半导体导论 P124-125
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37 Repeat problem 3.36 for GaAs.
3.38 Assume that silicon, germanium, and gallium arsenide each have dopant concentrations of Nd = 1X1013 cm-3 and Na = 2.5 x 1014 cm-3 at T=300K.For each of the three materials(a) Is this material n type or p type?(b) Calculate n0 and p0.
3.39 A sample of silicon at T =450K is doped with boron at a concentration 0f 1.5x1015 cm-3and with arsenic at a concentration of 8 X 1014 cm-3 .(a) Is the material n type or p type? (b) Determine the electron and hole concentrations .(c) Calculate the total ionized impurity concentration.
3.40 The thermal equilibrium hole concentration in silicon at T = 300 K is p0=2x1015cm-3.Determine the thermal-equilibrium electron concentration .Is the material n type or p type?
3.41 In a sample of GaAs at T = 200 K, we have experimentally determined that n0 = 5 p0 and that Na = 0. Calculate n0, p0, and N d.
3.42 Consider a sample of silicon doped at N d = 1014 cm-3 and Na = 0 Calcu1ate the majority-carrier concentration at (a) T = 300 K, (b) T = 350 K,(C ) T = 400 K (d) T = 450 K, and (e) T = 500 K.
3.43 Consider a sample of silicon doped at N d= 0 and Na = 1014cm-3 .Plot the majority-carrier concentration versus temperature over the range 200≤T≤500K.
3.44 The temperature of a sample of silicon is T = 300 K and the acceptor doping concentration is Na = 0. Plot the minority-carrier concentration (on a log-log plot) versus Nd over the range 1015≤N d≤1018 cm-3.
3.45 Repeat problem 3.44 for GaAs.
3.46 A particular semiconductor material is doped at N d = 2 x 1013 cm-3, Na = 0, and the intrinsic carrier concentration is ni = 2 x 1013 cm-3. Assume complete ionization. Determine the thermal-equilibrium majority-and minority-carrier concentrations.
3.47 (a) Silicon at T = 300 K is uniformly doped with arsenic atoms at a concentration of 2 x 1016 cm-3 and boron atoms at a concentration of 1 x1013 cm-3. Determine the thermal-equilibrium concentrations of majority and minority carriers.
(b) Repeat part (a) if the impurity concentrations are 2 x1015 cm-3 phosphorus atoms and 3 x 1016 cm-3 boron atoms.
3.48 In silicon at T = 300 K, we have experimentally found that n0=
4.5 x 104 cm-3and N d=5x1015cm-3. (a) Is the material n type or p type? (b) Determine the majority and minority-carrier concentrations. (c) What types and concentrations of impurity atoms exist in the material?
Section 3.6 Position of Fermi Energy Level
3.49 Consider germanium with an acceptor concentration of Na = 1015 cm-3 and a donor concentration of N d = 0. Consider temperatures of T = 200, 400,and 600 K. Calculate the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Ferrni level at these temperatures.
3.50 Consider germanium at T = 300 K with donor concentrations of N d= 104, 1016and1018 cm-3 .Let Na = 0. Calculate the position of the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi level for these doping concentrations.
3.51 A GaAs device is doped with a donor concentration of 3X1015cm-3 .For the device to operate properly ,the intrinsic carrier concentration must remain less than 5 percent of the total electron concentration .What is the maximum temperature that the device may operate?
3.52 Consider germanium with an concentration of Na=1015cm-3and a donor concentration of N d=0.Plot the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Fermi level as a function of temperature over the range 200 ≤T ≤600 K.
3,53 Consider silicon at T =300K with Na=0. Plot the position of the Fermi energy with respect to the intrinsic Fermi level as a function of the donor doping concentration over the range 1014≤N d≤1018cm-3.
3.54 For a particular semiconductor,Eg=1.50eV,m*p=10m*n，T=300K，and ni=105cm-3. (a)Determine the position of the intrinsic Fermi energy level with respect to the center of the bandgap. (b)Impurity atoms are added so that the Fermi energy level is 0.45eV below the center of the bandgap .(i)Are acceptor or donor atoms added? (ii)What is the concentration if impurity atoms added?
3.55 Silicon at T = 300 K contains acceptor atoms at a concentration of Na = 5 x1015cm-3 . Donor atoms are add forming an n-type compensated semiconductor such that the Fermi level is 0.215 eV below the conduction band edge .What concentration of donor atoms are added?
3.56 Silicon at T = 300 K is doped with acceptor atoms at a concentration of Na = 7 x1015cm-3. (a) Determine E f-E v. (b) Calculate the concentration of additional acceptor atoms that must be added to move the Fermi level a distance kT closer to the
valence-band edge.
3.57 (a) Determine the position of the Fermi level with respect to the intrinsic Fermi level in silicon at T = 300 K that is doped with phosphorus atoms at a concentration of 1015cm-3. (b) Repeat part (a) if the silicon is doped with boron atoms at a concentration of 1015cm-3. (c) Calculate the electron concentration in the silicon for parts (a) and (b).
3.58 Gallium arsenide at T = 300 K contains acceptor impurity atoms at a density of 1015cm-3. Additional impurity atoms are to be added so that the Fermi level is 0.45 eV below the intrinsic level. Determine the concentration and type (donor or acceptor) of impurity atoms to be added.
3.59 Determine the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi level for each condition given in Problem 3.36.
3.60 Find the Fermi energy level with respect to the valence band energy for the conditions given in Problem 3.37.
3.61 Calculate the position of the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi for the conditions given in Problem 3.48.
Summary and Review
3.62 A special semiconductor material is to be “designed. ” The semiconductor is to
be n type and doped with 1 x 1015 cm -3donor atoms . Assume complete ionization and assume N a=0. The effective density of states functions are given by N c=N v=1.5x1019cm-3 and ate independent of temperature .A particular semiconductor device fabricated with this material requires the electron concentration to be no greater than 1.01x1019cm-3 at T=400K. What is the minimum value of the bandgap energy ?
译文
第三章半导体的平衡
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37重复3.36砷化镓的问题
3.38假设硅，锗，镓砷化物各有厘米的Nd = 1X1013 cm-3掺杂浓度和Na = 2.5 ×1014 cm-3
在T = 300K. 对于每三种材料（一）这是N型还是P型材料？（二）计算N0和P0。
3.39甲硅样品在T = 450K与硼掺杂浓度1.5x1015 cm-3和砷浓度在8 ×1.5x1014 cm-3。（a）
是n型或p物质类型？（二）确定的电子和空穴浓度。（c）计算的总电离杂质浓度。
3.40在硅中的热平衡孔在T = 300 K的浓度为P0 = 2x1015 cm-3。确定热平衡电子浓度。材
料是N型或P型？
3.41在砷化镓在T = 200 K的样品，我们已经确定，N0的实验= 5 ,P0和Na= 0. 计算n0时，
P0和N d。
3.42考虑一个硅样品在N d=1014 cm-3掺杂和Na= 0。计算多数载流子浓度（一）当T = 300
K时，（二）T= 350 K时，（三）T= 400 K时（四）T= 450 K和（五）T= 500K。
3.43考虑一个硅样品在掺N d= 0和Na =1014 cm-3。多数载流子浓度范围内与超过200≤T
≤500K的温度。
3.44一类硅样品的温度为T = 300 K和受体掺杂浓度为Na = 0。少数载流子浓度（以对数
图）范围内与超过1015≤N d≤1018 cm-3。
3.45为砷化镓3.44重复问题。
3.46一个特殊的半导体材料掺杂N d= 2 ×1013 cm-3，而Na= 0，本征载流子浓度是ni = 2
x 1013 cm-3。假设完全电离。确定热平衡多数和少数载流子浓度。
3.47（一）硅在T = 300 K是均匀掺砷原子在一个2 ×1016 cm-3和硼原子以1 x1013 cm-3
的浓度。确定多数与少数载流子的热平衡浓度。（二）重复第（一）如果杂质浓度为2 x1015 cm-3磷原子和3 x 1016 cm-3硼原子。
3.48硅在T= 300 K，我们实验发现，n0=
4.5 ×104cm-3和N d= 5x1015cm-3。（a）是n
型或p物质类型？（二）确定的多数和少数载流子浓度。（三）什么类型和浓度的杂质原子在物质中存在吗？
第3.6节费米能级的位置
3.49考虑与Na= 1015 cm-3受体浓度和N d施主浓度= 0。考虑温度的T = 200, 400,和600 K
的温度计算费米能级的位置相对于这些内在的费米水平。
3.50考虑锗在T = 300 K的施主浓度N d= 1014，1016和1018 cm-3。让Na= 0。计算相对于
这些内在的费米掺杂浓度水平费米能级的位置。
3.51砷化镓是一个掺杂了3X1015 cm-3施主浓度。对于设备正常运作，内在载流子浓度必
须保持不少于总数的5电子浓度百分比。什么是最高温度，该装置可以操作？
3.52考虑浓度锗与Na=1015cm-3和一对Nd = 0施主浓度。画出相对于费米能级位置，关
于费米能级以上的内在范围温度：T≤200≤600作为温度函数光。
3.53考虑硅在T = 300K与Na = 0的情况下。绘制的费米能量本征费米方面作为施主掺杂
在范围1014≤Nd≤1018cm-3浓度的功能级别的地位。
3.54对于一个特定的半导体，如Eg=1.50eV, m*p=10m*n，T=300K，n i=105cm-3.
（一）确定的内在费米就到了带隙中心的能级位置。（二）添加杂质原子，使费米能级低于带隙中心0.45eV. （i）是否受体或施主原子加入？（ii）什么是杂质原子的浓度增加？
3.55硅在T = 300 K的含有的Na = 5 x1015cm-3浓度受体原子。供体原子形成一个添加n
型半导体，这样的补偿费米能级低于0.215 eV的导带的边缘。什么样的施主浓度增加？
3.56硅在T= 300 K与受体原子掺杂的Na = 7 x1015cm-3浓度。（一）确定E f—E v. （b）
计算的受体必须添加到移动的距离kT的费米能级靠近价带边缘的原子浓度。
3.57（一）确定相对于费米能级位置，在硅的内在费米= 300 K的水平是与磷原子掺杂在
一个1015cm-3浓度的T （二）重复第（一）如果是在一个硅的1015cm-3浓度的硼原子掺杂。（三）计算硅在电子浓度的（a）及（b）。
3.58砷化镓在T = 300 K的包含了1015cm-3密度受主杂质原子。额外的杂质原子是要添加，
使费米能级为0.45电子伏特以下的内在水平。确定浓度和类型杂质原子（供体或受体）以复加。
3.59确定与费米能级方面的内在费米水平,每一个给定的条件在第3.36个问题。
3.60发现费米能级关于在给的条件的化学价带能量在第3.37个问题。
3.61计算费米能级的位置关于指定的条件的内在费米在第3.48个问题。
总结和回顾
3.62 一种特殊的半导体材料是“设计的。”半导体是为n型和1 ×1015 cm -3的施主原子掺杂。假设完全电离并且假设Na=0。Nc=Nv=1.5x1019 cm -3测量有效的密度态函数并且说明和温度无关。某特定半导体器件用这种材料制作的电子浓度要求不大于 1.01x1015 cm -3在T = 400K的情况下。什么是带隙能量的最小值？
中英文对照资料外文翻译文献 附件1：外文资料翻译译文 传感器新技术的发展 传感器是一种能将物理量、化学量、生物量等转换成电信号的器件。输出信号有不同形式，如电压、电流、频率、脉冲等，能满足信息传输、处理、记录、显示、控制要求，是自动检测系统和自动控制系统中不可缺少的元件。如果把计算机比作大脑，那么传感器则相当于五官，传感器能正确感受被测量并转换成相应输出量，对系统的质量起决定性作用。自动化程度越高，系统对传感器要求越高。在今天的信息时代里，信息产业包括信息采集、传输、处理三部分，即传感技术、通信技术、计算机技术。现代的计算机技术和通信技术由于超大规模集成电路的飞速发展，而已经充分发达后，不仅对传感器的精度、可靠性、响应速度、获取的信息量要求越来越高，还要求其成本低廉且使用方便。显然传统传感器因功能、特性、体积、成本等已难以满足而逐渐被淘汰。世界许多发达国家都在加快对传感器新技术的研究与开发，并且都已取得极大的突破。如今传感器新技术的发展，主要有以下几个方面： 利用物理现象、化学反应、生物效应作为传感器原理，所以研究发现新现象与新效应是传感器技术发展的重要工作，是研究开发新型传感器的基础。日本夏普公司利用超导技术研制成功高温超导磁性传感器，是传感器技术的重大突破，其灵敏度高，仅次于超导量子干涉器件。它的制造工艺远比超导量子干涉器件简单。可用于磁成像技术，有广泛推广价值。 利用抗体和抗原在电极表面上相遇复合时，会引起电极电位的变化，利用这一现象可制出免疫传感器。用这种抗体制成的免疫传感器可对某生物体内是否有这种抗原作检查。如用肝炎病毒抗体可检查某人是否患有肝炎，起到快速、准确作用。美国加州大学巳研制出这类传感器。 传感器材料是传感器技术的重要基础，由于材料科学进步，人们可制造出各种新型传感器。例如用高分子聚合物薄膜制成温度传感器；光导纤维能制成压力、流量、温度、位移等多种传感器；用陶瓷制成压力传感器。
【翻译硕士】 来源:万学海文考研 在遵循翻译学专业研究生教育一般规律的基础上，根据专业学位教育的特点，借鉴、吸收国外高层次翻译专门人才培养的有益经验，紧密结合我国国情，特别是结合我国翻译实践领域的实际情况，积极探索具有我国特色的翻译硕士专业学位研究生教育制度。 一、培养目标 培养德、智、体全面发展，符合提升国际竞争力需要及满足国家经济、文化、社会建设需要的高层次、应用型、专业性口笔译人才。 二、招生对象 具有国民教育序列大学本科学历(或本科同等学力)人员。 三、学习方式及年限 采用全日制学习方式，学习年限一般为2年。 四、培养方式 （一）实行学分制。学生必须通过规定课程的考试，成绩合格方能取得该门课程的学分；修满规定的学分方能撰写学位论文；学位论文经答辩通过方可申请翻译硕士专业学位。 （二）采用研讨式、口译现场模拟式教学。口译课程教学要运用卫星电视、同声传译实验室和多媒体教室等现代化的电子信息技术和设施、设备开展，要聘请有实践经验的高级译员为学生上课或开设讲座。笔译课程可采用项目翻译的方式授课，即教学单位承接各类文本的翻译任务，学生课后翻译，教师课堂讲评，加强翻译技能的训练。 （三）重视实践环节。强调翻译实践能力的培养和翻译案例的分析，翻译实践须贯穿教学全过程。要求学生至少有10万～15万字的笔译实践或累计不少于400小时的口译实践。 （四）成立导师组，发挥集体培养的作用。导师组应以具有指导硕士研究生资格的正、副教授为主，并吸收外事与企事业部门具有高级专业技术职称（务）的翻译人员参加；可以实行双导师制，即学校教师与有实际工作经验和研究水平的资深译员或编审共同指导。 五、课程设置 翻译硕士专业学位课程包括必修课与选修课，总学分不低于38学分（含实习）。 （一）必修课 1、公共必修课 （1）政治理论（3学分） （2）中国语言文化（3学分）
半导体材料复习题 1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子
翻译理论知识 一、翻译的定义 学习一门新的学科，首先必须有一个科学的定义。翻译是一个包罗万象、博大精深的技艺，至今也没有一个统一规范、举世公认的定义。我们只能综合各种不同的定义来掌握翻译的本质。 1. The Definition of The Oxford English Dictionary To turn from one language into another. 2. The Definition of Webster’s Third New International Dictionary of the English Language To turn into one’s own or another language. 3. A good translation is one which the merit of the original work is so completely transfused into another language as to be as distinctly apprehended and as strongly felt by a native of the country to which that language belongs as it is by those who speak the language of the original work.好的翻译应该是把原作的长处完全地移注到另一种语言，以使译人语所属国家的本地人能明白地领悟、强烈地感受，如同使用原作语言的人所领悟、所感受的一样。（泰特勒，1790） 4. Translation consists in reproducing in receptor language the closest natural equivalence of the source language , first in terms of meaning and secondly in terms of style.翻译就是在译入语中再现与原语的信息最切近的自然对等物，首先是就意义而言，其次是就文体而言。 （奈达，1974） 5. 翻译是用一种语言把另一种语言所表达的思维内容准确而完整地重新表达出来的语言活动。（张培基，1980） 6. 翻译是把一种语言表达的意义用另一种语言传达出来，以达到沟通思想感情、传播文化知、促进社会文 明，特别是推动译语文化兴旺昌盛的目的。（孙致礼：2003） 7. 翻译是将一种语言文字所蕴含的意思用另一种语言文字表达出来的文化活动。 （王克非，1997） 二、翻译的分类 翻译分不同的类型。就文本而言，随着世界发展的全球化趋势，翻译的范围越来越广，涵盖各个领域，如文学、政治、文化、贸易、科技、传媒等。在这个意义上，翻译可分为文学翻译、科技翻译和实用文体翻译。 1.按语言分类：本族语译成外语、外语译成本族语/ 语内翻译（intralingual translation）、语际翻译（interlingual translation） 2.按活动形式分类：笔译（translation）、口译（oral interpretation） 3按翻译材料的文体分类：应用文体翻译、科技文体翻译、文学作品翻译、政论作品翻译 4按处理方式分类：全译、节译、摘译、编译、译述 三、翻译的标准 翻译标准就是指翻译实践时译者所遵循的原则，也是翻译批评家批评译文时必须遵循的原则。翻译是一种社会活动，翻译标准则是从中产生的。由于社会活动受制于社会条件及译者个人等等因素，因此翻译标准也就打上了深深的社会和译者的烙印。 在我国持这一翻译原则的有玄奘、严复和鲁迅等人。玄奘是唐代著名的佛经翻译家，主张翻译"既须求真又须喻俗"(A good translation should be both faithful to the original and intelligible to the public.)，意即译文要"忠实通顺"。严复是我国清末时期的名学者。他在《天演论》(译例言)(1898)中提出了"信达雅"三字标准(faithfulness, expressiveness and elegance)。"信"是"意义不背本文"，"达"是不拘原文形式，尽译文语音的能事以求原意明显。"信"、"达"互为照应，不可分割开来。"雅"在今天看来是不可取的，因为这个"雅"是用汉以前字法句法，即所谓的上等文言文。鲁迅先生认为："凡是翻译，必须兼顾两面，一当然力求其易解，一则保存着原作的丰姿。"这就是说，译文既要信又要顺(both faithful to the SL and smooth in expression)。我国当代翻译理论家张培基等人在其《英汉翻译教程》中所提出的"忠实"、"通顺"标准也属此类型。从
外文文献： Knowledge of the stepper motor What is a stepper motor： Stepper motor is a kind of electrical pulses into angular displacement of the implementing agency. Popular little lesson: When the driver receives a step pulse signal, it will drive a stepper motor to set the direction of rotation at a fixed angle (and the step angle). You can control the number of pulses to control the angular displacement, so as to achieve accurate positioning purposes; the same time you can control the pulse frequency to control the motor rotation speed and acceleration, to achieve speed control purposes. What kinds of stepper motor sub-： In three stepper motors: permanent magnet (PM), reactive (VR) and hybrid (HB) permanent magnet stepper usually two-phase, torque, and smaller, step angle of 7.5 degrees or the general 15 degrees; reaction step is generally three-phase, can achieve high torque output, step angle of 1.5 degrees is generally, but the noise and vibration are large. 80 countries in Europe and America have been eliminated; hybrid stepper is a mix of permanent magnet and reactive advantages. It consists of two phases and the five-phase: two-phase step angle of 1.8 degrees while the general five-phase step angle of 0.72 degrees generally. The most widely used Stepper Motor. What is to keep the torque (HOLDING TORQUE) How much precision stepper motor? Whether the cumulative： The general accuracy of the stepper motor step angle of 3-5%, and not cumulative.
中英文资料对照外文翻译 基于网络共享的无线传感网络设计 摘要：无线传感器网络是近年来的一种新兴发展技术，它在环境监测、农业和公众健康等方面有着广泛的应用。在发展中国家，无线传感器网络技术是一种常用的技术模型。由于无线传感网络的在线监测和高效率的网络传送，使其具有很大的发展前景，然而无线传感网络的发展仍然面临着很大的挑战。其主要挑战包括传感器的可携性、快速性。我们首先讨论了传感器网络的可行性然后描述在解决各种技术性挑战时传感器应产生的便携性。我们还讨论了关于孟加拉国和加利 尼亚州基于无线传感网络的水质的开发和监测。 关键词：无线传感网络、在线监测 1.简介 无线传感器网络，是计算机设备和传感器之间的桥梁，在公共卫生、环境和农业等领域发挥着巨大的作用。一个单一的设备应该有一个处理器，一个无线电和多个传感器。当这些设备在一个领域部署时，传感装置测量这一领域的特殊环境。然后将监测到的数据通过无线电进行传输，再由计算机进行数据分析。这样，无线传感器网络可以对环境中各种变化进行详细的观察。无线传感器网络是能够测量各种现象如在水中的污染物含量，水灌溉流量。比如，最近发生的污染涌流进中国松花江，而松花江又是饮用水的主要来源。通过测定水流量和速度，通过传感器对江水进行实时监测，就能够确定污染桶的数量和流动方向。 不幸的是，人们只是在资源相对丰富这个条件下做文章，无线传感器网络的潜力在很大程度上仍未开发，费用对无线传感器网络是几个主要障碍之一，阻止了其更广阔的发展前景。许多无线传感器网络组件正在趋于便宜化（例如有关计算能力的组件），而传感器本身仍是最昂贵的。正如在在文献[5]中所指出的，成功的技术依赖于
河北师范大学外国语学院 翻译硕士（MTI）学位论文要求 翻译专业硕士教育旨在培养能胜任各种形翻译活动的应用型、实践性、专业化、职业化的翻译行业从业人员，因此翻译专业硕士培养模式应和翻译行业的实践操作模式相结合，论文也应结合翻译行业的特点，真正反映出学生对翻译职业、专业翻译、行业发展的熟悉程度。 学位论文形式 学位论文可以采用以下形式（学生任选一种，字数均以汉字计算）： 1、翻译实践类论文：学生在导师的指导下选择中外文本进行翻译，字数不少于10000字，并根据译文就翻译问题写出不少于5000字的研究报告； 2、翻译实验报告：学生在导师的指导下就口译或笔译的某个环节展开实验，并就实验结果进行分析，写出不少于10000字的实验报告； 3、翻译调研报告：学生就翻译政策、翻译产业和翻译现象等翻译相关问题展开调研与分析，写出不少于10000字的调研报告。 4. 重要岗位实习报告：学生就翻译行业流程中项目经理、项目翻译和项目审校三个岗位任选一种写出实习报告，字数不少于10000字。 5. 翻译研究论文：学生在导师的指导下撰写翻译研究论文，字数不少于15000字。 论文评审 学位论文采用匿名评审，论文评阅人中至少有一位是校外专家。答辩委员会成员中必须有一位具有丰富的口译或笔译实践经验且具有高级专业技术职称的专家。 学位授予 完成规定的课程学习，修满30学分；按规定完成学位论文并通过学位论文答辩者，授予翻译硕士专业学位。 翻译专业硕士学位论文选题具体要求 翻译实践类论文 1.选题的专业性 口选题应体现出本学位的专业特点，紧密结合翻译理论、翻译实践、翻译管理、翻译市场与行业、翻译技术与工具使用等方面中的具体问题，符 合翻译硕士专业学位教育的培养目标。
《半导体器件导论》 第4章载流子输运和过剩载流子现象 例4.1 计算给定电场强度下半导体的漂移电流密度。T＝300K时，硅的掺杂浓度为N d＝106cm，N a＝0。电子和空穴的迁移率参见表4.1。若外加电场强度ε＝35V cm ?，求漂移电流密度。 【解】 因为N d＞N a，所以在室温下，半导体是n型的。若假设掺入杂质完全电离，则 n≈N d=1016cm?3 少数载流子空穴的浓度为 P=n i 2 n =(1.5×1010) 2 1016 =2.25×104cm?3 既然n?p，漂移电流密度 J drf=e(μn n+μp p)ε≈eμn nε 因此 J drf=(1.6×10?19)(1350)(1016)(35)=75.6A cm2 ? 【说明】 在半导体上施加较小的电场就能获得显著的漂移电流密度。这个结果意味着非常小的半导体器件就能产生mA量级的电流。 例4.2 确定硅在不同温度下的电子和空穴迁移率。利用图4.2分别求出以下两种情况载流随机热速度增加子的迁移率。 (a) 确定(i)N d＝1017cm?3，Τ＝150℃及（ii）N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时的电子迁移率。 (b) 确定(i)N a＝1016cm?3，Τ＝50℃及（ii）N a＝1016cm?3，Τ＝150℃时的空穴迁移率。【解】 由图4.2可知： （a）（i）当N d＝1017cm?3，Τ＝150℃时，电子迁移率μn≈500cm2V?s ?； （ii）当N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时，电子迁移率μn≈1500cm2V?s ?。 （b）（i）当N a＝1016cm?3，Τ＝50℃时，空穴迁移率μp≈380cm2V?s ?； （i）当N a＝1017cm?3，Τ＝150℃时，空穴迁移率μp≈200cm2V?s ?。 【说明】 由本例可见，迁移率随温度升高而降低。 例4.3 为了制备具有特定电流—电压特性的半导体电阻器，试确定硅在300K时的掺杂浓度。考虑一均匀受主掺杂的条形硅半导体，其几何结构如图4.5所示。若外加偏压为5V时，电流为2mA，且电流密度不大于J drf＝100A cm2 ?。试确定满足条件的截面积、长度及掺杂浓度。 图4.6 硅中电子浓度和电导率与温度倒数的关系曲线（引自S ze[14]） 【解】 所需截面积为
第1 课绪论--翻译概述（1） 一、学科特点 翻译是一种跨越时空的语言活动，是"把一种语言已经表达出来的东西用另 一种语言准确而完整地重新表达出来"(范存忠："漫谈翻译"《翻译理论与技巧》 中国对外翻译出版公司，1985，p.80), 是"从语义到文体在译入语中用最切近而 又最自然的对等语再现原语的信息"（谭载喜：《奈达论翻译》中国对外翻译出版 公司，1984，p.10）。翻译虽为个体所承作，却是一种社会活动，一门综合性很 强的学科。它既有很强的理论性又有丰富的实践内涵。就前者而言，翻译经过千 百年来各国翻译家的共同努力，已经在语言学、文学、文化、心理学、人类学、 哲学和教育学等学科的基础上初步建立了一套理论体系，并在具体实践中总结出 了一套行之有效的跨文化和语言转换模式。随着科学的日益进步，这种体系和模 式正处在不断地完善之中。就后者而言，翻译是人类社会活动的产物，具有很强
的实践性。翻译理论与实践的关系是辨证的；翻译理论产生于翻译实践，反过来 又指导实践，实践转过来又丰富翻译理论。可以说，没有社会实践就不会有翻译 理论的产生；没有翻译理论作为指导，翻译实践就会难免走弯路。因此，学好翻 译既要重视翻译理论的学习，又要加强翻译实践；理论联系实际，这是我们学好 翻译的必由之路。 二、为什么可能有翻译 翻译是人类社会发展和进步的需要，因为人类社会要发展进步就需要在不同 文化的民族之间进行沟通，而这一全过程都离不开翻译。正如Steiner 和张培基 所说的那样：Translating it is that openeth the window, to let in the light; that breaketh the shell, that we may eat the kernel. (Steiner) 翻译是沟通各族人民的思 想，促进政治、经济、文化、科学、技术交流的重要手段，也是进行国际斗争的 必要武器。翻译是学习好外语的重要手段之一，也是探讨两种语言对应关系的一 门学科。(张培基等)
杭州电子科技大学信息工程学院毕业设计（论文）外文文献翻译 毕业设计（论文）题目用单片机实现的数字时钟电路设计文献综述题目单片机控制系统系电子工程 专业电子信息科学与技术 姓名郭筱楠 班级08091911 学号08919115 指导教师王维平
单片机控制系统 广义地说，微型计算机控制系统（单片机控制系统）是用于处理信息的，这种被用于处理的信息可以是电话交谈，也可以是仪器的读数或者是一个企业的帐户，但是各种情况下都涉及到相同的主要操作：信息的处理、信息的存储和信息的传递。在常规的电子设计中，这些操作都是以功能平台方式组合起来的，例如计数器，无论是电子计数器还是机械计数器，都要存储当前的数值，并且按要求将该数值增加1。一个系统例如采用计数器的电子钟之类的任一系统要使其存储和处理能力遍布整个系统，因为每个计数器都能存储和处理一些数字。 现如今，以微处理器为基础的系统从常规的处理方法中分离了出来，它将信息的处理，信息的存储和信息的传输三个功能分离形成不同的系统单元。这种主要将系统分成三个主要单元的分离方法是冯-诺依曼在20世纪40年代所设想出来的，并且是针对微计算机的设想。从此以后基本上所有制成的计算机都是用这种结构设计的，尽管他们包含着宽广的物理形式与物理结构，但从根本上来说他们均是具有相同基本设计的计算机。 在以微处理器为基础的系统中，处理是由以微处理器为基础的系统自身完成的。存储是利用存储器电路，而从系统中输入和输出的信息传输则是利用特定的输入/输出（I/O）电路。要在一个以微处理器为基础的时钟中找出执行具有计数功能的一个特殊的硬件组成部分是不可能的，因为时间存储在存储器中，而在固定的时间间隔下由微处理器控制增值。但是，规定系统运转过程的软件却规定了包含实现计数器计数功能的单元部分。由于系统几乎完全由软件所定义，所以对微处理器结构和其辅助电路这种看起来非常抽象的处理方法使其在应用时非常灵活。这种设计过程主要是软件工程，而且在生产软件时，就会遇到产生于常规工程中相似的构造和维护问题。 图1.1 微型计算机的三个组成部分 图1.1显示出了微型计算机中这三个单元在一个微处理器控制系统中是如何按照机器中的信息通信方式而联接起来的。该系统由微处理器控制，微处理器能够对其自身的存储器和输入/输出单元的信息传输进行管理。外部的连接部分与
压力传感器 合理进行压力传感器的误差补偿是其应用的关键。压力传感器主要有偏移量误差、灵敏度误差、线性误差和滞后误差，本文将介绍这四种误差产生的机理和对测试结果的影响，同时将介绍为提高测量精度的压力标定方法以及应用实例。 目前市场上传感器种类丰富多样，这使得设计工程师可以选择系统所需的压力传感器。这些传感器既包括最基本的变换器，也包括更为复杂的带有片上电路的高集成度传感器。由于存在这些差异，设计工程师必须尽可能够补偿压力传感器的测量误差，这是保证传感器满足设计和应用要求的重要步骤。在某些情况下，补偿还能提高传感器在应用中的整体性能。 本文以摩托罗拉公司的压力传感器为例，所涉及的概念适用于各种压力传感器的设计应用。 摩托罗拉公司生产的主流压力传感器是一种单片压阻器件，该器件具有 3 类： 1.基本的或未加补偿标定； 2.有标定并进行温度补偿； 3.有标定、补偿和放大。 偏移量、范围标定以及温度补偿均可以通过薄膜电阻网络实现，这种薄膜电阻网络在封装过程中采用激光修正。 该传感器通常与微控制器结合使用，而微控制器的嵌入软件本身建立了传感器数学模型。微控制器读取了输出电压后，通过模数转换器的变换，该模型可以将电压量转换为压力测量值。传感器最简单的数学模型即为传递函数。该模型可在整个标定过程中进行优化，并且模型的成熟度将随标定点的增加而增加。 从计量学的角度看，测量误差具有相当严格的定义：它表征了测量压力与实际压力之间的差异。而通常无法直接得到实际压力，但可以通过采用适当的压力标准加以估计，计量人员通常采用那些精度比被测设备高出至少 10 倍的仪器作为测量标准。 由于未经标定的系统只能使用典型的灵敏度和偏移值将输出电压转换为压 力，测得的压力将产生如图 1 所示的误差。 这种未经标定的初始误差由以下几个部分组成： a.偏移量误差。由于在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。 b.灵敏度误差，产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数（见图 1）。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。
英语专业文献综述 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020
Y i b i n U n i v e r s i t y 2015届本科毕业论文文献综述 题目_翻译目的论指导下的英语介词汉译策略研究 二级学院外国语学院 专业英语 学生姓名简汝梦 学号年级 2011级 指导教师徐文英职称讲师 年月日 文献综述 翻译目的论指导下的英语介词汉译策略研究 Study on the Translation Strategies of English Prepositions Based on Skopos Theory 摘要：英语介词使用频率高，搭配能力强，含义灵活，因此在翻译中属于比较难以处理的一种词类。目的论论者认为翻译是有明确的目的和意图，在译者的作用
下，以原文文本为基础的跨文化的人类交际活动。目的论以文本目的为翻译过程的第一准则，目的决定了译者需要采用何种翻译策略和方法。目的论的提出为英语介词的汉译提供了可靠的指导。本文将目的论引入到介词翻译中，认为在目的论原则的指导下，英语介词的汉译可通过加词、减词、分译、转译等策略来达到较好的翻译效果以及更好地实现翻译目的。 关键词：英语介词；翻译；目的论 导言：随着时代的发展，以及中国入世的大好形势的出现，汉语与英语在世界上似乎显得同等重要，所以将这两种语言互相转化是我们越来越重要的任务。在英语中，英语介词数量不多，但其构成的介词短语在英语中的出现频率很高，功能多样且位置灵活，对构成句子具有重要作用，因此对于英语介词的翻译策略问题一直深受广大翻译学者的关注。目的论以文本目的为翻译过程的第一准则，目的论者认为翻译是一种有目的的活动，目的决定了译者需要采用何种翻译策略和方法，即“目的决定论”。目的论的提出为英语介词汉译提供了有效的指导。因此，译者若能熟练掌握翻译目的和翻译方法，则能译出高质量的译文。鉴于此，本文先是阐述各大专家对于英语介词翻译以及翻译目的论的已有研究和探索，并结合笔者自己的观点加以评述；然后以此综述在翻译目的论指导下研究英语介词的汉译策略是个切实可行的手段；最后预测此观点的发展前景一定是光明受欢迎的。 历史发展：对于翻译目的论的发展历程，笔者在总结各前辈的资料中得出：在20世纪70年代，功能主义翻译理论兴起于德国，其四大代表性人物及其理论是: 凯瑟林娜·赖斯(Katharina Reiss)的功能主义翻译批评理论(functional category
外文文献一单片机简介 单片机是一种集成在电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计时器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的计算机系统。单片机也被称为微控制器（Microcontroller），是因为它最早被用在工业控制领域。单片机由芯片内仅有CPU的专用处理器发展而来。最早的设计理念是通过将大量外围设备和CPU集成在一个芯片中，使计算机系统更小，更容易集成进复杂的而对体积要求严格的控制设备当中。INTEL的Z80是最早按照这种思想设计出的处理器，从此以后，单片机和专用处理器的发展便分道扬镳。 二、单片机的发展趋势 现在可以说单片机是百花齐放，百家争鸣的时期，世界上各大芯片制造公司都推出了自己的单片机，从8位、16位到32位，数不胜数，应有尽有，有与主流C51系列兼容的，也有不兼容的，但它们各具特色，互成互补，为单片机的应用提供广阔的天地。 纵观单片机的发展过程，可以预示单片机的发展趋势，大致有： 1.低功耗CMOS MCS-51系列的8031推出时的功耗达630mW，而现在的单片机普遍都在100mW左右，随着对单片机功耗要求越来越低，现在的各个单片机制造商基本都采用了CMOS(互补金属氧化物半导体工艺)。象80C51就采用了HMOS(即高密度金属氧化物半导体工艺)和CHMOS(互补高密度金属氧化物半导体工艺)。CMOS虽然功耗较低，但由于其物理特征决定其工作速度不够高，而CHMOS则具备了高速和低功耗的特点，这些特征，更适合于在要求低功耗象电池供电的应用场合。所以这种工艺将是今后一段时期单片机发展的主要途径。 2.微型单片化 现在常规的单片机普遍都是将中央处理器(CPU)、随机存取数据存储(RAM)、只读程序存储器(ROM)、并行和串行通信接口，中断系统、定时电路、时钟电路集成在一块单一的芯片上，增强型的单片机集成了如A/D转换器、PMW(脉宽调制电路)、WDT(看门狗)、有些单片机将LCD(液晶)驱动电路都集成在单一的芯片上，这样 单片机包含的单元电路就更多，功能就越强大。甚至单片机厂商还可以根据用户的要求量身定做，制造出具有． 自己特色的单片机芯片。此外，现在的产品普遍要求体积小、重量轻，这就要求单片机除了功能强和功耗低外，还要求其体积要小。现在的许多单片机都具有多种封装形式，其中SMD(表面封装)越来越受欢迎，使得由单片机构成的系统正朝微型化方向发展。 3.主流与多品种共存 现在虽然单片机的品种繁多，各具特色，但仍以80C51为核心的单片机占主流，兼容其结构和指令系统的有PHILIPS公司的产品，ATMEL公司的产品和中国台湾
Basic knowledge of transducers A transducer is a device which converts the quantity being measured into an optical, mechanical, or-more commonly-electrical signal. The energy-conversion process that takes place is referred to as transduction. Transducers are classified according to the transduction principle involved and the form of the measured. Thus a resistance transducer for measuring displacement is classified as a resistance displacement transducer. Other classification examples are pressure bellows, force diaphragm, pressure flapper-nozzle, and so on. 1、Transducer Elements Although there are exception ,most transducers consist of a sensing element and a conversion or control element. For example, diaphragms,bellows,strain tubes and rings, bourdon tubes, and cantilevers are sensing elements which respond to changes in pressure or force and convert these physical quantities into a displacement. This displacement may then be used to change an electrical parameter such as voltage, resistance, capacitance, or inductance. Such combination of mechanical and electrical elements form electromechanical transducing devices or transducers. Similar combination can be made for other energy input such as thermal. Photo, magnetic and chemical,giving thermoelectric, photoelectric,electromaanetic, and electrochemical transducers respectively. 2、Transducer Sensitivity The relationship between the measured and the transducer output signal is usually obtained by calibration tests and is referred to as the transducer sensitivity K1= output-signal increment / measured increment . In practice, the transducer sensitivity is usually known, and, by measuring the output signal, the input quantity is determined from input= output-signal increment / K1. 3、Characteristics of an Ideal Transducer The high transducer should exhibit the following characteristics a) high fidelity-the transducer output waveform shape be a faithful reproduction of the measured; there should be minimum distortion. b) There should be minimum interference with the quantity being measured; the presence of the transducer should not alter the measured in any way. c) Size. The transducer must be capable of being placed exactly where it is needed.
半導體概論 作業(一) 能帶形成原因 組員： 1.499L0005 黃炯睿 (WORD製作) 2.499L0009 林杰翰 (統整資料) 3.499L0010 吳旻葦 (WORD製作) 4.499L0012 劉榮軒 (統整資料) 5.499L0045 黃志傑 (蒐集資料)
何謂能帶 能階由下而上增加，越上面能階越高，為何材料能導電，當導電帶裡有電子時，材料就會導電，一般電子都是處在價電帶中的，而從價電帶到導電帶就有一個能量差，叫做能階。也就是說電子要從價電帶跳躍至導電帶是需要能量，所以當能隙越大時，電子越不容易跳躍至導電帶。因此，絕緣體就是因為能隙很大，電子跳不過去導電帶裡，所以無法導電，但半導體的能隙較小，電子比較容易跳躍進入導電帶，所以只要施嘉一些能量，就可以讓電子進入導電帶來讓材料從不導電很容易變成導電，而導体的導電帶能階底部和價電帶能階頂部重疊，所以電子一
直都在導電帶中，因此材料隨時都可以導電 那能帶是如何形成的呢?? 半導體概念與能帶（Semiconductor Concepts and Energy Bands） 國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞碩士生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯 在半導體晶格中，電子的能量跟金屬有明顯的不同。以矽為例子，由於矽原子之間以價電子方式鍵結，在相鄰的矽原子之間，彼此價電子互相作用之下，導致晶體中電子能量會分裂成兩個可以明顯區分的能帶，此即所謂的價電帶和導電帶，此兩個能帶的間隙即為能帶間隙，由於在能帶間隙中電子的存在是不被容許的，此代表著在晶體中禁止的電子能量。 而價電帶代表晶體中兩個互相鍵結原子的電子波函數，佔據這些波函數的電子我們稱他為價電子。在絕對零度時，所有的鍵結都被價電子佔據，所以在價電帶中所有的電子能階都會被這些電子填滿。當電子處於導電帶中的時候，電子可以在晶體中自由的移動，同時也會對電場做出回應，所以在周圍會有很多空的能階。而電子可以容易的從電場中得到能量，進而能躍遷到比較高的能階裡。因為只有在導電帶裡才有空的能態，所以想要將價電帶中的電子激發到導電帶中需要能量，此能量須大於等於能帶間隙。當電子獲得足夠能量可以克服能帶間隙時，電子就會躍遷到導電帶中，所以在導電帶中會產生一個自由的電子，則在導電帶中會遺失一個電子即為電洞。 在導電帶中的自由電子，可以在晶體中自由的移動，所以外加電場的時候，會產生導電的情形。由於帶負電的電荷從晶體電中性區域脫離出，即會造成在價電帶中生成一個帶正電荷的電洞。而從近代物理的原子中，我們可知能量被量子化，並且具有特定不連續值，例如鋰原子有兩個電子位於1s殼層和一個電子位於2s 殼層。此相同的概念我們可應用到數個原子中分子的電子能量，同理電子的能量是呈量子化的。因此將多到1023個緊密排列大小的鋰原子聚集在一起以形成金屬，會因為原子間的作用力生成電子能帶。而2s能階會分裂成1023個緊密排列的能階，此會有效的形成一個能帶，即命名為2s能帶。同理，其他較高的能階也會形成能帶，而這些能帶彼此會互相重疊而形成代表金屬能帶結構的連續能帶。由於鋰原子的2s能階為半填滿的，這是因為2s次殼層需要兩個電子才能填滿，所以這意謂著如果晶體中的2s能階也是半填滿的話，此金屬即具有半填滿能帶的特性。 參考資料：光電子學與光子學-原理與應用
参考文献 一、翻译理论与实践相关书目 谢天振主编. 《当代国外翻译理论导读》. 天津：南开大学出版社，2008. Jeremy Munday. 《翻译学导论——理论与实践》Introducing Translation Studies---Theories and Applications. 李德凤等译. 北京：商务印书馆，2007. 包惠南、包昂. 《中国文化与汉英翻译》. 北京：外文出版社, 2004. 包惠南. 《文化语境与语言翻译》. 北京：中国对外翻译出版公司. 2001. 毕继万. 《世界文化史故事大系——英国卷》. 上海：上海外语教育出版社, 2003. 蔡基刚. 《英汉汉英段落翻译与实践》. 上海：复旦大学出版社, 2001. 蔡基刚. 《英汉写作对比研究》. 上海：复旦大学出版社, 2001. 蔡基刚. 《英语写作与抽象名词表达》. 上海：复旦大学出版社, 2003. 曹雪芹、高鄂. 《红楼梦》. 陈定安. 《英汉比较与翻译》. 北京：中国对外翻译出版公司, 1991. 陈福康. 《中国译学理论史稿》（修订本）. 上海：上海外语教育出版社. 2000. 陈生保. 《英汉翻译津指》. 北京：中国对外翻译出版公司. 1998. 陈廷祐. 《英文汉译技巧》. 北京：外语教学与研究出版社. 2001. 陈望道. 《修辞学发凡》. 上海：上海教育出版社, 1979. 陈文伯. 《英汉翻译技法与练习》. 北京：世界知识出版社. 1998. 陈中绳、吴娟. 《英汉新词新义佳译》. 上海：上海翻译出版公司. 1990. 陈忠诚. 《词语翻译丛谈》. 北京：中国对外翻译出版公司, 1983. 程希岚. 《修辞学新编》. 吉林：吉林人民出版社, 1984. 程镇球. 《翻译论文集》. 北京：外语教学与研究出版社. 2002. 程镇球. 《翻译问题探索》. 北京：商务印书馆, 1980. 崔刚. 《广告英语》. 北京：北京理工大学出版社, 1993. 单其昌. 《汉英翻译技巧》. 北京：外语教学与研究出版社. 1990. 单其昌. 《汉英翻译讲评》. 北京：对外贸易教育出版社. 1989. 邓炎昌、刘润清. 《语言与文化——英汉语言文化对比》. 北京：外语教学与研究出版社, 1989. 丁树德. 《英汉汉英翻译教学综合指导》. 天津：天津大学出版社, 1996. 杜承南等，《中国当代翻译百论》. 重庆：重庆大学出版社, 1994. 《翻译通讯》编辑部. 《翻译研究论文集（1894-1948）》. 北京：外语教学与研究出版社. 1984. 《翻译通讯》编辑部. 《翻译研究论文集（1949-1983）》. 北京：外语教学与研究出版社. 1984. . 范勇主编. 《新编汉英翻译教程》. 天津：南开大学出版社. 2006. 方梦之、马秉义（编选）. 《汉译英实践与技巧》. 北京：旅游教育出版社. 1996. 方梦之. 《英语汉译实践与技巧》. 天津：天津科技翻译出版公司. 1994. 方梦之主编. 《译学辞典》. 上海：上海外语教育出版社. 2004. 冯翠华. 《英语修辞大全》，北京：外语教学与研究出版社, 1995. 冯庆华. 《文体与翻译》. 上海：上海外语教育出版社, 2002. 冯庆华主编. 《文体翻译论》. 上海：上海外语教育出版社. 2002. 冯胜利. 《汉语的韵律、词法与句法》. 北京：北京大学出版社, 1997. 冯志杰. 《汉英科技翻译指要》. 北京：中国对外翻译出版公司. 1998. 耿占春. 《隐喻》. 北京：东方出版社, 1993.