什么是有机发光二极管
什么是OLED(有机发光二极管)
OLED的原文是Organic Light Emitting Diode，中文为有机发光二极管。其原理是在两电极之间夹上有机发光层，当正负极
OLED还有许多优势，比如自身发光的特性，目前LCD都需要背光模块（在液晶后面加灯管），但OLED通电之后就会自己发光，可以省掉灯管的重量体积及耗电量（灯管耗电量几乎占整个液晶屏幕的一半），不仅让产品厚度只剩两厘米左右，操作电压更低到2至10伏特，加上OLED的反应时间（小于
10ms）及色彩都比TFT LCD出色，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。
字体清晰度是相当高的。还有，OLED屏幕在阳光的照耀下仍然显示得很清楚，跟一般的彩屏是不一样的，例如现在的彩屏
南京邮电大学 学年第学期 课程设计实验报告 题目基于8255的8LED显示的动态显示器专业通信工程 学号 姓名 指导老师 实验日期年月日
题目：基于8255的8LED显示的动态显示器 一，实验目的和要求 1，Proteus软件的MCS51单片机仿真学习 2，根据提供的参考工程，在proteus平台自己重新设计实验电路所需要的电器原理图，并在此基础上编写相对应的程序，实现其功能，学习proteus软件的使用，其中包括原理图器件的选取，原理图的电气连接，程序的编写编译以及运行，并能查出其错误等。 基本要求： 1. 用数码管正常显示数字“12345678”。 2. 通过按键可改变显示方式。 3. 设计显示屏的动态效果，用10个按键，每键对应一种滚动技术。 4. 基于8255口是指显示和键盘都由8255的IO口控制 发挥部分： 1 设计所有动作的联合效果。 2 设计二个变速按键，可多级改变滚动速度。 3 设计一台魔术电子钟，采用自动变换，随机组合，数据每10秒变换一次。 动态显示格式： 1 静止 2 整体闪烁 3 单字闪烁 4 整体向前、向后滚动 5 单字移动 6 两边向中间压缩 7 中间向两边扩张 8 上下压缩 9 文字上下滚动 10组合动作（每一字符执行上述一个动作，并同时运动） 二，实验仪器 微型计算机 三，实验原理 基于8255的8LED显示的动态显示器，是由8255a做键盘控制口连接c51，并驱动8位7段数码管实现相应显示功能。具体的，c51，p1口直接进行led数码管的位控制；p2口经74HC573译码后控制8255a的片选与内部奇存器选择；p0口连接8255a的D端口，并由它的PA口驱动7段led, PB口连接键盘，并做为I/O口与c51通信，以实现相应显示变化。 四，基本原件及其原理 单片机微型计算机简称单片机，是指在一块芯片体上集成了中央处理器CPU、随机存
暨南大学 研究生课程论文 论文题目：有机发光二极管显示研究现状与发展 学院：理工学院 学系：物理系 专业：物理电子学 课程名称：发光与显示技术 学生姓名：汤华清 学号：1034234006 指导教师：刘彭义 2011年06 月15 日
有机发光二极管显示研究现状与发展 汤华清 （暨南大学物理系,广州510632） 摘要：有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理，分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术, 其中包括氧化铟锡（ITO）基片的清洗和预处理、阴极隔离柱制备、有机功能薄膜和金属电极的制备、彩色化技术、封装技术、显示驱动技术。并简要介绍了OLED技术的应用前景。 Abstract:Because the organic electroluminescence diode (OLED) its white light material's multiplicity, the system regulation's simplicity and cost inexpensive, specially its photo source's attribute, compares in the electroluminescence diode (LED) the point source, will become in the future display device's lead hopefully. This article introduced that the OLED display technology the newest progress, elaborated the OLED display principle separately, the classification and the good and bad points. , OLED component's demonstration material, OLED preparation core craft and technology, including the indium oxide tin (ITO) the substrate clean and the pretreatment, the negative pole insulated column preparation, the organic function thin film and metal electrode's preparation, the multicolored technology, the seal technology, the demonstration actuation technology. And introduced the OLED technology application prospect briefly. 关键词：OLED；显示技术；发光元件；彩色化技术；驱动电路 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时，由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，因此还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED概述 2.1 OLED发展过程 1963年Pope发表了世界上第一篇有关OLED的文献，当时使用数百伏电压，加在有机芳香族Anthracene（葸）晶体上时，观察到发光现象。但由于电压过高，发光效率低，未得到重视。直到1987年伊士曼柯达公司的C.W. Tang及Steve Van Slyke等人发明以真空蒸镀法制成多层式结构的OLED器件后，研究开发才活越起来。同年，英国剑桥大学卡文迪许实验室的Jeremy Burroughes证明高分子有机聚合物也有电致发光效应。1990年英国剑桥大学的Friend等人成功的开发出以涂布方式将多分子应用在OLED上，即Polymer（多聚物，聚和物） LED，亦称PLED。不但再次引发第二次研究热潮，更确立了OLED在二十一世纪产业中所占的重要地位。近年来有源OLED（TFT－OLED）成为研究热点。OLED所用的TFT需采用多晶硅技术，与LCD所用的TFT有很大差别。OLED与低温多晶硅技术结合使得开发较大尺寸的显示屏成为可能。OLED的应用大概可以分为三个阶段：
姓名专业
学号 2013年10月28日 随着单片机技术的飞速发展，在其推动下，现代的电子产品几乎渗透到了社会的各个领域，有力地推动了社会生产力的发展和社会信息化程度的提高，同时也使现代电子产品性能进一步提高。 单片机具有体积小、功能强、应用面广等优点，目前正以前所未见的速度取代着传统电子线路构成的经典系统，蚕食着传统数字电路与模拟电路固有的领地。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时，学习使用单片机了解计算机原理与结构的最佳选择。现在，这种单片机的使用领域已十分广泛。彩电、冰箱、空调、录像机、VCD、遥控器、游戏机、电饭煲等无处不见单片机的影子，单片机早已深深地融入我们每个人的生活之中。 单片机能大大地提高这些产品的智能性，易用性及节能性等主要性能指标，给我们的生活带来舒适和方便的同时，在工农业生产上也极大地提高了生产效率和产品质量。单片机按用途大体上可分为两类，一种是通用型单片机，另一种是专用型单片机。
课题要求： 用51单片机、8255、138、373等实现数码管显示按键数值的程序 各芯片资料： 1.8255芯片资料如下 用8255A可编程器件扩展并行接口 8255: 有三个八位的并行口：PA、PB、PC。 有三种工作方式：方式0，方式1，方式2。 逻辑结构图: 包含四个部分：●三个并行数据输入输出端口 ●两个工作方式控制电路
●一个读写逻辑控制电路 ●八位总线缓冲器 ⑴．三个并行数据输入输出端口：A口；B口；C口 一般，A口，B口作为数据输入输出端口， C口作为控制/状态信息口，可以分为两个部分，分别与A口和B口配合使用，作为控制信息输出或状态信息输入。⑵．工作方式控制电路 工作方式控制电路有两个：A组控制和B组控制电路， A组控制用来控制A口和C口的上半部分PC7——PC4； B组控制用来控制B口和C口的下半部分PC3——PC0； 两组控制电路具有一个控制命令寄存器，用来接收来自 CPU的数据（控制字），以决定芯片的工作方式，或对 C口按位进行清“0”或者置“1”。 ⑶．总线缓冲器 三态双向八位缓冲器，作为微处理器数据总线与8255之间的接口，用来传送命令、数据及状态信息。 ⑷．读写逻辑控制电路 读写逻辑控制电路接受CPU来的控制信号：读、写、地址及复位信息，根据控制信号的要求，将数据读出，送往CPU，或者将CPU来的信息写入端口。 引脚说明： CS：片选信号，低电平有效，表示芯片被选中；
有机发光二极管原理及应用 梁亮5030209282 有机发光二极管诞生于1979年，由柯达公司罗切斯特实验室的邓青云博士及同事范斯莱克所发明。 ⑴有机发光二极管(OLED)的原理 有机发光二极管(OLED)同普通发光二极管（LED）发光的原理相同，即利用半导体经过渗透杂质处理后形成PN结，电子由P型材料引入，当电子与半导体内的空穴相遇时，有可能掉到较低的能带上，从而放出能量与能隙相同的光子，从而形成发光二极管。发光二极管的光线波长取决于发光材料的能隙大小。若要使二极管产生可见光，就要使材料的低能带与高能导带之间的能隙大小必须落在狭窄的范围内，大约2至3电子伏特。能量为一电子伏特的光子波长为1240纳米，处于红外区，当能量达到3电子伏特时，发出光子的波长约为400纳米左右，呈紫色。 有机发光二极管与传统发光二极管的区别在于，有机发光二极管所采用的半导体材料为有机分子材料。按照分子大小区分，可分为两大类：小分子的称之为低分子OLED,大分子的称为高分子OLEDP型有机分子。当P型有机分子和N型有机分子接触时，在两者的接触面就会产生类似发光二极管一样的发光现象。此外，采用氧化铟锡作为P型接触材料。由于氧化铟锡为透明导电材料，易于载流子注入，而且具有光线传播还需要有透明性能，非常适合做P型接触材料。 OLED的典型结构非常简单：玻璃基板（或塑料基衬）上首先有一层透明的氧化铟锡阳极，上面覆盖着增加稳定性的钝化层，再向上就是P型和N型有机半导体材料，最顶层是镁银合金阴极。这些涂层都是热蒸镀到玻璃基板上的，厚度非常薄，只有100到150纳米，小于一根头发丝的1%，而传统LED的厚度至少需要数微米。在电极两端加上2V到10V的电压，PN结就可以发出相当明亮的光。这种基本结构多年来一直没有太大的变化，人们称之为柯达型。由于组成材料的分子量很小，甚至小于最小的蛋白质分子，所以柯达型的OLED 又被称为低分子OLED。 第二种有机发光材料为高分子聚合物，也称为高分子发光二极管(PLED)，由英国剑桥大学的杰里米伯勒德及其同事首先发现。聚合物大多由小的有机分子以链状方式结合在一起，以旋涂法形成高分子有机发光二极管。 旋转涂布工艺采用的原理是：在旋转的圆盘上（通常为每分钟1200转至1500转）滴上数滴液体，液体会因为旋转形成的离心力而呈薄膜状分布。在这种状态下，液体凝固后便可在膜体上形成晶体管等组件。膜体的厚度可通过调节液体粘度及旋转时间来调整。旋涂之后，要采取烘干的步骤来除去溶剂。 最初PLED是由一种称之为次苯基二价乙烯基（PPV）单层活性聚合物，夹于氧化铟锡和钙之间形成。铟锡氧化物为载流子注入层，而钙为电子传递层。现在的PLED又增添了一层聚合物载流子注入层。PPV聚合物产生黄光，具有效率高寿命长的特点，这是由于在低压工作环境下，聚合物层具有良好的导电性能。这种PLED应用于计算机显示器，其寿命可长达
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释 肖特基二极管的命名： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 肖特基：Schottky 整流：Rectifier SR：即为肖特基整流二极管 Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT...... 肖特基：Schottky 势垒：Barrier SB：即为肖特基势垒二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、 SL....、BL.... Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT...... Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。 因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220全塑封 TO-252，也就是贴片DPAK封装；TO-263，也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
data segment ioport equ 2400h io8255a equ ioport+008h io8255b equ ioport+00bh led db 3fh,06h,5bh,4fh,66h,6dh,7dh,07h,7fh,6fh mesg1 db 0dh,0ah,'Input a num (0--9h:',0dh,0ah, '$' data ends code segment assume cs:code,ds:data start: mov ax,data mov ds,ax mov dx,io8255b ; 使 8255的 A 口为输出方式mov al,80h ;10000000B ,控制字 PA 以方式 0输出out dx,al zby: mov dx,offset mesg1 ; 显示提示信息 mov ah,09h int 21h mov ah,01 ; 从键盘接收字符 int 21h
cmp al,'0' ; 是否小于 0 jl exit ; 如若小于 0,则跳转到 exit 退出程序 cmp al,'9' ; 是否大于 9 jg exit ; 如若大于 9,则跳转到 exit 退出程序 sub al,30h ; 将所得字符的 ASCII 码减 30H ,数字键 ascii 码同数值转换 mov bx,offset led ;bx 为数码表的起始地址 xlat ; 求出相应的段码 mov dx,io8255a ; 从 8255的 A 口输出 out dx,al jmp zby ; 转 zby exit: mov ah,4ch ; 返回 DOS int 21h code ends end start 动态显示 : data segment ioport equ 0c800h-0280h io8255a equ ioport+28ah io8255b equ ioport+28bh
有机发光二极管显示原理及应用 摘要：有机电致发光二极管( OLED) 因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性, 特别是其面光源的属性, 相较于电致发光二极管( LED) 的点光源, 更有望成为未来显示器件的主角。本文介绍OLED 显示技术的最新进展, 分别阐述了OLED的显示原理，分类及优缺点。OLED器件的显示材料,OLED制备的核心工艺与技术,并简要介绍了OLED技术的应用前景。 关键词：OLED；显示技术； 1.引言 OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。同时，由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，因此还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。 2.OLED发展过程 OLED的应用大概可以分为三个阶段： （1）1997-2001年，OLED的试验阶段，在这个阶段，OLED开始走出实验室，主要应用在汽车音响面板，PDA手机上。但产量非常有限，产品规格也很少，均为无源驱动，单色或区域彩色，很大程度上带有试验和试销性质。2001年全球销售额仅1.5亿美元。
（2）2002－2005年，OLED的成长阶段，这个阶段人们将能广泛接触到带有OLED的产品，包括车载显示器，PDA、手机、DVD、数码相机、头盔用微显示器和家电产品。产品正式走入市场，主要是进入传统LCD、VFD等显示领域。仍以无源驱动、单色或多色显示、10英寸以下面办为主，但有源驱动的、全彩色和10英寸以上面板也开始投入使用。 （3）2005年以后，OLED的成熟阶段，随着OLED产业化技术的日渐成熟，OLED将全面出击显示器市场并拓展属于自己的应用领域。其各项技术优势将得到充分发掘和发挥。 3.OLED显示原理 图1.：OLED结构图
微机实验报告书 学号：姓名：班级： 同组名单：实验日期： 2012.12.21 实验题目：七段数码管的静态显示 实验目标：掌握数码管显示数字的原理 （功能：键盘输入一位十进制数字(0~9)，用七段数码管显示。） 解题思路： 1.静态显示：按图 10（a）连接好电路，将8255的A口PA0-PA6分别与七段 数码管的断码驱动输入端a-g项链，位码驱动输入端S1接+5V，S0、dp 接地。编程从键盘输入一位十进制数字，在七段数码管上显示出来。 2.动态显示：按图10（b）连接好电路，七段数码管段码连接不变，位码驱 动输入端S1，S0接8255C口的PC1，PC0。编程在两个数码管上显示“56”。程序框图：静态显示见图11（a），动态显示见图11（b）。
关键问题分析（静态显示）： 1、按键判断和程序结束判断 按键来说，由于程序中必须输入数字，所以没有必要对是否按键进行判断，只需要判断按键是否在0-9之间即可。用以下程序即可： cmp al,'0' jl exit ; jl,条件转移指令，即在小于时转移 cmp al,'9' jg exit ;jg, 条件转移指令，即在大于时转移程序中还要用到“cmp”即比较指令，用来比较输入数与0、9的大小关系。程序结束：如若输入的数字小于0或者大于9，必须直接跳出程序，即结束指令必须单独占用一个程序段，这样，程序顺序执行完毕也可以顺利返回DOS。 2、七段码显示。
实验指导书中给出了七段码的字型代码。这样一来，七段码的显示只需要用换码指令“XLAT”便可以轻松实现。前提是必须将七段码字型编成数码表以字符串的形式写进程序中。 3、数字键ASCII码与数值间的转换。 因为0的ASCII码为30H，所以数字键ASCII码与数值间的转换时只需减去30H即可，可用下列语句实现： sub al,30h 程序清单： 静态显示： data segment ioport equ 0c800h-0280h io8255a equ ioport+288h io8255b equ ioport+28bh led db 3fh,06h,5bh,4fh,66h,6dh,7dh,07h,7fh,6fh mesg1 db 0dh,0ah,'Input a num (0--9h):',0dh,0ah,'$' data ends code segment assume cs:code,ds:data start: mov ax,data mov ds,ax mov dx,io8255b ;使8255的A口为输出方式 mov al,80h ;10000000B，控制字PA以方式0输出 out dx,al zby: mov dx,offset mesg1 ;显示提示信息 mov ah,09h int 21h mov ah,01 ;从键盘接收字符 int 21h cmp al,'0' ;是否小于0 jl exit ;如若小于0，则跳转到exit退出程序 cmp al,'9' ;是否大于9 jg exit ; 如若大于9，则跳转到exit退出程序 sub al,30h ;将所得字符的ASCII码减30H，数字键ascii码同数值转换 mov bx,offset led ;bx为数码表的起始地址 xlat ;求出相应的段码 mov dx,io8255a ;从8255的A口输出 out dx,al jmp zby ;转zby exit: mov ah,4ch ;返回DOS
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
有机发光二极管（OLED）的应用和发展 摘要: 有机电致发光现象最早发现于上世纪50年代。这项技术最早存在很大的缺点，一开始并未引起广泛的研究兴趣。直到20年前发生的突破性进展，OLED得以实现了各种功能化，并成为了最有前途的显示和发光器件。本文先介绍了OLED的历史，然后讲解了OLED的原理，并重点介绍了OLED 的应用化技术和在各种方面的应用，最后提出了对我国OLED 技术发展的展望。 关键词电致发光；半导体；有机发光二极管；显示器；OLED 照明光电综合；显示驱动电路 1Abstract:phenomenon of OLED is found in 1950s.This technology had many disadvantages at early time,at the beginning ,researchers have no interests on it.Until the breakthrough progressment of 20 years ago,OLED just could accomplish every kind of effection and became the most promising showing and optical apparatus.First of all,this article introduces the history of OLED,then explains the theory,and puts more attention on applied technologies and applies of every aspect,at last,it involves the development of OLED technologies .
《有机发光二极管》课程教学大纲 一、课程基本信息 课程编号：13103209 课程类别：专业选修课程 适用专业：材料物理 总学时：54 总学分：3 课程简介： 有机发光二极管（OLED）技术是一种新生的显示和照明技术，目前处于关键的发展阶段，已有少量商业化产品。有机发光二极管很多方面的工作尚都处于探索阶段，没有成熟到可商业化阶段，需要研究机构和学术界进一步研究。有机发光二极管涉及物理、化学、材料和电子等多学科交叉领域。本课程从材料、器件结构、器件物理等方面介绍了有机电致发光的原理及物理机制，并对OLED器件的驱动（薄膜晶体管）机理，以及显示屏的构造、工作机制、制造方法等作了详细介绍。 授课教材：《有机电致发光:从材料到器件》，城户淳二, 肖立新, 陈志坚，北京大学出版社; 第1版，2012年。 参考书目： [1] 《OLED梦幻显示器:材料与器件》，陈金鑫, 黄孝文，人民邮电出版社，2011年。 [2] 《有机电致发光材料与器件导论》，黄春辉，李富友,黄维，复旦大学出版社, 2005年。 二、课程教育目标 学生通过本课程的学习要求利用材料合成和半导体固体物理学的基本概念、基本原理和方法，掌握它们有机发光二极管技术中的应用，为学生进一步学习专业课和毕业后从事科研和高新技术工作打下坚实的基础。 三、教学内容与要求 第一章有机EL时代来临 教学重点：有机电致发光的概念 教学难点：有机电致发光与液晶显示的不同 教学时数：4学时 教学内容： 1、下一代显示器的最具优势技术 2、凌驾于液晶之上的有机EL 教学方式：课堂讲授 教学要求：掌握有机电致发光的概念，理解有机电致发光与其它显示方式的不同。 第二章有机EL的结构 教学重点：有机EL的结构和原理
实验八 8255和LED数码管显示实验 二、实验电路 实验电路如图2及图3所示。 图2 静态显示电路图3 动态显示电路 五、实验项目 1．静态显示：按图2连接好电路，将8255A的A口PA0～PA6分别与七段数码管的段码驱动输入端a～g相连，位码驱动输入端S1接+5V（选中），S0、dp接地（关闭）。编程从键盘输入一位十进制数字（0～9），在七段数码管上显示出来。 程序框图、源代码（含注释）及实验结果如下： 1、静态显示 ;0-9程序： data segment ioport equ2400h-280h io8255a equ ioport+288h io8255ctr equ ioport+28bh led db3fh,06h,5bh,4fh,66h,6dh,7dh,07h,7fh,6fh mesg1 db0dh,0ah,'Input a num (0--9),other key is exit:',0dh,0ah,'$' data ends code segment assume cs:code,ds:data start: mov ax,data mov ds,ax mov dx,io8255ctr ;使8255的A口为输出方式 mov ax,80h out dx,al sss: mov dx,offset mesg1 ;显示提示信息 mov ah,9 int21h mov ah,1;从键盘接收字符 int21h
cmp al,'0' ;是否小于0 jb exit ;若是则退出 cmp al,'9' ;是否大于9 ja exit ;若是则退出 sub al,30h;将所得字符的ASCII码减30H mov bx,offset led ;bx为数码表的起始地址 xlat ;求出相应的段码 mov dx,io8255a ;从8255的A口输出 out dx,al jmp sss ;转SSS exit: mov ax,4c00h;返回 int21h code ends end start 2．动态显示（选做）：按图3连接好电路，七段数码管段码连接不变，位码驱动输入端S1S0接8255C口的PC1、PC0。编程在两个数码管上显示56。 程序框图、源代码（含注释）及实验结果如下： data segment ioport equ 2400h-280h io8255a equ ioport+288h io8255c equ ioport+28Ah io8255ctr equ ioport+28bh mesg1 db 0dh,0ah,' Press any key to exit!',0dh,0ah,'$' data ends code segment assume cs:code,ds:data start: mov ax,data mov ds,ax mov dx,offset mesg1 ;显示提示信息 mov ah,9 int 21h mov dx, io8255ctr ;将8255设为A口输出 mov al,80h out dx,al loop1: mov dx, io8255a mov al,6Dh out dx,al mov dx, io8255c mov al,2
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用
有机发光二极管制备 编写：2015级硕士许昆一.实验目的 ⒈了解有机发光二级管的工作原理。 ⒉掌握制备有机发光二极管的方法。 ⒊对制备的器件做电学及光学测试。 二.实验仪器及耗材 ITO, 抗腐蚀胶带，浓盐酸，镊子，秒表，NPB，Alq3，铝条，电极掩膜板，真空蒸发台，乙醇，丙酮，去离子水。 三.实验原理 OLED属于双注入型器件。当OLED正向偏置时，空穴和电子从ITO（阳极）和Al（阴极）分别注入到空穴传输层（HTL）的最高被占据分子轨道（HOMO能级）和电子传输层(ETL)的最低未被占据分子轨道（LUMO能级），之后在外场的作用下，传输到电子传输层和空穴传输层的界面，此处即为有机发光二极管的发光层。空穴和电子在发光层内相遇形成电子-空穴对，当处于激发态的电子再次回到基态时，就会辐射出光子。而有机发光二极管反向偏置时处于阻断状态，不发光。 依上图结构，本次试验制备简单结构的有机发光二极管，只依次制备制备ITO层、NPB层、Alq3发光层和Al电极。 四.实验内容 （1）实验准备 1、刻蚀阳极ITO，在擦拭干净后的ITO表面，将剪成2毫米长条状的耐腐蚀胶 带贴于其上，为防止边沿渗入腐蚀ITO的浓盐酸导致边沿不规整，务必剪裁平齐并粘贴紧密。之后用镊子放入纯浓盐酸中，浸泡10min。取出后用清水冲洗，撕掉胶带并用酒精棉擦拭。 2、将刻蚀好的ITO玻片依次放入依次盛有丙酮，乙醇，去离子水的烧杯中，在 超声波清洗机中各超10 min； 3、掩膜板洗去之前残存杂质后有去离子水冲洗，吹干，放入50烘箱烘干待用；
4、坩埚用丙酮擦拭并用丙酮超10min后，再用氮气吹干，存放于培养皿中放入 烘箱烘干待用； （2）蒸镀有机发光二极管 5、使用分析天平称量20mgNPB材料。擦洗真空台腔室，风干后将称量好的NPB 材料放入坩埚中，均匀铺平，放入真空蒸发台热源中，放好样品及样品托。 开机，开水，开扩散泵，待真空度达到3.1×10-3Pa时，打开热源，预设270℃，加电压至30V，观察温度至250℃时，挡板上有圆斑出现，遂将温度保护开关设置在260℃。当温度达到255℃时，开挡板，计时20s后，蒸发完毕，关挡板，关热源，待温度降至100℃以下关大阀。60℃以下升钟罩，在坩埚中放入称量好的25mg Alq3材料，再抽真空待真空度达到3.1×10-3Pa时，打开热源，预设300℃，加电压至30V，观察温度至280℃时，挡板上有淡黄色圆斑出现，遂将温度保护开关设置在290℃，当温度达到285℃时，开挡板，计时50s后，蒸发完毕，关挡板，关热源，待温度降至100℃以下关大阀。60℃以下升钟罩，在钨丝上挂好4条铝条，在样品托中先放入电极掩膜板，再将蒸好有机层的样品小心放在上面。抽真空待真空度达到5×10-3Pa时，打开蒸发，使蒸发电流在40-45A时，铝丝开始熔化，恒定在45A维持6~7min，观察腔室内铝丝全部融化，关蒸发，关扩散泵，6min以后关大阀，待扩散泵冷却以后关机械泵，关水，关机 五.测试结果 A．有机发光二极管I-V测试：
实验4七段数码管 教具、教学素材准备：实验箱，多媒体 教学方法：网络讲授与实作 教学时数：2 一、实验目的 掌握数码管显示数字的原理 二、实验原理和内容 按图22连接好电路，将8255的A口PA0～PA6分别与七段数码管的段码驱动 输入端a～ｇ相连，位码驱动输入端S1接+5V（选中），S0、dp接地（关闭）。编程 从键盘输入一位十进制数字（0～9），在七段数码管上显示出来。 三、编程 1、实验台上的七段数码管为共阴型，段码采用同相驱动，输入端加高电平,选中的数码，位码加反相驱动器，位码输入端高电平选中。 2、七段数码管的字型代码表如下表：
data segment ioport equ 0d400h-0280h io8255a equ ioport+288h io8255b equ ioport+28bh led db 3fh,06h,5bh,4fh,66h,6dh,7dh,07h,7fh,6fh mesg1 db 0dh,0ah,'Input a num(0--9h):',0dh,0ah,'$' data ends
code segment assume cs:code,ds:data start:mov ax,data mov ds,ax mov dx,io8255b;使8255的A口为输出方式mov ax,80h out dx,alsss:mov dx,offset mesg1;显示提示信息mov ah,09h int 21h mov ah,01;从键盘接收字符 int 21h cmp al,'0';是否小于0 jl exit;若是则退出 cmp al,'9';是否大于9 jg exit;若是则退出 sub al,30h;将所得字符的ASCII码减30H mov bx,offset led;bx为数码表的起始地址xlat;求出相应的段码 mov dx,io8255a;从8255的A口输出 out dx,al jmp sss;转SSS exit:mov ah,4ch;返回DOS int 21h code ends end start 教学后记：
肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78
M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53