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集成电路版图设计师职业标准（试行）一.、职业概况1.1职业名称集成电路版图设计师1.2职业定义通过EDA设计工具，进行集成电路后端的版图设计和验证，最终产生送交供集成电路制造用的GDSII数据。
1.3 职业等级本职业共设四个等级，分别是版图设计员（职业资格四级）、助理版图设计师（职业资格三级）、版图设计师（职业资格二级）、高级版图设计师（职业资格一级）。
1.4 职业环境条件室内、常温1.5 职业能力特征具有良好的电脑使用基础与较强的外语阅读能力；具备一定的半导体微电子基础理论。
具有很强的学习能力。
1.6 基本文化程度理工科高等专科学历。
1.7 培训要求1.7.1 培训期限全日制职业学校教育：根据其培养目标和教学计划确定。
晋级培训期限：版图设计员不少于240标准学时；助理版图设计师不少于240标准学时；版图设计师不少于200标准学时；高级版图设计师不少于180标准学时。
1.8 鉴定要求1.8.1 适用对象从事或准备从事集成电路版图设计的人员。
1.8.2 申报条件以上各等级申报条件均参照“关于职业技能鉴定申报条件的暂行规定”1.8.3 鉴定方式分为理论知识考试和技能操作考核。
技能操作考核采用上机实际操作方式，由3－5名考评员组成考评小组，根据考生现场操作表现及实际操作输出结果，按统一标准评定得分。
两项鉴定均采用100分制，皆达60分及以上者为合格。
1.8.4 考评人员与考生理论知识考试：平均15名考生配一名考评员。
技能操作考核：平均5－8 名考生配1名考评员。
1.8.5 鉴定时间理论知识考试：设计员、助理设计师90分钟，设计师、高级设计师120分钟。
技能操作考核：设计员、助理设计师90分钟，设计师、高级设计师120分钟。
1.8.6 鉴定场地设备用于理论知识考试的标准教室；用于操作技能考试的场所：具有EDA设计平台和网络教学系统等设备和软件，不少于20个考位。
二、基本要求三、工作要求本标准对版图设计员(四级)、助理版图设计师(三级)、版图设计师(二级)和高级版图设计师(一级)的工作内容和职业能力要求依次递进，高级别覆盖低级别。
《集成电路制造工艺员》（三级）理论知识鉴定要素细目表职业（工种）名称集成电路制造工艺员等级三级职业代码序号鉴定点代码鉴定点内容分数系数重要系数备注章节目点1 集成电路制造工艺891 1 氧化扩散241 1 1 二氧化硅的形态、性质和应用 41 1 1 1 1 结晶形态二氧化硅的特点0.52 1 1 1 2 非结晶形态二氧化硅的特点0.53 1 1 1 3 结晶形态和非结晶形态二氧化硅的区别0.54 1 1 1 4 二氧化硅的物理性质—密度和折射率0.55 1 1 1 5 二氧化硅的物理性质—电阻率0.56 1 1 1 6 二氧化硅的物理性质—介电强度0.57 1 1 1 7 二氧化硅的物理性质—介电常数0.58 1 1 1 8 二氧化硅的腐蚀0.59 1 1 1 9 二氧化硅薄膜对杂质的掩蔽作用[1]0.510 1 1 1 10 二氧化硅薄膜对杂质的掩蔽作用[2]0.511 1 1 1 11 二氧化硅薄膜对器件表面的保护和钝化作用0.512 1 1 1 12 二氧化硅膜中钠离子沾污[1] 0.513 1 1 1 13 二氧化硅膜中钠离子沾污[2] 0.514 1 1 1 14 二氧化硅膜中钠离子沾污[3] 0.51 12 二氧化硅的制备和生长机制815 1 1 2 1 氧化前对硅片的挑选和化学清洗0.516 1 1 2 2 干氧氧化法[1]0.517 1 1 2 3 干氧氧化法[2]0.518 1 1 2 4 水汽氧化法0.519 1 1 2 5 湿氧氧化法0.520 1 1 2 6 干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式0.521 1 1 2 7 氢氧合成氧化法0.522 1 1 2 8 掺氯氧化法0.523 1 1 2 9 分压氧化法0.524 1 1 2 10 高压氧化法0.525 1 1 2 11 热氧化综述[1]0.526 1 1 2 12 热氧化综述[2]0.527 1 1 2 13 氧化物生长的线性阶段0.528 1 1 2 14 氧化物生长的抛物线阶段0.529 1 1 2 15 影响氧化物生长速率的因素—掺杂和晶向0.530 1 1 2 16 影响氧化物生长速率的因素—等离子增强和压力效应0.531 1 1 2 17 分凝效应0.532 1 1 2 18 分凝系数>1的情况0.533 1 1 2 19 分凝系数<1和≈1的情况0.534 1 1 2 20 二氧化硅层中的可动离子0.535 1 1 2 21 二氧化硅层中的固定表面电荷0.536 1 1 2 22 界面态0.537 1 1 2 23 二氧化硅膜的质量要求和质量检查0.538 1 1 2 24 热工艺的基本设备0.539 1 1 2 25 快速热处理0.540 1 1 2 26 二氧化硅膜厚度测量[1] 0.541 1 1 2 27 二氧化硅膜厚度测量[2] 0.542 1 1 2 28 二氧化硅膜厚度测量[3] 0.51 1 3 扩散的概念和扩散模型743 1 1 3 1 扩散工艺概念和主要用途0.544 1 1 3 2 研究扩散的方向0.545 1 1 3 3 掺杂杂质引入到硅片的方法0.546 1 1 3 4 离子注入取代扩散原因0.547 1 1 3 5 两种扩散理论概念0.548 1 1 3 6 两种扩散理论分别的适用范围0.549 1 1 3 7 固体中的扩散模型的种类0.550 1 1 3 8 自扩散和杂质扩散概念0.551 1 1 3 9 填隙机制概念0.552 1 1 3 10 III族和V族在硅中扩散机制0.553 1 1 3 11 I族和VIII族在硅中的扩散机制0.554 1 1 3 12 菲克第一扩散定律的公式0.555 1 1 3 13 菲克第一扩散定律的含义0.556 1 1 3 14 恒定扩散率的分类0.557 1 1 3 15 恒定表面浓度扩散和恒定总掺杂剂量概念0.558 1 1 3 16 离子注入层扩散和再分布0.559 1 1 3 17 分凝系数的概念0.560 1 1 3 18 依赖浓度的扩散率的适用条件0.561 1 1 3 19 本征扩散率Di和非本征扩散率Dc的概念0.562 1 1 3 20 简单测量扩散结果的方法0.563 1 1 3 21 磨斜角测量结深方法[1]0.564 1 1 3 22 磨斜角测量结深方法[2]0.565 1 1 3 23 扩散层薄层电阻常用方法[四探针]0.566 1 1 3 24 测量扩散剖面分布的技术种类0.51 1 4 半导体工艺中各种物质的扩散 567 1 1 4 1 III，V族元素在二氧化硅扩散的依赖因素0.568 1 1 4 2 二氧化硅中的快速扩散杂质0.569 1 1 4 3 硅中的快扩散杂质0.570 1 1 4 4 比较杂质在单晶和多晶扩散速度0.571 1 1 4 5 常用半导体的施主扩散杂质[1]0.572 1 1 4 6 常用半导体的施主扩散杂质[2]0.573 1 1 4 7 常用半导体的受主扩散杂质[1]0.574 1 1 4 8 常用半导体的受主扩散杂质[2]0.575 1 1 4 9 热扩散工艺步骤0.576 1 1 4 10 硼磷砷锑的预淀积温度和时间[1] 0.577 1 1 4 11 硼磷砷锑的预淀积温度和时间[2]0.578 1 1 4 12 固态、气态、液态源扩散的常用方法0.579 1 1 4 13 扩散源在扩散时基本采用的两种形式0.580 1 1 4 14 硼常用的扩散源0.581 1 1 4 15 砷锑常用的扩散源0.582 1 1 4 16 磷常用的扩散源0.583 1 1 4 17 III-V族卤化物杂质源引入氧气的原因0.51 2 离子注入121 2 1 离子注入装置 4.584 1 2 1 1 装置结构的基本概念0.585 1 2 1 2 离子注入装置[1]0.586 1 2 1 3 离子注入装置[2]0.587 1 2 1 4 离子注入装置[3]0.588 1 2 1 5 常用离子源0.589 1 2 1 6 危险性离子源0.590 1 2 1 7 潘宁源0.591 1 2 1 8 离子源的工作原理[1]0.592 1 2 1 9 离子源的工作原理[2]0.593 1 2 1 10 离子注入的特点[1] 0.594 1 2 1 11 离子注入的特点[2] 0.595 1 2 1 12 引出系统[1]0.596 1 2 1 13 引出系统[2]0.597 1 2 1 14 分析器的基本概念和工作原理0.598 1 2 1 15 各种分析器0.599 1 2 1 16 偏转扫描0.5 100 1 2 1 17 注入剂量的测量0.51 2 2 注入离子的射程分布 4 101 1 2 2 1 基本概念[1]0.5 102 1 2 2 2 基本概念[2]0.5 103 1 2 2 3 核阻止和电子阻止0.5 104 1 2 2 4 电子阻止本领非晶靶的射程分布0.5 105 1 2 2 5 沟道运动0.5 106 1 2 2 6 临界角0.5 107 1 2 2 7 单晶靶的射程分布0.5 108 1 2 2 8 激活能和空位的产生0.5 109 1 2 2 9 缺陷的产生0.5 110 1 2 2 10 硅的性质和硅中缺陷0.5 111 1 2 2 11 临界剂量和非晶层0.5 112 1 2 2 12 各种因素对临界剂量的影响0.5 113 1 2 2 13 离子注入损伤0.51 2 3 热退火 3.5 114 1 2 3 1 退火的种类和原理0.5 115 1 2 3 2 注入损伤的热退火特性0.5 116 1 2 3 3 二次缺陷0.5 117 1 2 3 4 二次缺陷和三次缺陷0.5 118 1 2 3 5 热退火后离子注入层的电特性0.5 119 1 2 3 6 激光退火0.5 120 1 2 3 7 脉冲激光退火0.5 121 1 2 3 8 连续激光退火0.5 122 1 2 3 9 红外快速等温退火0.5 123 1 2 3 10 增强扩散0.5 124 1 2 3 11 反冲注入0.5 125 1 2 3 12 化合物半导体的种类0.51 3 光刻131 3 1 光刻的工艺流程8 126 1 3 1 1 光刻工艺的定义和基本步骤0.5 127 1 3 12 VLSI对光刻的基本要求0.5 128 13 1 3 光刻胶的种类和成份0.5 129 1 3 14 正胶和负胶0.5 130 1 3 1 5 光刻胶的分辨率0.5 131 1 3 16 光刻胶的抗刻蚀能力和粘附力0.5132 1 3 1 7 CA光刻胶0.5 133 1 3 1 8 涂胶0.5 134 1 3 1 9 HMDS涂布的方法0.5 135 1 3 1 10 涂胶要求和涂胶厚度0.5 136 1 3 1 11 涂胶中的问题0.5 137 1 3 1 12 软烤的定义和作用0.5 138 1 3 1 13 软烤的方法和影响因素0.5 139 1 3 1 14 曝光0.5 140 1 3 1 15 曝光的种类0.5 141 1 3 1 16 接触式曝光0.5 142 1 3 1 17 接近式曝光0.5 143 1 3 1 18 投影式曝光0.5 144 1 3 1 19 驻波现象0.5 145 1 3 1 20 烘烤0.5 146 1 3 1 21 抗反射涂层0.5 147 1 3 1 22 显影0.5 148 1 3 1 23 显影的方式0.5 149 1 3 1 24 坚膜[1]0.5 150 1 3 1 25 坚膜[2]0.5 151 1 3 1 26 去胶工艺0.5 152 1 3 1 27 光刻质量分析[1] 0.5 153 1 3 1 28 光刻质量分析[2] 0.51 32 分辨率 5 154 13 2 1 分辨率的概念0.5 155 1 3 2 2 影响分辨率的因素0.5 156 1 3 2 3 分辨率综述0.5 157 1 3 24 紫外线曝光系统0.5 158 1 3 2 5 DUV曝光系统0.5 159 1 3 26 DUV曝光光源的种类0.5 160 1 3 27 提高光学曝光系统的分辨率0.5 161 1 3 28 X射线曝光0.5 162 1 3 29 X射线曝光的掩模版0.5 163 1 3 2 10 X射线曝光的光刻胶0.5 164 1 3 2 11 电子束曝光0.5 165 1 3 2 12 电子束曝光的优缺点0.5 166 1 3 2 13 电子束曝光中的散射和畸变0.5 167 1 3 2 14 电子束曝光综合0.5 168 1 3 2 15 离子束曝光和光电子曝光0.5169 1 3 2 16 掩模版的制作0.5 170 1 3 2 17 铬层0.5 171 1 3 2 18 掩模版的保护膜0.5 172 1 3 2 19 移相掩模技术0.51 4 淀积刻蚀211 4 1 淀积工艺10 173 1 4 1 1 淀积薄膜层0.5 174 1 4 12 CVD概述0.5 175 1 4 13 CVD系统类型0.5 176 14 1 4 常压CVD系统0.5 177 1 4 1 5 低压CVD系统0.5 178 1 4 16 等离子体增强CVD系统0.5 179 1 4 17 超高真空CVD0.5 180 1 4 18 外延的概念0.5 181 1 4 19 同质外延和异质外延0.5 182 1 4 1 10 正外延和反外延0.5 183 1 4 1 11 外延的优点0.5 184 1 4 1 12 外延原理[1] 0.5 185 1 4 1 13 外延原理[2] 0.5 186 1 4 1 14 气相外延0.5 187 1 4 1 15 分子束外延0.5 188 1 4 1 16 外延硅概述0.5 189 1 4 1 17 外延硅化学源0.5 190 1 4 1 18 外延膜的质量0.5 191 1 4 1 19 自动掺杂和外溢扩散0.5 192 1 4 1 20 多晶硅的应用与淀积工艺0.5 193 1 4 1 21 多晶硅淀积工作参数0.5 194 1 4 1 22 二氧化硅0.5 195 1 4 1 23 二氧化硅淀积－各种化学源比较0.5 196 1 4 1 24 掺杂的二氧化硅0.5 197 1 4 1 25 氮化硅0.5 198 1 4 1 26 金属化工艺0.5 199 1 4 1 27 金属铝0.5 200 1 4 1 28 铝硅合金、铝铜合金0.5 201 1 4 1 29 铜和隔离层金属0.5 202 1 4 1 30 难熔金属和难熔金属硅化物0.5 203 1 4 1 31 金属薄膜的用途0.5 204 1 4 1 32 金属淀积—真空蒸发和溅射淀积0.5205 1 4 1 33 金属化学气相淀积0.5 206 1 4 1 34 真空泵[1]0.5 207 1 4 1 35 真空泵[2]0.51 42 刻蚀11 208 1 4 2 1 刻蚀概念0.5 209 1 4 2 2 刻蚀技术的分类0.5 210 1 4 23 刻蚀速率0.5 211 14 2 4 刻蚀的方向性[1]0.5 212 1 4 2 5 刻蚀的方向性[2]0.5 213 1 4 26 刻蚀的均匀性0.5 214 1 4 27 刻蚀的选择性0.5 215 1 4 28 负载效应0.5 216 1 4 29 过刻蚀0.5 217 1 4 2 10 干法刻蚀的特性[1]0.5 218 1 4 2 11 干法刻蚀的特性[2]0.5 219 1 4 2 12 等离子体的概念0.5 220 1 4 2 13 等离子刻蚀的过程、原理0.5 221 1 4 2 14 溅射刻蚀的原理0.5 222 1 4 2 15 反应离子刻蚀的原理0.5 223 1 4 2 16 二氧化硅在半导体工艺上的应用0.5 224 1 4 2 17 二氧化硅刻蚀中氢氧的作用0.5 225 1 4 2 18 BPSG的概念0.5 226 1 4 2 19 氟原子和碳原子的比例对刻蚀的影响0.5 227 1 4 2 20 高分子聚合物产生对选择性的影响0.5 228 1 4 2 21 STI的原理0.5 229 1 4 2 22 单晶硅的刻蚀过程0.5 230 1 4 2 23 多晶硅栅刻蚀及存在问题0.5 231 1 4 2 24 刻蚀多晶硅的刻蚀剂与催化剂0.5 232 1 4 2 25 金属硅化物的刻蚀步骤0.5 233 1 4 2 26 氮化硅的刻蚀0.5 234 1 4 2 27 铝在半导体制程中的用途0.5 235 1 4 2 28 硅化金属的概念0.5 236 1 4 2 29 金属硅化物[1] 0.5 237 1 4 2 30 金属硅化物[2] 0.5 238 1 4 2 31 铝刻蚀剂的选取0.5 239 1 4 2 32 铝刻蚀中硅与铜的去除0.5 240 1 4 2 33 钨的回蚀0.5 241 1 4 2 34 湿法刻蚀的概念0.5242 1 4 2 35 湿法刻蚀在半导体工艺中的应用0.5 243 1 4 2 36 二氧化硅的湿法刻蚀原理0.5 244 1 4 2 37 氮化硅的湿法刻蚀0.51 5 多层金属化191 5 1 薄膜工艺基础 4.5 245 1 5 1 1 薄膜淀积原理0.5 246 1 5 12 薄膜沉积技术的两个方向0.5 247 1 5 13 薄膜沉积现象0.5 248 1 5 14 吸附原子0.5 249 1 5 1 5 黏滞系数和核团0.5 250 1 5 16 核团0.5 251 1 5 17 自由能0.5 252 1 5 18 临界半径0.5 253 1 5 19 均匀成核与非均匀成核0.5 254 1 5 1 10 气相成核0.5 255 1 5 1 11 晶粒成长0.5 256 1 5 1 12 再结晶0.5 257 1 5 1 13 晶粒聚结0.5 258 1 5 1 14 缝道0.5 259 1 5 1 15 沉积膜成长和杂质的影响0.5 260 1 5 1 16 沉积理论总结0.51 52 物理气相沉积8 261 1 5 2 1 物理气相沉积0.5 262 1 5 2 2 物理气相淀积概论[1] 0.5 263 1 5 2 3 物理气相淀积概论[2] 0.5 264 15 2 4 所用金属材料的要求0.5 265 1 5 2 5 真空蒸发0.5 266 1 5 2 6 真空镀膜室的构成0.5 267 1 5 2 7 蒸发源加热器的要求0.5 268 1 5 2 8 钨丝加热器0.5 269 1 5 2 9 衬底加热器和钼片加热器0.5 270 1 5 2 10 抽气系统和蒸发工艺0.5 271 1 5 2 11 沉积金属膜的厚度0.5 272 1 5 2 12 欧姆接触和肖特基接触0.5 273 1 5 2 13 半导体高掺杂接触[1] 0.5 274 1 5 2 14 半导体高掺杂接触[2] 0.5 275 1 5 2 15 高复合中心欧姆接触[1] 0.5 276 1 5 2 16 高复合中心欧姆接触[2] 0.5277 1 5 2 17 电迁移和中值失效时间0.5 278 1 5 2 18 改进Al电迁移的方法0.5 279 1 5 2 19 电子束蒸发—电子枪0.5 280 1 5 2 20 偏转电子枪0.5 281 1 5 2 21 溅射的定义0.5 282 1 5 2 22 蒸发淀积0.5 283 1 5 2 23 溅射淀积0.5 284 1 5 2 24 溅射的过程0.5 285 1 5 2 25 溅射的种类0.5 286 1 5 2 26 溅射的特点0.5 287 1 5 2 27 辉光放电的性质0.51 5 3 CMP 6.5 288 1 5 3 1 金属化的要求[1] 0.5 289 1 5 32 金属化的要求[2] 0.5 290 1 53 3 平坦化0.5 291 1 5 34 平坦化方法0.5 292 1 5 3 5 旋涂玻璃法[1] 0.5 293 1 5 36 旋涂玻璃法[2] 0.5 294 1 5 37 化学机械抛光0.5 295 1 5 38 CMP的基本应用[1] 0.5 296 1 5 39 CMP的基本应用[2]0.5 297 1 5 3 10 研磨及精密研磨法0.5 298 1 5 3 11 研磨过程[1]0.5 299 1 5 3 12 研磨过程[2]0.5 300 1 5 3 13 CMP关键质量测量0.5 301 1 5 3 14 CMP中微擦痕和凹陷产生0.5 302 1 5 3 15 CMP设备0.5 303 1 5 3 16 CMP制程0.5 304 1 5 3 17 CMP装置0.5 305 1 5 3 18 二氧化硅以及二氧化铈磨料0.5 306 1 5 3 19 晶片表面材料去除0.5 307 1 5 3 20 磨料0.5 308 1 5 3 21 研磨液0.5 309 1 5 3 22 CMP的清洗[1]0.5 310 1 5 3 23 CMP的清洗[2]0.5 311 1 5 3 24 铜CMP抛光液0.5 312 1 5 3 25 铜CMP磨料和增透膜0.52 外围设备与保障112 1 去离子水 5.52 1 1 集成电路工艺制程中用水 1.5 313 2 1 1 1 集成电路生产中水质的要求0.5 314 2 1 1 2 水纯度测量工具0.5 315 2 1 1 3 水的纯度和电阻率0.5 316 2 1 1 4 水的酸度的含义0.5 317 2 1 1 5 水的酸度的测量0.52 1 2 去离子水的制备 2 318 2 1 2 1 去离子水的制备原理0.5 319 2 1 2 2 水纯化0.5 320 2 1 23 失效树脂再生原理0.5 321 2 1 24 失效树脂再生[1]0.5 322 2 1 2 5 失效树脂再生[2]0.5 323 2 1 26 失效树脂再生[3]0.5 324 2 1 27 失效树脂再生[4]0.52 13 废水的处理 2 325 2 1 3 1 废水的来源与特性0.5 326 2 1 3 2 水质指标[1]0.5 327 2 1 3 3 水质指标[2]0.5 328 2 1 34 废水处理方法0.5 329 2 1 3 5 处理系统[1]0.5 330 2 1 36 处理系统[2]0.5 331 2 1 37 处理系统[3]0.52 2 树脂选用和设备 5.52 2 1 数值选用和制备 4 332 2 2 1 1 树脂选用0.5 333 2 2 1 2 树脂性能0.5 334 2 2 1 3 树脂的用量[1]0.5 335 2 2 1 4 树脂的用量[2]0.5 336 2 2 1 5 树脂设备大小的计算[1]0.5 337 2 2 1 6 树脂设备大小的计算[2]0.5 338 2 2 1 7 净化间0.5 339 2 2 1 8 沾污0.5 340 2 2 1 9 颗粒0.5 341 2 2 1 10 金属杂质0.5 342 2 2 1 11 有机物沾污0.5 343 2 2 1 12 自然氧化层0.5 344 2 2 1 13 静电释放0.5345 2 2 1 14 沾污的源0.52 2 2 电力 1.5346 2 2 2 1 工业企业供电与安全用电0.5347 2 2 2 2 电气测量仪表0.5348 2 2 2 3 设备仪表0.5349 2 2 2 4 厂房0.5350 2 2 2 5 空气净化系统0.5（注：将“操作技能鉴定要素细目表”和“理论知识鉴定要素细目表”组合成为《鉴定要素细目表》）《集成电路制造工艺员》（三级）操作技能鉴定要素细目表职业（工种）名称集成电路制造高级工艺员等级三级职业代码序号鉴定点代码鉴定点名称分数系数重要系数备注项目单元点1 氧化工艺15 91 1 氧化样片质量的简单评估10 91 1 1 肉眼及光学显微镜检查样品质量 3 91 12 台阶测试仪测试样品厚度 2 91 1 3 椭圆偏振仪测试样品厚度2 91 1 4 氧化物缺陷判断 3 91 2 氧化机台操作 5 91 2 1 氧化机台结构 1 51 2 2 工艺流程设置 2 91 2 3 工艺参数设置 2 91 2 4 氧化过程中常见故障排除 1 92 扩散工艺15 92 1 扩散机台识别 2 92 1 1 扩散机台结构 1 92 1 2 设备保养 1 52 2 材料选择 2 92 2 1 气体选择 1 92 2 2 扩散源选择 1 52 3 废弃物处理 3 92 3 1 废气处理 1 92 3 2 扩散源处理 2 92 4 扩散样片质量评估3 92 4 1 光学显微镜、示波器检查样品质量 1 52 4 2 四探针测试样品方块电阻 1 92 43 掺杂结深测试 1 92 5 机台操作 5 92 5 1 工艺流程设置 1 92 5 2 工艺参数 1 92 53 扩散操作流程 2 92 5 4 扩散过程中常见故障排除 1 93 刻蚀工艺15 93 1 刻蚀速率的计算 2 53 1 1 刻蚀速率的正确了解和计算 1 9 3 1 2 对平均刻蚀速率的了解 1 1 3 2 刻蚀中异常情况的处理 3 9 3 2 1 电浆蚀刻速率不正常的处理 1 9 3 2 2 机台测机不过的处理 1 5 3 2 3 各种硅片缺陷的处理 1 9 3 3 刻蚀控制 3 9 3 3 1 刻蚀压力的控制 1 9 3 3 2 刻蚀气体的选择 1 9 3 3 3 刻蚀温度 1 9 34 刻蚀方法和原理 35 3 4 1 刻蚀的监控 1 5 3 4 2 铜制成中需要的各种层次 1 9 3 4 3 刻蚀的方向性 1 9 3 5 机台操作 4 9 3 5 1 开机设置 2 53 5 2 温度和程序选择 2 94 淀积工艺15 9 4 1 膜厚测量 3 5 4 1 1 折射率测量膜厚 2 5 4 1 2 折射率和气体变化的关系 1 9 4 2 淀积速率计算 1 9 4 2 1 淀积速率的计算 1 9 4 3 淀积控制 5 9 4 3 1 淀积技术的了解 2 5 4 3 2 淀积和温度的关系 1 9 4 3 3 淀积的气体选择 1 9 4 3 4 淀积的压力 1 9 4 4 淀积机台操作 5 5 4 4 1 开机设置 2 14 4 2 装载硅片和程序选择 3 95 光刻工艺15 9 5 1 机台结构识别 4 5 5 1 1 光刻机台结构 2 9 5 1 2 涂胶机结构 1 5 5 1 3 显影设备结构 1 5 5 2 掩模版和光阻认识 2 9 5 2 1 光阻 1 9 5 2 2 掩模版用处 1 95 3 缺陷问题解决 2 9 5 3 1 缺陷类型 1 9 5 3 2 光刻缺陷判断 1 9 5 3 3 光刻缺陷问题解决 1 9 5 4 设备及产品检测 2 9 5 4 1 光刻机日常检测 1 9 5 4 2 光罩检测 1 9 5 4 3 显影后检测 1 9 5 5 机台操作 5 9 5 5 1 曝光操作 3 9 5 5 2 涂胶操作 1 55 5 3 显影操作 1 56 离子注入工艺10 9 6 1 离子注入装置识别 5 9 6 1 1 离子注入机的组成及原理 1 9 6 1 2 真空技术 1 9 6 1 3 离子注入过程操作 1 9 6 1 4 注入机工艺参数设定 1 9 6 1 5 设备维护 1 5 6 1 6 辅件和工具 1 9 6 2 过程故障解决 3 9 6 2 1 操作过程故障判定 2 9 6 2 2 操作过程问题的解决 1 9 6 3 离子源识别 3 9 6 3 1 离子源装入过程 1 5 6 3 2 离子源的选择 1 9 6 3 3 离子源的后处理 1 5 6 4 离子注入样片质量的评估 3 9 6 4 1 运用光学显微镜、示波器检查样品质量 1 5 6 4 2 利用四探针测试样品方块电阻 1 9 6 4 3 掺杂结深测量 1 9 6 4 4 判断样片缺陷 1 96 4 5 缺陷改进 1 97 多层金属化工艺15 9 7 1 真空溅射装置认识 3 9 7 1 1 气体的压力与流量控制 1 9 7 1 2 真空系统 1 9 7 1 3 反应室的组成及日常维护保养 1 5 7 1 4 射频电源的规范操作 1 57 2 镀膜样片质量评估 2 9 7 2 1 光学显微镜检查样品质量 1 9 7 2 2 台阶测试仪测试样品厚度 1 9 7 3 铜电镀工艺设置 2 9 7 3 1 铜电镀工艺装置 1 5 7 3 2 工艺参数的设置 1 9 7 3 3 工艺流程设置 1 9 7 4 铜电镀故障排除和质量评估 1 9 7 4 1 电镀过程中常见故障排除 1 9 7 4 2 电镀样片质量的简单评估 1 9 7 5 化学机械抛光工艺设置 2 9 7 5 1 化学机械抛光工艺装置 1 5 7 5 2 工艺参数的设置 1 9 7 5 3 工艺流程设置 1 9 7 6 化学机械抛光故障排除和质量评估 1 9 7 6 1 化学机械抛光过程中常见故障排除 1 9 7 6 2 化学机械抛光样片质量的简单评估 1 9 7 7 溅射工艺操作 4 9 7 7 1 抽真空操作 1 9 7 7 2 泵的工作 1 9 7 7 3 溅射工艺流程 1 9 7 7 4 废弃物处理 1 5。
《集成电路版图设计师》（三级）理论知识鉴定要素细目表职业（工种）名称集成电路版图设计师等级三级职业代码序号鉴定点代码鉴定点内容分数系数重要系数备注章节目点1 版图设计的相关知识421 1 职业道德 31 1 1 职业道德基本知识0.51 1 1 1 1 职业道德概念0.52 1 1 1 2 职业道德产生0.53 1 1 1 3 职业道德职能0.51 12 社会主义的职业道德 14 1 1 2 1 奉献精神0.55 1 1 2 2 社会奉献0.56 1 1 2 3 道德基本要求0.57 1 1 2 4 诚信守信0.58 1 1 2 5 市场经济下的道德要求0.51 1 3 中国版图设计员的职业道德守则 1.59 1 1 3 1 敬岗爱业0.510 1 1 3 2 团队概念0.511 1 1 3 3 团队合作0.512 1 1 3 4 团队意识0.513 1 1 3 5 团队沟通0.514 1 1 3 6 团队核心0.515 1 1 3 7 行业要求0.51 2 计算机与网络应用知识 51 2 1 网络基本概念和特点 1.516 1 2 1 1 网络组成及发展0.517 1 2 1 2 计算机网络的分类及通信0.518 1 2 1 3 网络通信协议0.519 1 2 1 4 计算机局域网0.520 1 2 1 5 局域网和城域网0.51 2 2 国际互联网Internet 1.521 1 2 2 1 认识Internet的历史0.522 1 2 2 2 Internet组成0.523 1 2 2 3 Internet的地址0.524 1 2 2 4 Internet的域名0.525 1 2 2 5 Internet的服务0.526 1 2 2 6 Internet的特点及应用[1] 0.527 1 2 2 7 Internet的特点及应用[2] 0.51 2 3 显微镜的使用 228 1 2 3 1 显微镜的基本知识0.529 1 2 3 2 显微镜的结构0.530 1 2 3 3 显微镜的光学参数0.531 1 2 3 4 显微镜的安放调节0.532 1 2 3 5 显微镜的使用操作流程0.533 1 2 3 6 物镜和照相目镜的选择0.534 1 2 3 7 分辨率的选择0.535 1 2 3 8 显微镜的维护[1] 0.536 1 2 3 9 显微镜的维护[2] 0.537 1 2 3 10 显微镜的维护[3] 0.51 3 半导体物理知识121 3 1 半导体物理基本理论 3.538 1 3 1 1 半导体基本性质0.539 1 3 1 2 晶体结构0.540 1 3 1 3 能带0.541 1 3 1 4 半导体掺杂0.542 1 3 1 5 掺杂时的能级0.543 1 3 1 6 能级与能带0.544 1 3 1 7 带隙0.545 1 3 1 8 载流子0.546 1 3 1 9 非平衡载流子0.547 1 3 1 10 非平衡载流子的扩散0.548 1 3 1 11 载流子迁移率0.51 32 半导体器件基础知识8.549 1 3 2 1 pn结结构[1] 0.550 1 3 2 2 pn结结构[2] 0.551 1 3 2 3 pn结的偏置0.552 1 3 2 4 pn结的击穿0.553 1 3 2 5 二极管的击穿0.554 1 3 2 6 肖特基二极管0.555 1 3 2 7 双极型器件0.556 1 3 2 8 双极型器件导电0.557 1 3 2 9 双极型器件工作模式0.558 1 3 2 10 双极型器件特性参数0.559 1 3 2 11 双极型晶体管放大倍数0.560 1 3 2 12 MOS管结构0.561 1 3 2 13 MOS管工作原理0.562 1 3 2 14 MOS管工作0.563 1 3 2 15 MOS管的阈值电压[1] 0.564 1 3 2 16 MOS管的阈值电压[2] 0.565 1 3 2 17 NMOS衬底偏置效应0.566 1 3 2 18 PMOS衬底偏置效应0.567 1 3 2 19 FET和NPN晶体管的开关特性0.568 1 3 2 20 器件综述0.569 1 3 2 21 失效机制0.570 1 3 2 22 静电泻放0.571 1 3 2 23 静电放电保护和衬底耦合0.572 1 3 2 24 电迁移和介质击穿0.573 1 3 2 25 天线效应[1] 0.574 1 3 2 26 天线效应[2] 0.575 1 3 2 27 反相器[1] 0.576 1 3 2 28 反相器[2] 0.577 1 3 2 29 CMOS 模拟电路-常用单元0.578 1 3 2 30 CMOS 模拟电路运算放大器0.579 1 3 2 31 集成电路设计0.51 4 半导体器件的基本制造工艺191 4 1 集成电路基础知识 1.580 1 4 1 1 集成电路发明0.581 1 4 1 2 集成电路的概念[1] 0.582 1 4 1 3 集成电路的概念[2] 0.583 1 4 1 4 器件特点0.584 1 4 1 5 集成电路设计简介0.51 42 集成电路制造工艺885 1 4 2 1 工艺概论0.586 1 4 2 2 二氧化硅性质及作用0.587 1 4 2 3 二氧化硅的生长0.588 1 4 2 4 二氧化硅的制备0.589 1 4 2 5 光刻0.590 1 4 2 6 去胶0.591 1 4 2 7 光刻流程0.592 1 4 2 8 刻蚀0.593 1 4 2 9 扩散概论0.594 1 4 2 10 扩散原理0.595 1 4 2 11 离子注入[1] 0.596 1 4 2 12 离子注入[2] 0.597 1 4 2 13 淀积概论0.598 1 4 2 14 淀积原理0.599 1 4 2 15 PECVD 0.5 100 1 4 2 16 二氧化硅化学气相淀积0.5 101 1 4 2 17 多晶硅和氮化硅的气相淀积0.5 102 1 4 2 18 单晶硅的化学气相淀积0.5 103 1 4 2 19 接触和互连0.5 104 1 4 2 20 外延生长0.5 105 1 4 2 21 外延技术0.5 106 1 4 2 22 氧化工艺0.5 107 1 4 2 23 CVD硅外延反应剂0.5 108 1 4 2 24 光刻工艺0.5 109 1 4 2 25 刻蚀工艺0.5 110 1 4 2 26 掺杂[1] 0.5 111 1 4 2 27 掺杂[2] 0.5 112 1 4 2 28 工艺-综合0.5 113 1 4 2 29 IC制作工艺0.51 4 3 外围器件及阻容元件设计7 114 1 4 3 1 场开启[1] 0.5 115 1 4 32 场开启[2] 0.5 116 1 43 3 隔离环概念0.5 117 14 3 4 隔离环连接0.5 118 1 4 3 5 隔离环作用0.5 119 1 4 36 倒比管0.5 120 1 4 37 集成电路的电阻0.5 121 1 4 38 方块电阻0.5 122 1 4 39 无源电阻0.5 123 1 4 3 10 集成电路中的电容器0.5 124 1 4 3 11 压焊块版图设计0.5 125 1 4 3 12 金属膜互连0.5 126 1 4 3 13 电源和地线0.5 127 1 4 3 14 对寄生的考虑0.5 128 1 4 3 15 集成电路设计中的寄生[1] 0.5129 1 4 3 16 集成电路设计中的寄生[2] 0.5 130 1 4 3 17 对Latch-up的抑制0.5 131 1 4 3 18 电路静电防护0.5 132 1 4 3 19 运算放大器电路设计0.5 133 1 4 3 20 MOS管的表面势0.5 134 1 4 3 21 集成电容器0.5 135 1 4 3 22 集成电感设计准则0.51 4 4 半导体器件的基本制造工艺 2.5 136 1 4 4 1 典型的双极集成电路制造工艺流程0.5137 1 4 4 2 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构0.5138 1 4 4 3 MOS工艺概述0.5 139 1 4 4 4 PMOS工艺/NMOS工艺0.5 140 1 4 4 5 CMOS工艺0.5 141 1 4 4 6 双阱CMOS工艺0.5 142 1 4 4 7 BiCMOS工艺0.5 143 1 4 4 8 隐埋层0.5 144 1 4 4 9 外延层考虑因素0.5 145 1 4 4 10 工艺综述0.5 146 1 4 4 11 金属互连及多层布线0.51 5 模拟版图设计 31 5 1 版图设计概论 3 147 1 5 1 1 模拟和数字电路比较0.5 148 1 5 12 模拟版图设计0.5 149 1 5 13 铝栅CMOS 0.5 150 1 5 14 双极型晶体管的设计0.5 151 1 5 1 5 双极型晶体管的设计步骤0.5 152 1 5 16 双极型NPN 0.5 153 1 5 17 横向PNP晶体管0.5 154 1 5 18 纵向PNP 0.5 155 1 5 19 双极型版图设计基本规则0.5 156 1 5 1 10 双极型版图设0.5 157 1 5 1 11 典型TTL和CMOS电路0.5 158 1 5 1 12 版图设计技巧0.52 集成电路版图设计582 1 Unix操作系统和cadence软件152 1 1 SUN工作站简况、SOLARIS操作系统 2.5 159 2 1 1 1 UNIX、LINX的历史、发展和特点0.5160 2 1 1 2 常用管理命令的使用[1] 0.5 161 2 1 1 3 常用管理命令的使用[2] 0.5 162 2 1 1 4 常用管理命令的使用[3] 0.5 163 2 1 1 5 Vi编辑器的使用0.5 164 2 1 1 6 Bourne shell和C-SHELL基础0.5 165 2 1 1 7 系统管理知识简介0.5 166 2 1 1 8 用户管理知识简介0.5 167 2 1 1 9 UNIX网络管理知识0.5168 2 1 1 10 WWW、FTP、EMAIL、NIS、NFS等网络服务0.52 1 2 Unix基础知识7 169 2 1 2 1 UNIX操作系统0.5 170 2 1 2 2 改变目录0.5 171 2 1 23 目录操作[1] 0.5 172 2 1 24 目录操作[2] 0.5 173 2 1 2 5 文件操作0.5 174 2 1 26 文件显示0.5 175 2 1 27 文件权限0.5 176 2 1 28 命令处理0.5 177 2 1 29 权限更改0.5 178 2 1 2 10 命令处理器0.5 179 2 1 2 11 命令处理器提示符0.5 180 2 1 2 12 命令与进程[1] 0.5 181 2 1 2 13 命令与进程[2] 0.5 182 2 1 2 14 使用vi 0.5 183 2 1 2 15 退出vi 0.5 184 2 1 2 16 vi中光标移动0.5 185 2 1 2 17 光标移动0.5 186 2 1 2 18 屏幕控制0.5 187 2 1 2 19 正文输入0.5 188 2 1 2 20 正文的删除和查找0.52 13 EDA软件和工具概况 5 189 2 1 3 1 Cadence公司0.5 190 2 1 3 2 Cadence工具0.5 191 2 1 3 3 Synopsys公司0.5 192 2 1 34 其他EDA[1] 0.5 193 2 1 3 5 其他EDA[2] 0.5 194 2 1 36 其他EDA[3] 0.5195 2 1 3 7 EDA厂商比较0.5 196 2 1 3 8 EDA软件发展[1] 0.5 197 2 1 3 9 EDA软件发展[2] 0.5 198 2 1 3 10 EDA软件发展[3] 0.5 199 2 1 3 11 电路编辑工具0.5 200 2 1 3 12 仿真器0.5 201 2 1 3 13 版图验证工具[1] 0.5 202 2 1 3 14 版图验证工具[2] 0.5 203 2 1 3 15 自动布局布线0.5 204 2 1 3 16 版图编辑工具0.52 1 4 版图编辑环境设置0.5 205 2 1 4 1 环境文件0.5 206 2 1 4 2 环境设置0.52 2 版图的基本理论262 2 1 版图的概念、层次与相关术语 5 207 2 2 1 1 版图设计目的0.5 208 2 2 1 2 层次布线0.5 209 2 2 13 层间连线[1] 0.5 210 2 2 14 层间连线[2] 0.5 211 2 2 1 5 版图基本图形0.5 212 2 2 16 版图基本规则0.5 213 2 2 17 版图引线0.5 214 2 2 18 版图与工艺的关系[1] 0.5 215 2 2 19 版图与工艺的关系[2] 0.5 216 2 2 1 10 版图与器件性能0.5 217 2 2 1 11 英文术语[1] 0.5 218 2 2 1 12 英文术语[2] 0.5 219 2 2 1 13 英文术语[3] 0.5 220 2 2 1 14 英文术语[4] 0.5 221 2 2 1 15 英文术语[5] 0.5 222 2 2 1 16 设计规则术语解读[1] 0.5 223 2 2 1 17 设计规则术语解读[2] 0.5 224 2 2 1 18 设计规则术语解读[3] 0.52 2 2 版图设计规则和方法7 225 2 2 2 1 版图设计规则0.5 226 2 2 2 2 关于线宽[1] 0.5 227 2 2 23 关于线宽[2] 0.5 228 2 2 24 关于线宽[3] 0.5229 2 2 2 5 关于间距[1] 0.5 230 2 2 2 6 关于间距[2] 0.5 231 2 2 2 7 设计规则解析0.5 232 2 2 2 8 注意事项0.5 233 2 2 2 9 布线的合理性0.5 234 2 2 2 10 布局技巧0.5 235 2 2 2 11 全定制设计方法0.5 236 2 2 2 12 其他版图设计方法0.5 237 2 2 2 13 BJT版图设计原则0.5 238 2 2 2 14 版图的评价0.5 239 2 2 2 15 版图上抑制Latch-up 0.5 240 2 2 2 16 双极型集成电路的剖片0.5 241 2 2 2 17 双极型晶体管的设计0.5 242 2 2 2 18 符号法版图设计0.5 243 2 2 2 19 CMOS保护电路0.5 244 2 2 2 20 版图中提高可靠性的措施0.5 245 2 2 2 21 工艺上提高可靠性的措施0.5 246 2 2 2 22 可测试性设计0.52 23 基本功能电路版图设计 5 247 2 2 3 1 器件图形0.5 248 2 2 3 2 电路保护0.5 249 2 2 3 3 BJT开关特性0.5 250 2 2 34 MOS管版图原理0.5 251 2 2 3 5 场区与有源区0.5 252 2 2 36 寄生电容0.5 253 2 2 37 寄生电阻0.5 254 2 2 38 器件版图匹配0.5 255 2 2 39 ESD二极管0.5 256 2 2 3 10 集成电感0.5 257 2 2 3 11 集成电容和电阻0.5 258 2 2 3 12 集成电阻器0.5 259 2 2 3 13 MOS电容器[1] 0.5 260 2 2 3 14 MOS电容器[2] 0.5 261 2 2 3 15 内连线0.5 262 2 2 3 16 集成齐纳二极管0.52 2 4 版图的绘制9 263 2 24 1 版图库的建立0.5 264 2 2 4 2 库管理0.5265 2 2 4 3 文件的进入0.5 266 2 2 4 4 电路绘制中的快捷方式[1] 0.5 267 2 2 4 5 电路绘制中的快捷方式[2] 0.5 268 2 2 4 6 层选择窗口0.5 269 2 2 4 7 几何图形的建立0.5 270 2 2 4 8 常用版图绘制命令[1] 0.5 271 2 2 4 9 常用版图绘制命令[2] 0.5 272 2 2 4 10 常用版图绘制命令[3] 0.5 273 2 2 4 11 常用版图绘制命令[4] 0.5 274 2 2 4 12 Option菜单0.5 275 2 2 4 13 格点设置0.5 276 2 2 4 14 层次化设计0.5 277 2 2 4 15 layout 快捷键使用[1] 0.5 278 2 2 4 16 layout 快捷键使用[2] 0.5 279 2 2 4 17 Layout的基本操作[1] 0.5 280 2 2 4 18 Layout的基本操作[2] 0.5 281 2 2 4 19 常用命令[1] 0.5 282 2 2 4 20 常用命令[2] 0.5 283 2 2 4 21 环境设置0.5 284 2 2 4 22 版图层次选择0.5 285 2 2 4 23 层间连接[1] 0.5 286 2 2 4 24 层间连接[2] 0.5 287 2 2 4 25 电路的选择[1] 0.5 288 2 2 4 26 电路的选择[2] 0.52 3 设计规则和物理验证知识172 3 1 版图设计规则 4 289 2 3 1 1 硅栅CMOS设计规则[1] 0.5 290 2 3 1 2 硅栅CMOS设计规则[2] 0.5 291 2 3 1 3 硅栅CMOS设计规则[3] 0.5 292 2 3 1 4 硅栅CMOS设计规则[4] 0.5 293 2 3 1 5 硅栅CMOS设计规则[5] 0.5 294 2 3 1 6 硅栅CMOS设计规则[6] 0.5 295 2 3 1 7 硅栅CMOS设计规则[7] 0.5 296 2 3 1 8 硅栅CMOS设计规则[8] 0.5 297 2 3 1 9 硅栅CMOS设计规则[9] 0.5 298 2 3 1 10 硅栅CMOS设计规则[10] 0.5 299 2 3 1 11 规则解析—线宽[1] 0.5 300 2 3 1 12 规则解析—线宽[2] 0.5301 2 3 1 13 版图解析—间距[1] 0.5 302 2 3 1 14 版图解析—间距[2] 0.5 303 2 3 1 15 版图设计的注意事项0.52 3 2 验证工具应用 3 304 2 3 2 1 DIV A概述0.5 305 2 3 2 2 DIV A验证0.5 306 2 3 2 3 DRC验证简介0.5 307 2 3 2 4 器件提取Extraction简介0.5 308 2 3 2 5 LVS验证简介0.5 309 2 3 2 6 层次运算0.5 310 2 3 2 7 逻辑、尺寸运算命令0.5 311 2 3 2 8 逻辑操作命令0.5 312 2 3 2 9 选择、产生和保存运算命令[1] 0.5 313 2 3 2 10 选择、产生和保存运算命令[2] 0.5 314 2 3 2 11 版图验证项目0.52 3 3 DRC流程 5 315 2 3 3 1 DRC命令0.5 316 2 3 3 2 DRC/Extract文件结构0.5 317 2 3 3 3 DRC功能[1] 0.5 318 2 3 3 4 DRC功能[2] 0.5 319 2 3 3 5 DRC功能[3] 0.5 320 2 3 3 6 模型的定义和提取0.5 321 2 3 3 7 Dracula版图验证过程0.5 322 2 3 3 8 Diva DRC规则文件建立0.5 323 2 3 3 9 规则文件中命令0.5 324 2 3 3 10 Dracula 规则文件结构0.5 325 2 3 3 11 Dracula 规则文件建立0.5 326 2 3 3 12 编写Dracula 规则文件[1] 0.5 327 2 3 3 13 编写Dracula 规则文件[2] 0.5 328 2 3 3 14 运行Diva DRC 0.5 329 2 3 3 15 运行Dracula DRC 0.52 3 4 LVS 流程 3 330 2 3 4 1 LVS步骤0.5 331 2 3 4 2 LVS命令和使用0.5 332 2 3 4 3 版图数据0.5 333 2 3 4 4 Cadence数据格式转换0.5 334 2 3 4 5 网表的产生[1] 0.5 335 2 3 4 6 网表的产生[2] 0.5336 2 3 4 7 运行过程0.5 337 2 3 4 8 运行Dracula LVS 0.5 338 2 3 4 9 描述块命令解读0.5 339 2 3 4 10 输入层块命令解读0.5 340 2 3 4 11 DRC验证0.5 341 2 3 4 12 LVS验证0.5 342 2 3 4 13 其他验证0.52 3 5 版图分析 2 343 2 3 5 1 划分区域0.5 344 2 3 5 2 划分区域0.5 345 2 3 5 3 读图标线0.5 346 2 3 5 4 图形识别0.5 347 2 3 5 5 工艺模块识别0.5 348 2 3 5 6 器件图形0.5 349 2 3 5 7 保护电路0.5 350 2 3 5 8 CMOS保护电路0.5《集成电路版图设计师》（三级）操作技能鉴定要素细目表职业（工种）名称集成电路版图设计师等级三级职业代码序号鉴定点代码鉴定点内容分数系数重要系数备注项目单元点1 版图编辑70 91 1 版图基本功能单元设计25 91 1 1 1 基本数字功能电路的CMOS版图实现15 92 1 1 2 版图的合理布局布线 5 93 1 1 3 合理减小版图的面积 5 91 2 版图基本模块设计20 94 1 2 1 5个器件构成的模块版图实现10 95 1 2 2 版图的合理布局布线 5 96 1 2 3 器件之间的连接 5 91 5 版图基本模拟单元设计25 97 1 5 1 基本模拟电路的CMOS版图实现10 98 1 5 2 模拟电路的版图技巧应用10 99 1 5 3 合理减小版图的面积 5 92 版图识别30 92 1 版图错误修改20 910 2 1 1 查找连接错误 4 911 2 1 2 查找间距、线宽错误 4 912 2 1 3 查找层次错误 4 913 2 1 4 查找宽、长比错误 4 914 2 1 5 修改版图错误 4 92 2 提取电路图10 915 2 2 1 P管、N管栅长、栅宽数据的提取和实现 3 916 2 2 2 基本单元电路的版图提取 3 917 2 2 3 基本功能电路的版图提取 4 9（注：将“操作技能鉴定要素细目表”和“理论知识鉴定要素细目表”组合成为《鉴定要素细目表》）。
