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一、项目名称半导体芯片设计与制造关键技术研发与应用项目二、项目背景随着全球信息化、智能化进程的不断加速，半导体产业作为国家战略性新兴产业，对经济社会发展具有重要支撑作用。
我国半导体产业虽取得了一定进展，但与国际先进水平相比，仍存在一定差距。
为推动我国半导体产业高质量发展，本项目旨在研发半导体芯片设计与制造关键核心技术，提升我国半导体产业的自主创新能力。
三、项目目标1. 研发高性能、低功耗的半导体芯片设计方法；2. 开发先进半导体制造工艺及设备；3. 构建半导体芯片设计与制造产业链；4. 培养半导体领域高水平人才。
四、项目内容1. 关键技术研究（1）半导体芯片设计方法研究：针对我国半导体芯片设计领域的技术瓶颈，研究高性能、低功耗的芯片设计方法，提升我国芯片设计水平。
（2）先进半导体制造工艺及设备研究：针对我国半导体制造工艺及设备与国际先进水平的差距，研究先进半导体制造工艺及设备，提升我国半导体制造能力。
2. 产业链构建（1）半导体芯片设计与制造产业链研究：梳理我国半导体芯片设计与制造产业链现状，提出产业链优化升级方案。
（2）产业链协同创新：推动产业链上下游企业开展合作，共同攻克技术难题，提升产业链整体竞争力。
3. 人才培养（1）设立半导体领域研究生培养项目，培养高水平人才。
（2）举办半导体技术培训班，提升行业从业人员的专业技能。
五、项目实施方案1. 组建项目团队项目团队由国内外知名专家、学者和优秀企业代表组成，确保项目研发质量。
2. 制定项目计划项目计划包括关键技术研究、产业链构建和人才培养三个阶段，确保项目按期完成。
3. 资金保障项目资金来源包括政府拨款、企业自筹、社会捐赠等多渠道筹措，确保项目顺利实施。
4. 项目管理建立健全项目管理制度，确保项目进度、质量和效益。
六、项目预期成果1. 研发出具有自主知识产权的半导体芯片设计方法，提升我国芯片设计水平。
2. 开发出先进半导体制造工艺及设备，缩短与国际先进水平的差距。
半导体器件专利撰写
半导体器件专利撰写。
半导体器件是当今电子行业中不可或缺的一部分，它们广泛应用于电子设备、通信、计算机、医疗器械等领域。
为了保护创新和技术成果，许多公司和个人都会申请半导体器件的专利。
专利撰写是确保专利申请成功的关键环节，下面我们将介绍一些撰写半导体器件专利的要点。
首先，专利申请人需要清晰地描述其发明的技术特点和创新之处。
在撰写专利申请时，需要提供详细的技术描述，包括器件的结构、材料、工艺等方面的信息。
此外，还需要说明该技术与现有技术的区别和优势，以及其在实际应用中的作用和效果。
其次，专利申请人需要对其发明进行充分的技术分析和实施方案的阐述。
这包括对发明的原理和工作机制进行详细的描述，以及对实施该技术所需的具体步骤和条件进行说明。
此外，还需要提供相关的实验数据和结果，以验证该技术的可行性和优越性。
最后，专利申请人需要注意专利申请的语言和格式。
专利文件
通常需要使用特定的术语和格式，以确保其符合专利法律的要求。
此外，还需要确保专利文件的语言准确清晰，避免歧义和误解。
总之，撰写半导体器件专利需要对技术细节有深入的理解和把握，同时还需要遵循专利法律的规定和要求。
只有在专利申请的撰写过程中做到充分准备和严谨细致，才能提高专利申请的成功率，保护自己的创新成果。
![一种半导体器件[发明专利]](https://img.taocdn.com/s1/m/018fe4f4fad6195f302ba667.png)
专利名称：一种半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：王寅
申请号：CN201410851443.1申请日：20141230
公开号：CN105810733A
公开日：
20160727
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：在第一导电类型的外延层顶部设置有一沟槽，所述沟槽内设置有相对独立的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过沟槽侧壁上附着的栅极氧化层与所述外延层进行隔离，且所述第一栅极和所述第二栅极之间通过沟槽内填充的绝缘材料进行绝缘；在外延层的顶部掺杂有本体层，第一导电类型的第一源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽一侧的上部附近，第一导电类型的第二源极区掺杂在本体层的顶部且靠近沟槽相对的另一侧的上部附近；所述本体层位于所述沟槽底部以上。
藉由本发明采用的技术方案可减小芯片面积。
申请人：展讯通信(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2288弄展讯中心1号楼
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
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![半导体器件[发明专利]](https://img.taocdn.com/s1/m/18d3dd49b0717fd5370cdc13.png)
专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：上田岳洋
申请号：CN200610004567.1申请日：20060128
公开号：CN1815624A
公开日：
20060809
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：图2所示的熔丝外围电路具有熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)、以及逻辑门(70)。
逻辑门(70)连接到传输门(60)的输入端。
逻辑门(70)用作传输防止电路，当进行断开判断时，其用于防止存储在存储器电路(50)中的信号被传输到熔丝(10)。
申请人：恩益禧电子股份有限公司
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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半导体的中国专利分类号摘要：一、引言二、半导体专利在中国的发展情况1.半导体专利申请数量的增长2.我国半导体产业的优势和挑战三、半导体专利的分类1.半导体制作类专利2.半导体器件类专利3.半导体工艺类专利四、结论正文：一、引言半导体技术作为现代科技领域的核心技术之一，其在各个领域的应用已经越来越广泛。
随着科技的不断发展，半导体产业在我国也取得了长足的进步。
为了更好地了解我国半导体产业的发展情况，我们需要从专利的角度去审视这一领域。
本文将介绍半导体的中国专利分类号，并分析半导体专利在我国的发展情况。
二、半导体专利在中国的发展情况1.半导体专利申请数量的增长近年来，我国半导体专利申请数量呈现出持续增长的态势。
据统计，2022年全球半导体专利申请量达到创纪录的69190 项，比五年前的5943 项增长了380%。
这一数据充分展示了我国半导体产业的快速发展和创新能力。
2.我国半导体产业的优势和挑战我国半导体产业在全球范围内具有明显的优势，尤其是在半导体制造和封装测试环节。
然而，在半导体设计和高端器件领域，我国尚处于劣势地位。
为了缩小与国际先进水平的差距，我国政府和企业纷纷加大在半导体产业的投入，通过创新和研发，努力提升我国半导体产业的核心竞争力。
三、半导体专利的分类半导体专利主要分为三类：半导体制作类专利、半导体器件类专利和半导体工艺类专利。
以下分别对这三类专利进行简要介绍。
1.半导体制作类专利半导体制作类专利主要涉及半导体的制作方法，包括提供半导体结构、形成感光层、曝光、显影等工艺过程。
这类专利对于提升半导体性能和可靠性具有重要意义。
2.半导体器件类专利半导体器件类专利主要涉及半导体器件的结构和制造方法，如栅极结构、栅极间隔物等。
这类专利对于提高器件的性能和可靠性也具有重要作用。
3.半导体工艺类专利半导体工艺类专利主要涉及半导体生产过程中的各种工艺设备和方法，如真空机械手、文丘里管等。
这类专利对于提高半导体生产的自动化水平和效率具有重要价值。
半导体的中国专利分类号摘要：1.半导体专利的重要性2.中国半导体专利分类号的体系3.半导体专利分类号的细分领域4.我国半导体专利申请及授权情况5.提高我国半导体专利竞争力的策略6.总结正文：半导体技术作为现代科技领域的重要支柱，其专利在全球范围内的竞争愈发激烈。
在这一背景下，中国作为全球最大的半导体市场之一，半导体专利的分类号体系显得尤为重要。
本文将详细介绍中国半导体专利分类号的相关知识，以期为我国半导体产业的发展提供有益的参考。
一、半导体专利的重要性半导体专利作为知识产权的一种，具有独占性、时间性和地域性等特点。
在半导体领域，拥有核心专利意味着掌握了市场的竞争优势。
对企业而言，半导体专利不仅能够保障其研发成果，还可以作为市场准入的敲门砖。
此外，半导体专利还可以为企业带来丰厚的经济收益，为国家的科技创新和产业发展提供支持。
二、中国半导体专利分类号的体系我国的半导体专利分类号体系主要分为两部分：一部是《专利分类表》，另一部是《半导体技术分类表》。
《专利分类表》是对所有专利领域进行分类的总体框架，而《半导体技术分类表》则是在此基础上，对半导体领域进行更为详细的划分。
三、半导体专利分类号的细分领域在《半导体技术分类表》中，半导体专利可以细分为以下几个领域：1.半导体材料：包括硅、锗、砷化镓等半导体材料的制备、加工和处理技术。
2.半导体器件：包括场效应晶体管、双极型晶体管、光电器件、传感器等半导体器件的设计、制造和封装技术。
3.半导体电路：包括数字电路、模拟电路、混合信号电路等半导体电路的设计和布局技术。
4.半导体制造工艺：包括薄膜技术、光刻技术、离子注入技术等半导体制造过程中的关键技术。
5.半导体封装测试：包括半导体封装技术、测试方法、可靠性评估等。
四、我国半导体专利申请及授权情况近年来，我国半导体专利申请和授权量逐年上升。
在国家政策的推动下，我国半导体产业研发投入不断加大，创新成果丰硕。
然而，与国外发达国家相比，我国半导体专利在数量和质量上仍有较大差距。
浅谈半导体器件的专利申请概况
作者：霍淑利
来源：《科学与财富》2016年第10期
摘要：随着信息化的进程，半导体领域得到了飞速的发展。
本文简要介绍了半导体器件的分类，以及从申请专利的角度，列举出近年专利申请的大概情况。
关键词：半导体器件；晶体管；二极管；光电器件
回顾历史不难看出，半导体电子器件是20世纪的重大发明之一，它对科技、生产、经济以及人类社会的作用是任何其他发明所不能与之比拟的。
1、半导体器件分类
半导体器件（semiconductor device），是利用半导体材料制成的器件的总称。
这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。
绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。
利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。
这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄像器件或信息存储器件等。
2、有关半导体领域的专利分布情况分析
1）近几年专利申请量分析
在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定申请日，可以统计出近几年有关半导体器件专利申请量变化情况。
从图1可以看到，从2006年到2014年，有关半导体器件的专利申请量呈现先降低，然后逐年上升的趋势，总体专利申请量的变化不大，这说明有关半导体器件领域的技术已经相对比较成熟，统计得出的2013-2014年的申请量低可能是因为部分申请没有得到公开，所以统计数据有一定的误差。
2）专利申请主体分析
在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定申请人，可以得到不同申请人有关半导体器件的专利申请量情况。
从图2可以看出，国内外公司都对半导体器件进行了大量的研究，但是申请量最大的是日本和韩国公司，中国内地申请相对比较少。
3）分类号分析
在中文摘要数据库中，以关键词“半导体器件”为关键词进行检索，并限定分类号，可以得到有关半导体器件的主要所属分类号情况。
从图3中可以看出，该项技术的申请主要被分入了H0L21/00（专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备），H04L29/78（由绝缘栅产生场效应的场效应晶体管）以及H04L21/02（半导体器件或其部件的制造或处理）中。
20世纪70年代末，半导体产业中心从美国转移到日本，而20世纪80年代末，韩国与中国台湾成为半导体产业的主力。
每一次产业中心转移，都引发了整个产业的剧烈震荡，这种力量也给那些新兴国家和地区带来了巨大的经济动力。
这种转移在日本造就了日立、东芝、三菱电气、富士通和NEC等世界顶级的半导体制造商。
而仅仅通过十余年的不懈努力，韩国成为继美国、日本之后的世界第三个半导体产业中心，自上个世纪90年代中期以来，半导体产值一度占据韩国出口产品的第一位。
韩国三星公司更成为世界第一存储器生产大厂。
随着中国作为新的世界制造战略基地的崛起，中国半导体厂的兴建经历了一股热潮。
仅仅几年前，中国的半导体厂还距世界先进水平有着四五代的巨大差距，而今，这差距已被迅速缩小至一两代。
中国在半导体产业的制造方面成就巨大，但是对于科技创新能力却需要进一步加强和挖掘。
参考文献
[1] 半导体器件发展历程及其展望，肖德元、陈国庆，固体电子学研究与进展，第26卷第4期，200611.
[2] 有机半导体器件的现状及其发展趋势，陈海明、靳宝善，纳米器件与技术，第47卷第8期，201004.
[3] 半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状，张楷亮、刘玉岭、王芳，纳米器件与技术，200301.。
