智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案

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智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案

第一章

1、现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?对

答案: 对

第二章

1、p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素。对

答案: 错

2、半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。

答案: 对

3、以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。对

答案: 对

4、以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?单晶体

多晶体

非晶体

结晶体

答案: 结晶体

5、从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。

答案: 错

6、半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。

答案: 对

7、在半导体中的空穴流动就是电子流动。

答案: 错

8、通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。

答案: 错

9、温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?0

1/4

1/2

1

答案: 1/2

10、通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。

答案: 对

第三章

1、通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。

答案:错

2、pn结加反偏压时,总电流为0。

答案:错

3、平衡状态下pn结的能带图中,p区和n区的费米能级是分开的。

答案:错

4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。