模拟集成电路 (2)复习课程
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CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计一、设计目标本次课程设计目标是:通过对CMOS模拟集成电路设计第二版中的一个电路设计实例进行仿真分析、电路优化及布局设计,深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的基本原理及设计方法,培养学生分析和设计模拟集成电路的能力。
二、课程设计内容1.复习:基本模拟电路的分析和设计方法在进行CMOS模拟集成电路设计前,学生需要具备基本模拟电路的分析和设计方法。
本节将对常见的放大电路(比如共射放大电路,共基放大电路和共集放大电路等)的分析和设计方法进行复习。
2.CMOS反相器设计实例讲解本部分将讲解CMOS反相器的结构及原理,并通过具体的例子进行电路设计分析和仿真。
帮助学生了解CMOS反相器的设计方法、电路特性及其影响因素。
3.电路优化与参数选择在本部分,我们将重点介绍电路优化及参数选择的方法。
从电路的性能和稳定性等方面进行优化选择,并通过仿真结果来证明优化参数的效果。
4.布局设计与模拟验证本部分将介绍CMOS模拟集成电路的布局设计及模拟验证方法。
布局设计不仅可以影响电路的性能,也会影响电路的稳定性和可靠性。
通过模拟验证对电路进行分析验证。
三、设计评分方案本次课程设计采用滚动评分的方式,共计100分,具体评分如下:1.复习及设立问题:10分2.设计实例介绍及分析:20分3.参数选择及电路优化:30分4.布局设计及模拟验证:40分四、设计要求1.学生需要独立完成所有实验任务,不允许抄袭2.电路模拟软件使用HSPICE或者Spectre等,本节课程以HSPICE为例3.学生需要提交电路仿真截图、仿真结果以及电路设计原理图等作为实验报告。
五、总结通过本次课程设计的学习,学生可以深入了解CMOS模拟集成电路设计的基本原理及设计方法,并且培养分析和设计模拟集成电路的能力,为以后的研究或工作打下更好的基础。
同时,通过本次课程设计,学生能进一步加深对学过的知识的理解,增强把理论知识转化为实际工程应用的能力,提高实际应用能力和工程素质。
《模拟集成电路设计》复习大纲一、 概念:1. 密勒定理:如果将图(a )的电路转换成图(b )的电路,则Z 1=Z/(1-A V ),Z 2=Z/(1-A V -1),其中A V =V Y /V X 。
这种现象可总结为密勒定理。
2. 沟道长度调制效应:当栅与漏之间的电压增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,也就是说,L 实际上是V DS 的函数,这种效应称为沟道长度调制。
3. 等效跨导Gm :对于某种具体的电路结构,定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导,来表示输入电压转换成输出电流的能力,跨导的表达式4. N 阱:CMOS 工艺中,PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上,若衬底为P 型,则PMOS 管要做在一个N 型的“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做N 阱。
5. 亚阈值导电效应:实际上,V GS =V TH 时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至当V GS <V TH 时,I D 也并非是无限小,而是与V GS 呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。
6. 有源电流镜:像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。
7. 输出摆幅:输出电压最大值与最小值之间的差。
8. 放大应用时,通常使MOS 管工作在饱和区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义跨导来表示电压转换电流的能力。
9. 在模拟集成电路中MOS 晶体管是四端器件 10. 源跟随器主要应用是起到什么作用?11. λ为沟长调制效应系数,λ值与沟道长度成反比,对于较长的沟道,λ值较小。
12. 饱和区NMOS 管的电压条件及其其沟道电流表达式。
13. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高,因此可以做成恒定电流源。
14. MOS 管的主要几何参数15. 共模输入电平的变化会引起差动输出发生改变的因素有哪些? 16. MOS 管的电路符号17. 增益小于1的单级放大器 18. N 阱和P 阱的概念19. MOS 管的二级效应的表达式,比如沟道长度调制效应、体效应、亚阈值效应 20. 按比例缩小理论:恒定电场、恒定电压、准恒压21. 采用电阻负载的共源级单级放大器其小信号增益Av 表达式 22. 在差动放大器设计中CMRR23. 带源极负反馈的共源级其小信号增益的表达式 24. 图示电路的小信号增益表达式。
模拟CMOS集成电路设计引言在现代电子设备中,集成电路无处不在。
其中,CMOS (Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)是一种常用的集成电路技术。
CMOS集成电路设计是指设计和优化各种模拟电路、数字电路和混合信号电路的过程,以满足特定的应用需求。
在本文档中,我们将介绍模拟CMOS集成电路设计的基本原理、步骤以及常见的设计技巧。
我们将从设计规范的制定开始,一直到电路验证和验证。
通过阅读本文档,读者将了解到在设计模拟CMOS集成电路时应该考虑的各种因素,并具备一定的设计能力。
设计规范在开始模拟CMOS集成电路设计前,制定明确的设计规范非常重要。
设计规范应该包括以下内容:1.电路功能:描述电路的功能和期望的输入输出特性。
2.电路性能:定义电路的性能指标,如增益、带宽、噪声等。
3.技术限制:确定电路设计的技术限制,如制造工艺和电路元件的规格。
4.耗电量:设定电路的功耗要求,包括静态功耗和动态功耗。
5.成本:估计电路设计的成本,包括制造成本和开发成本。
电路拓扑设计电路拓扑设计是指设计模拟CMOS集成电路的基本结构和连接方式,以实现所需的功能。
在设计电路拓扑时,应该考虑以下要点:1.输入输出特性:根据设计规范确定输入输出特性的要求,并选择合适的电路结构。
2.偏置电路:设计合适的偏置电路以提供所需的工作点稳定性。
3.放大电路:根据输入输出特性要求设计放大电路,确定电路的增益和带宽。
4.反馈电路:根据需要添加反馈电路以实现所需的增益、稳定性和线性度。
5.输出级:设计输出级以实现所需的输出电流和电压。
在电路拓扑设计过程中,可以使用各种常见的电路结构,如共射放大器、共基放大器、共集放大器等。
设计优化在完成电路拓扑设计后,需要对电路进行优化以满足设计规范的要求。
设计优化可以根据所需的电路性能采取以下措施:1.尺寸优化:通过调整电路中的晶体管尺寸来改变电路的增益和带宽。