CF黄光工艺说明(1)
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1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。
(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步:准备光罩首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步:准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步:涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步:对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。
然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。
第五步:显影曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步:清洗将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。
第七步:检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步:后续处理根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。
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黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺,主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上,形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先,将硅片进行表面清洁处理,以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来,将光刻胶涂覆在硅片表面,然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成,需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模,紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的,精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后,硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中,以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后,需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理,以确保光刻胶牢固地附着在硅片上,并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后,硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说,黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺,它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展,黄光工艺也在不断地完善和创新,为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体,进一步调整基材内部的原子位置和分子结构,消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力,降低材料方阻,和后续的生产加工过程中及产品使用过程中,得到更稳定的物理尺寸、化学性能。
2.1.2 ITO导电膜1)常见ITO有高阻值膜(老化后表面方阻400±100欧姆)和低阻值膜(老化后表面方阻150±50欧姆),厚度50um、125um、175um。
现我司使用方阻为150±50欧姆,厚度为50um和125um。
2)ITO膜主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、Polyethyleneterephthalate 层(基材)、Under coating层(消影)、ITO层组成。
图2.1 ITO导电膜结构示意图3)材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1)参数管控①老化温度:ITO膜通过高温烘烤,若温度高时,材料变形;温度偏低或老化时间短,材料不能充分调质,表面阻值达不到规格内;老化温度不均匀时,老化后材料表面阻值不均匀。
②老化时间:老化过程时间短,ITO表面不能充分调质,导致阻值不均匀。
2)生产管控①清洁:老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。
老化过程中,若有异物落到材料上,烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。
2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料(光阻/干膜)与导电膜(ITO膜或铜膜)压合在一起。
2.2.2材料特性1)金属铜膜:主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、PET层(即Polyethyleneterephthalate层基材)、Under coating层(消影)、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层(防氧化层)组成(图1),基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例,具体见表。
黄光工艺1. 介绍黄光工艺(Golden Photolithography)是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺,主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。
它是将光通过透镜传导到光刻胶上,通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用,它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案,使得芯片性能得到提升。
本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤黄光工艺主要包括以下步骤: 1. 制备硅片:首先,需要选择适当纯度的硅片,并进行表面处理,以确保图案能够精准地转移到硅片上。
2. 涂覆光刻胶:将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面,形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。
3. 预烘烤:将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤,使得光刻胶在硅片表面形成薄膜,并且排除其中的气泡。
4. 掩膜/曝光:在光刻胶表面放置一张掩膜,掩膜上有所需的图案,然后利用光刻机进行曝光,使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。
5. 显影:将曝光后的硅片浸泡在显影液中,使得未曝光的光刻胶被溶解掉,形成所需的图案。
6. 清洗:清洗已经显影完毕的硅片,去除掉余下的光刻胶和显影液。
7. 退火:通过高温退火的过程,使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。
8. 重复以上步骤:根据需要,可以重复以上步骤,逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理黄光工艺的原理是利用光的作用,将图案转移到光刻胶上。
其基本原理如下:1. 光刻胶的感光性:光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应,可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能:掩膜上有所需的图案,它会在光的照射下,将图案投射到光刻胶上。
3. 光的传导:通过光刻机中的透镜和光源,使得光能被聚焦并传导到掩膜上。
4.显影液的作用:显影液能够溶解掉未经曝光的光刻胶,使得图案出现。
4. 应用领域黄光工艺广泛应用于集成电路制造、光电子器件制造、传感器制造等领域。
它可以高精度地制造出微细的芯片结构,实现更小、更快的集成电路和传感器等器件。