mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。箭头指向g的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···
场效应管 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感
Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻
半导体三极管及基本放大电路教案
电路分析教案 第1页，共26页
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教学章节 第2章 半导体三极管及基本放大电路
2.1 双极型三极管 课型 理论课
对象
教学目标 1.掌握：双极型三极管的电流分配方程和输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区的特点）；
2.理解：双极型三极管的放大条件和放大原理，三极管的直流参数和交流参数；
3.了解：双极型三极管的结构和电路符号，特殊三极管。
教学重点 1.双极型三极管的电流分配方程；
2.双极型三极管的输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区）；
3.双极型三极管的放大条件和放大原理；
4.三极管的直流参数和交流参数。
教学1.双极型三极管的放大原理；
2.双极型三极管输入、输出曲线（截止区、
电路分析教案 第1页，共26页 难点 放大区、饱和区）。
教学方法 多媒体教学，讨论
教学课时 2学时
教学内容 2.1 双极型三极管
半导体三极管有两大类型，一是双极型三极管，二是单极型场效应管。由于它有空穴和自由电子两种载流子参与导电，故称为双极型。本讲讨论双极型半导体三极管，通常用BJT表示，以下简称三极管。
双极型三极管可以分为如下几种类型：
（1）按结构分——NPN管和PNP管
（2）按功率大小分——大、中、小功率管
（3）按材料分——硅管和锗管
（4）按频率分——高频管和低频管
电路分析教案 第1页，共26页 2.1.1 三极管的结构和符号
通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图2.1所示。
（a）NPN管的结构及符号
（b）PNP管的结构及符号
图2.1 三极管的结构示意图和符号
不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和集电结。
电子基础 > 模拟电路
三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法
什么叫运算放大器？
数字电路即为TTL或C-MOS逻辑电路，而谈到模拟电路，首先就应想到运算放大器。但是，这里讲的运算放大器是怎样一个器件呢?
简而言之，运算放大器是具有两个输入端，一个输出端，以极大的放大率将两输入端之间的电压放大之后，传递到输出端的一种放大器。
如果以电路符号来表示运算放大器，则如右图，可表示为三角形。它的两个输入部分分别叫做非倒相输入(1N＋)和倒相输入(IN－)。它以极大的放大率将倒相输入端与非倒相输人端之间的电压放大，然后从输出端(OUT)输出。
在一个封装之中，放入一个运算放大器电路的称为单(Single)运算放大器，放入两个运算放大器电路称为双(Dual)运算放大器，放入四个运算放大器电路，称为四(Quad)运算放大器。使用四运算放大器的电路，比使用单、双运算放大器组装的电路板，面积可变得更小。在几乎所有的封装中，若为单运算放大器，则使用管壳型封装或8引脚双列式封装；若为双运算放大器，则使用8引脚双列式封装；若为四运算放大器，则使用14引脚双列式封装。并且，在一般情况下，引脚的排列一般是通用的，尽管也有例外，对业余爱好者使用的运算放大器来讲，可能只会使用以上几种封装方式。因此，弄清这种引线的分布方式，将非常方便。
B类OTL功率放大电路原理
三极管Hi-Fi放大器的功率级大部分使用B类SEPP.OTL功率放大电路。因为B类放大电路功率较高，最高达78.5%，除非是发烧级的音响，为求完美的不失真才会用A类。就三极管的散热以及电源电路的容量，B类都比A类好很多。 PP电路中虽然有输出电路产生的偶次高谐波可互相抵销的优点，但实际上，主放大器推动PP电路中的A类驱动级就会产生二次高谐波，因此高谐波还是很多。不过，B类PP电路为减少交叉失真，须特别注意偏压的稳定。以下介绍几个代表性的B类SEPP.OTL电路
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收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 课 题 三极管 课型 理论课 课时 4
教学时间 授课班级 电子1103 班级人数 33
教学目标 知识目标：
1．理解三极管的结构、分类、符号、特点。
2．理解三极管的电流放大原理。
3、掌握三极管的特性曲线、各工作状态的条件、并能判断。
4、理解三极管器件手册的使用和主要参数。
能力目标： 掌握三极管的管脚识别与判别。
情感目标：培养学生养成良好的学习习惯
教学重点与难点 教学重点：1. 三极管的工作状态；
2. 三极管的结构特点及电流放大作用
教学难点：输入输出特性曲线、电流放大作用。
教学方法 1、教师讲授与学生练习相结合。
2、板书与多媒体课件相结合。
教学过程 主 要 内 容 及 步 骤 备注
导入新课：
在半导体器件中，有一种广泛应用于各种电子电路的重要器件，那就是半导体三极管，通常也称为晶体管。
新授课：
一、半导体三极管的基本结构与分类
1．结构及符号
【结构】3个电极，3个导电区域和2个PN结
【结构特点】1.发射区掺杂很多，集电区掺杂较少；
2.集电结面积比发射结面积大；
3.基区薄且掺杂很少； 精品文档
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2．分类：
（1）按内部基本结构不同：NPN型和PNP型。PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。
（2）按功率分：小功率管、中功率和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。目前国内生产硅管多为NPN型（3D系列）；目前国内生产锗管多为PNP型（3A系列）。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
二、三极管的电流放大作用——发射结正向偏置，集电结反向偏置
