黄光制程工艺流程
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黄光制程
黄光制程(also known as黄色光刻技术)是一种微电子制程中常用的制造技术,它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤:
1. 制备底片:将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片(通常是硅片)上。
2. 涂覆光刻胶:将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光:使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下,光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影:用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除,形成所需的图案。
5. 蚀刻:使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料,形成所需的结构。
6. 清洗和检验:将芯片清洗干净并进行质量检验,以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一,它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展,黄光制程也在不断改进和演进,以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中,使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面,然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净,并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后,在硅片上涂覆一层光刻胶,通常是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中,然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶,使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后,光刻胶的部分区域会发生化学变化,变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中,显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶,而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要,可以使用不同的显影剂,如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害,可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中,蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要,可以使用不同的蚀刻剂,如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后,需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现,将硅片浸泡在其中,以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤,黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高,成本较低,因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之,黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值,可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光工艺触摸屏
黄光工艺触摸屏是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置,当接触了屏幕上的图形按钮时,屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置,可用以取代机械式的按钮面板,并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。
原理特征
利用压力感应进行控制触摸屏。
触摸屏作为一种最新的电脑输入设备,它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。
它赋予了多媒体以崭新的面貌,是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
黄光工艺
微影技术说起,即可略知一二。
微影技术是将光罩上的主要图案先转移至感光材料上,利用光线透过光罩照射在感光材料上,再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留,如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。
由于微影制程的环境是采用黄光照明而非一般摄影暗房的红光,所以这一部份的制程常被简称为“黄光”。
微影制程很好地实现了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。
应用
主要应用于公共信息的查询、领导办公、工业控制、军事指挥、电子游戏、点歌点菜、多媒体教学、房地产预售等。
iphone5感应线路就是采用黄光工艺的触摸电容屏,此种电容屏有助于手机在超窄边框上面布线,使手机工艺如钟表般精细,更薄,身材更漂亮,更有利于超窄边款手机的散热,更是贴合技术的绝配。
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步:准备光罩首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步:准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步:涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步:对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。
然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。
第五步:显影曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步:清洗将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。
第七步:检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步:后续处理根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。
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黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺,主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上,形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先,将硅片进行表面清洁处理,以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来,将光刻胶涂覆在硅片表面,然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成,需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模,紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的,精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后,硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中,以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后,需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理,以确保光刻胶牢固地附着在硅片上,并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后,硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说,黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺,它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展,黄光工艺也在不断地完善和创新,为半导体工业的发展做出了重要贡献。
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步:ITO GLASS参数规格:长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1规格:普通,钢化等,特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。
第二步:素玻璃参数规格:素玻璃:康宁,旭硝子等。
500*500规格第三步:清洗参数规格:1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步:背保丝印参数规格:膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日,丰阳等,热固型。
第五步:光刻胶整版丝印参数规格:膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。
第六步:前烘参数规格:让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。
温度:80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步:曝光参数规格:通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。
光能量:60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s第八步:显影参数规格:用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。
弱碱:0.05-0.2 MOL.温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。
第九步:坚膜参数规格:让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。
温度:120-150度,时间:20-30.第十步:蚀刻参数规格:酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。
碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻 AG 工艺是一种半导体制造中非常重要的工艺技术,它主要用于制作光刻胶图案以及图案转移至硅片表面的过程。
AG 工艺的主要步骤包括:前处理、光刻、蚀刻和清洗。
在前处理阶段,首先对硅片进行清洗,除去表面的杂质,然后进行氧化处理,形成一层氧化硅薄膜。
接着在氧化硅膜上涂覆一层光刻胶,使其表面变得均匀光滑。
在光刻阶段,使用光刻机进行曝光,将图案转移至光刻胶表面。
曝光后,使用显影液将未曝光的光刻胶去除,留下光刻胶图案。
在蚀刻阶段,将硅片放入蚀刻机中,蚀刻液会溶解未被光刻胶保护的硅片表面,留下光刻胶所保护的区域,形成精密的图像结构。
最后,进行清洗阶段,使用化学溶剂将光刻胶和残留的蚀刻液去除,使硅片表面干净透明。
AG 工艺在半导体制造中有着广泛的应用,例如制作集成电路、液晶显示器以及太阳能电池等领域。
它具有适应性强、制作精度高、可控性好等优点,成为了半导体工业中不可或缺的一环。
尽管 AG 工艺在制造过程中存在一些缺陷,例如光刻胶残留、图案偏移等问题,但通过不断的改进和优化,这些问题可以被有效地解决。
总之,黄光蚀刻 AG 工艺作为半导体制造中重要的工艺技术,在现代电子产业中发挥着重要的作用。
未来,随着技术不断的进步,AG 工艺将会更加高效、智能化,为电子制造产业的发展注入新的活力。
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。
(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。