宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷

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宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题

(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
四、（20 分）利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器，ROM 采用 256×8bit，频率控制字 M 为 8 位。
试给出：1. 相位累加器的最少位数，时钟频率，最高输出频率。（12 分） 2. 画出电路结构框图。（8 分）
③ 完成上述操作后，返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。（15 分）
6．简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。（20 分）
第2页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示，（1）试画出输出信号波形，说明此电路功能；（2）用 HDL 描述该电路。（20 分）
Signal DQ
DQ
Out 异或门
Clk
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 2606 总分值： 100 科目名称：
五、（20 分）设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图，电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
第3页共3页
宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生入学考试试题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计微纳信息系统
科目代码： 2606
表1
第1页共3页

宁波大学2020年《3816细胞生物学》考博专业课真题试卷

三、论述题（共 22 分）
1. 论述 cAMP 信号通路对基因转录的激活过程。（本题 10 分） 2．描述一种观察巨噬细胞对异物吞噬的方法，并分析其原理。（本题 12 分）

第1页共1页
细胞生物学
二、简答题（共 48 分）
1. 简述细胞质膜的基本功能。（本题 7 分） 2. 简述肌肉收缩原理。（本题 8 分） 3. 概述由内质网到高尔基体进行蛋白质糖基化的类型、加工过程及生理意义。（本题 7 分） 4. 简述染色质的组装过程。（本题 8 分） 5. 介绍 5 种常用的模式生物及其在细胞生物学研究中的应用。（本题 10 分） 6. 简述细胞凋亡与坏死的区别?有什么常用方法鉴定细胞凋亡？（本题 8 分）
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3816 总分值： 100 科目名称：
一、名词解释（每题 3 分，共 30 分） 1. 核孔复合物
2. 细胞连接 3. 钙泵 4. 微丝 5. 第二信使 6. 细胞质基质 7. 细胞自噬 8. 端粒 9. 细胞周期蛋白依赖性激酶 10. 异染色质

宁波大学2020年《3825运筹学》考博专业课真题试卷

运筹学
方
需求状况
案高需求中等需求低需求
A1
800
320
-250
A2
600
300
-200
A3
300
150
50
A4
400
250
100
第3页共3页
时间
所需售货人员数
星期日
28
星期一
15
星期二
24
星期三
25
星期四
19
星期五
31
星期六
28
（15 分）2. 考虑如ຫໍສະໝຸດ 线性规划问题回答以下问题：
1）请用单纯形法求最优解；
2）直接写出上述问题的对偶问题及其最优解；
3）若问题中列的系数变为
，问最优解是否有变化？如有变化，将新的解求出；
4）由由 1 变为 2，是否影响最优解？如有影响，将新的解求出。
（4）等待服务的平均顾客数；
（5）顾客在店内等待时间超过 10 分钟的概率（已知
）。
（10 分）7. 某公司为经营业务的需要，决定要在现有生产条件不变的情况下，生产一种新
产品，现可供开发生产的产品有 I、II、III、IV 四种不同产品，对应的方案为 A1、A2、A3、
A4。由于缺乏相关资料背景，对产品的市场需求只能估计为大、中、小三种状态，而且对
（15 分）3、已知运输问题的调运和运价表如下，求最优调运方案和最小总费用。
销地
B1
B2
B3
产量
产地
A1
5
9
2
15
A2
3
1
7
11
A3
6
2
8
20

宁波大学2020年《3824生物信息学》考博专业课真题试卷

A. RNA-seq B. 全基因组测序 C. 靶向测序 D. ChIP-seq
6. 以下哪一个不属于世界三大生物序列信息数据库_______
A. NCBI B. DDBJ C. EMBL D. KEGG
7. 下列不属于新一代测序技术的平台是_______
A. Illumina B. Ion Torrent C. Sanger Sequencing D. SOLID
第3页共3页
10. 下列不可以预测蛋白质三维结构的软件是_______
A. MOE B. HHpred C. MODELLER
D. PSIPRED
第1页共3页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3824 总分值： 100 科目名称：
生物信息学
二、选择题（每题 2 分，共 20 分）
1. 下列哪种实验方法不能测定 DNA 甲基化数据________
A. SNP 芯片 B. Illumina 测序 C. western blot D. 454 测序
2. 下列哪种实验方法不能获得真正意义上的基因组范围组蛋白修饰数据________
A. ChIP-chip B. ChIP-SAGE C. Affymetrix tiling arr30 分）
1. 列举 UCSC 基因组浏览器所能显示的基因组内容。 2. NCBI 数据库 BLAST 有 5 种不同的序列搜索类型，列举并解释。 3. 简述几种常见的 miRNA 靶基因预测方法。
四、综合分析题（20 分）
阅读如下材料，回到下列问题。 2019 年，Clinical Cancer Research 期刊上发表了题为“Multi-Omics Profiling Reveals Distinct

2014-2015年宁波大学考博真题3801弹性力学 B

宁波大学2014年攻读博士学位研究生
入学
考试试题(B
卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:弹性力学科目代码：3801适用专业:工程力学
第1页共1页1.(35分)已知下图所示问题的非零应力解为
确定未定常数
2.(30分)一个正八面体的方向余弦为2221/3
l m n
===，我们可以据此求出八面体上的正应力和剪应力。

若该点的应力状态用主应力表示，试求出八面体上的正应力和剪应力，并证明它们是应力不变量。

3.(35分)证明并解释弹性力学的解的唯一性定理。

宁波大学2015 年攻读博士学位研究生
入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)
考试科目: 弹性力学科目代码：3801
适用专业: 工程力学
第1页共1页。

宁波大学2020年《3811信息功能材料》考博专业课真题试卷

3. 什么是光纤色散？光纤色散主要有几种类型？其对光纤通信系统有何影响？
第2页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3811 总分值： 100 科目名称：
信息功能材料
一、单项选择题：本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分。
1. 半导体的发光原理为（），即电子从高能态向低能态跃迁的同时，以光子形式释放多余能量。
5. 下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（）。（A）P 型半导体中，费米能级靠近导带（B）在热平衡下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级（C）N 型半导体中，费米能级靠近价带（D）在外加电压下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级
6. 为了获取高的太阳电池转换效率，不需要的是（）。（A）高的开路电压；（B）大的短路电流；（C）大的填充因子；（D）大的掺杂浓度
10. 材料的非线性效应是由于激发源的（）高于材料本身阈值所产生的。（A）波长；（B）功率密度；（C）色散；（D）损耗
二、判断题：本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分，对的打√，错的打。
1. 电子和空穴的移动都能形成电流。（） 2. 金属与半导体导电机制的区别在于：金属由自由电子导电，半导体由非平衡载流子导电。（） 3. 费米能级物理意义是指：该能级上的一个状态被电子占据的几率是 1/2。（） 4. 四能级固体激光器比三能级或准三能级激光器容易产生振荡发射。（） 5. 掺铒碲化物光纤放大器具有超宽的增益带宽特性，其增益带宽可达 80nm，特别适合于 DWDM
三、简答计算题：共 50 分，第 1 题 15 分，第 2 题 20 分，第 3 题 15 分。

宁波大学911电子线路(模拟电路+数字电路)2020年考研专业课真题

(答案必须写在考点提供的答题纸上)一、选择题（每小题5分，共5题，共25分）1. 测得 PNP 型三极管各电极对地电位分别为 VE ＝ -4V ， VB ＝-4.7V ， VC ＝-4.6V ，说明此三极管处在哪个工作区（）。

A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 反向击穿区2.如下图所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（）。

A. 电路正常工作B. 电容C 开路C. 负载R L 开路D. 电容C 和二极管D 1同时开路3. LC 正弦波振荡电路如图所示，该电路（）。

A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡D. 满足振荡条件能产生正弦波振荡科目代码： 911总分值： 150科目名称：电子线路（模拟电路+数字电路）(答案必须写在考点提供的答题纸上)4. 如图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝( ) 。

A ．L 2CES CC 2)21(R U V -B ．L2CES CC )21(R U V - C ． L 2CES CC 2)(R U V - D.2()CC CES L V U R -5. 在图示电路中，稳压管 D Z 的稳定电压 U Z = 6V ，最小稳定电流 I Zm i n = 5 mA ，输入电压 U I =12V ，电阻 R=100，要保证输出稳定电压6V ，I L 最大不应超过 ( )。

A. 60 mAB. 55 mAC. 45 mAD. 40 mA二、简答题（每小题5分，共5题，共25分）1．用逻辑代数的基本公式和常用公式将化为最简与或式。

ABC C AB C B A BC A C B A Y ++++=2. 如图所示，请写出Y 的表达式。

宁波大学智能数据处理2019--2020年考博初试真题

满足 F (ti ) di , for i 1,..., N ，显然是不切实际的，在这种情况下，请给
出一个合理的解决方案，并设计具体的学习算法。
(13 分)
3. Boltzmann 机是一个全相联的随机型神经网络，如果将其简化处理，限定为只
含一个可见层和一个隐单元层，取消层内连接，仅保留层间的加权连接，这种
（1）试画出 ER 图，并在图上注明属性、联系的类型。（2）将 ER 图转换成关系模型，并注明主键和外键。
9.（ 8%）数据库的并发操作会带来哪些问题？如何解决？
10.（6%，每个小题 2 分）设有关系模式 R（职工编号，日期，日营业额，部门名，部门经理），该模式统计商店里每个职工的日营业额，以及职工所在的部门和经理信息。如果规定：每个职工每天只有一个营业额；每个职工只在一个部门工作；每个部门只有一个经理。试回答下列问题：（1）根据上述规定，写出模式 R 的基本 FD 和关键码；（2）说明 R 不是 2NF 的理由；（3）分解 R 成 3NF 模式集。
层后，要求输出尽量与输入接近，其处理数据的效果非常类似于 PCA 分析，请为 AutoEncoder 设计一个合理的学习算法（建议采用梯度下降法）。(12 分)
2. 假设一个含 M 单元的 RBF 网络的输出为
M
F (x) wj (|| x xj ||) ， j0
对于 N 个不同的学习样本 ti , i 1,..., N ，如果 N M ，要实现精确的插值，即
第2页共2页
宁波大学 2019 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3809 总分值： 100 科目名称：

宁波大学半导体物理2014--2020年考博初试真题

(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)下面对于p型半导体形成的MIS结构，说法正确的是（）。

A．强反型时，表面的少子浓度会大于体内的多子浓度；(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)第1页共3页科目代码：3823总分值：100科目名称：半导体物理一、选择题（40分每题2分）1.如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。

A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主2.下列三种结构示意图属于多晶结构的是（）。

A B C 3.电子是带（）电的粒子。

A.正 B.负 C.零 D.准粒子4.当B 掺入Si 中时，它是（）杂质。

A.受主 B.深 C.浅 D.复合中心5.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。

A.变大，变小B.变小，变大C.变小，变小D.变大，变大。

6.在热力学温度零度时，能量比F E小的量子态被电子占据的概率为（）。

A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于17.金属和半导体接触分为（）。

A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触8.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t τ=后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。

A.1/eB.1/2C.0D.2/e9.载流子在电场作用下的运动为（）。

A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.复合运动10.锗的晶格结构和能带结构分别是（）。

A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型11.当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（）。

A.变化量B.常数C.杂质浓度和杂质类型D.禁带宽度和温度12.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。

宁波大学2020年《3813抽象代数》考博专业课真题试卷

宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3813 总分值： 100 科目名称：
抽象代数
本试卷共四道大题，每道大题 25 分，总分 100 分。
一、设 A Rnn ， b Rn 。定义 Rn 上的线性变换 T( A,b) 为 T(A,b) ( ) A b， Rn。
证明：
(1)当 A 的行列式不为 0 时， T( A,b) 既是单射又是满射。
(2) G T(A,b) |A| 0 关于映射的乘法构成群。 (3) K T(A,0) A 0 是 G 的子群，且与 Rn 上所有可逆矩阵组成的线性群 GL(n, R) 同构。
二、设
R
ab 23a Nhomakorabea b Z, a b 为偶数，证明 R 在数的加法和乘法下构成一个整环（无零因子的交
换幺环）。并求出 R 的单位群U ，即所有可逆元素的集合。
三、证明： x 是多项式整环 Zx的素理想，但不是极大理想。
四、设 : Qx Q 3 2 为 f x f 3 2 。证明：
(1) 是环同态。
(2) ker x3 2 。
(3) Q x
是域，且与域Q 3 2 同构。
x3 2
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2019年宁波大学考博试题3810数字集成电路设计基础(B卷)

(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码：3810总分值：100科目名称：数字集成电路设计基础
一、简答题（共30分）
1、画出双阱CMOS 电路工艺流程简化图。

（5分）
2、给出至少三种低功耗CMOS 集成电路的设计方法。

（5分）
3、简述半定制集成电路的设计流程。

（5分）
4、简述动态逻辑门的特点。

（5分）
5、简述CMOS 反相器噪声容限的定义。

（5分）
6、指出互补CMOS 电路存在的两个问题，并说明其原因。

（5分）
二、设计分析题（共70分）
1、设计一个通用0.25um CMOS 工艺反相器，PMOS 对NMOS 的比为3.4，其中NMOS 的最小尺寸(W=0.375um ，L=0.25um ，W/L=1.5)，VM=1.25处的增益g=-27.5，电源电压为2.5V 。

计算该反相器的噪声容限。

（15分）
2、利用互补CMOS 逻辑设计功能为()F D A B C =++的逻辑门电路，并给出上拉网络PUN 和上拉网络PDN 电路。

（15分）
3、画出动态传输门边沿触发寄存器的电路图，分析工作原理。

（15分）
4、试画出题4图版图的电路原理图。

（15分）
题4图
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码：3810总分值：100科目名称：数字集成电路设计基础5、有一容量为256K×4位的RAM，试问：（共10分）
（1）该RAM有多少个基本存储单元？（3分）
（2）该RAM每次访问几个基本存储单元？（3分）
（3）该RAM有多少根地址线？（4分）。

宁波大学2020年《3817电磁场与微波技术》考博专业课真题试卷

x0E0 k e jkz ，假定 ε、μ 是实数，求：
（1）电场的时谐表达式 E(t) ；（2）磁场的时谐表达式 H (t) ；（3）瞬态坡印廷功率流 S (t) ；（4）瞬态坡印廷功率流的时间平均值 S (t) 。
第1页共1页
2. （8 分）求矢量场 A yz2x0 zx2 y0 xy2z0 的散度和旋度。
3. （16 分）已知双线传输线的特征阻抗 Zc=300 Ω，归一化负载阻抗 zL=0.6+j0.8 Ω，求：（1）负载阻抗 ZL；（2）终端反射系数 Γ；
（3）驻波系数 ρ；
（4）归一化负载导纳 yL。
4. （16 分）如果某区域内电场 E y0E0e jkz ，磁场 H
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3817 总分值： 100 科目名称：
一、简答题（共 50 分）
电磁场与微波技术
1. （4 分）为什么说电磁波谱是一项宝贵的资源？
2. （4 分）什么是阻抗圆图？
3. （4 分）请写出麦克斯韦方程所依据的四个基本实验规律。
4. （6 分）微波传输线的特征阻抗和输入阻抗的定义是什么？
5. （4 分）若一个两端口微波网络互易，则网络参量[Z]、[S]的特征分别是什么？
6. （6 分）阻抗匹配的意义和基本思想分别是什么？
7. （6 分）谐振腔有哪些主要的参量？这些参量与低频集总参数谐振回路有何异同点？
8. （6 分）谐振腔耦合分为哪几类？分别采取的耦合方式是什么？
9. （6 分）什么是射频滤波器的插入损耗、波纹和带宽？
10. （4 分）什么是电基本振子？其辐射方向图中，在什么方向辐射最强，增益是多少？

宁波大学《3823半导体物理》考博专业课真题试卷

关系，并画出示意图。 4、（10 分）画出非平衡态时 n 型半导体的准费米能级偏离平衡时费米能级的示意图。 5、（8分）两性杂质和其它杂质有何异同？
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3823 科目名称：
半导体物理
宁波大学考博专业课真题试卷
3823 半导体物理
2016 年《3823 半导体物理》考博专业课真题试卷 2017 年《3823 半导体物理》考博专业课真题试卷 2018 年《3823 半导体物理》考博专业课真题试卷 2019 年《3823 半导体物理》考博专业课真题试卷 2020 年《3823 半导体物理》考博专业课真题试卷
科目代码： 3823
5、（8分）对于非简并半导体，在光注入或电注入等外界作用下，材料中的电子浓度和空穴浓度
都是偏离平衡值的，多出来的这部分载流子叫做（
），其重要特点是：当外
界作用停止后它们会因（
）而消失，其（
）称为寿命，常
用（*请打勾：少数载流子、多数载流子）的寿命来描述。
二、简答题（共50分）
1、（8分）简述p-n结的空间电荷区形成过程。 2、（12分）试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。 3、（12分）能带极值在k=0处，等能面为球面的情况，写出导带底和价带顶附近E(k)与k的函数
）。
3、(8分) 就复合过程的微观机制，复合过程分为两种：（
）和间接复合，间
接复合是通过（
）进行复合。在间接复合过程中，复合中心能级位于带隙的
（*请打勾：上半部、中央、下半部）是最有效的复合中心；最有利于陷阱作用的杂质能级位于
（*请打勾：平衡时费米能级以下、与平衡时费米能级重合、平衡时费米能级以上）。

宁波大学3803结构力学18-20年真题

1.（10 分）阻尼对自由振动有什么影响？减幅系数的物理意义是什么?
2.（10 分）简述用振型叠加法求解分布参数简支梁动力响应的基本原理及适用条件分别是什么?
二、计算题（4 小题，共 80 分）
1.（20 分）如图 1 所示的两自由度体系，P1 和 P2 为作用于质点 m1 和 m2 上的外力，利用 Lagrange 方程建立关于广义坐标φ1、φ2 的运动方程，（假设φ1、φ2 为小量，即体系线性微振）。
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3803 科目名称：
结构力学
1. 试对下列体系进行几何组成分析，给出必要的分析说明。（20 分）
(a)
(b)
2. 求解图示组合结构 K 点处的竖向位移 yK 。已知材料的弹性模量 E 2105 MPa ， I 1.6104 m4, CD 杆横截面积 A 5.0104 m2。（20 分）
三、求图示体系 C 点的竖向位移。（本题 20 分）
FP G
D
E
2l F
1
l
A
C
B
l
l
ql
A EI B EI D
l
lቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
q
2EI C l
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3803 总分值： 100 科目名称：
结构力学
四、作图示结构指定量值的影响线：B 铰结点剪力 QB、C 截面的剪力 QC 和弯矩 MC。 (本题 15 分)

2018年宁波大学3810数字集成电路设计基础博士研究生初试试卷(A卷)

科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础VDDGND IN1IN2IN3IN4OUT科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础5.说明如图5所示的静态CMOS反相器的总功耗由哪几部分组成，并列出每一项功耗的具体表达式。

(10分)pmosnmosVDDC L图5. 静态CMOS反相器6.分析图6所示的电路，在不同时钟CLK输入下Q0、Q1、Q2与Q3的输出状态，并将状态量填入表1。

假设各个D触发器的初始输出状态皆为Q=0。

(10分)图6.D触发器构成的时序逻辑电路表1.电路输出状态表CLK的顺序输入D1 Q0Q1Q2Q30 0 0 0 0 01 12 03 14 15 0科目代码: 3810 科目名称：数字集成电路设计基础7.试用差分串联电压开关逻辑（DCVSL）与互补传输管逻辑（CPL）实现二输入的XOR/NXOR逻辑门，要求画出其晶体管级电路图。

(10分)8.在图7所示电路中，已知CMOS集成施密特触发器的电源电压V DD=15V, V T+=10V，V T-=5V,R=100KΩ, C=10μF。

试画出u c和u0的波形，并求出u0的频率以及占空比。

(10分)图7. 施密特触发器电路9.叙述图8所示的单管动态CMOS存储单元读与写的工作原理与工作过程。

(8分)T C1C2图8. 单管动态CMOS存储单元10.试回答下列问题：（1）在标准CMOS工艺中，NMOS衬底（阱）通常与电路中最低电位相接，若NMOS衬底（阱）与最高电位相接，会产生什么害处? （4分）（2）MOS管有三种主要漏电流（4分）（3）试分别说明: 在65nm以下工艺，哪两种漏电流起主要作用?（4分）。

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宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ
六、推导 CMOS 反相器的充放电功耗、静态功耗、短路功耗公式。（20 分）
第2页共2页
2. 用动态电路级联实现逻辑功能 Y ABC ，画出其相应的电路图。（7 分）
二、分析如图所示 CMOS 电路的工作过程和功能，并画出 CP1、 CP1 、CP2、 CP2 和 CP3 时序图。假设 Q 的初始值为 0，画出 Q 的波形。(15 分)
cp3
cp1
cp2
cp3
cp1
cp2
cp1 cp2
1）画出晶体管级电路图； 2）请标出各部分名称：
P 阱（P-Well）；N 阱（N-Well）；金属线（Metal 1）；多晶硅（Poly）、N+扩散层
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：