数字集成电路设计基础 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
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科目代码:911科目名称:电子线路(模拟电路+数字电路)适用专业:电路与系统通信与信息系统信号与信息处理电子与通信工程集成电路工程计算机技术一、单项选择题(本大题共5小题,每小题5分,共25分)1.电路如图1所示,二极管的导通电压0.7V D U =,则图1中二极管的工作状态及输出电压值为()。
A 、D1导通,D2截止,0.7V O U =B 、D1截止,D2导通, 5.3V O U =-C 、D1截止,D2截止,12V O U =D 、D1导通,D2导通,0.7V O U =2.对于RC 耦合单管共射放大电路,若其上、下限频率分别为H f 、L f ,则当L f f =时,下列描述正确的是()。
A 、o U 滞后i U 45︒B 、o U 滞后i U ︒135C 、o U 超前iU ︒45D 、o U 超前iU 135︒3.如下图2所示单相桥式整流、电容滤波电路,电容量足够大时,已知副边电压有效值为210V U =,测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =,则下列描述正确的是()。
A 、电路正常工作B 、电容C 开路C 、负载R L 开路D 、电容C 和二极管D 1同时开路图2图24.为了克服零点漂移,通用型运放的输入级大多采用()。
A 、共射电路B 、共集电路C 、差动放大电路D 、OCL 互补对称功放电路5.关于多级放大电路下列说法中错误的是()。
A 、Au 等于各级电压放大倍数之积;B 、Ri 等于输入级的输入电阻;C 、Ro 等于输出级的输出电阻;D 、级数越多,通频带越宽。
图1D1D212V+_U O 6V3kΩ科目代码:911科目名称:电子线路(模拟电路+数字电路)适用专业:电路与系统通信与信息系统信号与信息处理电子与通信工程集成电路工程计算机技术二、填空题:(每小题5分,共5题,共25分)1.用卡诺图化简法将Y ABC ABD C D ABC ACD ACD =+++++化为最简与或形式2.求逻辑函数Y ABC AC BC =++的最小项之和形式3.写出图3的输出逻辑函数式图34.在CMOS 电路中有时采用图4所示的扩展功能用法,写出Y 的逻辑式。
(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题:本大题共5小题,每小题5分,共25分。
在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填在题前的括号内。
错选、多选或未选均不得分。
()1.在半导体太阳能电池中,关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时,其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中,非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时,对应P-N结内部处于:A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。
(15分)3.试述金属-半导体接触:肖特基接触与欧姆接触的各自特点。
(10分)三.计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势,其N A=1018cm-3和N D=1015cm-3.(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999,集基极漏电流为10μA,假设I B=0,请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。
(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数,那些因素会影响太阳能电池器件性能(15分)第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码:2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题(共20分,每题1分)1.()半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
浙江工业大学 / 学年第一学期 《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A姓名 学号 班级 任课教师一、填空题(本大题共10小题,每空格1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.十进制数(68)10对应的二进制数等于 ;2.描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言(HDL )法等,其中 描述法是基础且最直接。
3.1A⊕可以简化为 。
4.图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于 。
A B L≥1&CYC图1 图25.如图2所示,当输入C 是(高电平,低电平) 时,AB Y =。
6.两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =,当A =B =1时,输出低电平且V Z =0.3V ,当该与非门加上负载后,输出电压将(增大,减小) 。
7.Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比, 型电路的抗干扰能力更强。
8.与同步时序电路相比,异步时序电路的最大缺陷是会产生 状态。
9.JK 触发器的功能有置0、置1、保持和 。
10.现有容量为210×4位的SRAM2114,若要将其容量扩展成211×8位,则需要 片这样的RAM 。
二、选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
11.十进制数(172)10对应的8421BCD 编码是 。
【 】A .(1111010)8421BCDB .(10111010)8421BCDC .(000101110010)8421BCD D .(101110010)8421BCD12.逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含 个最小项。
【 】A .2B .3C .4D .513.设标准TTL 与非门AB Z =的电源电压是+5V ,不带负载时输出高电平电压值等于+3.6V ,输出低电平电压值等于0.3V 。