当前位置：文档之家 › 【CN209766427U】晶体管器件【专利】

【CN209766427U】晶体管器件【专利】

  • 格式：pdf
  • 大小：847.51 KB
  • 文档页数：20

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920622628.3
(22)申请日 2019.04.30
(73)专利权人 芜湖德豪润达光电科技有限公司
地址 241000 安徽省芜湖市经济技术开发
区纬二次路11号
(72)发明人 曾颀尧　纪秉夆　汪琼　邢琨　
冷鑫钰　陈柏松　
(74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理
有限公司 44224
代理人 景怀宇　李双皓
(51)Int.Cl.
H01L 29/778(2006.01)
H01L 29/08(2006.01)
H01L 29/10(2006.01)
H01L 21/335(2006.01)
(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(54)实用新型名称
晶体管器件
(57)摘要
本实用新型涉及一种晶体管器件。

该晶体管器件，仅在器件层对应衬底第二区域和第三区域
的部分形成缝隙，并使源极和漏极沿所述缝隙延
伸。

该晶体管器件，可以增加源极和漏极与器件
层之间的欧姆接触，减小源极和漏极与器件层之
间的电阻，
增加晶体管器件的工作效果。

权利要求书2页 说明书10页 附图7页CN 209766427 U 2019.12.10
C N 209766427
U
权　利　要　求　书1/2页CN 209766427 U
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：
衬底(110)，具有相对设置的第一表面(114)和第二表面(112)，所述第一表面(114)包括第一区域(1141)，以及分别与所述第一区域(1141)相邻的第二区域(1142)和第三区域(1143)；
图形化层(120)，覆盖所述第一区域(1141)；
缓冲层(130)，覆盖所述图形化层(120)和所述第二区域(1142)、第三区域(1143)，所述缓冲层(130)具有远离所述衬底(110)的平坦化表面(132)；
器件层(140)，覆盖所述平坦化表面(132)，所述器件层(140)包括远离所述平坦化表面(132)的器件层表面(1401)；沿所述晶体管器件(10)的层叠方向的反方向，所述器件层(140)位于所述第二区域(1142)和第三区域(1143)的部分具有从所述器件层表面(1401)向所述衬底(110)延伸的缝隙(1402)；
栅极(151)，覆盖所述器件层表面(1401)，且所述栅极(151)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第一区域(1141)内；
源极(152)和漏极(153)，覆盖所述器件层表面(1401)，且所述源极(152)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第二区域(1142)内，所述漏极(153)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第三区域(1143)内，所述源极(152)和所述漏极(153)还沿所述缝隙(1402)延伸。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述衬底(110)为氮化镓衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、钻石衬底、氮化硼衬底、氮化铝衬底、氧化锌衬底、氧化镓衬底和铝掺杂氧化锌衬底的任意一种。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述图形化层(120)包括多个相邻的图形化单元(122)；
沿所述晶体管器件(10)的层叠方向，所述图形化单元(122)的至少部分的横截面面积逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的晶体管器件，其特征在于，沿所述晶体管器件(10)的层叠方向，所述图形化单元(122)的剖面形状为三角形或梯形。

5.根据权利要求4所述的晶体管器件，其特征在于，所述图形化单元(122)包括三棱柱、四棱柱、棱锥、圆锥、棱台或圆台的至少一种。

6.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述图形化层(120)具有远离所述衬底(110)的第四表面(1204)；
所述第四表面(1204)具有两个或两个以上的凹坑(124)，所述凹坑(124)从所述第四表面(1204)凹向所述图形化层(120)的内部。

7.根据权利要求6所述的晶体管器件，其特征在于，所述凹坑(124)的开口面积大于所述凹坑(124)的底部面积。

8.根据权利要求7所述的晶体管器件，其特征在于，沿所述晶体管器件(10)的层叠方向，所述凹坑(124)的剖面形状为倒梯形或倒三角形。

9.根据权利要求8所述的晶体管器件，其特征在于，所述缓冲层(130)包括氮化铝、氮化镓、铝镓氮、铝铟氮和铝铟镓氮的至少一种。

10.根据权利要求9所述的晶体管器件，其特征在于，沿所述晶体管器件(10)的层叠方
2。

合集下载

【CN209747522U】一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管【专利】

【CN209747522U】一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920490045.X(22)申请日 2019.04.12(73)专利权人 西交利物浦大学地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路111号(72)发明人 刘启晗　赵春　赵策洲　杨莉　(74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103代理人 范晴　吴音(51)Int.Cl.H01L 29/786(2006.01)H01L 29/778(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管(57)摘要本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。

本实用新型是成本低廉，工艺简单，安全环保的薄膜晶体管。

权利要求书1页 说明书5页 附图1页CN 209747522 U 2019.12.06C N 209747522U权　利　要　求　书1/1页CN 209747522 U1.一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；所述绝缘衬底位于最底层，所述绝缘衬底之上自下而上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；所述双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；所述双层金属氧化物半导体异质结包括采用溶液燃烧法在栅极绝缘层上形成的第一层金属氧化物半导体层和采用溶液燃烧法在第一层金属氧化物半导体层上形成的第二层金属氧化物半导体层；所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层之间形成了二维电子气。

【CN209607740U】一种绝缘栅双极晶体管【专利】

【CN209607740U】一种绝缘栅双极晶体管【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920220837.5(22)申请日 2019.02.21(73)专利权人 深圳市鑫飞宏电子有限公司地址 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道高峰社区龙观西路2号B2101宝龙大厦B2101-2104室(72)发明人 陈石元　(51)Int.Cl.H01L 29/739(2006.01)H01L 29/06(2006.01)(54)实用新型名称一种绝缘栅双极晶体管(57)摘要一种绝缘栅双极晶体管，本实用新型涉及半导体器件技术领域，硅片的下表面设有导电层，导电层内设有数个一号通道和数个二号通道，二号通道设于相邻两个的一号通道之间；导电层的下侧设有衬底，衬底与导电层之间夹设有硅片氧化层；硅片上侧内的左右两侧均设有基底区，基底区内设有发射极区；硅片上表面的左右两侧均设有正面金属电极，左右两侧的正面金属电极之间设有多晶硅栅极层，多晶硅栅极层设于硅片上表面的中部，多晶硅栅极层与硅片上表面之间夹设有栅极氧化层；多晶硅栅极层的外侧设有介质层；通过特殊的结构使得器件的导通损耗得到改善，提高了器件的可靠性，保证了器件的使用寿命。

权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 209607740 U 2019.11.08C N 209607740U权　利　要　求　书1/1页CN 209607740 U1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：它包含硅片（1）、导电层（2）、衬底（5）、硅片氧化层（14）、正面金属电极（8）、多晶硅栅极层（9）、栅极氧化层（10）、介质层（11）；硅片（1）的下表面设有导电层（2），导电层（2）内设有数个一号通道（3）和数个二号通道（4），二号通道（4）设于相邻两个的一号通道（3）之间；导电层（2）的下侧设有衬底（5），衬底（5）与导电层（2）之间夹设有硅片氧化层（14）；硅片（1）上侧内的左右两侧均设有基底区（6），基底区（6）内设有发射极区（7）；硅片（1）上表面的左右两侧均设有正面金属电极（8），左右两侧的正面金属电极（8）之间设有多晶硅栅极层（9），多晶硅栅极层（9）设于硅片（1）上表面的中部，多晶硅栅极层（9）与硅片（1）上表面之间夹设有栅极氧化层（10）；多晶硅栅极层（9）的外侧设有介质层（11）。

一种高频晶闸管[实用新型专利]

一种高频晶闸管[实用新型专利]

专利名称：一种高频晶闸管专利类型：实用新型专利发明人：王培清,张斌,陈永琪申请号：CN87208366
申请日：19870526
公开号：CN87208366U 公开日：
19880803
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型属快速电力电子器件，采用放大门极为工字形，短路点布置为正方形的光刻版，在一定的扩散结深及浓度配合下，技术指标达到了转折电压1600伏，平均通态电流200安，工作频率10KHZ，并同时具有短的开通时间和关断时间，高di/dt和dv/dt耐量。

可适用于8KHZ以上中频电源，超声波电源、电机调速、不停电电源等电力电子装置，特别适合于我国380伏电网电压。

申请人：清华大学
地址：北京市海淀区清华园
国籍：CN
代理机构：清华大学专利事务所
代理人：张志东
更多信息请下载全文后查看。

【CN109855656A】晶体管型传感装置【专利】

【CN109855656A】晶体管型传感装置【专利】


权利要求书1页 说明书5页 附图2页
CN 109855656 A
CN 109855656 A
权 利 要 求 书
1/1 页
1 .一种晶体管型传感装置，其特征在于，包括柔性传感贴片；所述柔性传感贴片包括： 贴附膜； 传感结构 ，位于所述贴附 膜表面 ，包括至少一个 用于检测传感信息的柔性晶 体管组 ，所 述柔性晶体管组包括多个柔性晶体管； NFC芯片，位于所述贴附膜表面，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的控制结构； 所述NFC芯 片与所述柔性晶 体管组连接 ，用于向 所述柔性晶 体管组提供电 压 信号并 接 收所述柔性晶体管组检测到的所述传感信息。 2 .根据权利要求1所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述传感结构包括呈阵列排 布的多个所述柔性晶体管组，且多个所述柔性晶体管组用于检测多种传感信息。 3 .根据权利要求2所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述控制结构包括处理器、 数模转换器 和模数转换器 ；所述处理器连接所述数模转换器 和所述模数转换器 ；所述数模 转换器连接多个所述柔性晶 体管组 ，用于向所述柔性晶 体管组提供电 压信号 ；所述模数转 换器连接多个所述柔性晶体管组，用于接收所述传感信息。 4 .根据权利要求1所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述传感信息包括PH信息、 湿度信息、温度信息、压力信息、应力信息、生物电信息中的一种或几种。 5 .根据权利要求1所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述NFC芯片还包括位于所 述贴附膜表面的第一柔性基底，所述硅衬底位于所述第一柔性基底表面。 6 .根据权利要求5所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述传感结构还包括位于所 述贴附膜表面的第二柔性基底，所述柔性晶体管组位于所述第二柔性基底表面。 7 .根据权利要求1所述的晶体管型传感装置，其特征在于，还包括移动终端和传输模 块 ；所述传输模块连接所述移动终端和所述柔性传感贴片 ，用于在所述移动终端与所述柔 性传感贴片之间进行数据传输。 8 .根据权利要求7所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述传输模块包括NFC读写 单元和远距离传输单元； 所述远距离传输单元连接所述NFC读写单元 与所述移动终端 ，用于接收 所述移动终端 的控制指令并传输至所述NFC读写单元，且用于接收所述NFC读写单元传输的数据并反馈至 所述移动终端； 所述NFC读写单元连接所述远距离传输单元和所述NFC芯片，用于将所述远距离传输单 元下发的所述控制指令传输至所述NFC芯片，且用于读取所述NFC芯片中的数据并反馈至所 述远距离传输单元。 9 .根据权利要求8所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述远距离传输单元与所述 移动终端之间的连接方式为蓝牙连接、WIFI连接、ZigBee连接或NBIOT连接。 10 .根据权利要求1所述的晶体管型传感装置，其特征在于，所述NFC芯片中还包括位于 所述硅衬底表面的温度传感器；所述温度传感器用于检测所述传感结构的温度。