第二章三极管练习题

第二章练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件。

4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。

8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

二、选择题：1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。

三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。

A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。

A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。

A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。

答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。

答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。

（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。

（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。

答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。

当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。

9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。

五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。

答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。

六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。

已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。

解得X = 100。

因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。

第二章晶体三极管和场效应管单元测试题一（时限45分钟)一、判断题:1、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压.（)2、无论生死哪种三极管,当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位.（）3、三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。

（)4、三极管的穿透电流I ceo的大小不随温度而变化。

（）5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少.( )6、对于NPN型三极管，当V BE＞0时，V BE＞V CE,则该管的工作状态时饱和状态。

（）7、已知某三极管的射极电流I E=1.36mA,集电极电流I c=1.33mA，则基极电流I B=30μA。

（）8、某三极管的I B=10μA时，I C=0。

44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数β=45.（）二、选择题：1、三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（)。

A.放大状态B.饱和状态C. 截止状态2、三极管的两个PN结都反偏时，则三极管的晶体集电极电流将( ）。

A.放大状态B.饱和状态C。

截止状态3、当三极管的发射结反偏时,则三极管的集电极电流将（)。

A.增大B。

反向 C.中断4、三极管工作在饱和状态时，它的I C将（）。

A. 随I B增加而增加B。

随I B增加而减小 C.与 I B无关，只决定于R C和V G5、用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是：V B=4。

7V，V C=4。

3V,V E=4V,则该该三极管的工作状态是( ）A。

饱和状态 B. 截止状态 C.放大状态三、填空题1、三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做，另一个叫做。

2、三极管I E、I B、I C之间的关系式是。

I C/I B的比值叫.ΔI C/ΔI B的比值叫。

3、硅三极管的饱和压降约为V，锗三极管的饱和压降约为V。

（ ），VCE 将（ ），电压放大倍数AV将（
）。
4
a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定 （2）若换一只 β 值较小的管子，而电路其它元件参数不变，则静态 IB 将 （ ），VCE 将（ ），电压放大倍数AV将（ ）。
a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定
3、放大电路如右图所示，由于 Rb1 和 Rb2
（1）场效应管输入电阻远高于三极管的输入电阻，其放大能力也远高于三
极管。（ ）
2
（2）场效应管的内部噪声比三极管大，故它不可用于高灵敏度的接收装置。
（）
（3）有的场效应管的漏极和源极可以互换使用，而不影响其工作性能。
（）
（4）使用 MOS 场效应管应避免栅极悬空及减少外界感应。（ ）
（ 5） 耗 尽 型 场 效 应 管 可 以 采 用 自 给 偏 压 和 混 合 偏 压 两 种 偏 压 方 式 。
交流信号相当于短路，对下面的问题选择
C1
正确的答案填空。
+
（1）在 Vi=0 时，用直流电压表分别 Vi
-
测量管压降 VCE 和输出端电压 Vo，设三
极管工作在线性放大区，则测出的两个数值应该（
+VCC
Rb
Rc
+ C2
RL Vo
-
）。
a、相等； b、不等； c、近似相等。
（2）用示波器观察交流输出波形 vo 和集电极电压波形 vC，则二者应该
（
）。
a、相同； b、不同； c、反相。
（3）输入 f=1KHz 的正弦电压信号，用示波器观察 vo 和 vi，二者的波形应 该（ ）。
a、相同； b、相差 45o； c、相差 90o； d、相差 180o。

13级《计算机电路基础》习题二-2答案§2.3.3 双极性晶体三极管1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。

据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。

发射极作为公共端 共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。

共集电极电路基极为输入端，发射极为输出端。

集电极为公共端，如图所示。

共发射极连接 共基极连接 共集电极连接2、三极管的特性曲线三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有输入特性曲线和输出特性曲线两种。

2.1.1 共发射极连接输入特性曲线输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压V BE 与它产生的基极电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。

.2.12输入特性曲线特点：当U CE =0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。

这个开启电压的大小与三极管的材料有关。

硅管约0.5 V ，锗管约0.2 V.从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约0.7 V ，锗管在0.3 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。

随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。

2.2．共发射极连接输出特性曲线 输出特性是指在I B 一定的条件下，集电极与发射极的电压V CE 与集电极电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。

第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。

2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。

3.三极管各电极电流的分配关系是。

4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。

当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。

6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。

7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。

8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。

10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。

11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。

12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。

13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。

14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。

共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。

15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。

16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。

17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。

18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。

三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件，它由两个PN结组成，分为______极、______极和______极。

答案：电流；发射；基；集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。

答案：基；集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。

答案：放大区；饱和区；截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。

答案：稳定性；线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率，它反映了三极管的______特性。

答案：高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是（）。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中，若要使三极管工作在放大区，应满足的条件是（）。

A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案：A3. 三极管的饱和区是指（）。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指（）。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案：D5. 三极管的截止频率是指（）。

A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。

（ ×）2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。

（√ ）3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。

第2章习题及答案2.1试画出用PNP型三极管组成的单管共发射极基本放大电路，标出电源和隔直电容的极性、静态电流I B和I C的实际流向以及静态电压U BE和U CE的实际极性。

解：2.2试分析图P2.2所示的各电路是否能够正常放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有的电容对交流信号均可视为短路。

图P2.2解：解：（a）不能。

因为输入信号被VBB短路。

（b ）可能。

（c ）不能。

因为交流通路输入信号不能与直流叠加。

（d ）不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e ）不能。

因为输入信号被C2短路。

（f ）不能。

因为输出信号被VCC 短路，恒为零。

2.3 放大电路如图P2.3所示。

已知：V CC =12V ，R c =3k Ω，β =40，U BE =0.7V 。

求：当I C =2mA 时I B 、U CE 以及R b 的值。

图 P 2.3 图 P2.4解：；V 6 K 226μA 507.012μA 50μA 5040mA2c CQ CC CEQ b b b BE CC CQBQ =-=Ω=⇒=-⇒=-===R I V U R R VV R U V I I β2.4 放大电路如图P2.3所示，其三极管的输出特性曲线如图P2.4所示。

已知:V CC =12V ，R c =3k Ω，R b =300k Ω，U BE 可以忽略不计。

要求：（1）画直流负载线，求静态工作点；（2）当R c 由3kΩ变为4kΩ时，工作点将移向何处？（3）当R b 由300kΩ减小到200kΩ时，工作点将移向何处？（4）当V CC 由12V 减小到6V 时，工作点将移向何处？（5）当R b 变为开路时，工作点将移向何处？解：（1）估算μA 40bBECC BQ =-=R U V I画直流负载线CQ c CQ CC CEQ 3000V 12 I R I V U -=-=，横轴交点（12V,0），纵轴交点（0,4mA ）如图所示，与I B Q 的交点即为Q1点：I C Q =2mA ，U C E Q =6V（2）当R c由3kΩ变为4kΩ时，工作点将移到Q2处，I C Q=2mA，U C E Q=4V（3）当R b由300kΩ减小到200kΩ时，工作点将移向Q3处，I C Q=3mA，U C E Q=3V （4）当V CC由12V减小到6V时，工作点将移向何Q4处，I C Q=2mA，U C E Q=0V （5）当R b变为开路时，工作点将移向Q5处：I C Q=0mA，U C E Q=12V2.5共发射极基本放大电路如图P2.3所示。

三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。

答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。

第一章二极管及其应用1.1 二极管1、自然界中的物质，按照导电能力的不同，可分为_______、_______和______。

2、半导体的导电性能：_______________，常用的半导体材料有_____、_____。

3、半导体的导电性能：________、_______、________。

4、本征半导体：_____________半导体。

本征半导体硅或锗---__价磷元素----N型半导体（多数载流子为带__电的______）---__价硼元素----P型半导体（多数载流子为带__电的_____）5、二极管的材料和极性：材料极性用途A PB ZC WD U举例：2CZ______________________ 2AP______________________ 2BU______________________ 2DW_____________________6、二极管：将P型半导体和N型半导体结合在一起，在结合处形成一个特殊的薄层，即_______，一个_______可以制作一只二极管。

7、二极管的图形符号和文字符号：________________（标出正负极）。

8、二极管的重要特性：_____________即：_______________________________________。

9、二极管的伏安特性：表示二极管两端的____和流过二极管的____之间的关系。

伏安特性曲线：表示二极管两端的电压和流过二极管的电流变化的关系曲线。

二极管的伏安特性包括：__________和_________。

（2）正向特性：二极管加正向电压（正极接____电位，负极接____电位），超过________时，二极管开始_________。

锗硅死区电压导通电压（2）反向特性：二极管加反向电压（正极接_____电位，负极接_____电位），二极管处于_____状态。

总结：从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管属于________器件。

3.4.5（c）
放大电路如题图3.4.5（a）所示，设Rb=400kΩ， Rc=4kΩ， VCC=20V, Rs=0， 三极管的输出特性曲线如图3.4.5（b）所示，试用图解法求：
⑶ 当接入负载电阻RL=4kΩ时，再求最大不失真输出电压振幅Vom=？ 接入负载电阻后，交流负载线仍然过Q点，斜率变为－1/(Rc//RL)。即： ICQ y - ICQ 1 x -VCEQ VCEQ Rc // RL
3.3.4(f)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
不能放大， 直流通路不满足发射结正偏； 交流通路信号能顺畅的输入输出。
3.4.1（a）
一个如图题3.4.1（a）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如图题3.4.1 （b）的输出特性，静态工作点Q和直流负载线已在图上标出。
VCEQ VCC ICQ ( Rc Re )
(Rc Re ) 斜率 IBQ不变的情况下倾向于出现饱和失真
iB 100
60 30
非线性失真与静态工作点的关系1
i C/ mA
4 3 2
饱和区
i B = 100μ A
80
60
放大区
40
1
20
vBE
0
0
2
4
6
8
v CE/ V
截止区
a）Q点过低→信号容易进入截止区：截止失真
y
⑵ 若接入RL=6kΩ，画出交流负载线
交流负载线过Q点,斜率比空载时(即直流
负载线)大，为：
1 RL
2 3
x
假设交流负载线与坐标轴的两个交点坐标为（x，0）和（0，y）

《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。

2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。

3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。

4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。

5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。

6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

7、小功率三极管的输入电阻r be= 。

8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。

基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。

9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。

10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。

11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。

12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。

13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。

二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。

1§2.3 双极性晶体三极管习题2与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。

2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。

§2.3 双极性晶体三极管2.3.2晶体三极管的放大原理1、三极管的电流放大作用，三极管BJT 放大电路三个电流关系公式：B E I I I +=C ，B C I I β= ， B E I 1I ）（β+=【例题1】工作放大状态三极管两个电极的电流如图所示，I C =6.0mA ，I B=20μA求： 另一个电极的电流，并标出电流方向。

解：I E = I C + I B =6.0mA+0.02 mA=6.02mA 【结论】（1）、I E 电流最大，一般为mA 级； I B 电流最小，一般为μA 级。

（2）、NPN 三极管中，电流I B 、I C 流入三极管，电流I E 流出三极管； （3）、PNP 三极管中，电流 I E 流入三极管，电流I B 、I C 流出三极管。

2、三极管起放大作用的外部条件晶体三极管两个PN 结两个PN 结，一个PN 结为发射结，另一个PN 结为集电结。

将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。

使三极管起放大作用的外部条件是：发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置，即必须保证三极管发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。

【说明】NPN 型与PNP 型三极管发射结与集电结偏置电压不同。

(1)、NPN 型三极管发射结加正向偏置电压的电位关系应为：VB ＞VE ； 集电结加反向偏置电压为：VC ＞VB 。

NPN 型三极管放大条件三个极的电位关系应为V C>V B >V E 。

(2)、PNP 型三极管放大工作时，其电源电压V CC 极性与PNP 型管相反，这时，管子三个电极的电流方向也与NPN 型管电流方向相反，电位关系则为V E >V B >V C 。

9处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电 位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的 电位关系是_______。
A. VB＞VC＞VE C. VC＞VB＞VE B. VE＞VB＞VC D. VC＞VE＞VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 （ ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e 8．用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为 （ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e

《电子技术基础》单元练习（二）晶体三极管与场效应管一、填空题1、三极管按导电类型可分为和。

它属于控制器件，即通过来控制。

2、三极管具有作用，应使发射结，集电结。

3、晶体三极管的内部特点是和。

4、晶体三极管各极电流的分配关系是。

5、某晶体三极管的管压降保持不变，基极电流I B=30微安时，I C=1.2毫安，则发射极电流I E=，如果基极电流I B增大到50微安时，I C增加到2毫安，则三极管的电流放大系数β=。

6、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

7、三极管的I CEO与I CBO间的关系式为，它们反映了管子的性能，在选用管子时，希望I CEO尽量。

8、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而。

9、晶体管有、和三种工作状态。

10、晶体管的β大小应适当，β太小则，β太大则。

11、三极管的三个主要极限参数是、、。

12、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而；穿透电流I CEO随温度升高而；β值随温度升高而。

13、场效应管从结构上可分为和；从导电类型上可分为沟道和沟道。

场效应管属于控制器件，即通过来控制，它的控制能力用参数来表示。

14、场效应管有三个电极，即极，极和极。

用字母表示分别为、和。

15、场效应管相对于晶体三极管而言最大的特点是高。

其中结型场效应管的输入电阻可达，而绝缘栅型场效应管的输入电阻可达。

16、绝缘栅型场效应管简称MOS管，Ｍ是指，Ｏ是指，Ｓ是指。

17、NMOS管是指，PMOS管是指。

18、绝缘栅型场效应管在存放时极不能悬空，一般极和极要短接。

二、是非题1、三极管处在放大状态时，Ｃ极电位总是高于B极电位，B极电位总是高于E极电位。

（）2、对于NPN型三极管，当V BE＞0，V BE＞V CE，则该三极管一定工作在饱和状态。

（）3、一般来说硅三极管理的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。

（）4、晶体三极管有发射结和集电结，它相当于两个二极管反向连接，所以我们可以用两个三极管来代替一个三极管。

型管； 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作 电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不 得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集 电极 电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途 径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管 工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导 电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2 U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的 控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 四、计算分析题 1. 三极管电路如图所示，已知三极管的， UBE（on）=0.7V，rbe=1000Ω， 输入信号,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工 作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求ri和
11.放大电路存在着哪些类非线性失真现象？
12.多级放大电路有哪些耦合方式？各有什么特点？
13.用估算法求下图所示电路的静态工作点，电路中 =9V，RC=3k，RB=300 k，=50。

第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。

2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。

3、三极管电流放大作用是指三极管的（）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。

4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。

5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。

6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。

7、已知某基本共射放大电路V6V ,V 4R I CEQ 'LCQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。

8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。

根据图填空回答下列问题：V o-+（1）电源电压V CC=（）；（2）静态集电极电流I CQ=（）；静态管压降V CEQ=（）；（3）集电极负载电阻R C=（），负载电阻R L=（）；（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。

9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。

（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。

（）（2）三极管的输入电阻r be是一个动态电阻，故与静态工作点无关。

（）（3）在基本共射放大电路中，为了获得较高的输入电阻，在R b固定不变的条件下，三极管的β应该尽可能大些。