【CN110047742A】一种半导体器件制作方法及半导体器件【专利】

专利名称：一种半导体器件的制作方式及使用的材料专利类型：发明专利
发明人：王爽
申请号：CN201010553487.8
申请日：20101122
公开号：CN102479743A
公开日：
20120530
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方式及使用的材料，具有可以均匀地进行填埋而与通孔图形的疏密度无关的良好填埋特性，并且使用腐蚀速度大的有机高分子材料。

通过将有机高分子材料多次涂敷在通孔图形上，可以均匀地填埋而与该通孔图形疏密度无关。

而且，形成通孔图形填埋用并且除去色素成分来形成提高腐蚀速度的有机高分子材料膜，在该层上涂敷有机防反射膜，可以用多级处理来形成均匀的膜。

申请人：大连创达技术交易市场有限公司
地址：116011 辽宁省大连市西岗区双兴街25-1号102室
国籍：CN
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专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：刘宇,余长敏,李秀然
申请号：CN202010872455.8
申请日：20200826
公开号：CN111785642A
公开日：
20201016
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，主要包括在半导体衬底上的深沟槽中形成氧化层和源多晶硅层；形成一护层，所述护层覆盖源多晶硅层和氧化层；刻蚀所述护层和所述氧化层以形成栅沟槽；在所述栅沟槽中形成栅氧化层和隔离介质层；在所述栅沟槽中形成栅多晶硅层；去除所述护层和所述氧化层。

由于在源多晶硅层形成之后增加了护层，便减小了所述源多晶硅层的顶部和所述氧化层的顶部之间的高度差，进而在后续对栅多晶硅层进行回刻时避免了栅多晶硅层与源多晶硅层的过渡区出现栅多晶硅刻蚀不干净的问题，从而解决了栅极与屏蔽栅短接引起的饱和栅极电流失效的问题。

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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专利名称：一种制作半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：舒强,张海洋,李天慧
申请号：CN201310459990.0
申请日：20130927
公开号：CN104517802A
公开日：
20150415
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻；最后根据设计需要使用切割掩膜版切去不需要的辅助线条。

根据本发明的制备半导体器件的方法，解决在进行硅半导体衬底的微图案制程时产生的线条容易断掉的问题，以确保掩膜版上的图案完整的转移到硅半导体衬底上，进而提高了制备的半导体器件结构的可靠性和生产效率。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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专利名称：一种半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：李永亮,程晓红,张青竹,王文武申请号：CN202010402582.1
申请日：20200513
公开号：CN111710649A
公开日：
20200925
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以减少PMOS器件中导电沟道的缺陷，提高半导体器件的性能。

所述半导体器件的制作方法包括：提供一衬底，衬底包括N 阱区和P阱区。

在衬底上形成第一半导体材料层，第一半导体材料层至少覆盖在P阱区上。

在衬底上形成第二半导体材料层，第二半导体材料层覆盖在N阱区上。

第二半导体材料层所含有的材料不同于第一半导体材料层所含有的材料。

在衬底上形成至少两个鳍状结构。

在相邻鳍状结构之间形成浅槽隔离层。

所述半导体器件采用上述半导体器件的制作方法制作形成。

申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京知迪知识产权代理有限公司
代理人：王胜利
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专利名称：一种半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：R·A·佩盖拉,邹胜源,尹胜煜
申请号：CN201110271021.3
申请日：20110902
公开号：CN102386113A
公开日：
20120321
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体器件具有安装于载体上的第一半导体小片。

插入框架具有在插入框架中的开口和形成于插入框架上的多个导电柱。

将插入器安装于载体和第一小片上，其中导电柱安置于该小片周围。

可在插入框架中形成腔，以包含所述第一小片的一部分。

通过在插入框架中的开口在载体和第一小片上沉积密封剂。

可替换地，密封剂沉积于载体和第一小片上并将插入框架压靠在密封剂上。

过量的密封剂通过在插入框架中的开口引出。

移除载体。

在密封剂和第一小片上形成互连结构。

可在第一小片上或在插入框架上安装第二半导体小片。

申请人：新科金朋有限公司
地址：新加坡新加坡市
国籍：SG
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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专利名称：一种半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：赵杰,库尔班·阿吾提
申请号：CN201410005589.4
申请日：20140106
公开号：CN104766883A
公开日：
20150708
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，只需两步光刻工艺以实现multi-Vt技术，在ULV-PMOS区域中形成有采用TDMAT源气体形成的覆盖层和采用TiCl源气体形成的覆盖层，在PMOS区域中仅形成有采用TiCl源气体形成的覆盖层，在ULV-PMOS区域中的器件电压低于PMOS区域中的器件电压。

在ULV-NMOS区域中仅形成有采用TiCl源气体形成的覆盖层，在NMOS区域中形成有采用TDMAT源气体形成的覆盖层和采用TiCl源气体形成的覆盖层，ULV-NMOS区域中的器件相比与NMOS区域中的器件具有较多的铝扩散的发生，这将减少ULV-NMOS区域中的器件电压。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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(10)申请公布号 (43)申请公布日 2010.07.14*CN101777494A*(21)申请号 200910045143.3(22)申请日 2009.01.09H01L 21/336(2006.01)(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人王国华 吴汉明 张海洋(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司 11018代理人宋志强麻海明(54)发明名称半导体器件的制作方法(57)摘要本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。

采用该方法不需要设立侧壁层，而且得到比现有技术更大的应力，因此可以更加灵活有效地调节沟道中载流子迁移率。

(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 5 页CN 101777494 AC N 101777494 A1.一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，其特征在于，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。

专利名称：半导体器件的制作方法
专利类型：发明专利
发明人：王红超,汪晨怿,殷冠华,孙军康申请号：CN201110247681.8
申请日：20110826
公开号：CN102270571A
公开日：
20111207
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体器件的制作方法，包括下列步骤：提供基底，所述基底具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层上具有第一开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀部分厚度的待刻蚀层，形成第一开口；去除第一光刻胶层后，在所述待刻蚀层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层上具有第一开口图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，使第一开口达到预定深度。

本发明有效保护被遮蔽器件，防止刻蚀载体对被遮蔽器件产生影响，保证了半导体器件的可靠性及良率。

申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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专利名称：一种半导体器件的制作方法专利类型：发明专利
发明人：武咏琴
申请号：CN201611096922.2
申请日：20161202
公开号：CN108155144A
公开日：
20180612
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；采用F基等离子体对所述半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化；执行激光表面处理，以去除所述表层上的F基残留物。

根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在采用F基等离子体对半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化的过程中，在所述半导体衬底表层残留F 基残留物，通过执行激光表面处理，有效去除所述半导体衬底表层的F基残留物，从而保证半导体器件的性能稳定。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：赵猛
申请号：CN201710234762.1
申请日：20170411
公开号：CN108695144A
公开日：
20181023
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积氮化物；在氧化环境中实施第二退火工艺，并实施快速热氧化工艺，以将所述氮化物转化为氧化物；形成位于所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底内的源极和漏极。

采用本发明的方法，在沉积氮化物后，增加在氧化环境中的退火和快速热氧化工艺，使氧化环境中的氧原子代替氮化物中的氢键，从而抑制离子注入区的杂质离子扩散，改善掺杂剂量损失，提高载流子迁移率，提高半导体器件良率和性能。

申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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专利名称：一种半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：韩秋华
申请号：CN201210568155.6
申请日：20121224
公开号：CN103903968A
公开日：
20140702
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。

本发明的半导体器件的制造方法，在去除伪栅极的工艺步骤之前，增加了在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成保护层的工艺。

该方法避免了在去除伪栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成凹陷，进而避免了在形成金属栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成金属残留，在一定程度上避免了漏电流的产生，提高了半导体器件的性能。

本发明的半导体器件，在接触孔刻蚀阻挡层上方形成有保护层。

该半导体器件由于具有保护层，保证了在接触孔刻蚀阻挡层上方不会形成金属残留，在一定程度上避免了漏电流的产生，提高了半导体器件的性能。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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专利名称：半导体器件及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：丁志玟,权奇相,李珍旭,高绮亨,朴相真,白在职,尹普彦,尹智园
申请号：CN201610147006.0
申请日：20160315
公开号：CN105990445A
公开日：
20161005
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。

所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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专利名称：半导体器件的制作方法专利类型：发明专利
发明人：王军,郭华伟,王新鹏,宋铭峰申请号：CN201010547291.8
申请日：20101116
公开号：CN102468239A
公开日：
20120523
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法在栅极结构和侧壁层上方的第一介质层和第二介质层之间增加了自对准停止层。

采用本发明公开的方法避免了栅极上方的接触孔被刻蚀至其下方的金属硅化物或栅极中，因此避免了制成的半导体器件产生漏电流。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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