起保護作用，然后進行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖形轉移技術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不限于生產一種產品，目前的認知是可以在平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作成需要的形狀，各制程如有新品的試制可以采用。
23 22/22
12/22

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。

第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。

500*500规格第三步：清洗参数规格：1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。

2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。

第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。

日本朝日，丰阳等，热固型。

第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。

光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。

第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。

温度：80-90 度。

时间15-20 分钟。

第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。

光能量：60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s第八步：显影参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。

弱碱：0.05-0.2 MOL.温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。

第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。

温度：120-150度，时间：20-30.第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。

碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。

露光(黄光)制程介绍

正行光阻種類(依狀態)：液態光阻乾膜√
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜底片製作流程：快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程

黄光流程了解及各站点的出现的异常描述

涂布模厚不均/显影不净/保外观检耙标护光阻回溅用万用表30度角3CM(量程20K)以上量测阻值,阻值显示1即为NG(显示值有跳动为OK) 剥膜后外观检+2D整面全检
背面ITO被蚀刻
保护光阻没保护上
AL线间残留造成Short METAL
蚀刻液HAC浓度/显影不净/ 显影后风刀吹不干涂布机刮伤/清洗机毛刷刮伤
黄光流程了解及各站点的出现的异常描述
TPK Confidential and Proprietary Information
DITO(N系列)流程
清洗 IR/UV/CP 光阻涂布软烤曝光显影
ADI检验
ITO流程（Front
& Back）
溅渡 Metal
剥膜 AEI检验
蚀刻
硬烤
保护涂布
ADI检验
7
TPK Confidential and Proprietary Information
3.涂布脏污(部分因来料脏污/未清洗干净/机台脏污等~所导致)
4.涂布箭影(部分因玻璃上粘有有机物/涂布机台异常/光阻粘度/风刀水未吹干等~所导致)
8
TPK Confidential and Proprietary Information
AL线间残留造成Short
剥膜后外观检+2D整面全检
涂布后刮伤线路偏细/MetalJumper 偏细或无Jumper 硬烤后偏黄 PC405厚度超规格硬烤后白雾硬烤后凹点增多
涂布或显影后外观检验异常品需选出返工 MFG漂白/硬烤前确认参数显影后测量膜厚请PE确认参数请PE确认参数
23 .所有制程的偏移均需管控;且严禁MFG使用手动曝光;请检验人员在正常管控的条件下加强管控以上的各类 2.新制程所使用之PI/PC405/TORAY等留在产品上之光阻以RUN CARD上要求为主,有争议请找开RUN CARD的 TPK Confidential and Proprietary Information 进行确认,确认后再行生产;

黄光制程工艺流程

根据光敏材料的性质，选择合适的光源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。

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