半导体导论翻译(精)
半导体导论 P124-125
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37 Repeat problem 3.36 for GaAs.
3.38 Assume that silicon, germanium, and gallium arsenide each have dopant concentrations of Nd = 1X1013 cm-3 and Na = 2.5 x 1014 cm-3 at T=300K.For each of the three materials(a) Is this material n type or p type?(b) Calculate n0 and p0.
3.39 A sample of silicon at T =450K is doped with boron at a concentration 0f 1.5x1015cm-3and with arsenic at a concentration of 8 X 1014cm-3 .(a) Is the material n type or p type? (b) Determine the electron and hole concentrations .(c) Calculate the total ionized impurity concentration.
3.40 The thermal equilibrium hole concentration in silicon at T = 300 K is p0=2x1015 cm-3 .Determine the thermal-equilibrium electron concentration .Is the material n type or p type?
3.41 In a sample of GaAs at T = 200 K, we have experimentally determined that n0 = 5 p0 and that Na = 0. Calculate n0, p0, and N d.
3.42 Consider a sample of silicon doped at N d = 1014 cm-3 and Na = 0 Calcu1ate the majority-carrier concentration at (a) T = 300 K, (b) T = 350 K,(C ) T = 400 K
(d) T = 450 K, and (e) T = 500 K.
3.43 Consider a sample of silicon doped at N d = 0 and Na = 1014 cm-3 .Plot the majority-carrier concentration versus temperature over the range 200≤T≤500K.
3.44 The temperature of a sample of silicon is T = 300 K and the acceptor doping concentration is Na = 0. Plot the minority-carrier concentration (on a log-log plot) versus Nd over the range 1015≤N d≤1018 cm-3.
3.45 Repeat problem 3.44 for GaAs.
3.46 A particular semiconductor material is doped at N d = 2 x 1013 cm-3, Na = 0, and the intrinsic carrier concentration is ni = 2 x 1013cm-3. Assume complete ionization. Determine the thermal-equilibrium majority-and minority-carrier concentrations.
3.47 (a) Silicon at T = 300 K is uniformly doped with arsenic atoms at a concentration of 2 x 1016cm-3and boron atoms at a concentration of 1 x1013 cm-3. Determine the thermal-equilibrium concentrations of majority and
x1015cm-3 . Donor atoms are add forming an n-type compensated semiconductor such that the Fermi level is 0.215 eV below the conduction band edge .What concentration of donor atoms are added?
3.56 Silicon at T = 300 K is doped with acceptor atoms at a concentration of Na = 7 x1015cm-3. (a) Determine E f-E v. (b) Calculate the concentration of additional acceptor atoms that must be added to move the Fermi level a distance kT closer to the valence-band edge.
3.57 (a) Determine the position of the Fermi level with respect to the intrinsic Fermi level in silicon at T = 300 K that is doped with phosphorus atoms at a concentration of 1015cm-3. (b) Repeat part (a) if the silicon is doped with boron atoms at a concentration of 1015cm-3. (c) Calculate the electron concentration in the silicon for parts (a) and (b).
3.58 Gallium arsenide at T = 300 K contains acceptor impurity atoms at a density of 1015cm-3. Additional impurity atoms are to be added so that the Fermi level is 0.45 eV below the intrinsic level. Determine the concentration and type (donor or acceptor) of impurity atoms to be added.
3.59 Determine the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi level for each condition given in Problem 3.36.
3.60 Find the Fermi energy level with respect to the valence band energy for the conditions given in Problem 3.37.
3.61 Calculate the position of the Fermi energy level with respect to the intrinsic Fermi for the conditions given in Problem 3.48.
Summary and Review
3.62 A special semiconductor material is to be “designed. ” The semiconductor
is to be n type and doped with 1 x 1015 cm -3donor atoms . Assume complete ionization and assume N a=0. The effective density of states functions are given by N c=N v=1.5x1019cm-3 and ate independent of temperature .A particular semiconductor device fabricated with this
material requires the electron concentration to be no greater than
1.01x1019cm-3at T=400K. What is the minimum value of the bandgap
energy ?
译文
第三章半导体的平衡
(d) T = 400 K, N d = 0, N a = 1014 cm-3
(e) T = 500 K, N d = 1014 cm-3, Na = 0
3.37重复3.36砷化镓的问题
3.38假设硅，锗，镓砷化物各有厘米的Nd = 1X1013
cm-3掺杂浓度和Na = 2.5 ×1014 cm-3在T = 300K.
对于每三种材料（一）这是N型还是P型材料？（二）计算N0和P0。
3.39甲硅样品在T = 450K与硼掺杂浓度1.5x1015
cm-3和砷浓度在8 ×1.5x1014cm-3。（a）是n型或p物质类型？（二）确定的电子和空穴浓度。（c）计算的总电离杂质浓度。
3.40在硅中的热平衡孔在T = 300 K的浓度为P0
= 2x1015 cm-3。确定热平衡电子浓度。材料是N
型或P型？
3.41在砷化镓在T = 200 K的样品，我们已经确
定，N0的实验= 5 ,P0和Na= 0. 计算n0时，P0和N d。
3.42考虑一个硅样品在N d=1014 cm-3掺杂和Na= 0。
计算多数载流子浓度（一）当T = 300 K时，（二）T= 350 K时，（三）T= 400 K时（四）T= 450 K和（五）T= 500K。
3.43考虑一个硅样品在掺N d= 0和Na =1014 cm-3。
多数载流子浓度范围内与超过200≤T≤500K的温度。
3.44一类硅样品的温度为T = 300 K和受体掺杂
浓度为Na = 0。少数载流子浓度（以对数图）范围内与超过1015≤N d≤1018 cm-3。
3.45为砷化镓3.44重复问题。
3.46一个特殊的半导体材料掺杂N d= 2 ×1013
cm-3，而Na= 0，本征载流子浓度是ni = 2 x 1013 cm-3。
假设完全电离。确定热平衡多数和少数载流子浓度。
3.47（一）硅在T = 300 K是均匀掺砷原子在一
个2 ×1016 cm-3和硼原子以1 x1013 cm-3的浓度。确定多数与少数载流子的热平衡浓度。（二）
重复第（一）如果杂质浓度为2 x1015 cm-3磷原子和3 x 1016 cm-3硼原子。
3.48硅在T= 300 K，我们实验发现，n0=
4.5 ×
104 cm-3和N d= 5x1015 cm-3。（a）是n型或p物质类型？（二）确定的多数和少数载流子浓度。
（三）什么类型和浓度的杂质原子在物质中存在吗？
第3.6节费米能级的位置
3.49考虑与Na= 1015 cm-3受体浓度和N d施主浓度
= 0。考虑温度的T = 200, 400,和600 K的温度计算费米能级的位置相对于这些内在的费米水平。
3.50考虑锗在T = 300 K的施主浓度N d= 1014，
1016和1018 cm-3。让Na= 0。计算相对于这些内在的费米掺杂浓度水平费米能级的位置。3.51砷化镓是一个掺杂了3X1015cm-3施主浓度。
对于设备正常运作，内在载流子浓度必须保持不少于总数的5电子浓度百分比。什么是最高温度，该装置可以操作？
3.52考虑浓度锗与Na=1015cm-3和一对Nd = 0施主浓
度。画出相对于费米能级位置，关于费米能级以上的内在范围温度：T≤200≤600作为温度函数光。
3.53考虑硅在T = 300K与Na = 0的情况下。绘
制的费米能量本征费米方面作为施主掺杂在范围1014≤Nd≤1018cm-3浓度的功能级别的地位。
3.54对于一个特定的半导体，如Eg=1.50eV, m*p=10m*n，
T=300K，n i=105cm-3.（一）确定的内在费米就到了带隙中心的能级位置。（二）添加杂质原子，使费米能级低于带隙中心0.45eV. （i）是否受体或施主原子加入？（ii）什么是杂质原子的浓度增加？
3.55硅在T = 300 K的含有的Na = 5 x1015cm-3浓
度受体原子。供体原子形成一个添加n型半导体，这样的补偿费米能级低于0.215 eV的导带的边缘。什么样的施主浓度增加？
3.56硅在T= 300 K与受体原子掺杂的Na = 7
x1015cm-3浓度。（一）确定E f—E v. （b）计算的受体必须添加到移动的距离kT的费米能级靠近价带边缘的原子浓度。
3.57（一）确定相对于费米能级位置，在硅的内
在费米= 300 K的水平是与磷原子掺杂在一个1015cm-3浓度的T （二）重复第（一）如果是在一个硅的1015cm-3浓度的硼原子掺杂。
（三）计算硅在电子浓度的（a）及（b）。
3.58砷化镓在T = 300 K的包含了1015cm-3密度受
主杂质原子。额外的杂质原子是要添加，使费米能级为0.45电子伏特以下的内在水平。
确定浓度和类型杂质原子（供体或受体）以复加。
3.59确定与费米能级方面的内在费米水平,每一
个给定的条件在第3.36个问题。
3.60发现费米能级关于在给的条件的化学价带
能量在第3.37个问题。
3.61计算费米能级的位置关于指定的条件的内
在费米在第3.48个问题。
总结和回顾
3.62 一种特殊的半导体材料是“设计的。”半导体是为n型和1 ×1015 cm -3的施主原子掺杂。假设完全电离并且假设Na=0。Nc=Nv=1.5x1019 cm -3测量有效的密度态函数并且说明和温度无关。某特定半导体器件用
这种材料制作的电子浓度要求不大于1.01x1015 cm -3在T = 400K的情况下。什么是带隙能量的最小值？
中英文对照资料外文翻译文献 附件1：外文资料翻译译文 传感器新技术的发展 传感器是一种能将物理量、化学量、生物量等转换成电信号的器件。输出信号有不同形式，如电压、电流、频率、脉冲等，能满足信息传输、处理、记录、显示、控制要求，是自动检测系统和自动控制系统中不可缺少的元件。如果把计算机比作大脑，那么传感器则相当于五官，传感器能正确感受被测量并转换成相应输出量，对系统的质量起决定性作用。自动化程度越高，系统对传感器要求越高。在今天的信息时代里，信息产业包括信息采集、传输、处理三部分，即传感技术、通信技术、计算机技术。现代的计算机技术和通信技术由于超大规模集成电路的飞速发展，而已经充分发达后，不仅对传感器的精度、可靠性、响应速度、获取的信息量要求越来越高，还要求其成本低廉且使用方便。显然传统传感器因功能、特性、体积、成本等已难以满足而逐渐被淘汰。世界许多发达国家都在加快对传感器新技术的研究与开发，并且都已取得极大的突破。如今传感器新技术的发展，主要有以下几个方面： 利用物理现象、化学反应、生物效应作为传感器原理，所以研究发现新现象与新效应是传感器技术发展的重要工作，是研究开发新型传感器的基础。日本夏普公司利用超导技术研制成功高温超导磁性传感器，是传感器技术的重大突破，其灵敏度高，仅次于超导量子干涉器件。它的制造工艺远比超导量子干涉器件简单。可用于磁成像技术，有广泛推广价值。 利用抗体和抗原在电极表面上相遇复合时，会引起电极电位的变化，利用这一现象可制出免疫传感器。用这种抗体制成的免疫传感器可对某生物体内是否有这种抗原作检查。如用肝炎病毒抗体可检查某人是否患有肝炎，起到快速、准确作用。美国加州大学巳研制出这类传感器。 传感器材料是传感器技术的重要基础，由于材料科学进步，人们可制造出各种新型传感器。例如用高分子聚合物薄膜制成温度传感器；光导纤维能制成压力、流量、温度、位移等多种传感器；用陶瓷制成压力传感器。
半导体材料复习题 1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子
Unit1 1、What is the difference between an alloy and a pure metal? Pure metals are elements which come from a particular area of the periodic table. Examples of pure metals include copper in electrical wires and aluminum in cooking foil and beverage cans. 合金与纯金属的区别是什么？纯金属是在元素周期表中占据特定位置的元素。例如电线中的铜和制造烹饪箔及饮料罐的铝。 Alloys contain more than one metallic element. Their properties can be changed by changing the elements present in the alloy. Examples of metal alloys include stainless steel which is an alloy of iron, nickel, and chromium; and gold jewelry which usually contains an alloy of gold and nickel. 合金包含不止一种金属元素。合金的性质能通过改变其中存在的元素而改变。金属合金的例子有：不锈钢是一种铁、镍、铬的合金，以及金饰品通常含有金镍合金。 2、 Why are metals and alloys used? Many metals and alloys have high densities and are used in applications which require a high mass-to-volume ratio. 为什么要使用金属和合金？许多金属和合金具有高密度，因此被用在需要较高质量体积比的场合。 Some metal alloys,such as those based on aluminum, have low densities and are used in aerospace applications for fuel economy. Many alloys also have high fracture toughness, which means they can withstand impact and are durable. 某些金属合金，例如铝基合金，其密度低，可用于航空航天以节约燃料。许多合金还具有高断裂韧性，这意味着它们能经得起冲击并且是耐用的。 3、The atomic bonding of metals also affects their properties. In m etals, the outer valence electrons are shared among all atoms, and ar e free to travel everywhere. Since electrons conduct heat and electri city, metals make good cooking pans and electrical wires. 金属的原子连结对它们的特性也有影响。在金属内部，原子的外层阶电子由所有原子共享并能到处自由移动。由于电子能导热和导电，所以用金属可以制造好的烹饪锅和电线。 It is impossible to see through metals, since these valence electrons absorb any photons of light which reach the metal. No photons pass through. 因为这些阶电子吸收到达金属的光子，所以透过金属不可能看得见。没有光子能通过金属. 4、Some of the useful properties of ceramics and glasses include high melting temperature, low density, high strength, stiffness, hardness, wear resistance, and corrosion resistance. 陶瓷和玻璃的特性高熔点、低密度、高强度、高刚度、高硬度、高耐磨性和
中英文资料对照外文翻译 基于网络共享的无线传感网络设计 摘要：无线传感器网络是近年来的一种新兴发展技术，它在环境监测、农业和公众健康等方面有着广泛的应用。在发展中国家，无线传感器网络技术是一种常用的技术模型。由于无线传感网络的在线监测和高效率的网络传送，使其具有很大的发展前景，然而无线传感网络的发展仍然面临着很大的挑战。其主要挑战包括传感器的可携性、快速性。我们首先讨论了传感器网络的可行性然后描述在解决各种技术性挑战时传感器应产生的便携性。我们还讨论了关于孟加拉国和加利 尼亚州基于无线传感网络的水质的开发和监测。 关键词：无线传感网络、在线监测 1.简介 无线传感器网络，是计算机设备和传感器之间的桥梁，在公共卫生、环境和农业等领域发挥着巨大的作用。一个单一的设备应该有一个处理器，一个无线电和多个传感器。当这些设备在一个领域部署时，传感装置测量这一领域的特殊环境。然后将监测到的数据通过无线电进行传输，再由计算机进行数据分析。这样，无线传感器网络可以对环境中各种变化进行详细的观察。无线传感器网络是能够测量各种现象如在水中的污染物含量，水灌溉流量。比如，最近发生的污染涌流进中国松花江，而松花江又是饮用水的主要来源。通过测定水流量和速度，通过传感器对江水进行实时监测，就能够确定污染桶的数量和流动方向。 不幸的是，人们只是在资源相对丰富这个条件下做文章，无线传感器网络的潜力在很大程度上仍未开发，费用对无线传感器网络是几个主要障碍之一，阻止了其更广阔的发展前景。许多无线传感器网络组件正在趋于便宜化（例如有关计算能力的组件），而传感器本身仍是最昂贵的。正如在在文献[5]中所指出的，成功的技术依赖于
《半导体器件导论》 第4章载流子输运和过剩载流子现象 例4.1 计算给定电场强度下半导体的漂移电流密度。T＝300K时，硅的掺杂浓度为N d＝106cm，N a＝0。电子和空穴的迁移率参见表4.1。若外加电场强度ε＝35V cm ?，求漂移电流密度。 【解】 因为N d＞N a，所以在室温下，半导体是n型的。若假设掺入杂质完全电离，则 n≈N d=1016cm?3 少数载流子空穴的浓度为 P=n i 2 n =(1.5×1010) 2 1016 =2.25×104cm?3 既然n?p，漂移电流密度 J drf=e(μn n+μp p)ε≈eμn nε 因此 J drf=(1.6×10?19)(1350)(1016)(35)=75.6A cm2 ? 【说明】 在半导体上施加较小的电场就能获得显著的漂移电流密度。这个结果意味着非常小的半导体器件就能产生mA量级的电流。 例4.2 确定硅在不同温度下的电子和空穴迁移率。利用图4.2分别求出以下两种情况载流随机热速度增加子的迁移率。 (a) 确定(i)N d＝1017cm?3，Τ＝150℃及（ii）N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时的电子迁移率。 (b) 确定(i)N a＝1016cm?3，Τ＝50℃及（ii）N a＝1016cm?3，Τ＝150℃时的空穴迁移率。【解】 由图4.2可知： （a）（i）当N d＝1017cm?3，Τ＝150℃时，电子迁移率μn≈500cm2V?s ?； （ii）当N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时，电子迁移率μn≈1500cm2V?s ?。 （b）（i）当N a＝1016cm?3，Τ＝50℃时，空穴迁移率μp≈380cm2V?s ?； （i）当N a＝1017cm?3，Τ＝150℃时，空穴迁移率μp≈200cm2V?s ?。 【说明】 由本例可见，迁移率随温度升高而降低。 例4.3 为了制备具有特定电流—电压特性的半导体电阻器，试确定硅在300K时的掺杂浓度。考虑一均匀受主掺杂的条形硅半导体，其几何结构如图4.5所示。若外加偏压为5V时，电流为2mA，且电流密度不大于J drf＝100A cm2 ?。试确定满足条件的截面积、长度及掺杂浓度。 图4.6 硅中电子浓度和电导率与温度倒数的关系曲线（引自S ze[14]） 【解】 所需截面积为
2012年1月4日星期三 雌激素是新的“利他林”吗？ ——性激素能让一部分女性思维敏捷，却也让一部分迟钝 大考即将来临？无法集中注意力？尝试一点雌激素吧。 加州大学伯克利分校的神经系统科学家在最近的一项研究中报道称，女性生理周期中的荷尔蒙波动可能会如咖啡因、甲基苯丙胺或最常见的兴奋剂利他林一样影响其大脑。 近年来的研究表明，工作记忆（短期信息处理能力）是依赖于化学物质多巴胺的。事实上，像利他林这样的药物可以模仿多巴胺帮助人们集中注意力。在老鼠身上的研究显示，雌激素似乎可以诱发多巴胺的释放。但是伯克利这次的新研究是首次把认识能力和人的雌激素水平联系起来，这也就解释了为什么有些女性会在她们生理周期的不同时间点有着或好或坏的认识能力。 这只研究团队对24名健康女性进行了检测。通过基因测试，她们中有些天然多巴胺水平高，而有些天然低。不出所料，多巴胺水平低的女性对于处理复杂的工作记忆问题有困难，比如将一串五个数字反着背出来。但当测试在排卵期中进行，雌激素水平最高时（一般是月经期的10~12天后）这些女性的表现显著改善，有大约10%的进步。令人惊讶的是，多巴胺水平天然高的女性处理复杂问题的能力，却在排卵期中雌激素水平最高的时候有很明显的下降。 根据组织此次研究的Ph.D Emily Jacobs说，脑中的多巴胺是“classic Goldilacks scenario”。对于多巴胺水平最低的25%女性来说，在月经期多巴胺水平的增加会增强她们的认识能力，而对于多巴胺水平最高的25%女性来说，月经期多巴胺水平的增加可能会使她们的多巴胺水平超过一个上限，从而减弱她们的认识能力。而剩下的50%女性都处在这两类女性水平之间，不在研究的范围内。 这项研究有着重大的意义。Jacob说，像咖啡因、利他林这种诱发多巴胺释放的药物对于特定时期的女性是无效，甚至是损害性的。而且，她还希望提醒科学家们注意，在研究脑部疾病时，男女大脑虽然天赋相同但是并不完全一样。 Jacob说，这之间有很大区别，只有我们能知道他们在正常状态下的区别，我们才能预测他们在疾病状态下的区别。 毁约——脑扫描揭示誓言什么时候会不被遵守 新郎说“我愿意”而又和别人有一腿的时候，他脑中发生了什么？朋友承诺还钱却一直不还，他的脑中又发生了什么？一项最新研究显示，毁约是一项很复杂的神经生物学事件。而且脑扫描可以在毁约发生前预测出谁将要毁约。 瑞士苏黎世大学的科学家运用核磁共振技术把大脑比喻成了一场投资游戏。投资者必须决定是否承诺与受托者分享利益。如果投资，会使得账户中的资金增加，但如果受托者选择不分享，结果也会是投资者受损失。几乎所有投资者都说会把钱给受托者，但最后并不会所有人都守约。 通过核磁共振的扫描，研究者可以在他们有机会毁约前预测出他们会不会毁约。毁约者脑部的一些区域的活动会更加活跃，包括分管在压抑诚实回应时自我控制的前额皮质层，和标志
1.我们可以把钢再次加热到临界温度以下的某一温度，然后在慢慢让其冷却。We can heat the steel again to a temperature below the critical temperature, then cool it slowly. 2.无论任何简单的机床，都是由单一元件即通称为机械零件或部件组成的。However simple, any machine is a combination of individual components generally referred to as machine elements or parts. 3.这些金属不都是好的导体。 All these metals are not good conductors. 4. 在做带电实验的时候，再怎么小心都不为过。 You can't be too careful in performing an experiment. 5.利用发电机可以把机械能转变成电能。 The mechanical energy can be changed back into electrical energy by means of a generator or dynamo. 6.假定电源输入的电压保持不变。 Assume that the voltage input of the power supply remains the same. 7.化石燃料是发电过程中最为频繁使用的能源。 Fossil fuels are most frequently used source daring the power generation process. 8单个机械零件的可靠性成为评估整台机器使用寿命的基本因素。 The individual reliability of machine elements becomes the basis for estimating the overall life 9.说我们生活在一个电子时代，这一点都不夸张。 It's no exaggeration to say that we live in an electronic age. 10.发动机的转速不应超过最大允许值。 Engine revolution should not exceed the maximum permissible. 11.如能从大型核电站获得成本极低的电力，电解氢的竞争能力就会增强。（Electrolytic hydrogen）。 If extremely low-cost power were ever to become available from large nuclear power plants, electrolytic hydrogen would become competitive. 12.电子技术提供了一种新的显示时间的方法。 A new way of displaying time has been given by electronics. 13.远距离输电需要高压，安全用电需要低压。 High voltage is necessary for long transmission line while low voltage for safe use. 14.铝的电阻大约是同等尺寸的铜的1.5倍。 The resistance of aluminum is approximately half again as great as that of copper for the same dimensions = size 15.In fact,it is impossible for no force to be exerted on a body,since in this world everything is subject to the for ce of gravity. 事实上，物体不受外力作用是不可能的，因为在这个世界上任何物体都要受到重力的作用。 16.In a thermal power plant,all the chemical energy is not
压力传感器 合理进行压力传感器的误差补偿是其应用的关键。压力传感器主要有偏移量误差、灵敏度误差、线性误差和滞后误差，本文将介绍这四种误差产生的机理和对测试结果的影响，同时将介绍为提高测量精度的压力标定方法以及应用实例。 目前市场上传感器种类丰富多样，这使得设计工程师可以选择系统所需的压力传感器。这些传感器既包括最基本的变换器，也包括更为复杂的带有片上电路的高集成度传感器。由于存在这些差异，设计工程师必须尽可能够补偿压力传感器的测量误差，这是保证传感器满足设计和应用要求的重要步骤。在某些情况下，补偿还能提高传感器在应用中的整体性能。 本文以摩托罗拉公司的压力传感器为例，所涉及的概念适用于各种压力传感器的设计应用。 摩托罗拉公司生产的主流压力传感器是一种单片压阻器件，该器件具有 3 类： 1.基本的或未加补偿标定； 2.有标定并进行温度补偿； 3.有标定、补偿和放大。 偏移量、范围标定以及温度补偿均可以通过薄膜电阻网络实现，这种薄膜电阻网络在封装过程中采用激光修正。 该传感器通常与微控制器结合使用，而微控制器的嵌入软件本身建立了传感器数学模型。微控制器读取了输出电压后，通过模数转换器的变换，该模型可以将电压量转换为压力测量值。传感器最简单的数学模型即为传递函数。该模型可在整个标定过程中进行优化，并且模型的成熟度将随标定点的增加而增加。 从计量学的角度看，测量误差具有相当严格的定义：它表征了测量压力与实际压力之间的差异。而通常无法直接得到实际压力，但可以通过采用适当的压力标准加以估计，计量人员通常采用那些精度比被测设备高出至少 10 倍的仪器作为测量标准。 由于未经标定的系统只能使用典型的灵敏度和偏移值将输出电压转换为压 力，测得的压力将产生如图 1 所示的误差。 这种未经标定的初始误差由以下几个部分组成： a.偏移量误差。由于在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。 b.灵敏度误差，产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数（见图 1）。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。
2、应力和应变 在任何工程结构中独立的部件或构件将承受来自于部件的使用状况或工作的外部环境的外力作用。如果组件就处于平衡状态,由此而来的各种外力将会为零,但尽管如此,它们共同作用部件的载荷易于使部件变形同时在材料里面产生相应的内力。 有很多不同负载可以应用于构件的方式。负荷根据相应时间的不同可分为: (a)静态负荷是一种在相对较短的时间内逐步达到平衡的应用载荷。 (b)持续负载是一种在很长一段时间为一个常数的载荷, 例如结构的重量。这种类型的载荷以相同的方式作为一个静态负荷; 然而,对一些材料与温度和压力的条件下,短时间的载荷和长时间的载荷抵抗失效的能力可能是不同的。 (c)冲击载荷是一种快速载荷(一种能量载荷)。振动通常导致一个冲击载荷, 一般平衡是不能建立的直到通过自然的阻尼力的作用使振动停止的时候。 (d)重复载荷是一种被应用和去除千万次的载荷。 (e)疲劳载荷或交变载荷是一种大小和设计随时间不断变化的载荷。 上面已经提到，作用于物体的外力与在材料里面产生的相应内力平衡。因此,如果一个杆受到一个均匀的拉伸和压缩，也就是说, 一个力,均匀分布于一截面,那么产生的内力也均匀分布并且可以说杆是受到一个均匀的正常应力,应力被定义为 应力==负载 P /压力 A, 因此根据载荷的性质应力是可以压缩或拉伸的,并被度量为牛顿每平方米或它的倍数。 如果一个杆受到轴向载荷，即是应力，那么杆的长度会改变。如果杆的初始长度L和改变量△L已知，产生的应力定义如下: 应力==改变长△L /初始长 L 因此应力是一个测量材料变形和无量纲的物理量 ,即它没有单位;它只是两个相同单位的物理量的比值。 一般来说,在实践中,在荷载作用下材料的延伸是非常小的, 测量的应力以*10-6的形式是方便的, 即微应变, 使用的符号也相应成为ue。 从某种意义上说，拉伸应力与应变被认为是正的。压缩应力与应变被认为是负的。因此负应力使长度减小。 当负载移除时，如果材料回复到初始的，无负载时的尺寸时，我们就说它是具有弹性的。一特定形式的适用于大范围的工程材料至少工程材料受载荷的大部分的弹性, 产生正比于负载的变形。由于载荷正比于载荷所产生的压力并且变形正比于应变, 这也说明,当材料是弹性的时候, 应力与应变成正比。因此胡克定律陈述, 应力正比于应变。 这定律服从于大部分铁合金在特定的范围内, 甚至以其合理的准确性可以假定适用于其他工程材料比如混凝土，木材，非铁合金。 当一个材料是弹性的时候，当载荷消除之后，任何负载所产生的变形可以完全恢复,没有永久的变形。
翻译导论 定义： 广义的说它包括的范围很广，甚至可以包括语言和非语言符号之间的信息转换。狭义上说，就是指如何将某一语言产物转换到另一语言中去的过程。严格的说，翻译还包括某一语言内不同变体之间的信息转化，如将屈原的诗译成现代诗，将曹植的《洛神赋》译成白话文，都属于翻译。所以美国加洲蒙特瑞国际研究学院教授叶子南说，翻译就是在某一特定的社会环境内进行交流的过程，或者是把原文中的意义在译文中表达出来。上海外国语大学孙万彪教授认为，翻译是使用不同语言的人们互相沟通的纽带和桥梁，是把一种语言（原语/source language）所表达的信息用另一种语言（译语/target language/目的语）传达出来的过程。武汉大学郭著章教授则认为翻译是一种语言所表达的信息在另一种语言里再现或再造的过程。 同时也需要指出的是：翻译是一门科学，同时也是艺术，是技巧。说它是科学，是因为翻译和其他的学科一样，有其自身的特点和规律，需要译者去潜心探讨，摸索掌握；说它是艺术，是因为翻译不象其他学科一样，某些原则，理论可以作为标准或者定律得到普遍的认同和广泛的应用，而是需要译者的创造性加工------任何两种语言文字之间的翻译，决不是简单的机械转换或一成不变的文字“对号入座”；说它是技巧，是因为翻译和其他的艺术一样，光凭空洞的理论知识是不够的，需要经过大量的实践才能真正掌握它，运用它，即我们常说的“熟能生巧”。 分类： 翻译的类别可以根据不同的需要来划分。按其所涉及的语言，可以分为本族语译成外语（from native language to foreign language），外语译成本族语(from foreign language to native language)两种，或者语言内翻译（inter-language translation），语际翻译（inter-lingual translation），和符际翻译（inter-semi translation）；按照其工作方式，有口译(interpretation/包括连续翻译constant interpretation和同声翻译simultaneous interpretation)，笔译(translation)，以及机器翻译(machine / machine-aided / computer-aided translation)三种；按照其翻译材料，有科技材料的翻译(scientific translation)，文学作品的翻译(literary translation)，政论作品的翻译(political translation)和其他应用文的翻译(pragmatic translation )等等；按照其具体的处理方式，又可以分为全译(complete translation)，摘译(editing translation)，编译(incomplete translation)等。 性质： 无论何种翻译，其目的都是要把别人的意思用译语就可能的准确无误的传达出来，而不是用译者自己的意思来代替别人的意思。翻译这一性质，决定了从事翻译的人只能充当“代言人”的角色，起传递信息的作用，而不能越俎代庖，随意篡改别人的意思。因此，翻译的成败得失，取决于翻译出来的意思是否和原文的意思保持一致，这也是评判翻译好坏优劣的根本标准。 翻译课的任务： 翻译课首先是一门实践课，其任务是培养和提高学生的实际翻译能力，为今后从事翻译工作奠定良好的基础。翻译能力的培养和提高，主要是通过大量的，系统的翻译实践，而不是靠传授翻译理论来完成的。 初学翻译的人，没有多少翻译实践，也就没有什么经验可谈。翻译课的开设，是让学生通过翻译实践来获的感性认识，从中领悟出一些道理，从而掌握翻译的基本规律。 翻译作为一门课程，历来都是当作一门技巧来进行教学的。同其他的任何一门技巧一样，
Basic knowledge of transducers A transducer is a device which converts the quantity being measured into an optical, mechanical, or-more commonly-electrical signal. The energy-conversion process that takes place is referred to as transduction. Transducers are classified according to the transduction principle involved and the form of the measured. Thus a resistance transducer for measuring displacement is classified as a resistance displacement transducer. Other classification examples are pressure bellows, force diaphragm, pressure flapper-nozzle, and so on. 1、Transducer Elements Although there are exception ,most transducers consist of a sensing element and a conversion or control element. For example, diaphragms,bellows,strain tubes and rings, bourdon tubes, and cantilevers are sensing elements which respond to changes in pressure or force and convert these physical quantities into a displacement. This displacement may then be used to change an electrical parameter such as voltage, resistance, capacitance, or inductance. Such combination of mechanical and electrical elements form electromechanical transducing devices or transducers. Similar combination can be made for other energy input such as thermal. Photo, magnetic and chemical,giving thermoelectric, photoelectric,electromaanetic, and electrochemical transducers respectively. 2、Transducer Sensitivity The relationship between the measured and the transducer output signal is usually obtained by calibration tests and is referred to as the transducer sensitivity K1= output-signal increment / measured increment . In practice, the transducer sensitivity is usually known, and, by measuring the output signal, the input quantity is determined from input= output-signal increment / K1. 3、Characteristics of an Ideal Transducer The high transducer should exhibit the following characteristics a) high fidelity-the transducer output waveform shape be a faithful reproduction of the measured; there should be minimum distortion. b) There should be minimum interference with the quantity being measured; the presence of the transducer should not alter the measured in any way. c) Size. The transducer must be capable of being placed exactly where it is needed.
半導體概論 作業(一) 能帶形成原因 組員： 1.499L0005 黃炯睿 (WORD製作) 2.499L0009 林杰翰 (統整資料) 3.499L0010 吳旻葦 (WORD製作) 4.499L0012 劉榮軒 (統整資料) 5.499L0045 黃志傑 (蒐集資料)
何謂能帶 能階由下而上增加，越上面能階越高，為何材料能導電，當導電帶裡有電子時，材料就會導電，一般電子都是處在價電帶中的，而從價電帶到導電帶就有一個能量差，叫做能階。也就是說電子要從價電帶跳躍至導電帶是需要能量，所以當能隙越大時，電子越不容易跳躍至導電帶。因此，絕緣體就是因為能隙很大，電子跳不過去導電帶裡，所以無法導電，但半導體的能隙較小，電子比較容易跳躍進入導電帶，所以只要施嘉一些能量，就可以讓電子進入導電帶來讓材料從不導電很容易變成導電，而導体的導電帶能階底部和價電帶能階頂部重疊，所以電子一
直都在導電帶中，因此材料隨時都可以導電 那能帶是如何形成的呢?? 半導體概念與能帶（Semiconductor Concepts and Energy Bands） 國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞碩士生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯 在半導體晶格中，電子的能量跟金屬有明顯的不同。以矽為例子，由於矽原子之間以價電子方式鍵結，在相鄰的矽原子之間，彼此價電子互相作用之下，導致晶體中電子能量會分裂成兩個可以明顯區分的能帶，此即所謂的價電帶和導電帶，此兩個能帶的間隙即為能帶間隙，由於在能帶間隙中電子的存在是不被容許的，此代表著在晶體中禁止的電子能量。 而價電帶代表晶體中兩個互相鍵結原子的電子波函數，佔據這些波函數的電子我們稱他為價電子。在絕對零度時，所有的鍵結都被價電子佔據，所以在價電帶中所有的電子能階都會被這些電子填滿。當電子處於導電帶中的時候，電子可以在晶體中自由的移動，同時也會對電場做出回應，所以在周圍會有很多空的能階。而電子可以容易的從電場中得到能量，進而能躍遷到比較高的能階裡。因為只有在導電帶裡才有空的能態，所以想要將價電帶中的電子激發到導電帶中需要能量，此能量須大於等於能帶間隙。當電子獲得足夠能量可以克服能帶間隙時，電子就會躍遷到導電帶中，所以在導電帶中會產生一個自由的電子，則在導電帶中會遺失一個電子即為電洞。 在導電帶中的自由電子，可以在晶體中自由的移動，所以外加電場的時候，會產生導電的情形。由於帶負電的電荷從晶體電中性區域脫離出，即會造成在價電帶中生成一個帶正電荷的電洞。而從近代物理的原子中，我們可知能量被量子化，並且具有特定不連續值，例如鋰原子有兩個電子位於1s殼層和一個電子位於2s 殼層。此相同的概念我們可應用到數個原子中分子的電子能量，同理電子的能量是呈量子化的。因此將多到1023個緊密排列大小的鋰原子聚集在一起以形成金屬，會因為原子間的作用力生成電子能帶。而2s能階會分裂成1023個緊密排列的能階，此會有效的形成一個能帶，即命名為2s能帶。同理，其他較高的能階也會形成能帶，而這些能帶彼此會互相重疊而形成代表金屬能帶結構的連續能帶。由於鋰原子的2s能階為半填滿的，這是因為2s次殼層需要兩個電子才能填滿，所以這意謂著如果晶體中的2s能階也是半填滿的話，此金屬即具有半填滿能帶的特性。 參考資料：光電子學與光子學-原理與應用
第12页 0903060136 梁潇 0903060137 黄浩 0901014108 黄瑞尧 5.3性能分析 通信开销：在和平时期，验证和密钥协商协议的要求只有三路之间的网状路由器和网络用户和双向沟通网络用户之间。这是最低的通信回合要实现相互认证，因此，和平招致降低认证延迟。此外，通过设计，和平带来最低的额外因为它们可能对网络用户的通信开销如掌上电脑和智能手机进行的移动客户端比其他笔记本电脑访问无线网状网。这些移动客户端要少得多强大相比，网状路由器考虑到他们的沟通能力。在消息（M.1），（M.1），（M.2），网络用户只需要发送一组签名履行认证功能。作为我们立足本集团上签字的变化计划[8]中提出，签名的包括两个G的元素五个元素的Z带够。当使用[19]中描述的曲线，可以首要采取p到170位并使用G组1，其中每个元素是171位。因此，总群签名的长度为1192位或149字节。有了这些参数，安全性是大致相同作为一个标准的1024位RSA签名，这是128个字节[8]。也就是说，群签名的长度几乎是作为一个标准的RSA-1024的签名相同。 计算开销：在和平，最昂贵的计算操作的签名生成和验证。签名生成需要两个同构的应用中。同构计算，需要大约同时，作为一个在G1幂（使用快速计算的轨迹图）[8]。因此，签名生成需要约八幂（或multiexponentiations）和两个双线性映射计算。验证签名需要六个幂和3+2|网址|双线性映射计算。按照设计，和平采用会话认证的不对称对称的混合方法，降低计算成本。网络实体（Mesh 路由器和网络用户）执行昂贵的组签名操作相互验证，只有当建立一个新的会话，所有同一会话的后续数据交换是通过高效的基于MAC的方法进行验证。 更具体地说，和平需要进行相互认证，为建立一个新的会话时，执行一个签名生成和签名验证的网络用户。由此可以看出，签名验证的实际成本计算取决于一致资源定址器的大小，而签名的发电成本是固定的。和平可以主动控制的一致资源定址器的大小。此外，可以采取一种更为有效的吊销检查算法，其运行的时间是一致资源定址器的独立[8]中描述了对用户的隐私有点牺牲。这种技术可以进一步带来的总成本六幂和5个双线性映射计算的签名验证。另一方面，和平需要一个网状路由器进行相互认证其覆盖范围内的每个网络用户每每灯塔消息不同的会议和标志定期播出。 存储开销：在和平中，网络用户可以携带资源约束的普及设备，如掌上电脑和智能手机访问的无线网状网。因此，存储每个网络用户的开销应该是负担得起的现代普及设备。在我们的计划显示说明，在和平中的每个网络用户需要存储两个信息：他的小组的私钥及相关系统参数。该组的私钥为每个用户包含1组元素的G1和2个Z元素。如果我们首要选择p到170位，并使用G组1每个组171位的元素，每个组私钥用户只需消耗511位的内存，这是微不足道的现代普及设备。大多数的内存消耗部分是系统参数，其中可能包括代码来形容双线性组（G
Types of Materials 材料的类型 Materials may be grouped in several ways. Scientists often classify materials by their state: solid, liquid, or gas. They also separate them into organic (once living) and inorganic (never living) materials. 材料可以按多种方法分类。科学家常根据状态将材料分为：固体、液体或气体。他们也把材料分为有机材料(曾经有生命的)和无机材料(从未有生命的)。 For industrial purposes, materials are divided into engineering materials or nonengineering materials. Engineering materials are those used in manufacture and become parts of products. 就工业效用而言，材料被分为工程材料和非工程材料。那些用于加工制造并成为产品组成部分的就是工程材料。Nonengineering materials are the chemicals, fuels, lubricants, and other materials used in the manufacturing process, which do not become part of the product. 非工程材料则是化学品、燃料、润滑剂以及其它用于加工制造过程但不成为产品组成部分的材料。 Engineering materials may be further subdivided into: ①Metal ②Ceramics ③Composite ④Polymers, etc. 工程材料还能进一步细分为：①金属材料②陶瓷材料③复合材料④聚合材料，等等。 Metals and Metal Alloys 金属和金属合金 Metals are elements that generally have good electrical and thermal conductivity. Many metals have high