【CN110137133A】半导体器件的制作方法【专利】

专利名称：一种半导体器件的制作方式及使用的材料专利类型：发明专利
发明人：王爽
申请号：CN201010553487.8
申请日：20101122
公开号：CN102479743A
公开日：
20120530
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方式及使用的材料，具有可以均匀地进行填埋而与通孔图形的疏密度无关的良好填埋特性，并且使用腐蚀速度大的有机高分子材料。

通过将有机高分子材料多次涂敷在通孔图形上，可以均匀地填埋而与该通孔图形疏密度无关。

而且，形成通孔图形填埋用并且除去色素成分来形成提高腐蚀速度的有机高分子材料膜，在该层上涂敷有机防反射膜，可以用多级处理来形成均匀的膜。

申请人：大连创达技术交易市场有限公司
地址：116011 辽宁省大连市西岗区双兴街25-1号102室
国籍：CN
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(10)申请公布号 (43)申请公布日 2010.07.14*CN101777494A*(21)申请号 200910045143.3(22)申请日 2009.01.09H01L 21/336(2006.01)(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人王国华 吴汉明 张海洋(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司 11018代理人宋志强麻海明(54)发明名称半导体器件的制作方法(57)摘要本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。

采用该方法不需要设立侧壁层，而且得到比现有技术更大的应力，因此可以更加灵活有效地调节沟道中载流子迁移率。

(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 5 页CN 101777494 AC N 101777494 A1.一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，其特征在于，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。

半导体器件及其制造方法
半导体器件是指由半导体材料制成的元件，可以实现电信号的转换、放大和控制功能。

半导体器件包括晶体管、集成电路、光电池（太阳能电池）、薄膜电阻、光学器件等。

半导体器件的制造方法主要有硅片制备、集成电路封装、焊接和测试四个步骤。

硅片制备是将半导体材料制成特定形状的硅片，用于后续的制造过程。

集成电路封装就是将半导体元件封装在一个小封装内，使元件得到保护和引出外部连接。

焊接是把封装好的半导体元件焊接在PCB 上，以便进行连接和测试。

测试是对半导体器件进行性能测试，以确保其可靠性和质量。

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：鲍宇
申请号：CN201110335709.3
申请日：20111029
公开号：CN103094183A
公开日：
20130508
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成阻挡层和至少一个牺牲结构并覆盖牺牲罩层；刻蚀形成牺牲侧墙并去除所述牺牲结构；形成介质层和金属互连线后去除所述牺牲侧墙，从而在介质层中形成气腔间隙。

所述牺牲结构的宽度可以控制在小范围内，则形成的气腔间隙之间的距离尺寸缩小到小范围内，同时可以提高体积中气腔间隙的数量，从而达到半导体器件尺寸不断缩小的要求，进一步减小介电常数，提高半导体器件的性能。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：张学海,李俊
申请号：CN201410328482.3申请日：20140710
公开号：CN105336698A
公开日：
20160217
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，首先形成保护层覆盖基底上的选择栅、控制栅以及多晶硅层；再对所述多晶硅层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露出部分所述多晶硅层；此时在基底表面沉积具有流动性的填充物，使其覆盖所述保护层、多晶硅层以及所述选择栅和控制栅之间的孔隙，再去除所述保护层和多晶硅层上的所述填充物，仅保留所述孔隙中的填充物；完成上述步骤之后再刻蚀所述多晶硅层以形成逻辑栅。

此种半导体器件的制造方法在刻蚀时，孔隙中具有填充物保护，能很好地解决孔隙下方材料因刻蚀受到损坏的问题。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：山野孝治
申请号：CN200810189219.5申请日：20081226
公开号：CN101471269A
公开日：
20090701
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其中，设置树脂层以在布置有内部连接端子的一侧覆盖多个半导体芯片并且覆盖所述内部连接端子，在所述树脂层的上表面上形成金属层，按压所述金属层以使所述金属层的与配线图案相对应的部分接触所述内部连接端子，然后使所述金属层的接触所述内部连接端子的部分与所述内部连接端子的接触所述金属层的部分相结合。

申请人：新光电气工业株式会社
地址：日本长野县
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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