智慧树知到《半导体技术导论》章节测试题【完整答案】

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智慧树知到《半导体技术导论》章节测试题

【完整答案】

2020智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案

第一章

1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?

答案: 对

第二章

1、p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素。

答案: 错

2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。

答案: 对

3、以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。

答案: 对

4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?

单晶体

多晶体

非晶体

结晶体

答案: 结晶体

5、从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。

答案: 错

6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。

答案: 对

7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。

答案: 错

8、通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。

答案: 错

9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?

1/4

1/2

1

答案: 1/2

10、通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。

答案: 对

第三章

1、通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。

答案:错

2、pn结加反偏压时,总电流为0。

答案:错

3、平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。

4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。

答案:错

5、欧姆接触也称为整流接触。

答案:错

6、通常,超晶格结构是基于异质结设计的。

答案:对

7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。

答案:错

8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。

9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。

答案:错

10、BJT可用于恒定电流源的设计。

答案:对

第四章

1、太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。

答案:错

2、VOC是指短路电压。

答案:错

3、太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。

4、以下几种太阳能电池中,效率最高的是()?

硅基太阳能电池

GaAs太阳能电池

钙钛矿太阳能电池

有机物太阳能电池

答案:GaAs太阳能电池

5、半导体光探测器本质是一个pn结,这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第()象限?

I

II

III

IV

答案:III

6、对于同种半导体材料,通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。

答案:错

7、光探测器设计的标准是:半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。

答案:错

8、以下哪种LED量产最晚?

红光LED

绿光LED

蓝光LED

白光LED

答案:蓝光LED

9、LED的寿命通常比白炽灯长。

答案:对

10、半导体激光器中没有谐振腔结构。

答案:错

第五章

1、摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。

答案:错

2、早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。

答案:对

3、目前半导体产业分工越来越细,主要是由于技术越来越复杂,产品需求量越来越大。

答案:对

4、半导体代工厂中主要进行集成电路设计。

答案:错

5、半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学,与化学无关。

答案:错

6、目前量产的半导体器件节点尺寸是()?

18nm

7nm

5nm

答案:7nm

7、以下半导体产线上最昂贵的设备是()?

曝光显影机

CVD镀膜机

晶片清洗机

封装机

答案:晶片清洗机

8、在CMOS工艺中,通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。

答案:对

9、逻辑电路的基本元件是MOS管。

答案:对

10、集成电路中只能制造二极管和三极管,而无法制造电阻。