【宁波大学考博专业课真题】智能系统2012
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一、简答题(共30分)1、将二进制数(11.001)2转换为等值的十六进制数。
(3分)2、将函数式Y LM MN NL=++化为最小项之和的形式。
(3分)3、试分析图示CMOS逻辑门电路,写出Y的逻辑表达式。
(3分)4、CPLD与FPGA中,哪种断电后配置数据丢失?哪种采用查找表结构?哪种具有加密性?(3分)5.下图是一个数模转换器(DAC),它的转换误差主要有比例系数误差、漂移误差、非线性误差。
试说明这三类转换误差的产生原因。
(3分)6、在CMOS电路中有时采用下图所示的扩展功能用法,写出Y的逻辑式。
已知电源电压10DD V V ,二极管的正向导通压降为0.7V 。
(5分)EY7、下图是74161芯片接成的计数器。
请说出下图是多少进制计数器,并画出状态图。
(5分)8、画出下图电路在一系列CP 信号作用下Q 1 ,Q 2, Q 3端输出的波形。
触发器均为边沿触发结构, Q 1 ,Q 2, Q 3的初始状态均为0。
(5分)CP Q 2 Q 3二、分析计算题(共70分,每题10分)1、用卡诺图把式Y A B AC BC =++化简为最简与或式,然后用与非门实现,最后画出逻辑电路图。
(10分)2、分析下图的时序电路,写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程,画出电路的状态转换图,说出电路实现的功能。
A 为输入逻辑变量。
(10分)ttttQ1CP Q2 Q3Y3、用PROM 产生一组多输出逻辑函数:AB B A F +=0, A B A F +⋅=1,A B A F +=2,A F =3。
试在下图中画出地址译码点阵图和数据点阵图。
(10分)4、下图是用CMOS 反相器接成的压控施密特触发器电路。
CMOS 电路的电源电压为5V ,阈值电压为2.5V 。
分析它的转换电平T V +、T V -与控制电压CO V 的关系。
(10分)R2V5、用D触发器和与非门设计一个串行数据检测器。
对它的要求是:当检测到1000时输出为1,其它输入情况输出为0。
宁波大学2015
年攻读博士学位研究生
入学考试试题(B卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:高级数字系统设计科目代码:2606适用专业:微纳信息系统
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一、(20分)利用HDL语言设计下图所示的74LS151多路器。
二、(20分)利用LPM—ROM和HDL设计一个频率分辨率小于0.1Hz的DDS正弦信号发生器,ROM采用256×8bit,频率控制字M为10位。
试给出:1.相位累加器的最少位数,时钟频率,最高输出频率。
2.画出电路结构框图。
3.如果要提高输出频率应如何修改设计?
三、(20分)用DSP Builder设计m序列发生器,m序列发生器的特征方程为:1+X4+X5+X6+X8。
画出设计模型。
四、(20分)用VHDL有限状态机设计控制器电路,控制器状态转换图如图所示。
科目代码: 3809 科目名称:智能系统
1. 机器学习通常可分为指导性学习和非指导性学习,学习模型则可分为生成模型和
判别模型二类。
假定现在要完成以下的任务:
(a)函数拟合与插值;(b)聚类分析;(c)模式识别,
请简要解释以下学习模型各自属于生成模型还是判别模型,可以胜任哪种任务:(1)深度学习网络,(2)RBF网络,(3)Boltzmann机,(4)SOM网络。
(10%) 2. 如果将异或(XOR)问题推广为3输入的parity问题,要求输入和输出实现如下
真值表:
输入1 输入2 输入3 输出
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
请设计一个多层网络实现3-parity,并给出相应的学习算法。
(12%)
3. Hopfield网络是全相连的反馈型网络,可以用于实现“吸引子”联想记忆,如果
要使一个Hopfield网络同时记住“A”、“I”、“Y”三个字母(3x4点阵),试为其设计一个合理的结构,并给出学习算法和具体的网络权值。
(12%)
科目代码: 3809 科目名称:智能系统
科目代码: 3809 科目名称:智能系统
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同时生成模型则以产生出能够“愚弄”判别模型使其以为真的数据为目标,即极。
宁波大学2014年攻读博士学位研究生入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:半导体物理科目代码:3823适用专业:微纳信息系统一、判断题(正确的打√,错误的打×,每题2分,共10分)1.一个有三个价电子的硼原子以替位式代替了晶体硅中的一个硅原子,则硼原子被称为受主。
()2.一般认为,在温度不太高时,能量小于费米能级的量子态基本上被电子占据。
()3.在长声波散射中,纵波在散射中起主要作用。
()4.电子在导带和价带之间跃迁并复合称为间接复合。
()5.真空中静止电子的能量与半导体导带底能级之差称为半导体的电子亲和势。
()二、名词解释(每题5分,共15分)1、电子共有化运动2、杂质补偿效应3、爱因斯坦关系三、简答题(每题15分,共60分)1、非平衡状态下的PN结是多种光电器件工作的基础,请回答反向偏压下PN结势垒的变化以及载流子的运动。
2、试分别定性定量说明:(1)在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,载流子浓度越高;(2)对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,载流子浓度越高。
3、肖特基势垒是金属和半导体相互接触形成的,其在场效应管等光电器件中有重要应用,请简答该种势垒在正向偏压之下的势垒变化及载流子的运动,以及基于肖特基势垒的场效应晶体管的类型。
4、电荷耦合器件(CCD)是光电器件中非常重要的一类,请回答CCD电荷转移的基本原理。
四、论述题(每题15分,共15分)依据半导体物理及器件课程中所学的半导体物理基础知识及半导体器件的基本构件,选择一种本试卷中未出现的光电器件,论述其结构、原理和产业化现状及发展前景。
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