模拟集成电路设计期末试卷..

模电期末试题及答案### 模拟电子电路期末试题及答案#### 一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，运算放大器的开环增益通常为： - A. 10^2- B. 10^3- C. 10^5- D. 10^6 及以上2. 理想运算放大器的输入阻抗是：- A. 低阻抗- B. 高阻抗- C. 零阻抗- D. 无穷大3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？- A. 放大器- B. 比较器- C. 振荡器- D. 整流器4. 负反馈在运算放大器中的作用是：- A. 增加增益- B. 减少增益- C. 稳定输出- D. 增加噪声5. 以下哪个是二极管的主要特性？- A. 单向导电性- B. 双向导电性- C. 高输入阻抗- D. 低输出阻抗#### 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述差分放大器的工作原理及其优点。

2. 解释什么是共模抑制比（CMRR）以及它在模拟电路设计中的重要性。

3. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理，并说明其频率响应特性。

#### 三、计算题（每题25分，共50分）1. 给定一个共射放大电路，其参数如下：- 基极电流 \( I_B = 20 \mu A \)- 集电极电流 \( I_C = 2 mA \)- 基极-发射极电压 \( V_{BE} = 0.7V \)- 电源电压 \( V_{CC} = 12V \)- 集电极电阻 \( R_C = 2k\Omega \)求：集电极电压 \( V_C \) 和放大电路的电压增益 \( A_V \)。

2. 给定一个运算放大器电路，其开环增益为 \( A_{OL} = 10^5 \)，反馈电阻 \( R_F = 10k\Omega \)，输入电阻 \( R_I = 100k\Omega \)，求闭环增益 \( A_{CL} \)。

#### 四、分析题（共30分）分析以下电路图，并回答以下问题：- 电路的类型是什么？- 电路的输入和输出是什么？- 电路的工作原理是什么？- 电路的增益如何计算？（注：电路图略，考生需根据实际电路图进行分析）#### 答案：#### 一、选择题1. D2. D3. D4. C5. A#### 二、简答题1. 差分放大器由两个对称的放大器组成，其工作原理是利用两个输入端的电压差来驱动输出。

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。

二．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D 也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。

3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。

《模拟集成电路分析与设计》期末考试试题2008年06月24日1. 判断下列说法是否正确，正确的标记为T 或√，错误的标记为F 或×，并简单说明原因；（30分＝3分×10） 1) 压摆行为(Slewing)是一个非线性行为；2) 增加应用于反馈系统的运算放大器或跨导放大器的级数有利于提高它的稳定性； 3) 可以利用负反馈技术来提高一个单级点放大器的增益带宽积；4) 在计算跨导放大器构成的电容型反馈系统的阶跃响应时，如果跨导放大器负载电容远小于反馈网络中的电容，就可以忽略前馈效应的影响；5) 单级点跨导放大器的增益带宽积与它所使用器件的本征增益无关；6) 电流镜作负载的差分对在差模传输函数中出现零点的原因是电路中出现了前馈；7) 同等条件下，Telescopic 跨导放大器可达到的最大输出摆幅小于折叠Cascode 跨导放大器可达到的最大输出摆幅；8) 由于折叠Cascode 跨导放大器是对Telescopic 跨导放大器采用折叠技术得到的，同等条件下它们的增益是相同的；9) Telescopic 跨导放大器中叠加在差分放大管之上的Cascode 晶体管栅极可以作为它的共模反馈控制点； 10) 由两级跨导放大器构成的电容型反馈系统中，增加负载电容会降低系统的稳定性；2. 下图给出了一个三级环型振荡器的电路图，每一级由一个跨导放大器驱动一个电容性负载构成。

若跨导放大器可以用如图所示的等效电路表示，其输出阻抗R o =800Ω。

试回答如下问题：（15分）1) 推导该电路的环路增益的表达式，并定性画出它的波特图； 2) 若要使得该振荡器在10MHz 处维持稳定的振荡，试计算电容C 的大小以及g m 的取值；（提示：振荡状态对应于电路的不稳定状态，一个电路维持稳定振荡的条件是在振荡频率处环路增益的幅度等于1而相移为180度）3. 下图给出了一个由全平衡两级OTA组成的反馈系统。

其中，C s =C f =C L若所有的晶体管均工作于饱和区且符合长沟道平方律方程，跨导效率均为g m /I D =10V -1，本征增益均为g m r o =50，Mb0、Mb1、Mb2、Mb3构成宽长比为1：8：4：8的电流镜，R 1=20000Ω，C 1=1pF。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2．（2分）摩尔定律是指 。

3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。

4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。

5.（4分）MOSFET可以分为 、 、 、 四种基本类型。

6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。

7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ； 作为PMOS 的源极和体端， 作为NMOS 的源极和体端。

8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。

9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。

DD 13210.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。

AB Y 1AB23二、画图题：（共12分）1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD=+的电路图，要求使用的MOS管最少。

2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC=,画出其相应的电路图。

三、简答题：（每小题5分，共20分）1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？3.简述静态CMOS 电路的优点。

4.简述动态电路的优点和存在的问题。

四、分析设计题：（共38分1.（12分）考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管，宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ，栅氧厚度为2.6ox t nm =，室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=，阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。

《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。

如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。

实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。

该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。

在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。

如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。

实现一个方法，用于获取当前酒量。

在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。

2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。

同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。

确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。

这些约束条件将影响解决方案的设计。

分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。

这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。

制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。

这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。

评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。

这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。

2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。

在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。

根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。

集成电路模拟试题（1）一，选择题（四个答案中只有一个是正确的）( 20 ’ )1，对集成运放输出级的要求是（a）具有很高的输出电阻和较低的输入电阻；（b）具有大的输出功率；（c）不计效率；（d）不需要过流和过压保护措施等。

2，由双运放构成的实际差分放大器，其输出电压的大小与下列哪个说法一致（a）与差模输入电压成正比；（b）共模放大倍数越大，输出电压越小；（c）共模放大倍数越小，输出电压越小；（d）同相输入端电压越小，输出电压越大。

3，在反相积分器中（a）输出电压与输入电压同相；（b）输出电压与输入电压反相；（c）输出电压比输入电压滞后90°；（d）输出电压比输入电压超前90°。

4，常用集成仪器放大器内部的运放个数是（a）1个；（b）2个；（c）3个；（d）4个。

5，在绝对值变换器中（a）输出电压与输入电压成正比；（b）输出电压与输入电压成反比；（c）输出电压与输入电压同相位；（d）输出电压与输入电压反相。

6，在民用电器中，经常要对电压进行过压、正常电压的检测，可以采用(a)单门限比较器；(b)迟滞比较器；(c) 三态比较器；(d)窗口比较器。

7，阻抗变换器是用运放加外围元件实现（a）大电阻变小电阻；（b）电感变电容；（c）小电感变大电感；（d）小电阻变大电阻。

8，DAC0832的转换精度（a）与转换位数有关；（b）与参考电压无关；（c）与使用的电路无关；（d）与输入电压的大小有关。

9，ICL8038函数发生器的工作频率范围是(a)0.01Hz~500kHz；(b) 0.1Hz~500kHz；(c)1Hz~500Hz；(d)1Hz~1MHz10，集成稳压器7805的输出电流是(a)100mA；(b)500mA；(c)1.5A；(d)5A答案：1~5(b)(a)(d)(c)(c) 6~10(a)(d)(a)(a)(c)二 求输入阻抗（15’）答案：A1的输出电压A2的输出电压解得 图4-1-2 输入电流为代入得等效输入阻抗 三 分析题( 15’)1，二阶低通滤波器电路如图4-1所示，求传递函数。

集成电路期末试题及答案Michael Chen2022年1月10日第一部分：选择题1. 集成电路是指（）A. 多个电路板连接在一起B. 多个电子元件连接在一起C. 多个电气设备连接在一起D. 多个电子器件集成在一起答案：D2. 集成电路的分类依据是（）A. 外部尺寸B. 工作原理C. 制造工艺D. 功耗大小答案：C3. 集成电路的封装形式包括（）A. DIPB. SIPC. QFPD. 以上都是E. 以上都不是答案：D4. CMOS是指（）A. 生物科学中的一种病毒B. 一种通信协议C. 一种数字电路设计技术D. 一种模拟电路设计技术答案：C5. 集成电路的发展趋势是（）A. 更小封装B. 更低功耗C. 更高速度D. 以上都是答案：D第二部分：填空题1. 集成电路的最早应用是在（电子计算机）中。

2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和（蚀刻）。

3. 集成电路的数字功耗由（开关功耗）和（短路功耗）组成。

4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外，还有（BGA）。

5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器（Intel 4004）的发布。

第三部分：简答题1. 请简要解释集成电路的概念，并举例说明。

答：集成电路是将多个电子器件（如晶体管、电容器等）集成在一个芯片上的电路。

通过微影工艺在芯片上形成电路连接，实现各种电路功能。

例如，常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集成电路技术制造的。

2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。

答：薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。

它通过在芯片表面上沉积一层薄膜，为后续工艺提供基础。

常用的薄膜沉积工艺包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是通过物理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜；CVD则是通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。

薄膜沉积可以实现金属导线、绝缘层等结构的形成，为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。

北京大学信息学院考试试卷装订线内请勿答题考试科目：模拟集成电路原理与设计 考试时间：专业级班主讲教师___________姓名学号________________题号一 二 三 四 五 六 七 总分得分说明：各MOSFET均工作在饱和区，除非另做说明。

1、电路如图1所示，图中各晶体管均工作于饱和区。

使用各晶体管的g m、r o（如M1的g m、r o表示为g m1、r o1）表示电路的R out。

（10分）图1解：133o o m OUT r r g A R ⋅⋅≈而A 即为点X 到点P 的增益：15OUT m R g A ⋅=很容易求得此折叠共源共栅放大器（辅助放大器）的输出阻抗为：()()[]95771311111||||o o o m o o m OUT r r r g r r g R ⋅⋅≈最终总的输出阻抗等于：()([]{}95771311115133133||||o o o m o o m m o o m o o m OUT r r r g r r g g r r g r r g A R ⋅⋅⋅⋅=)⋅⋅=2、 计算如图2电路的增益。

（15分）图2解：此电路当中，电阻Rf 检测输出电压并向X 节点返回一个逾七成正比的电流，因此这种反馈可以看作是电压—电流型。

通过诺顿等效来代替Vin 和Rs 如下图左，并把Rs 看作是主放大器的输入电阻，断开环路如下图右，忽略沟道长度调制效应的影响，则开环增益为：()(F D m F S openINOUTOPEN O R R g R R I V R ||||,⋅⋅−==)这里S IN IN R V I ⋅=，电路的环路增益为。

且由于反馈网络仅由Rf 组成，OPEN O R Y ,21FR Y 121−=。

因此，电路的电压增益等于：()()()()F S S m F D F D m F S F IN OUT R R R g R R R R g R R R V V +⋅⋅+⋅⋅⋅−=/||1||||13、 某电路的传输函数如下式所示，其中21p p ωω<<。

东 南 大 学 考 试 卷（ A 卷）课程名称 射频与通信集成电路设计 考试学期 06-06-11 得分适用专业考试形式半开卷考试时间长度 120分钟一．问答题1．当传输线长度为1/4波长时，分别计算负载阻抗Z L =0和Z L =∞时的输入阻抗Z in 和负载端反射系数ΓL 。

2．当负载阻抗Z L =112.5Ω，传输线特征阻抗Z 0 = 50Ω时，采用特征阻抗为Z 1的1/4波长传输线完成阻抗匹配，如图1所示。

试计算特征阻抗Z 1的值。

Z LZ in图1二．已知发射机在2GHz 频率点的输出阻抗是Z T = (150+j75) Ω，天线的输入阻抗是Z A =(75+j15)Ω，如图2所示。

设计L 型匹配网络，使天线得到最大功率。

1．取参考阻抗Z 0 =75Ω，计算归一化阻抗z T 和z A 。

2．根据图3所示Smith 圆图中的阻抗变换轨迹，给出L 型匹配网络结构，并计算匹配网络中的元件值。

TAM图2z M = z A*z TC = 1-j1.22z T图3三．图4为无线接收机原理框图，输入端和级间为共轭匹配，每个模块的增益、噪声系数及IIP3分别示于模块的上下方。

1．计算接收机的总噪声系数F；2．计算接收机总IIP3。

LO BB Output图4四．放大器的信号流图如图5所示。

计算输入反射系数Γin = b 1 / a 1和输出反射系数Γout =b 2/a 2|bss=0 。

请列出方程并写出求解步骤。

b 1S 12a 1a 2S 21S 22b 2S 111bssΓLΓS图5五．图6给出了一个功率放大器的电路图，该电路的工作频率为ω0，传输线的特征阻抗Z 0等于负载电阻R L ，长度为l/4波长 (@ ω0)。

1．说明该功率放大器的类型，给出L 2和C 2的谐振频率。

2．说明L 1、C 1和传输线的作用。

图6六．画出超外差接收机和零中频接收机的原理框图，说明它们的优点和存在的问题。

《模拟集成电路设计原理》期末考试一•填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按________ 比例____ 缩小，CMOS电路被证明具有_较低—的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和一区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导_来表示电压转换电流的能力。

3、入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值____ 较小 _ （较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器—的作用。

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成―恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为—共源共栅电流镜—结构。

&为方便求解，在一定条件下可用—极点一结点关联一法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为—C F（1 - A）__。

10、入为沟长调制效应系数，入值与沟道长度成—反比__ （正比、反比）。

二.名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。

3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说, 这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm6、N 阱:解：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为 P 型，贝U PMOS 管要做在个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做 N 阱。

集成模拟考试题及答案# 集成模拟考试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 以下哪个不是数字信号的特点？A. 离散性B. 确定性C. 连续性D. 随机性答案：C3. 在数字电路设计中，以下哪个不是常用的逻辑门？A. AND门B. OR门C. XOR门D. NOT门答案：D（NOT门是最基本的逻辑门之一）二、填空题1. 模拟信号具有______和______的特点。

2. 数字信号的传输方式主要有______和______。

答案：1. 连续性，不确定性2. 并行传输，串行传输三、简答题1. 简述模拟信号与数字信号的区别。

答案：模拟信号是连续变化的信号，可以表示任何连续的波形，如声音、温度等。

数字信号则是离散的，它表示的是一系列离散的值，通常用二进制数表示。

模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是连续的，而数字信号是离散的。

四、计算题1. 假设有一个RC电路，其中R=1kΩ，C=1μF，求该电路的充电时间常数τ。

答案：充电时间常数τ由公式τ=RC计算得出，代入数值得到τ=1kΩ*1μF=1秒。

五、论述题1. 论述数字电路与模拟电路在现代电子系统中各自的优势和应用场景。

答案：数字电路的优势在于其处理速度快，可靠性高，易于实现大规模集成，适合用于计算机、通信设备等需要高速处理和精确控制的场合。

模拟电路则在处理连续信号方面具有优势，如音频放大、信号调制解调等，它们在需要模拟信号处理的场合中不可或缺。

结束语：本次集成模拟考试题涵盖了模拟与数字电路的基本概念、特点、区别及其应用场景，旨在帮助考生全面复习和掌握相关知识点。

希望考生能够通过本次模拟考试，加深对电路基础知识的理解，为实际应用打下坚实的基础。

模拟集成电路试题及答案一、选择题1. 在模拟集成电路设计中，以下哪个因素不是影响电路性能的主要因素？A. 晶体管的尺寸B. 电源电压C. 温度D. 电路的布局答案：D2. 以下哪个不是模拟集成电路中的放大器类型？A. 共射放大器B. 共基放大器C. 共栅放大器D. 差分放大器答案：C二、填空题1. 在模拟集成电路中，________是用来减少晶体管的热噪声。

答案：晶体管的尺寸2. 模拟集成电路设计中，________是一种常用的信号处理方法。

答案：反馈三、简答题1. 简述模拟集成电路中使用差分放大器的优点。

答案：差分放大器的优点包括：- 提高了信号的共模抑制比（CMRR）。

- 减少了温度漂移。

- 增强了电路的稳定性。

2. 解释模拟集成电路中反馈的概念及其作用。

答案：反馈是指将放大器输出的一部分信号以某种方式返回到输入端。

反馈的作用包括：- 稳定放大器的增益。

- 减少非线性失真。

- 提高电路的带宽。

四、计算题1. 给定一个共射放大器，其基极电阻Rb=1kΩ，集电极电流Ic=2mA，求集电极电压Vc。

答案：首先计算集电极电阻Rc的值，Rc = Vcc / Ic，假设Vcc为5V，则Rc = 5V / 0.002A = 2.5kΩ。

然后计算Vc，Vc = Vcc - Ic * Rc= 5V - 0.002A * 2.5kΩ = 2.5V。

2. 假设一个差分放大器的差模增益为Ad，共模增益为Ac，求差模增益与共模增益的比值。

答案：差模增益与共模增益的比值即共模抑制比（CMRR），CMRR = Ad / Ac。

五、论述题1. 论述模拟集成电路设计中，如何通过电路设计来减少噪声和干扰。

答案：在模拟集成电路设计中，减少噪声和干扰的方法包括：- 使用低噪声元件。

- 优化电源管理，确保电源稳定性。

- 采用适当的布局和布线技术，减少电磁干扰。

- 使用屏蔽和接地技术来减少外部噪声的影响。

- 应用适当的信号处理技术，如滤波和信号隔离。

模拟集成电路设计试卷案场各岗位服务流程销售大厅服务岗：1、销售大厅服务岗岗位职责：1)为来访客户提供全程的休息区域及饮品;2)保持销售区域台面整洁;3)及时补足销售大厅物资,如糖果或杂志等;4)收集客户意见、建议及现场问题点；2、销售大厅服务岗工作及服务流程阶段工作及服务流程班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。

班中工作程序服务流程行为规范迎接指引递阅资料上饮品（糕点）添加茶水工作要求1）眼神关注客人，当客人距3米距离时，应主动跨出自己的位置迎宾，然后侯客迎询问客户送客户注意事项15度鞠躬微笑问候：“您好！欢迎光临！”2）在客人前方1-2米距离领位，指引请客人向休息区，在客人入座后问客人对座位是否满意：“您好！请问坐这儿可以吗？”得到同意后为客人拉椅入座“好的，请入座！”3）若客人无置业顾问陪同，可询问：请问您有专属的置业顾问吗？，为客人取阅项目资料，并礼貌的告知请客人稍等，置业顾问会很快过来介绍，同时请置业顾问关注该客人；4）问候的起始语应为“先生-小姐-女士早上好，这里是XX销售中心，这边请”5）问候时间段为8:30-11:30 早上好11:30-14:30 中午好 14:30-18:00下午好6）关注客人物品，如物品较多，则主动询问是否需要帮助（如拾到物品须两名人员在场方能打开，提示客人注意贵重物品）；7）在满座位的情况下，须先向客人致歉，在请其到沙盘区进行观摩稍作等待；阶段工作及服务流程班中工作程序工作要求注意事项饮料（糕点服务）1）在所有饮料（糕点）服务中必须使用托盘；2）所有饮料服务均已“对不起，打扰一下，请问您需要什么饮品”为起始；3）服务方向：从客人的右面服务；4）当客人的饮料杯中只剩三分之一时，必须询问客人是否需要再添一杯，在二次服务中特别注意瓶口绝对不可以与客人使用的杯子接触；5）在客人再次需要饮料时必须更换杯子；下班程序1）检查使用的工具及销售案场物资情况，异常情况及时记录并报告上级领导；2）填写物资领用申请表并整理客户意见；3）参加班后总结会；4）积极配合销售人员的接待工作，如果下班时间已经到，必须待客人离开后下班；1.3.3.3吧台服务岗1.3.3.3.1吧台服务岗岗位职责1）为来访的客人提供全程的休息及饮品服务；2）保持吧台区域的整洁；3)饮品使用的器皿必须消毒；4）及时补充吧台物资；5）收集客户意见、建议及问题点；1.3.3.3.2吧台服务岗工作及流程阶段工作及服务流程班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。

《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1）一、填空题（共30分，每空格1分）1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。

2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________，增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。

3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现_____________。

4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。

5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为__________________________________________________。

6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。

7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为_______，闭环增益为________________，环路增益为____________。

8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增益为_________，闭环增益为_______。