实际晶体和面心立方晶体中的位错

晶体缺陷7实际晶体中的位错汇总.

材料微观结构第四章晶体中的位错与层错1

3.晶体中的位错的运动

第4章 实际晶体结构中的位错

材料科学基础 第三章 晶体缺陷(六)

位错的基本类型

Gb2 REMEs 4ln r016比较Gb2 RWs 4ln r0得出wEwS(1 )wE1.5wSWeGb24 (1 v)lnR r0其中： 0.3 ~ 0.4wE >

2.4晶体的位错

在第4与第5层之间插入一层的C位置原子，第5层以上原子逐层上一 个原子间距，排列成为了ABCACBCABC，出现了外延层错，即在fcc 结构中形成了CAC和CBC的hcp结构，及孪

FCC中全位错滑移时原子的滑动路径 B层原子的滑动分两步：B→C→BFCC 晶体的全位错的柏氏矢量应为 b=a/2<110> ， 简写成b=1/2<110>

形成层错时几乎不产生点阵畸变，但它破坏 了晶体的完整性和正常的周期性，使电子发生反 常的衍射效应，故使晶体的能量有所增加，这部 分增加的能量称为堆垛层错能，用 表示。从能 量的观

d(-) A(+) DDWf4G b(弯12折d )对的ln交d互－作(1用力)为：FGb 2 d 2 1Winf d (Winf)8GLb 2d 211L dL8L2 1

第4章 实际晶体结构中的位错

3.实际晶体中的位错

位错理论与应用试题：1、解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能（20分）2、简述兰克—瑞德位错增值机制及位错的分类？（10分）3、位错的表征及观察方法有哪些？（10分）4、综述层错能和晶体结构对金属塑性变形机理的影响？（20分）5、金属的强化方式有哪些？阐述不同强化方式中位错的强化机理？（25分）6、什么是金属的加工硬化，并应用位错理论解释金属的加工硬化

第3章 晶体缺陷(2)-位错的基本类型与特征

实际晶体中位错的行为

晶体位错理论与应用

晶体中的位错课件