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电工学2第2讲：稳压管、三极管

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课件：二极管、三极管、晶闸管知识讲解

课件：二极管、三极管、晶闸管知识讲解

vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
6
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由 于电源电压发生波动，或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时，负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时，不管控制极加
怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有 开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化， 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
（2）触发导通 在图（c）所示
电路中，晶闸管加正向电压，在
控制极上加正向触发电压，此时
指示灯亮，表明晶闸管导通，这
种状态称为晶闸管的触发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示
电路中，晶闸管加反向电压，即
a极接电源负极，k极接电源正极，
此时不论开关s闭合与否，指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引 出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制 极G，所以它是一种四6 层三端的半导体器件。

二极管和三极管原理ppt课件

二极管和三极管原理ppt课件
（内电场的计算公式看备注）
2、PN 结的单向导电性
PN 压结
加 正 向 电
（导通）
• 如果在PN结上加正向电压，即外电源的正 端接P区，负端接N区。
• 可见外电场与内电场的方向相反，因此扩 散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使P 区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空 间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷 区抵消一部分正空间电荷。于是，整个空 间电荷区变窄，电内电场被削弱，多数载 流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电 流(正向电流)。
第二讲 逻辑门电路－附
一、半导体的基本知识
1、半导体
导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为 半导体。最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它 们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电 子数为 4。
+
Si
+
Ge
2、半导体材料的特性
纯净半导体的导电能力很差； 温度升高——导电能力增强； 光照增强——导电能力增强；型场效应管（JFET）
具体分为： ① N沟道结型场效应管 ② P沟道结型场效应管
① N沟道结型场效应管
基底:N型半导体
D（drain）
两边是P区
G（grid）
N PP
D G
D G
S
S
S（source）
导电沟道
② P沟道结型场效应管
D（drain）
G（grid）
P NN
S（source）
D G
一般情况下，掺杂半导体中多数载流子的数量可达到少数 载流子的1010倍或更多。
二、半导体二极管
PN 结的形成
PN结是由P型和N型半导体组成的，但它 们一旦形成PN结，就会产生P型和N型半导体 单独存在所没有的新特性。

电工学三极管资料

电工学三极管资料

调制与解调电路
调制：将信号转 换为适合传输的 形式
解调：将接收到 的信号还原为原 始信号
三极管在调制与 解调电路中的应 用：放大、开关 、滤波等功能
调制与解调电路 中的三极管选择 ：根据电路需求 选择合适的三极 管类型和参数
三极管的选用与注
06
意事项
选择合适的类型和型号
根据电路需求选择合适的三极管类型，如NPN型、PNP型 等
耗散功率
定义：三极管在正常工作状态 下，由于内部电阻和电流产生 的热量
计算公式：P=I^2*R
影响因素：温度、电流、电压 等
应用：用于评估三极管的散热 性能和稳定性
频率特性
频率响应：三极 管的频率响应范 围
截止频率：三极 管能够正常工作 的
相位裕度：三极 管在特定频率下 的相位裕度
三极管的工作原理
基本结构：由两个PN结组成，分为发射极、基极和集电极 工作状态：分为截止区、放大区和饱和区 电流关系：基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系 放大作用：通过改变基极电流IB来控制集电极电流IC，实现信号放大
03
三极管的类型
按材料分类
硅三极管：使用硅材料制作，广泛应用于电子设备中
锗三极管：使用锗材料制作，具有较高的电子迁移率
化合物三极管：使用化合物材料制作，如砷化镓、磷化铟等，具有较高的工作频率和功率 密度
碳化硅三极管：使用碳化硅材料制作，具有较高的热导率和电子迁移率，适用于高温、高 压、高频等恶劣环境
按结构分类
双极型三极管：由两个PN结组成，分为NPN型和PNP型
根据电路参数选择合适的三极管型号，如电流、电压、频 率等
注意三极管的封装形式，如TO-92、SOT-23等

稳压管和三极管 稳压源

稳压管和三极管 稳压源

稳压管和三极管稳压源
稳压管和三极管都是电子器件，它们在电路中常用于实现稳压功能，但原理和应用有所不同。

1. 稳压管（Zener二极管）：
•稳压管是一种特殊设计的二极管，工作时处于反向击穿状态。

•当稳压管的反向电压超过其击穿电压时，它会使电流通过，但维持一个几乎恒定的电压差，称为Zener电压。

•稳压管通常用于电路中实现固定的稳压功能，例如提供特定的电压源。

2. 三极管：
•三极管是一种三端器件，由发射极、基极和集电极组成，可以放大电流或作为开关使用。

•在电路中，三极管通常用于放大电流或电压信号，控制电路中的电流流动。

•虽然三极管也可以用于稳压，但它的主要功能是放大信号或作为开关使用。

稳压源：稳压源是一种电路，可以提供相对稳定的输出电压或电流，不受负载变化或输入电源波动的影响。

稳压源可以通过各种电子元件实现，包括稳压管、三极管、运算放大器等。

其设计目的是确保电路中某些部分得到恒定的电压或电流，以确保电路的稳定性和可靠性。

1/ 1。

培训资料 稳压管肖特基三极管

培训资料 稳压管肖特基三极管

Zener/Schottky/DTC(A) ©Copyright 2009,Prisemi¾Zener Diode¾Schottky Barrier Diode¾DTC/DTA2稳压管(齐纳二极管) (Zener Diode)稳压管的特点¾反向击穿电压前，电阻很大，电流很小¾达到击穿电压后，在一定范围内，电压变化很小¾稳压效果明显：±2%，±5%¾主要功率规格：0.2W，0.5W，1W，3W，10W¾需要高压：串联，V=V Z*n¾需要大功率：并联，P=P D*n¾使用时，与被保护芯片并联4Forward Voltage @ I FV F Typical Capacitance @ 0V , 1MHzCForward Current I F Reverse Voltage V R Reverse Voltage I R Maximum Zener Impedance @ I ZK Z ZK Reverse CurrentI ZK Maximum Zener Impedance @ I ZT Z ZT Reverse CurrentI ZT Reverse Zener Voltage @ I ZT V Z ParameterSymbolVII FV FI ZTI R V Z V R图一稳压管的电学参数PZ3D4V2H/PZ5D4V2H特点¾稳态功率：>0.5W¾漏电流小：<10uA@4.2V¾瞬态功率：200W (8/20us)¾无限冲击¾静电承受能力强：IEC61000-4-2Contact :15KVAir :25KV6Z e n e r D i o d e0.2W0.5wEspecially for MTKSOD-523SOD-323PZ5D5V1UPZ5D5V6U PZ5D75VUPZ3D5V1U PZ3D5V6U PZ3D75VUSOD-523SOD-323PZ5D5V1H PZ5D5V6H PZ5D75VHPZ3D5V1H PZ3D5V1H PZ3D75VHPZ5D4V2HPZ3D4V2H3588.673.452.50.051.0500255179.075.070.0PZ5D75V130106.08.00.11.08025512.712.011.4PZ5D12VU 1309.05.48.00.11.016020511.611.010.4PZ5D11VU 1308.04.58.00.11.016020510.610.09.4PZ5D10VU 1307.03.87.00.21.01601559.69.18.5PZ5D9V1U 1356.23.25.00.71.01601558.78.27.7PZ5D8V2U 1405.32.55.011.01601557.97.57.0PZ5D7V5U 1554.51.24.021.01601557.26.86.4PZ5D6V8U 1853.70.44.031.01001056.66.25.8PZ5D6V2U 2002.5-2.02.011.02004056.05.65.2PZ5D5V6U 2251.2-2.72.021.05006055.45.14.8PZ5D5V1U 2600.2-3.52.031.08008055.04.74.4PZ5D4V7U 4500-3.51.031.010009054.64.34.0PZ5D4V3U 450-2.5-3.51.031.010009054.13.93.7PZ5D3V9U 4500-3.51.051.010009053.83.63.4PZ5D3V6U 4500-3.51.051.010009553.53.33.1PZ5D3V3U 4500-3.51.0101.010*******.23.02.8PZ5D3V0U 4500-3.51.0201.010001052.92.72.5PZ5D2V7U 4500-3.51.0501.010*******.62.42.2PZ5D2V4U pFMaxMinVoltageuAmAΩΩmAMaxNomMinI R @V RZ ZK @I ZKZ ZT @I ZT@I ZT V Z (Voltage)C 0V,1MHzθVZ (mV/k)@I ZTLeakage CurrentZener ImpedanceZener Voltage SOD-523封装稳压管3588.673.452.50.051.0500255179.075.070.0PZ3D75V130106.08.00.11.08025512.712.011.4PZ3D12VU 1309.05.48.00.11.016020511.611.010.4PZ3D11VU 1308.04.58.00.11.016020510.610.09.4PZ3D10VU 1307.03.87.00.21.01601559.69.18.5PZ3D9V1U 1356.23.25.00.71.01601558.78.27.7PZ3D8V2U 1405.32.55.011.01601557.97.57.0PZ3D7V5U 1554.51.24.021.01601557.26.86.4PZ3D6V8U 1853.70.44.031.01001056.66.25.8PZ3D6V2U 2002.5-2.02.011.02004056.05.65.2PZ3D5V6U 2251.2-2.72.021.05006055.45.14.8PZ3D5V1U 2600.2-3.52.031.08008055.04.74.4PZ3D4V7U 4500-3.51.031.010009054.64.34.0PZ3D4V3U 450-2.5-3.51.031.010009054.13.93.7PZ3D3V9U 4500-3.51.051.010009053.83.63.4PZ3D3V6U 4500-3.51.051.010009553.53.33.1PZ3D3V3U 4500-3.51.0101.010*******.23.02.8PZ3D3V0U 4500-3.51.0201.010001052.92.72.5PZ3D2V7U 4500-3.51.0501.010*******.62.42.2PZ3D2V4U pFMaxMinVoltageuAmAΩΩmAMaxNomMinI R @V RZ ZK @I ZKZ ZT @I ZT@I ZT V Z (Voltage)C 0V,1MHzθVZ (mV/k)@I ZTLeakage CurrentZener ImpedanceZener Voltage SOD-323封装稳压管•MTK指定独家供应商，市场上尚无替代产品•采用小型SOD-523特性¾稳态功率：0.5W¾瞬态功率：200W(8/20us)¾静电防护等级：15KV（Contact）25KV（Air）¾漏电流IR<10uA@4.2VIR<2uA@3.8V典型应用：¾手机及相关零部件¾电源保护VBATICController PZ5D4V2HPZ5D4V2H¾Zener Diode¾Schottky Barrier Diode¾DTC/DTA11肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)¾它的特点是：正向导通电压极低：0.2V~0.5V@200mA ¾小功率：0.2W ，0.5W ；1W ，3W ¾大功率：10A ，20A ，30A ，50AVII FV FI RV RForward Voltage @ I F V F PowerPForward CurrentI F Reverse Voltage V R Reverse Current I R ParameterSymbol 肖特基势垒二极管的特点SOT-232000.6130PSBD23T-30SOD-3235000.47120PSBD551V-30SOD-5232000.5130PSBD521S-30SOD-5232000.6130PSBD520S-30PackageI FV FI RV R¾正向导通：<0.5V ¾反向导通：>9V ¾功率：0.2W¾封装要求：SOD-523/SOD-323手机上用到的肖特基•采用小型SOD-523封装•起到正向导通，反向截止的作用特性¾稳态功率：0.2W¾漏电流IR<10uA@20V典型应用：¾手机及相关零部件¾笔记本电脑¾MP3、MP4¾PDA等便携式设备VCCPSBD520S-30PSBD520S-30IC15¾Zener Diode¾Schottky Barrier Diode¾DTC/DTA16数字三极管(Digital Transistor)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。

了解二极管稳压管和三极管的基本构造54页PPT

了解二极管稳压管和三极管的基本构造54页PPT
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
25、学习是劳动，是充满思想的本构 造
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐 观是成 功的第 三要素 。
39、没有不老的誓言，没有不变的承 诺，踏 上旅途 ，义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人， 决不会 坚韧勤 勉。
21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈

电工学讲义二极管稳压管与整流滤波稳压电路

电工学讲义二极管稳压管与整流滤波稳压电路
电工学讲义二极管稳压管与整 流滤波稳压电路
半导体二极管及整流电路
半导体
导电能力介于导体和绝缘体之间。
硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。
纯净半导体导电能力不强，加入杂质后，导电能力增强 。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、晶闸管等 。
PN结
半导体
N型半导体 P型半导体
通过一定的工艺，使半导体一部分是P型， 一部分N型，则中间交接面形成PN结。
二极管的命名规则： 2 C P 10
2： 二极管
C： N型硅材料, A: P型锗材料 P： 普通型，K: 开关管，Z：整流管,W：稳压管 10： 序号
二极管的主要技术参数：
如何选用二极管
1）最大整流电流ICM： 二极管长期使用时,允许通过的 最大正向平均电流。
2）反向工作峰值电压URWM： 保证二极管不击穿而给出的反向电压峰值， 一般为击穿电压的1/2。
可选用最大整流电流100mA， 反向工作峰值电压100V 的 二极管，电容为250uF，耐压50V的电解电容
例： 有一单相桥式整流滤波电路，已知交流电源频率
f=50Hz，负载电阻 RL = 200，要求直流输出电压Uo=30V ，选择整流二极管及滤波电容器。
+
解：1. 选择整流二极管 ~
u
流过二极管的电流
-
-
b
电容滤波
u0
当u2处于正半周：
D导通 u2对C充电
0
D
D
t
截导
止通
(忽略二极管压降)uC（u0）跟随u2变化 u2达最大, uC （
u0）也达最大
aD
无电容滤波
u0
+
+

电子课件-《煤矿电工学(第二版)》-A10-3118 第二节

电子课件-《煤矿电工学(第二版)》-A10-3118 第二节

第二节 晶体三极管 二、晶体三极管的工作电压
极管的基本作用是放大电信号。 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压，集电结 加反向电压。
图2-13 三极管电源的接法
V为三极管，EC为集电极电源，EB为基极电源，又称偏置电源 ，Rb为基极电阻，Rc为集电极电阻。
第二节 晶体三极管 三、三极管内电流的分配和放大作用
第二节 晶体三极管
熟悉三极管的结构、特性和测量方法； 了解三极管的电流放大作用和单相晶闸 管的工作原理。
第二节 晶体三极管
在现实的日常生活中，手机、电脑、电视 机等电子设备已经走进了千家万户，人们对 它们的依赖性也越来越高。这些电子设备虽 然功能各异，但它们的组成中都离不开一种 重要的半导体器件——晶体三极管。
第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构、符号和分类
1．晶体三极管的结构
三极管的外形其特点是有三个电极，故称三极管。
图2-10 三极管的外形
第二节 晶体三极管
三极管的结构有三个区――发射区、基区、集电区，两个 PN结――发射结（BE结）和集电结（BC结），三个电极 ――发射极e（E）、基极b（B）和集电极c（C），两种 类型――PNP型管和NPN型管。
第二节 晶体三极管
需要注意的是：三极管的电流放大作用，实质上是用较 小的基极电流信号去控制较大的集电极电流信号，是“以小 控大”的作用；
三极管的电流放大作用，需要一定的外部工作条件。由 测试电路可知，三个电极上的电位分布VC＞VB＞VE（如用 PNP管做实验，则电位分布为VC＜VB＜VE）保证了发射结正 偏，集电结反偏。
图2—15 共发射极输入特性曲线
第二节 晶体三极管
2．晶体三极管的输出特性曲线
输出特性曲线：基极电流IB一定时，集 、射极之间的电压VCE与集电极电流IC的 关系曲线。

电工学第二讲PPT课件

电工学第二讲PPT课件
13
二极管的应用面很广，都是利用它的单向导电性。 可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路 中作为开关元件。
二极管的应用举例1：二极管半波整流
ui
ui
RL
uo
t
uo
t
14
二极管的应用举例2：
如图由RC构成微分电路，当输 入电压ui为矩形波时，试画出
U
ui
输出电压uo的波形。设uc(0) =0
ICEE。C
发射结正偏，发 射区电子不断向基 区扩散，形成发射
极电流IE。
27
1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。
发射结正偏
扩散强
穿过发射结的电 流主要是电子流
E区多子（自由电子）到B区
B区多子（空穴）到E区
形成发射 极电流IE
IE是由扩散运 动形成的
28
2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB
特点:非线性
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V
正常工作时发射结电压： NPN型硅管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
UBE 0.2 ~ 0.3V
0.8 UBE(V)
死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
(5) 最大允许耗散功率
管子不致发生热击穿的最大功率损耗：
PZM = UZ IZM
18
例：
+20V
通过稳压管的电流IZ等于 多少？R是限流电阻，其 值是否合适？
IZ R1.6K
＋
DZ
－
U Z 12V IZM 18mA

欧姆定律及二极管,三极管,MOST管知识讲解

欧姆定律及二极管,三极管,MOST管知识讲解

歐姆定律
§歐姆定律
• 通常流過電阻的電流与電阻兩端的電壓成 正比，這就是歐姆定律。
U
I
R
U/I=R
伏安特性
電壓与通過電阻 兩端的電流成正 比
I/A
U/V
遵循歐姆定律的電 阻被稱爲綫性電阻
電阻測試原理
如上圖所示，在量測電阻時是由系統送出一個定電流源到待測物上，經由量測待測物 兩端之電壓來計算出待測物之電阻值。我們令系統送出之定電流為I，待測物之電阻 為RX，待測物上之電壓為VRX，而待測物之電阻值可以由以下之公式計算而得之。 V R X RX I 其中I會隨著待測物電阻值之大小而改變，待測物電阻越大者，其電流會越小。
型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷或锑晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代磷原子的最外层有五个价电子其中四个与相邻的半导体原子形成共价键必定多出一个电子这个电子几乎不受束缚很容易被激发而成为自由电子这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子
歐姆定律及二極管, 三極管,MOST管知識講解
講師:王 軍
§半导体的基本知识
导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
本征半导体
一、本征半导体的结构特点
二、本征半导体的导电机理
1.载流子、自由电子和空穴
在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有 可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电 能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。

第2讲：稳压管、三极管

第2讲：稳压管、三极管

4 3 2 1 0 3 6 9
I 1.5 37.5 I 0.04
C
Q2
Q1
CE
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
其余参数：自学
例2：测量三极管三个电极对地电位如图 所示，试判断三极管的工作状态。
三极管工作状态判断
放大
截止
饱和
例3 测得一放大电路中的晶体管各脚电 位（对地）为1脚-10V、 2脚-5.7V、 3脚-6.4V（如图），试判别三个管脚， 并说明该晶体管是NPN还是PNP型？硅 管还是锗管？
4. 重要公式 ICE 与 IBE 之比称为共 发射极电流放大倍数 IB
B
C IC ICBO ICE N P
EC
I CE I C (1). I BE I B
直流
RB
EB
IBE
E I E
N
即：I C I B
ΔIC ic (2). i ,即：ΔI C ΔI B , 或ic ib ΔI B b
(1) 稳定电压UZ :正常工作时稳压管两端的电压 (2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
其余自学：
(3) 最大允许耗散功率
(4) 动态电阻
(5) 电压温度系数ｕ
PZM = UZ IZM
关于电路结构、工作原理等内容，在以后介绍
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四. 电路结构及工作原理
电路结构：
稳压二极管在使用时 一定要串入限流电阻，不 能使它的功耗超过规定值， 否则会造成损坏！
14. 5. 2 电流分配和放大原理
1. 放大的外部条件:
发射结正偏、集电结反偏
C
发射结正偏 集电结反偏
NPN VB>VE VC>VB

电工学课件-二极管稳压管及整流滤波稳压电路

电工学课件-二极管稳压管及整流滤波稳压电路

反向工作峰值電壓： UDRM 2U2
二極體承受的最高反向電壓 = 二極體截止時端電壓最大值
a
+
D4
u2 -
D3
b
D1 i1 D2 i2
+ RL u0
-
5. 橋式整流的其他畫法
+
+
u
RL u0
-
-
舉例
有一負載需直流電壓U0=40V，I0=4A，計算採用半波和全波整流電
路時，整流二極體的電流ID和最高反向電壓UDRM及電源變壓器次級 電壓U2
D i0
+
Tr u2
-
+
RL u0
-
ID=I0=4A
半波
U0=0.45U2 ,U2=40/0.45=89V
UDRM=2U2=126V
選擇時，可選其最大整流電流5A，反向工作峰值電壓200V
+ D2
D1
+ ID=(1/2)I0=2A
全波
~
u2
_
RL uo _
U0=0.9U2 U2=40/0.9=44V
❖在交流電壓正半周，
電容器上電壓充至交流電壓最大值2U2
❖ 在交流電壓的負半周，
1）在負載開路時，電容器不能放電，電壓2U2一直維持。 2）二極體陽極上的電壓為：交流電壓的 最大值2U2 因此，二極體承受電壓為：2 2U2
aD
+ uD -
+
2U2
u2
+ RL C
u0
- 2U2 -
UDRM >22U2 IOM=IO
1.全波整流電壓的平均值為：
0
2 3 4 t
U0 2 0.45U2 0.9U2

稳压管和三极管

稳压管和三极管

四、主要参数
1、电流放大系数 ， （反映放大能力）
2、极间反向电流ICBO，ICEO（反映管子温度稳定性） 3、极限参数ICM，U（BR）CEO，PCM
（决定三极管的工作区域）
IC (mA)
80A
60A
40A 20A
IB U BE
IC U CE
IB 0
U CE (V )
§ 1-4
稳 压 管
Uz
I z
U z
I (mA )
DZ
差别： 1、反向击穿曲线较陡 2、反向击穿是可逆的
Iz
U (V )
I z max
反 向I很 大 电 击 穿 不 采 取 限 流 措 施 热击穿 （可恢复） 加限流电阻 使I Iz max
3、稳压管工作在反向击穿区
（无法恢复）
IB 0
U CE (V )
IC (mA)
80A
60A
40A 20A
IB 0
U CE (V )
3、 饱 和 区 ： I C I B，I C I CS — 集 电 极 饱 和 电 流 U CE Si 0.3V U CE （sat） Ge 0.1V
条件： e结 正 偏 ， c结 正 偏
U i U Z , I 0, 开 路 ， U Ui Ui U Z Ui U Z ,有 电 流 I， U U Z ， I R
例：已知UZ=5V， UD=0.6V，求U0=？
①Ui=10V
②Ui=-10V ③Ui=4V ④ ui 10sint
I
ui
t
uo
R
Ui
UZ
UD
U (V )
Ui
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（2）非理想状态：二极管的正向压降一般硅管取为0.7V， 锗管0.3V
3、优先导通原则： 若有2条以上并联的二极管支路，则承受正向电压大者 优先导通。
★二极管的用途：整流、限幅、开关
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14.4 稳压二极管
一. 符号
二. 伏安特性
I
_
+ UZ/ IZ很小
稳压管正常工作
反向偏置
UZ
O
U
反向击穿，电流变 化很大，两端电压 变化很小，故稳压 管在电路中起稳压 作用
请各位同学在作业本封面 写上自己的学号
复习上堂课内容：
阳极 +
D
阴极 -
二极管符号
Diode
复习：二极管的伏安特性
I
mA
µA
U跳转到第一页源自二极管应用分析1、分析步骤：
①首先摘除二极管； ②分别计算两个断口的电位； ③若阳极电位高于阴极，则二极管导通；反之截止。
2、电路模型： （1）理想状态：导通时二极管的正 向压降为0（相当于开关闭合）
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
结论: 1）三电极电流关系 2） IC IB ， IC IE 3） IC IB
IE = IB + IC
★基极电流的微小变化引起集电极电流较大变化的特性 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化
100A
80A 60A
也称为线性区，具有恒 流特性，有 IC= IB
40A
20A IB=0 12 UCE(V)
恒流特性：Uce变化 引起Ic变化很小
发射结：正向偏置 集电结：反向偏置 晶体管：放大状态
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（2）截止区 IB < 0 ，有 IC 0 。
发射结:反向偏置，集电结:反向偏置
IC(mA )
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3. 内部载流子的运动规律解释放大作用
集电结:反偏，
形成ICBO
基区:忽略 空穴向发射
C
ICBO ICE B
区的扩散。 RB IBE
进入P 区的电 子：少量与基区
EB
的空穴复合，形
成IBE ，多数扩
散到集电结
E IE
基区扩散来的电 子：作为集电结 少子，漂移进入
N 集电结，形成ICE
P
关于电路结构、工作原理等内容，在以后介绍
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四. 电路结构及工作原理
电路结构：
稳压二极管在使用时 一定要串入限流电阻，不 能使它的功耗超过规定值， 否则会造成损坏！
稳压原理——利用稳压 管的反向击穿特性。由于 反向特性陡直，较大的电 流变化，只会引起较小的 电压变化。
必须有！
i
UZ
u
I zm in
（3）饱和区
饱4 和 区3
100A
80A 60A
UCE UBE 发射结:正向偏置，
集电结:正偏
2 1 O3
40A
深度饱和时，
20A
硅管UCES 0.3V，
IB=0
锗管UCES 0.1V。
6 9 12
截止区
UCE(V模) 拟电路，三级管多工作于放大区，
数字电路则多是截止、饱和区
14.5.4 主要参数
PNP型三极管
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
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常见的几种三极管外型结构如图所示。
常见的几种三极管外型
1.3 原理结构和符号 三极管的原理结构和电路符号，如图所示。
14. 5. 2 电流分配和放大原理
1. 放大的外部条件:
发射结正偏、集电结反偏
C
发射结正偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结反偏
△I
△U
I zm a x
说明：一般只串联使用，很少并联使用
设两只稳压管如图：
（正向导通压降均UD=0.7V）
则：正向串联
反向串联UZ= 6.7V或3.7V
14.5 双极型晶体管
14.5.1 基本结构
NPN型
PNP型
集电极
发射极 集电极
发射极
C NP N E
PN P
C
E
基极
基极
B
B
符号：
NPN型三极管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
UBE 0.2 ~ 0.3V
即PN结压降，对于硅管
死区电压：硅管0.5V，
一般取0.7V
锗管0.1V。
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2. 输出特性(重点)
IC f (UCE ) IB 常数
三个区：放大区、饱和区、截止区
IC(mA ) 4 3
2 放大区
1 O3 6 9
(1) 放大区
IC
mA
IB
+
RC
A
RB
+ V UBE 输入回路
V UCE
+ EC
输出回路 –
+– –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
1. 输入特性
IB f (U ) BE UCE常数
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V 0.8 UBE(V)
正常工作时发射结电压： NPN型硅管
NPN VB>VE VC>VB
PNP VB<VE VC<VB
N
B
P
RC
N RB
E EB
EC
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2. 各电极电流关系及电流放大作用
IC
实验线路
mA
IB
+
RC
A
RB
+ V UBE 输入回路
V UCE
+ EC
输出回路 –
+– –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
各电极电流
IB(mA) 0 0.02 IC(mA) <0.001 0.70 IE(mA) <0.001 0.72
表示晶体管特性的数据，是设计电路、选用晶体管的重要依据
1. 电流放大系数( ，要求会算)
共发射极电路：
直流电流放大系数 交流电流放大系数
___
IC
IB
Δ Δ
ib
交流
可见：电流控制电流
14.5.3 特性曲线
管子各电极电压与电流的关系曲线 内部看：载流子运动的表现 外部看：反映了晶体管的性能，分析放大电路的依据
为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理选择偏置电路参数，设计性能良好的电路 重点： 应用最广泛的共发射极电路
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测量晶体管特性的实验线路
IZ
IZ
UZ
IZM
Notice:须加限流电阻
正向导通压降均0.7V（硅管）
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三、主要参数
(1) 稳定电压UZ :正常工作时稳压管两端的电压
(2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
其余自学：
(3) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM (4) 动态电阻
(5) 电压温度系数ｕ
EC
N
发射结：正偏， 发射区电子向基
区扩散，形成IE
4. 重要公式
ICE 与 IBE 之比称为共 发射极电流放大倍数
(1). ICE IC
IBE IB
直流 即：IC IB
C IC
IB ICBO ICE
N
P EC
B
RB IBE N
EB
E IE
(2).
ΔIC ΔIB
ic ib
,即：ΔIC
ΔI B , 或ic