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【CN110047984A】MicroLED器件及显示面板【专利】

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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910282907.4
(22)申请日 2019.04.10
(71)申请人 深圳市华星光电半导体显示技术有
限公司
地址 518132 广东省深圳市光明新区公明
街道塘明大道9-2号
(72)发明人 柳铭岗　
(74)专利代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务
所(普通合伙) 44300
代理人 黄威
(51)Int.Cl.
H01L 33/38(2010.01)
H01L 27/15(2006.01)
(54)发明名称
Micro LED器件及显示面板
(57)摘要
本发明提供一种Micro LED器件及显示面
板。

该Micro LED器件包括：N型层，所述N型层设
置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面
覆盖有有源层；P型层，所述P型层表面设置有透
明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；所述透明
导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设
置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的
电流密度。

本发明的Micro LED器件及显示面板
将电流集中在器件的中心区域，增大了电流密
度，并能够减少Micro LED器件在边缘区域的漏
电流、非辐射复合现象，从而提高了Micro LED器
件及显示面板的发光效率。

权利要求书1页 说明书5页 附图3页CN 110047984 A 2019.07.23
C N 110047984
A
权　利　要　求　书1/1页CN 110047984 A
1.一种Micro LED器件，其特征在于，包括：
N型层，所述N型层设置在沉积有缓冲层的衬底表面，所述N型层表面覆盖有有源层；
P型层，所述P型层表面设置有透明导电层，所述P型层覆盖所述有源层；
所述透明导电层的每条边与所述P型层对应的边界之间设置有预设距离，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。

2.根据权利要求1所述的Micro LED器件，其特征在于，所述预设距离大于2-5μm，以增大所述Micro LED器件中的电流密度。

3.根据权利要求2所述的Micro LED器件，其特征在于，所述透明导电层的每条边与所述P型层的边界之间的所述预设距离相同，所述透明导电层的中心点与所述P型层的中心点相互重合。

4.根据权利要求2所述的Micro LED器件，其特征在于，所述透明导电层的每条边与所述P型层的边界之间的所述预设距离不尽相同，所述透明导电层的中心点偏离所述P型层的中心点。

5.根据权利要求3或4所述的Micro LED器件，其特征在于，所述P型层分为五个区域，所述五个区域互相不重合，所述P型层的中心点至所述P型层的每个顶点之间按照距离等分有四个等分点，包括多个第一等分点，多个第二等分点，多个第三等分点以及多个第四等分点；
其中，所述第一等分点邻近所述P型层的中心点，所述第四等分点邻近所述P型层对应的顶点；
所述第一等分点连接形成第一区域，所述第二等分点连接形成第二区域，所述第三等分点连接形成第三区域；
所述透明导电层至少覆盖所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域。

6.根据权利要求5所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件还包括有金属电极；
其中，所述透明导电层连接有第一金属电极，所述第一金属电极还连接有驱动电路。

7.根据权利要求6所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件采用水平结构，所述N型层的面积大于所述P型层的面积，所述N型层远离所述透明导电层的一侧连接有第二金属电极。

8.根据权利要求6所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件采用垂直结构，所述N型层连接有第二金属电极，所述第二金属电极与所述第一金属电极相对设置。

9.根据权利要求7或8所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件中的电流从所述第一金属电极流向所述第二金属电极，且集中在所述Micro LED器件的与所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域相对应的区域，以增大电流密度。

10.一种显示面板，包括有阵列基板以及分布在所述阵列基板上的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件为权利要求1-9任一所述的Micro LED器件。

2。

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Micro_LED显示技术的专利分析

Micro_LED显示技术的专利分析

运营维护技术ＤＯＩ：１０．１９３９９／ｊ．ｃｎｋｉ．ｔｐｔ．２０２３．０５．０７２Micro LED显示技术的专利分析王娜，刘雪莲（国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心，北京100190）摘要：微发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）显示技术被誉面向未来的“终极显示技术”，是近年来国内外企业的研发热点。

中国也在Micro LED显示技术方面进行了大量的专利布局。

针对Micro LED显示技术进行了专利分析，通过分析可以看出，国内创新主体虽然在专利申请数量上处于全球领先地位，但是从重点专利数量上来看中国创新主体在芯片微缩、面板制造及应用环节占据一定地位，而对于巨量转移、全彩显示领域技术需要加大研发。

关键词：微发光二极管（Micro LED）；显示；专利分析Patented Analysis of Micro LED Display TechnologyWANG Na, LIU Xuelian(Patent Examination Cooperation Center of the Patent Office of SIPO, Beijing 100190, China) Abstract: Micro Light Emitting Diode(Micro LED) display technology is hailed to be the “last display technology” towards the future, it is a hotspot for development of domestic and foreign businesses in recent years, anda large number of patent layouts. A patent analysis was conducted herein for Micro LED display technology, as can beseen by analysis, the domestic body of innovation, while leading globally in the number of patent applications, occupiesa certain level in the chip micro-scale, panel manufacturing and application segments from the number of key patents,and the technology in the field of full color display needs to be developed for large volume transfers.Keywords: Micro Light Emitting Diode (Micro LED); display; patent analysis0 引 言微发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）显示技术是指以自发光的微米量级LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。

Micro LED显示面板及显示装置[发明专利]

Micro LED显示面板及显示装置[发明专利]

专利名称：Micro LED显示面板及显示装置专利类型：发明专利
发明人：周依芳,徐鉉植
申请号：CN201910387301.7
申请日：20190510
公开号：CN110211527A
公开日：
20190906
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供了一种Micro LED显示面板，包括：GOA驱动电路、多条数据线、多条扫描线以及多个像素单元；所述多条扫描线和所述多条数据线纵横交错设置，且相邻两条所述扫描线和相邻两条数据线之间围成像素区以形成多个阵列排布的像素区，每一所述像素区设置有一所述像素单元；所述GOA驱动电路包括多个级联的GOA单元，每一行所述像素区内设置一级GOA单元，其中，第n行扫描线与第n+1行扫描线之间的GOA单元为第n级GOA单元，且所述第n级GOA单元分别与所述第n 行扫描线与第n+1行扫描线连接。

本申请通过将GOA驱动电路的各个GOA单元分别设置到像素区内，从而减小了边框尺寸，提高了屏占比。

申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人：黄威
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Micro-LED显示面板及其制备方法与邦定材料[发明专利]

Micro-LED显示面板及其制备方法与邦定材料[发明专利]

专利名称：Micro-LED显示面板及其制备方法与邦定材料专利类型：发明专利
发明人：胡小波
申请号：CN202010295178.9
申请日：20200415
公开号：CN111477649A
公开日：
20200731
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请公开了一种Micro‑LED显示面板及其制备方法与邦定材料，所述Micro‑LED显示面板包括：基板；驱动电路层，设于所述基板上；多个Micro‑LED芯片，所述Micro‑LED芯片通过邦定材料邦定至驱动电路层上，其中，所述邦定材料包括实现邦定功能的载体材料以及提升导热性能的导热材料。

通过在常规的邦定材料中增加提升导热性能的导热材料，使得Micro‑LED芯片工作时产生的热量能更快速地传导走，有效降低Micro‑LED芯片工作时的温度，从而可有效延缓Mirco‑LED芯片的老化进程，从而延长Micro LED显示面板的使用寿命。

申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人：远明
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一种Micro-LED显示面板[实用新型专利]

一种Micro-LED显示面板[实用新型专利]

专利名称：一种Micro-LED显示面板专利类型：实用新型专利
发明人：孙小卫,王恺,张楠,徐冰
申请号：CN201821165411.6
申请日：20180720
公开号：CN208570072U
公开日：
20190301
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种Micro‑LED显示面板。

该Micro‑LED显示面板包括基板、设置于基板上若干阵列排布的像素单元及至少一个光电子器件；像素单元包括至少一个Micro‑LED发光芯片，像素单元的面积大于Micro‑LED发光芯片在像素单元内所占区域的面积，形成一非发光芯片区域。

本实用新型提供的Micro‑LED显示面板充分利用像素单元内和相邻像素单元间的闲置空间，将光电子器件集成到非发光芯片区域，和/或相邻的两个像素单元之间的间隙中，便于实现显示面板的轻薄化。

申请人：南方科技大学
地址：518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：孟金喆
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