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第3讲 半导体基础知识-三极管[1]讲解

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3半导体三极管ppt课件

3半导体三极管ppt课件

（3〕集电区收集扩散过来的电子 集电极所加的是反向电压，这样集电结
形成一个由集电区指向基区的电场，使集 电区的电子和基区的空穴很难通过集电结， 但这个电场对基区扩散到集电结边缘的电 子却有很强的吸引力，可使电子很快地漂 移过集电结为集电区所收集，形成集电极 电流IC。
另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反 向电压时，基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流，这部分 电流决定了少数载流子浓度，称为反向饱和电流ICBO， 它的数值是很小的，这个电流对放大没有贡献，而且 受温度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制 造过程中要尽量设法减小ICBO。
iC VCC Rc
ICQ
斜率
1
R c// R L
斜率 - 1
Q
IBQ
Rc
V C EQ
VCC vCE
载流子的传输过程
（1〕发射区向基区注入电子
由于发射结外加正向电压，因此这时发射区的多数 载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射 极电流IE，其方向与电子流动方向相反。
（2〕电子在基区中的扩散与复合 由发射区来的电子注入基区后，在基区中
形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近浓 度最高，离发射结越远浓度越小。因而，电 子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程中 又会与基区中的空穴复合，同时接在基区的 电源VEE的正端则不断从基区拉走电子，好 像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电 源从基区拉走的电子数目相等，使基区的空 穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区电 流IB，所以基极电流就是电子在基区与空穴 复合的电流。
三极管的结构与符号：
• 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
• 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制 下，通过载流子传输体现出来的。 • 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 • 1. 内部载流子的传输过程

第3A讲半导体三极管

第3A讲半导体三极管

N
E
发射极
P
B
N
基极
P
E
发射极
晶体三极管的结构 晶体三极管是由两个PN结组成的
发射结
集电结
发射极 发射区
基区 集电区 集电极 基极
三极管符号
C
N
B
P
N
C B
C
P
B
N
P
C B
E
E
E
E
NPN型三极管
PNP型三极管
三个区的作用： 集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N
基区：较薄，
P
掺杂浓度低
N
发射区发射载流 子、基区传输和 控制载流子、集 电区收集载流子。
反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。
39 k A
B
10~50 V 2SA1015 检测反向击穿电压 U(BR)CEO39 k A来自LED5.1 k
B
10~50 V 2SA1015
LED 5.1 k
增大电源电压,当发光二极管LED闪亮时,A、 B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。
放大
课堂 练习
在电路中测得晶体管各电极对电位参考点的直 流电压如下，试确定它们各为哪个电极，晶体 管是NPN还是PNP型？ A管：Ux=12V,Uy=11.7V,Uz=6V; B管:Ux=-5.2v,Uy=-1V,Uz=-5.5V.
A管：Ux=12V,Uy=11.7V,Uz=6V; B管:Ux=-5.2v,Uy=-1V,Uz=-5.5V. 解：
例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V,2V,5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？

第3讲 半导体基础知识-三极管ppt课件

第3讲 半导体基础知识-三极管ppt课件

极管的各级电流均为零。
其简化模型可用 两段开路线表示：
晶体三极管
2.6 三极管的主要参数
三极管的连接方式
IC C1 IB + Rb VBB +C2 Rc VCC C1 + IE IC C2 + Rc VCC
(b)共基极接法
T
Re
VEE
(a)共发射极接法
图 1.3.10
NPN 三极管的电流放大关系
一、电流放大系数
将 IC 与 UCE 乘积等于 规定的 PCM 值各点连接起 来，可得一条双曲线。
ICUCE < PCM 为安全工作区 ICUCE > PCM 为过损耗区
图 1.3.11 三极管的安全工作区
IC
PCM = ICUCE
过
安 损 全 耗 工作 区
O
区
UCE
晶体三极管
3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。
晶体三极管
2.7温度对晶体三极管特性的影响
由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样，温 度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。主要表现在以下
晶体三极管
三极管的电流分 配关系 IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn + IEp = IEn+ IEp 一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大。 而二者之比称共基直 流电流放大系数，即
I Cn IE
ICBO
IC
c
ICn
Rc
IB
b
Rb
IBn
IEp e IEn
e
晶体三极管
2.3.1 输入特性曲线族
共发射极输入特性曲线 是指VCE为参变量，输入电 流IB与输入电压VBE之间的 关系曲线，即

半导体三极管及放大电路PPT精品课件

半导体三极管及放大电路PPT精品课件

截止区
图3－20
饱和区： 输出特性的上升和弯曲部分
动态：当放大电路输入信号后（vi0）， 电路中各处的电压、电流处于变动 状态，这时电路处于动态工作情况， 简称动态。
1. 估算法确定静态工作点
见图3－14(b)
IB
V CC V BE Rb
VBE：硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。
Rb
300k
Rc 4k Cb2
Cb1 IB
c IC
vi
e
12V
BJT的放大作用，按电流分配实现，称 之为电流控制元件；
电流放大系数
共基电路： 共射电路：
IC 1
IE
IC
IB
三、BJT的特性曲线（共射连接）
iC
iB
N
P
N
vCE
vBE
图3－8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) vCE 常数
iB(mA)
vCE=0V VCE 1V
80
25 C
60
40
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系
IE = IB + IC
I C αI E I CBO
代入
IC αI B αI C ICBO
整理 式得
IC
α 1
IB
I CBO
1
令 α 1
则 I C I B (1 ) I CBO
令 I CEO (1 ) I CBO
ICEO：基极开路，c流到e的电流，称穿透电流
4k
图3－18 (a)
ib
+ vi Rb
ic +
Rc RL v0
图3－18 (b)

半导体三极管讲解

半导体三极管讲解

1
（PNP） VBE - 0.7V
3
VCE <-0.3V
6
Hale Waihona Puke 920A IB=0
12
vCE(V)
（NPN） VBE 0.7V VCE <0.3V
（PNP） VBE -0.7V VCE >-0.3V
iC(mA ) 4 3 2 1
3
此区域中vCEvBE,集电结正偏，iB>iC， vCE0.3V称为饱和区。100A
ICBO是集电结反偏由少 子的漂移形成的反向电
流，受温度的变化影响。
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反偏有ICBO C
ICEO= IBN+ICBO=(1+ )ICBO
ICBO
IBN
N
B
P
IBN
N
E ICBO进入N区，形成 IBN。
ICEO受温度影响很大，当温度上升 时，ICEO增加很快，所以IC也相应增 加。三极管的温度特性较差。
共基极直流电流放大倍数:
IC IB
___
IC
IE
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电 极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：
IC IB
一般可以认为
共基极交流电流放大系数定义为：
1
IC IE
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
+
vCE
_
e
IB A
RB
V
VBE
IC mA
VCC
V
VCE
VBB 实验线路
1.输入特性曲线
vCE=0V

三极管ppt课件完整版

三极管ppt课件完整版

常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊

半导体三极管讲解课件


PART 03
半导体三极管的应用
在电子设备中的应用
01
02
03
放大器
半导体三极管作为放大元 件，用于信号的放大和处 理，如音频放大器、视频 放大器等。
开关电路
三极管作为开关元件，用 于控制电路的通断，如逻 辑门电路、继电器等。
振荡器
三极管用于产生高频振荡 信号，如石英晶体振荡器、 LC振荡器等。
详细描述
极间反向电流的大小反映了三极管的反向隔 离性能，对三极管的稳定性、噪声和功耗等 都有影响。在选择三极管时，应尽量选择极 间反向电流较小的型号。
噪声系数
总结词
噪声系数是指三极管在工作时产生的内部噪声与输入 信号之间的比值。
详细描述
噪声系数的大小反映了三极管内部噪声对信号的影响 程度。在选择三极管时，应尽量选择噪声系数较小的 型号，以确保信号的传输质量和稳定性。
封装与测试
封装
将制作好的三极管进行封装，以保护其免受外界环境的影响。
测试
对封装好的三极管进行电气性能测试，确保其满足设计要求。
PART 05
半导体三极管的特性参数
电流放大系数
总结词
电流放大系数是衡量三极管放大能力 的重要参数，表示基极输入电流对集 电极输出电流的控制程度。
详细描述
电流放大系数也称为β值，表示集电 极电流的变化量与基极电流变化量之 比。它是衡量三极管放大能力的重要 参数，数值越大，表示三极管的放大 能力越强。
PART 02
半导体三极管的工作状态
截止状 态
总结词
电流几乎为零
详细描述
当三极管基极无输入信号时，由于基极没有电流，因此集电极和发射极之间的电 流几乎为零，三极管处于截止状态。此时，三极管相当于一个断开的开关。

第3章 半导体三极管及其放大电路1解剖


[转13]
2019/2/27 第3章 10
2019/2/27
第3章
11
2019/2/27
第3章
12
பைடு நூலகம்
3.1.2 BJT的电流分配关系与放大作用
1.
BJT内部载流子的传输过程( 运动规
律)(观看课件)
为了使BJTe区能有效的发射载流子、c区有
效的收集载流子，必须具备的条件：
发射结正偏 集电结反偏
2019/2/27 第3章 17
3. 放大作用 晶体管最基本的一种应用，就是把微弱的电 信号加以放大。简单的放大电路如图3.1.5 所示。
输入电压： 晶体管eJ电压： e极电流： c极电流： 输出电压：
2019/2/27
Δv I＝20mV vEB ＝VEE+ΔvI iE＝IE + ΔiE iC＝IC + ΔiC
8
(2)
BJT的制造工艺特点：
a. e区掺杂浓度最高，以有效的发射载流 子；
b. b区掺杂浓度最低且最薄，以有效的
传输载流子；
c. c区掺杂浓度适中，面积最大，以有效
的收集载流子。
2019/2/27 第3章 9
(3)
NPN型BJT的结构
如图3.1.2所示。
(4)
PNP型BJT的结构
如图3.1.3所示。
第3章
Δvo＝ΔiC R L
［转20］
18
2019/2/27
第3章
19
综上所述：

(1) a.
要使晶体管具有放大作用必须保证： 内部条件：e区的掺杂浓度要远
大于b区的掺杂浓度，且b区的厚度要很
薄。

三极管ppt课件

生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源

三极管(1)最新PPT资料

1、IE=IC+IB ——这就是三极管的电流分配规律
2、三极管中既有电子的流动，也有空穴的流 动，即有两种载流子的运动，所以常称为双极 型三极管，简称三极管。
三、电流放大作用
由于基区很薄，空穴浓度又低(掺杂少），所以
发射区扩散来的电子大部分流向集电极形成IC，只 有很小一部分流向基极形成IB。管子作成后， IC和 IB的比例就保持一定， IC= ßIB ， IB 可控制IC，这 就是三极管的电流放大作用。
在扩散过程中与基区空穴相遇而复合，基区电 源补充空穴，形成基极电流IB 。
基区掺杂少，宽度窄，所以复合机会大大减少， 因此IB很小。 3、电子被集电极收集的情况
集电结反偏，内电场增强，一方面阻止集电区 电子向基区扩散，另一方面把发射区扩散来的电子 收集到集电区，形成集电极电流IC 。
根据以上分析可知：
3）集电结面积比发射结大。
动态（U ≠0）时， ΔI 与ΔI 的比值称为 是指当基极电流IB为常数时，三极管集电极与发射极之间的电压UCE与集电极电流IC的关系。
直流放大系数
ß=
IC IB
交流放大系数
ß=
Δ IC Δ IB
从电压关系上看，b、e间加的是正向电压，UBE 只要有少量变化，IB就有较大变化，通过三极管的电 流放大作用IC变化更大，通过RC产生的电压变化，比 UBE的变化大很多倍，三极管的电流放大作用就转化 为电压放大作用。
电压放大倍数
Au= UCE UBE
2）、当IB增大时， 相应地IC也增大，曲线上移， 而且IC比IB增加得多得多
IC = βIB ， ∆ IC = β ∆ IB ——这就是三极管的电流放大作用。
2、截止区：发射结及集电结均反偏。IB ≈ 0, IC ≈ 0。
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N b
表面看
P
N
b
不具备 放大作用
e
三极管中的两个 PN 结
e
图1.3.4
晶体三极管
三极管内部结构要求： 1. 发射区高掺杂。 2. 基区做得很薄。通常只有 几微米到几十微米，而且掺 杂较少。 3. 集电结面积大。 三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射 结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。
一般可达 0.95 ~ 0.99
晶体三极管
I C I Cn I CBO I E I CBO 当 I CBO I C 时， 可将其忽略，则 IC IE
三个极的电流之间满足节点电流定律，即
(1)
IE = IC + IB
代入(1)式，得 I C ( I C I B ) I CBO 1 IB I CBO 1 1 I B (1 ) I CBO 其中：
集电结
NPN
发射结
C B T E
发射结
N 发射区
E 发射极
P 发射区
E 发射极
NPN型
PNP
PNP型
晶体三极管
晶体三极管和晶体二极管一样都是非线性器件，
它的主要特性与其工作模式有关。
晶体三极管有三种工作模式： • 放大模式
• 饱和模式
• 截止模式
晶体三极管
2.2 放大模式下的工作原理
放大模式是指晶体管工作在发射结正偏、
共发射极连接时
VCE VCB VEB VBE VBC 0.3V
晶体三极管
2.3.4 晶体三极管的截止模式
三极管工作在截止模式时，发射结与集电结均反偏。 若忽略两个结的反向饱和电流，则可近似认为晶体三
极管的各级电流均为零。
其简化模型可用 两段开路线表示：
晶体三极管
2.6 三极管的主要参数
4. 在表的第一列数据中，IE = 0 时，IC = 0.001 mA = ICBO，ICBO 称为集电结反向饱和电流。
I C I E I CB O
在表的第二列数据中， I B = 0，IC = 0.01 mA = ICEO， 称为穿透电流。 ICEO (1 ) ICBO
IB/mA 0.001 IC/mA 0.001 IE/mA 0 0 0.01 0.01 0.01 0.56 0.57 0.02 1.14 1.16 0.03 1.74 1.77 0.04 2.33 2.37 0.05 2.91 2.96
将 IC 与 UCE 乘积等于 规定的 PCM 值各点连接起 来，可得一条双曲线。
ICUCE < PCM 为安全工作区 ICUCE > PCM 为过损耗区
图 1.3.11 三极管的安全工作区
IC
PCM = ICUCE
过
安 损 全 耗 工作 区
O
区
UCE
晶体三极管
3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。
晶体三极管
3. 饱和区
条件：VBE>Von，VBC﹤VBE
特点：此时曲线簇靠近纵轴
附近，各条曲线的上升部分 十分密集，几乎重叠在一起， 可以看出：当IB改变时， IC 基本上不会随之而改变。 关于晶体管的饱和程度： 一般认为 ，当 VCE=VBE 时 的状态为临界状态（VCB=0）
晶体三极管
2.3.3 晶体三极管的饱和模式
Δ IC Δ IB
3. 共基电流放大系数
Δ IC Δ ICEO 时，
4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时，
IC IB
IC IE
和 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：


1
晶体三极管
2.3.2 输出特性曲线族
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下，三极管 的集电极与发射极之间的电压VCE同集电极电流Ic的关系。
I C f 2 (VCE ) I B 常数
晶体三极管
1. 截止区 晶体管工作在截止模式 下，有： VBE≤Von，VCE>VBE 所以：
IB = 0，IC ≤ ICEO
小控制IC，这就是所谓的三极管的电流放大作用。
晶体三极管
2.3 晶体三极管的伏安特性曲线
晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电 压关系的曲线。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别 作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和 输出两个回路。在晶体管的三种基本接法中，我们主要讨 论应用最广的共发射极伏安特性曲线。
晶体三极管
2.7 PNP 型三极管
放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结 正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。
Rb P N N
+
RC
+ ui ~
VBB

uo

VCC
+ ui ~
VBB

Rb
+
RC
uo

VCC (b) PNP 型
(a) NPN 型 图 1.3.13
三极管外加电源的极性
1 共射直流电流 放大系数。


晶体三极管
I C I B (1 ) I CBO
上式中的后一项常用 ICEO 表示，ICEO 称穿透电流。
I CEO (1 ) I CBO 则 I C I B I CEO
当 ICEO<< IC 时，忽略 ICEO，则由上式可得
晶体三极管
2.3.1 输入特性曲线族
共发射极输入特性曲线 是指VCE为参变量，输入电 流IB与输入电压VBE之间的 关系曲线，即
I B f1 (VBE ) VCE 常数
晶体三极管
VBE一定时，随着VCE的 增大，IB相应减小，即 特性曲线右移。 1）VCE = 0V，相当于集电 极和发射极短路，类似于 PN结伏安特性曲线。 2）VCE增大，曲线将右移。 （基区宽度调制效应） 3）当VCE增大到一定值（如1V)后，iB基 本不变。
晶体三极管
2.7温度对晶体三极管特性的影响
由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样，温 度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。主要表现在以下
三个方面：
IC IB
共射直流电流放大系数 近似等于 IC 与 IB 之比。 一般 值约为几十 ~ 几百。
晶体三极管
三极管的电流分配关系
I E IC I B IC IB I E (1 ) I B
0.04 2.33 2.37
IC IE
一组三极管电流关系典型数据 IB/mA 0.001 0 0.01 0.02 0.03 IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77
当三极管的发射结和集电结均加正偏时，它工作在饱和 模式。I C 和 I E 将同时受到两个结正偏电压的控制，不再具有 放大模式下的正向受控作用。
饱和模式下晶体管的模型可近似用两个导通电压表示，
分别为 VBE( sat ) 和 VBC( sat ) 对于硅管，一般取
VBE( sat ) VBE(on) 0.7V VBC( sat ) VBC(on ) 0.4V
晶体三极管
2.2.2. 三极管的电流放大作用
从三极管中载流子的运动情况可知，我们只要
在制造上将基区做得很薄，掺杂浓度又低，那么从
发射区扩散过来的电子将绝大部分越过基区流向集
电极，形成集电极电流IC，只有很小一部分流向基
极形成基极电流IB，三极管在制成以后，IC和IB的
比例基本保持一定。因此我们可以通过改变IB的大
晶体三极管
三极管的电流分 配关系 IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn + IEp = IEn+ IEp 一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大。 而二者之比称共基直 流电流放大系数，即
I Cn IE
ICBO
IC
c
ICn
Rc
IB
b
Rb
IBn
IEp e IEn
e
晶体三极管
第二章
晶体三极管
参考书籍：
谢嘉奎《电子线路》线性部分
晶体三极管又称双极型晶体管(BJT)，一般由两个背靠 背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分 为NPN型和PNP型两种。
C 集电极
B C T E
晶体三极管
C
集电极
N 集电区 B P 基区 基极
集电结
P 集电区 B N 基区 基极
结论：
发射结反向偏置时，
晶体管是截止的。
晶体三极管
2. 放大区
晶体管工作在放大模式下，
VBE>Von, VCE≥VBE ，此时特 性曲线表现为近似水平的部分， 而且变化均匀： ① 作用。 ② 随着VCE的增加，曲线 IC的大小受IB的控制； ΔIc>>ΔIB；具强的电流放大
有些上翘。
③ 理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性 曲线是一族与横轴平行的等距离线。
晶体三极管
三极管中载流子运动过程
c
ICBO
IC
Rb
IB
b Rc e
3. 收集 集电结反偏， 有利于收集基区扩散过来 的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 另外，集电区和基区 的少子在外电场的作用下 将进行漂移运动而形成反 向饱和电流，用ICBO表示。
IE
图 1.3.5
三极管中载流子的运动
集电结反偏的模式。这时它呈现的主要特 性是正向受控作用，即三极管的集电极电 流和发射极电流只受正偏发射结电压的控 制，而几乎不受反偏集电结电压的控制。 这种作用是实现放大器的基础。