智慧树知到《半导体技术导论》章节测试题【完整答案】
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电路与电子技术——电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下中国石油大学(华东)中国石油大学(华东)第一章测试1.半导体的导电机理是当外部加电场时,载流子即()在电场的作用下定向移动,形成电流。
答案:自由电子和空穴2.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()。
答案:增加3.PN结的主要特点是具有()。
答案:单向导电性4.普通二极管禁止工作在()。
答案:反向击穿区5.若二极管为理想二极管,则该二极管导通时等效为开路。
()答案:错6.若二极管的导通电压为0.3V,当阳极与阴极之间的电压大于()V时,二极管导通。
答案:0.37.图示二极管的工作状态是()。
答案:导通8.稳压管的稳压性能是利用PN结的()。
答案:反向击穿特性9.要使三极管具有放大作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:正向反向10.要使三极管具有开关作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:反向反向;正向正向第二章测试1.如图所示的放大电路中,集电极电阻R C的作用是()。
答案:防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压2.当输入电压为正弦信号时,如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真,则基极电流i c的波形将()。
答案:正半波削波3.图示电路有正常电压放大的能力。
()答案:错4.放大电路如右图所示,由于R b1和R b2 阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。
答案:适当增加R b1,减小R b25.若静态工作点选取过低,容易引起______失真。
答案:截止失真6.射极输出器的主要特点是电压放大倍数接近于1,输入电阻_____,输出电阻____。
答案:大,小7.功率放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
()答案:错8.在基本共射放大电路中,为了获得较高的输入电阻,在R b固定不变的条件下,三极管的β应该尽可能大些。
答案:错9.在基本共射放大电路中,若三极管的β增加一倍,则电压放大倍数也将相应增大一倍。
现代半导体器件及先进制造智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学第一章测试1.本征硅的费米能级位于:()A:略偏向 B:略偏向 C: D:答案:略偏向2.硼掺杂的硅中,下列说法正确的是:()A:电子浓度大于空穴浓度 B:与磷掺杂硅的导电类型一致 C:空穴浓度大于电子浓度 D:硅的晶体结构将发生改变答案:空穴浓度大于电子浓度3.抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有()。
A:降低离子注入能量 B:衬底表面沉积非晶薄膜 C:倾斜衬底 D:升高衬底温度答案:衬底表面沉积非晶薄膜;倾斜衬底;升高衬底温度4.制造单晶硅衬底的方法包括()。
A:外延生长法 B:氧化还原法 C:直拉法 D:区域熔融法答案:直拉法;区域熔融法5.当硅中掺杂浓度越小时,费米能级越靠近Ei。
() A:错 B:对答案:对第二章测试1.对于长沟道MOSFET器件,发生夹断后,下面说法中正确的是()。
A:B:Vg≥Vd+Vth C:沟道中漏极一侧的电位为0 D:Vg继续增加,Id不会继续增大答案:Vg≥Vd+Vth;沟道中漏极一侧的电位为0;Vg继续增加,Id不会继续增大2.沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响()。
A:器件的漏极电流增大 B:器件的集成度增加 C:阈值电压增大 D:器件的可靠性劣化答案:器件的漏极电流增大;器件的集成度增加;器件的可靠性劣化3.有关MOSFET器件亚阈值摆幅(S)的说法错误的是()A:B:亚阈值摆幅的单位是mV C:温度升高,亚阈值摆幅增大D:答案:亚阈值摆幅的单位是mV4.有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是()A:栅氧化层介电常数越厚,特征长度越小 B:沟道长度相等的器件,特征长度越小,DIBL越小 C:与器件的沟道长度呈正比 D:仅与器件的结构参数有关答案:沟道长度相等的器件,特征长度越小,DIBL越小5.MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。
() A:对 B:错答案:对第三章测试1.下面有关浸没式光刻技术的说法,正确的是()A:在目镜和衬底间填充水 B:由台积电的工程师林本坚发明 C:能够增大物镜的数值孔径 D:能够减小光的波长答案:由台积电的工程师林本坚发明;能够增大物镜的数值孔径;能够减小光的波长2.相移光刻技术中,使光产生相位差的方法包括:()A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器 B:利用整面透光的石英板,改变局部区域的厚度 C:改变石英掩膜板的倾斜角 D:减小未沉积铬区域的石英板厚度答案:在掩膜板上的透光区域中添加移相器;利用整面透光的石英板,改变局部区域的厚度;减小未沉积铬区域的石英板厚度3.根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限,表达式为()A: B:C: D:答案:4.正光刻胶和负光刻胶中,光敏剂的作用分别是()A:交联催化剂,提供自由基B:交联催化剂,交联催化剂C:提供自由基,交联催化剂D:提供自由基,提供自由基答案:提供自由基,交联催化剂5.光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。
半导体物理与器件上海电子信息职业技术学院智慧树知到答案2024年第一章测试1.半导体材料的导电性能介于金属材料和绝缘材料之间。
()A:对 B:错答案:A2.电中性原子失去电子后带正电。
()A:错 B:对答案:B3.半导体硫化银的电阻具有负的温度系数是因为?()A:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动 B:当硫化银受热时产生了更少的电子参与定向运动答案:A4.常温下,半导体材料的电阻率在什么范围?()A:>1010Ω·cm B:10-3Ω·cm ~ 109Ω·cm C:>109Ω·cm D:<10-3Ω·cm答案:B5.是谁首先提出:将电、磁、光统归为电磁场现象的麦克斯韦方程组?()A:奥斯特 B:安培 C:麦克斯韦 D:赫兹答案:C第二章测试1.中子是带正电的。
()A:错 B:对答案:A2.中子是带负电的。
()A:错 B:对答案:A3.核外的电子是分布在能量的轨道上的()A:连续 B:不连续答案:B4.核外电子的能量是被量子化的,每份能量的大小由公式hυ确定,h是,υ表示。
()A:普朗克常量,波的频率 B:波的频率,普朗克常量答案:A5.一个主量子数是不能精确确定电子的轨道的,每个轨道里面还可以再细分,即还有分壳层,它用表示的。
()A:字母,例如s,p,d,… B:数字,例如1,2,3,…答案:A第三章测试1.N型半导体主要靠自由电子运动导电,也称为电子半导体。
()A:对 B:错答案:A2.P型半导体主要靠空穴运动导电,也称为空穴半导体。
()A:对 B:错答案:A3.PN结中载流子的运动是这样的:P型半导体中的多子空穴向N区扩散,留下不可移动的负离子;N型半导体的多子电子向P区扩散,留下不可移动的正离子。
()A:错 B:对答案:B4.在硅或锗的晶体中掺入少量的5 价杂质元素,如磷、锑、砷等,可以构成。
()A:P型半导体 B:N型半导体答案:B5.在硅或锗的晶体中掺入少量的3 价杂质元素,如硼、镓、铟等,可以构成。
半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题(每题2分,共20分)1. 下列关于半导体材料的叙述中,错误的是:A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。
C. 半导体材料的导电性受光照影响。
D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。
答案:D2. 在半导体工艺中,光刻技术主要用于:A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案:D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性?A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案:D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括:A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案:C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于:A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案:A二、填空题(每题2分,共20分)1. 在半导体工艺中,____是形成晶体管PN结的关键步骤。
答案:扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。
答案:二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。
答案:形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。
答案:N型或P型5. 在半导体工艺中,____技术用于去除不需要的材料。
答案:刻蚀三、简答题(每题10分,共30分)1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。
答案:在CMOS工艺中,晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。
N型晶体管(NMOS)在栅极电压高于源极电压时导通,而P型晶体管(PMOS)在栅极电压低于源极电压时导通。
通过控制栅极电压,可以实现晶体管的开关控制。
2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。
答案:氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。
它可以保护硅片不受化学腐蚀,防止杂质扩散,同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件,确保电路的稳定性和可靠性。
3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么?答案:离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂,通过将掺杂原子注入硅片,可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度,从而制造出具有特定特性的半导体器件,如晶体管、二极管等。
半导体器件西安邮电大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.不属于化合物半导体的有()。
A:砷化铝 B:磷化镓 C:锗 D:磷化铝答案:C2.硅单晶晶体结构为()。
A:正四面体结构 B:面心结构 C:立方体结构 D:体心结构答案:D3.属于化合物半导体有()。
A:氧化镓 B:砷化镓 C:氮化镓 D:硅答案:ABC4.Si是一种IV族元素半导体(四主族)。
()A:对 B:错答案:A5.半导体材料一般分为三种类型:无定型、多晶和单晶。
()A:对 B:错答案:A第二章测试1.以下关于半导体中电子有效质量的描述,不对的选项是()。
A:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用 B:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量 C:有效质量具有质量的量纲 D:有效质量是一个常数答案:D2.杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。
()A:对 B:错答案:B3.在单晶硅中掺入少量()杂质元素会形成N型半导体?A:硼 B:磷 C:锗 D:镓答案:B4.单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。
()A:对 B:错答案:B5.关于半导体表面态的描述,下列()是错误的?A:慢态位于氧化层与空气界面上,与体内交换电子必须通过氧化层 B:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态 C:快态位于氧化层与空气界面上,与体内交换电子必须通过氧化层 D:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态答案:BC第三章测试1.以下关于PN结的描述,正确的的选项是()。
A:平衡PN结,P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级 B:PN结具有单向导电性 C:PN结加正向偏压时,外加电场的方向与自建电场方向相同D:PN结加反向偏压时,势垒区内载流子产生率大于复合率答案:BD2.对于金属和N型半导体紧密接触,当Wm>Ws时,在界面处形成阻挡层()A:对 B:错答案:A3.对于单边突变结,正确的的选项是()A:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧 B:内建电势主要降落在轻掺杂一侧 C:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧 D:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别答案:ABD4.正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加()A:错 B:对答案:A5.对于单边突变结,提高雪崩击穿的方法有()A:选用禁带宽度更大的半导体材料 B:选用禁带宽度较窄的半导体材料 C:增加轻掺杂一侧掺杂浓度 D:降低轻掺杂一侧掺杂浓度答案:AD6.以PN+结为例,下列哪项可以提高PN结开关速度()A:增大P区少子的扩散长度 B:减小P区少子的寿命 C:提高串联电阻R D:降低正向电流答案:BD第四章测试1.双极晶体管的基区特点()。
半导体制造技术上海工程技术大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.“摩尔定律”是()提出的?A:1960 B:1958年 C:1965年 D:1970年答案:C2.第一个晶体管是()材料晶体管?A:硅 B:锗 C:碳答案:B3.戈登摩尔是()科学家。
A:德国 B:法国 C:美国 D:英国答案:C4.第一个集成电路在()被研制。
A:1958 B:1955 C:1965 D:1960答案:A5.()被称为中国“芯片之父”。
1、A:邓中翰 B:吴德馨 C:许居衍 D:沈绪榜答案:A第二章测试1.硅在地壳中的储量为()。
A:第一 B:第四 C:第二 D:第三答案:C2.脱氧后的沙子主要以()的形式。
A:二氧化硅 B:碳化硅 C:硅答案:A3.半导体级硅的纯度()。
A:99.9999999% B:99.999999% C:99.999% D:99.99999%答案:A4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。
()A:错 B:对答案:A5.一片硅片只有一个定位边。
()A:对 B:错答案:B6.晶面指数(m1 m2 m3): m1 、m2 、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。
()A:对 B:错答案:A第三章测试1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。
()A:对 B:错答案:A2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。
()A:对 B:错答案:A3.二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。
()A:对 B:错答案:A4.薄膜的密度越大,表明致密性越低。
()A:错 B:对答案:A5.电阻率,表征导电能力的参数,同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。
()A:错 B:对答案:A第四章测试1.光刻本质上是光刻胶的光化学反应。
()A:错 B:对答案:B2.一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。
()A:错 B:对答案:A3.使用正胶进行光刻时,晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。
()A:对 B:错答案:A4.使用负胶进行光刻时,晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。
模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
答案:错2.在半导体内部,只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真,静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。
答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流,因此常将BJT称为电流控制器件。
()答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入,又可以单端输入。
()答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带()。
答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则三极管所处的状态是()答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V,阴极电位是10V,则该二极管处于()。
答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则答案:阻当层变厚,反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。
答案:对17.双极型三极管同场效应管相比,输入电阻大,热稳定性好。
()答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U>0, P沟道MOS管的夹断电压U<0. ()答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时,三极管处于饱和状态。
()答案:对21.场效应管属于电压控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。
()答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。
()答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
答案:错27.在二极管特性的正向导通区,二极管相当于()。
答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V,则该三极管的类型为硅NPN型。
电子技术智慧树知到期末考试答案章节题库2024年咸阳职业技术学院1.放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断()答案:错2.设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区()答案:错3.放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”()答案:错4.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈()答案:对5.移位寄存器分为单向移位寄存器和双向移位寄存器两种,74LS194是集成4位单向移位寄存器。
()答案:错6.放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源()答案:对7.设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区()答案:对8.三极管起放大作用的外部条件通常是:发射结加正向偏压,集电结加反向偏压()答案:对9.组合电路有3个输入端,则可以组成8种输入状态()答案:对10.组合逻辑电路实际使用时,还有许多实际问题例如:工作速度问题、稳定度问题、工作的可靠性问题、竞争-冒险问题等,所以最简单的设计一定是最佳的。
()答案:错11.正弦波振荡器,幅值平衡条件是AF=1()答案:对12.组合逻辑电路一般由各种门电路组成。
()答案:对13.移位寄存器不仅能够存放代码还可以进行数据的串、并变换。
()答案:对14.两个一位二进制数A和B相加时,要考虑从低位来的进位的加法的电路,称为全加器()答案:对15.基本RS触发器的功能有置0、置1、和保持。
电路中不允许两个输入端同时为0,否则将出现逻辑混乱()答案:对16.可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率()答案:错17.将555定时器的2脚和6脚接在一起,可以构成施密特触发器。
()答案:对18.输入变量为A,B,C,D,请写出一个最小项表达式ABCD()答案:对19.一个逻辑符号不是一个最简单的逻辑图。
智慧树知到《半导体技术导论》章节测试题【完整答案】2020智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案第一章1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?对错答案: 对第二章1、p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素。
对错答案: 错2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
对错答案: 对3、以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。
对错答案: 对4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?单晶体多晶体非晶体结晶体答案: 结晶体5、从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。
对错答案: 错6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
对错答案: 对7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。
对错答案: 错8、通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
对错答案: 错9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?1/41/21答案: 1/210、通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。
对错答案: 对第三章1、通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。
对错答案:错2、pn结加反偏压时,总电流为0。
对错答案:错3、平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。
对错4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
对错答案:错5、欧姆接触也称为整流接触。
对错答案:错6、通常,超晶格结构是基于异质结设计的。
对错答案:对7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
对错答案:错8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
对错9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
对错答案:错10、BJT可用于恒定电流源的设计。
对错答案:对第四章1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
对错答案:错2、VOC是指短路电压。
对错答案:错3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
对错4、以下几种太阳能电池中,效率最高的是()?硅基太阳能电池GaAs太阳能电池钙钛矿太阳能电池有机物太阳能电池答案:GaAs太阳能电池5、半导体光探测器本质是一个pn结,这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第()象限?IIIIIIIV答案:III6、对于同种半导体材料,通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
半导体相关试题及答案解析一、单项选择题1. 半导体材料中,导电性能介于导体和绝缘体之间的是()。
A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案:C解析:半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间,这是半导体材料的基本特性。
2. 下列哪种材料不是常用的半导体材料?()。
A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案:C解析:硅、锗和砷化镓都是常用的半导体材料,而铜是一种金属,属于导体。
3. PN结形成后,其内部电场的方向是()。
A. P区指向N区B. N区指向P区C. 无电场D. 从N区指向P区答案:B解析:PN结形成后,由于P区和N区的电荷不平衡,会在界面处形成一个内建电场,方向是从N区指向P区。
4. 下列哪种掺杂方式会增加半导体的导电性?()。
A. N型掺杂B. P型掺杂C. 未掺杂D. 以上都不是答案:A解析:N型掺杂是向半导体中掺入五价元素,增加自由电子,从而增加半导体的导电性。
5. 半导体的能带结构中,价带和导带之间的能量差称为()。
A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能级差答案:A解析:半导体的能带结构中,价带和导带之间的能量差称为能隙,是半导体材料的基本特性之一。
二、多项选择题6. 下列哪些因素会影响半导体的导电性?()A. 温度B. 掺杂C. 光照D. 压力答案:ABCD解析:温度、掺杂、光照和压力都会影响半导体的导电性。
温度升高会增加载流子的浓度,掺杂可以改变载流子的类型和浓度,光照可以产生光生载流子,压力可以改变半导体的能带结构。
7. 下列哪些是半导体器件的基本特性?()A. 整流作用B. 放大作用C. 光电效应D. 热电效应答案:ABCD解析:半导体器件具有整流作用、放大作用、光电效应和热电效应等基本特性。
三、填空题8. 半导体材料的导电性能可以通过______来改变。
答案:掺杂解析:半导体材料的导电性能可以通过掺杂来改变,掺杂可以增加或减少半导体中的载流子浓度。
9. PN结在外加正向电压时,其内部电场会______。
智慧树知到《半导体技术导论》章节测试题
【完整答案】
2020智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案
第一章
1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?
对
错
答案: 对
第二章
1、p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素。
对
错
答案: 错
2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
对
错
答案: 对
3、以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。
对
错
答案: 对
4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?
单晶体
多晶体
非晶体
结晶体
答案: 结晶体
5、从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。
对
错
答案: 错
6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
对
错
答案: 对
7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。
对
错
答案: 错
8、通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
对
错
答案: 错
9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?
1/4
1/2
1
答案: 1/2
10、通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。
对
错
答案: 对
第三章
1、通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。
对
错
答案:错
2、pn结加反偏压时,总电流为0。
对
错
答案:错
3、平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。
对
错
4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
对
错
答案:错
5、欧姆接触也称为整流接触。
对
错
答案:错
6、通常,超晶格结构是基于异质结设计的。
对
错
答案:对
7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
对
错
答案:错
8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
对
错
9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
对
错
答案:错
10、BJT可用于恒定电流源的设计。
对
错
答案:对
第四章
1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
对
错
答案:错
2、VOC是指短路电压。
对
错
答案:错
3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
对
错
4、以下几种太阳能电池中,效率最高的是()?
硅基太阳能电池
GaAs太阳能电池
钙钛矿太阳能电池
有机物太阳能电池
答案:GaAs太阳能电池
5、半导体光探测器本质是一个pn结,这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第()象限?
I
II
III
IV
答案:III
6、对于同种半导体材料,通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
对
错
答案:错
7、光探测器设计的标准是:半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
对
错
答案:错
8、以下哪种LED量产最晚?
红光LED
绿光LED
蓝光LED
白光LED
答案:蓝光LED
9、LED的寿命通常比白炽灯长。
对
错
答案:对
10、半导体激光器中没有谐振腔结构。
对
错
答案:错
第五章
1、摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。
对
答案:错
2、早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。
对
错
答案:对
3、目前半导体产业分工越来越细,主要是由于技术越来越复杂,产品需求量越来越大。
对
错
答案:对
4、半导体代工厂中主要进行集成电路设计。
对
错
答案:错
5、半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学,与化学无关。
对
错
答案:错
6、目前量产的半导体器件节点尺寸是()?
18nm
7nm
5nm
答案:7nm
7、以下半导体产线上最昂贵的设备是()?
曝光显影机
CVD镀膜机
晶片清洗机
封装机
答案:晶片清洗机
8、在CMOS工艺中,通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。
对
错
答案:对
9、逻辑电路的基本元件是MOS管。
对
错
答案:对
10、集成电路中只能制造二极管和三极管,而无法制造电阻。
对
错
答案:错
第六章
1、利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
对
错
答案:错
2、利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
对
错
答案:对
3、通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
对
错
答案:错
4、以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备?
Si
GaAs
IGZO
GaN
答案:IGZO
5、以下哪种不属于化学气相沉积法
PECVD
DPCVD
MOCVD
LPCVD
答案:DPCVD
6、化学气相沉积法的反应原料是气体,反应物是固体,副产物也可以是固体
对
错
答案:错
7、化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。
对
错
答案:错
8、12英寸硅晶片是指硅晶片的()是12英寸。
厚度
半径
直径
器件大小
答案:直径
9、利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。
对
错
答案:错
10、以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体?
石英砂
冶金级硅晶体
电子级硅晶体
晶锭
答案:晶锭
第七章
1、通常TEM观测的分辨率要高于SEM。
对
错
答案:对
2、SEM观测的主要原理是搜集入射电子激发的二次电子进行逐点成像的。
对
错
答案:对
3、表面不导电的样品无法用SEM进行观测。
对
错
答案:错
4、TME可观测厚度1微米以上的样品。
对
错
答案:错
5、AFM的探针针尖与样品表面直接接触,所以测量时会损伤样品。
对
错
答案:错
6、AFM可观测样品内部形貌特征。
对
错
答案:错
7、以下哪种检测方式的激发源不是X射线?
XRD
EDX
SIMS
XPS
答案:SIMS
8、EDX通常是加装在SEM中配合使用的。
对
错
答案:对
9、以下常用来检测样品表面晶体结构的方法是()?
XRD
EDX
SIMS
AES
答案:XRD
10、业界常用SIMS作为半导体掺杂浓度分布的检测方式。
对
错
答案:对。