集成电路设计基础_期末考试题

集成电路设计期末考试试题（ A ）卷参考答案一、填空题（每空一分，共20分）1. 2 12. Q=CV GE3. 衬底掺杂浓度4. 体效应5. 沟道中载流子的迁移率阈值电压V T随温度的变化6. MOS管的栅宽偏置电流7. 1/A2 1/A2 8. 温度垂直电场水平电场9. 互连线电阻电容电感传输线10. CXXXXXXX N+ N- V ALUE＜IC=INCOND＞二、简答题（每题10分，共60分）1.答：A当沟道长度L减小时阈值电压降低，而沟道宽度W变窄时引起阈值电压提高；B随着Vds的增加，在漏区的耗尽层宽度会有所增加，导致阈值电压提高。

C 实际栅长有一部分覆盖在氧化层上，氧化层下面会引起耗尽电荷，栅电压要加的较大才能使沟道反型。

D 栅电压增加时，表面迁移率会下降E 当Vds增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和区，Vds进一步增大，使沟道的有效长度减小2. 答：A源漏扩散电阻，在金属栅与硅栅技术的CMOS 工艺中，与漏源区同时制成，，方块电阻为20-100欧，不宜制作大电阻，误差为±20%，不能制作精密电阻。

B P/N阱扩散电阻，该结构电阻值较大，为1000-5000欧，面积也大，误差为±40%。

C 注入电阻。

由于离子注入精度可以控制掺杂浓度和注入深度，且横向扩散小，方块电阻为50-1000欧，可以制作大电阻而不占用大面积D 多晶硅电阻。

方块电阻为30-200欧，，难以制作精密电阻E薄膜电阻，该电阻的线性度好。

3. 答：4答：SPICE软件包含三个内建MOS场效应管模型：①1级模型通过电流—电压的平方律特性描述,考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。

②2级模型是一个详尽解析的MOSFET模型。

考虑了沟道电压的影响，对基本方程进行了一系列半经验性的修正。

③3级模型是一个半经验模型。

在精确描述各种二级效应的同时，可以节省计算时间，引入了模拟静电反馈效应的经验模型、迁移率调制系数和=饱和电场系数。

模拟集成电路设计期末试卷..《模拟集成电路设计原理》期末考试⼀．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相⽐，MOS器件的尺⼨很容易按____⽐例____缩⼩，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放⼤应⽤时，通常使MOS管⼯作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表⽰电压转换电流的能⼒。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较⼩___（较⼤、较⼩）。

4、源跟随器主要应⽤是起到___电压缓冲器___的作⽤。

5、共源共栅放⼤器结构的⼀个重要特性就是_输出阻抗_很⾼，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输⼊电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流⽽不受⼯艺和温度的影响，实际应⽤中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进⼀步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为⽅便求解，在⼀定条件下可⽤___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使⽤的有源电流镜结构如下图所⽰，电路的输⼊电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反⽐__（正⽐、反⽐）。

⼆．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS⼯艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同⼀衬底上，其中某⼀类器件要做在⼀个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，⼀个“弱”的反型层仍然存在，并有⼀些源漏电流，甚⾄当V GS3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增⼤时，实际的反型沟道长度逐渐减⼩，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ??为电路的等效跨导，来表⽰输⼊电压转换成输出电流的能⼒ 5、⽶勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题⼀一.填空题（20分）1、目前，国内已引进了12英寸0.09um芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um （大小），指的是右图中的 W （字母）。

2、CMOS工艺可分为 p阱 、 n阱 、 双阱 三种。

在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是 p （PMOS，NMOS）。

3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由 场氧 来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是 氧化 工艺。

4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指 光刻 ，包括 晶圆涂光刻胶 、 曝光 、 显影 、 烘干 四个步骤；其中曝光方式包括 ① 接触式 、②非接触式 两种。

5、阈值电压V T是指 将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成 耗尽型 、 增强型 两种。

降低V T的措施包括： 降低杂质浓度 、 增大Cox 两种。

二、名词解释（每词4分，共20分）①多项目晶圆（MPW）②摩尔定律③掩膜④光刻⑤外延三、说明（每题5分共10分）①　说明版图与电路图的关系。

②　说明设计规则与工艺制造的关系。

四、简答与分析题（10分）1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这三个综合阶段的任务是什么？2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。

五、综合题（共4小题，40分）1.在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。

把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类： （1）属于最小宽度是： （2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是：2．请提取出下图所代表的电路原理图。

画出用MOSFET构成的电路。

图2 图3 图 4 3、图4是一个标准的CMOS 反相器电路，V TN 和V TP 分别为NMOS 、PMOS晶体管的阈值电压，讨论PMOS 和NMOS 晶体管导通和截至的条件。

华南农业大学期末考试试卷20019-2020学年第1学期考试科目：__集成电路设计__考试类型：（闭卷）考试考试时间：__100__分钟一．填空题（本大题共11小题，每空2分，共22分）1．集成电路版图是__________________________________________________。

2．集成电路SPICE仿真软件中二极管字母代号为_______，MEG表示_______。

3．集成电路设计软件包括_______和_______等。

4．版图设计中工艺层之间限制包括________和________等。

5．为保证版图设计正确而采用的检索包括________和________等。

6．Verilog HDL两种数据类型包括________和________。

7．Verilog HDL测试平台的作用是______________________________________。

8．Verilog HDL中非阻塞赋值表示_____________________________________。

9．IP复用是SOC设计关键，常见IP模块可分为_______、_______等三种类型。

10．Verilog语言中Assign #2 Sum=A^B表示含义是_______________________。

11．SPICE中二极管瞬态模型中电容包括________、________等。

二．判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1．SPICE MOSFET模型级别由模型标记参数LEVEL说明。

（）2．集成电路设计软件Tanner EDA包括S-Edit，L-Edit等。

（）3．Verilog语言中在initial语句中被赋值的变量须定义为wire类型。

（）4．版图设计中可以微米为单位，也可以为单位。

（）5．SPICE网表文件第一行为标题语句，不可缺少。

（）6．Verilog语言中if语句使用范围不全面时可生成并不想要的锁存器。

院系： 专业班级： 学号： 姓名： 座位号：XXX 大学2020—2021学年非毕业班集成电路设计与集成系统专业《数字逻辑电路》期末考试题及答案（试卷A ）题 号 一 二 三 四 五 总分 评卷人 分 值 20 20 10 20 30 100得 分得 分一、 选择题;（每小题2分，共20分）。

1、将幅值上、时间上离散的阶梯电平统一归并到最邻近的指定电平的过程称为（ ）。

A 、采样；B 、量化；C 、保持；D 、编码；2、8个输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是教研室主任审核(签名)： 教学主任(签名)：课程代码： 适用班级：命题教师：任课教师：院系： 专业班级： 学号： 姓名： 座位号：（ ）。

A 、2个；B 、3个；C 、4个；D 、8个；3、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（ ）。

A 、译码器；B 、全加器；C 、寄存器；D 、编码器；4、CMOS 数字集成电路与TTL 数字集成电路相比突出的优点是（ ）。

A 、微功耗；B 、高速度；C 、高抗干扰能力；D 、电源范围宽；5、指出下列各式中哪个是四变量A 、B 、C 、D 的最大项（ ）。

A 、ABC ；B 、A+B+C+D ；C 、D ABC ； D 、B AC ；6、同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ ）。

院系： 专业班级： 学号： 姓名： 座位号：A 、没有触发器；B 、没有统一的时钟脉冲控制；C 、没有稳定状态；D 、输出只与内部状态有关；7、两片74LS290芯片扩展而成的计数器，最大模数是（ ）。

A 、80；B 、20；C 、54；D 、100；8、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合S 、R 为（ ）。

A 、1==S R ； B 、10==S R 、； C 、01==S R 、；D 、==S R ；9、逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是（ ）。

A 、真值表；B 、表达式；C 、表达式；D 、卡诺图；10、将TTL 与非门作非门使用，则多余输入端应做的处理是（ ）。

2020—2021学年上学期集成电路设计与集成系统专业《电子技术基础》期末考试题试卷（试卷五）一、填空题。

1．一个理想运放应具备下列条件： ①、开坏电压放大倍数A od →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ②、输入电阻r id →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ③、输出电阻r od →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ④、共模抑制比K CMR →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

22．比例运算放大器的闭环电压放大倍数与集成运放本身的参数＿＿＿＿，与外围电阻＿＿＿＿的比值有关，这是引入＿＿＿的结果。

3．差动输入放大电路输入和输出电压关系的公式是＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

4．在同相比例运算电路当R f ＝0,R 1=∞时，这是电路称为＿＿＿＿＿＿。

5．功率放大器通常位于多级放大器的＿＿＿＿＿＿＿＿＿级，其主要任务是放大＿＿＿＿＿＿。

院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………6．双电源互补对称功放电路简称＿＿＿电路，单电源互补对称功放电路简称＿＿＿电路。

7．功放电路出现交越失真，可在两功放管之间串入＿＿＿＿，供给功放管一定的＿＿＿＿＿＿，使之在静态时处于＿＿＿＿＿状态，从而消除交越失真。

8．复合管的电流放大系数约等于两只管子电流放大系数＿＿＿＿＿＿＿。

9．复合管组合的原则是：（1）、保证参与复合的每只管子三个电极的＿＿＿＿＿＿＿按各自的正确方向流动；（2）、复合管的类型由＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿管子的类型所决定。

10．复合管的优点是＿＿＿＿＿＿＿，缺点是＿＿＿＿＿＿，使其热稳定性变差，克服这一缺点，可在第一只管子的发射极接一＿＿＿＿＿。

11． LM386有两个信号输入端，脚2为＿＿＿＿＿＿＿＿＿，脚3为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

脚1 和8之间用外接电阻、电容元件以调整电路的＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

集成电路期末考试知识点答案目录集成电路期末考试知识点答案 (1)Part I (2)Part II (5)Part III (11)Part IV (15)Part V (23)Part VI (27)Part VII (33)Part VIII (41)Part I1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？1947贝尔实验室肖克来波拉坦巴丁发明了晶体管 1956获诺贝尔奖2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？Jack kilby 德州仪器公司1958年发明 2000获诺贝尔奖3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18um 22nm5、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔18个月增加一倍7、什么是SoC？英文全拼是什么？片上系统 System On Chip8、说出Foundry、Fabless 和Chipless 的中文含义。

代工无生产线无芯片9、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆10、什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进行11、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进行12、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式？只设计电路而没有生产线13、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容？器件的SPICE参数、版图设计用的层次定义、设计规则和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等基本结构版图，与设计工具关联的设计规则检查、参数提取、版图电路图对照用的文件。

14、设计单位拿到PDK 文件后要做什么工作？利用CAD/EDA工具进行电路设计仿真等一系列操作最终生成以GDS-II格式保存的版图文件，然后发给代工单位。

集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。

（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。

11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。

12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。

13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1． 层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2．（2分）摩尔定律是指 。

3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。

4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。

5.（4分）MOSFET 可以分为 、 、 、四种基本类型。

6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。

7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ； 作为PMOS 的源极和体端， 作为NMOS 的源极和体端。

8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。

9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= V ，Y 2= V ，Y 3= V 。

10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。

二、画图题：（共12分）1．（6分）画出由静态CMOS 电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图，要求使用的MOS 管最少。

2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。

三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n 阱CMOS 的制作工艺流程，n 阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS 工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？3.简述静态CMOS 电路的优点。

4.简述动态电路的优点和存在的问题。

四、分析设计题：（共38分1.（12分）考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管，宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ，栅氧厚度为 2.6ox t nm =，室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=，阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。

集成电路基础知识单选题100道及答案解析1. 集成电路的英文缩写是（）A. ICB. CPUC. PCBD. ROM答案：A解析：集成电路的英文是Integrated Circuit，缩写为IC。

2. 以下不属于集成电路制造工艺的是（）A. 光刻B. 蚀刻C. 焊接D. 扩散答案：C解析：焊接通常不是集成电路制造的核心工艺，光刻、蚀刻和扩散是常见的制造工艺。

3. 集成电路中，负责存储数据的基本单元是（）A. 晶体管B. 电容器C. 电阻器D. 触发器答案：D解析：触发器是集成电路中用于存储数据的基本单元。

4. 以下哪种材料常用于集成电路的制造（）A. 玻璃B. 塑料C. 硅D. 铝答案：C解析：硅是集成电路制造中最常用的半导体材料。

5. 集成电路的发展遵循（）定律A. 摩尔B. 牛顿C. 爱因斯坦D. 法拉第答案：A解析：集成电路的发展遵循摩尔定律。

6. 集成电路封装的主要作用不包括（）A. 保护芯片B. 散热C. 提高性能D. 便于连接答案：C解析：封装主要是保护、散热和便于连接，一般不能直接提高芯片的性能。

7. 在数字集成电路中，逻辑门是由（）组成的A. 二极管B. 三极管C. 场效应管D. 晶闸管答案：C解析：场效应管常用于数字集成电路中构成逻辑门。

8. 以下哪种集成电路属于模拟集成电路（）A. 微处理器B. 计数器C. 放大器D. 编码器答案：C解析：放大器属于模拟集成电路，其他选项通常属于数字集成电路。

9. 集成电路的集成度是指（）A. 芯片面积B. 晶体管数量C. 工作频率D. 功耗答案：B解析：集成度通常指芯片上晶体管的数量。

10. 集成电路设计中，常用的硬件描述语言有（）A. C 语言B. Java 语言C. VerilogD. Python 语言答案：C解析：Verilog 是集成电路设计中常用的硬件描述语言。

11. 以下关于集成电路测试的说法错误的是（）A. 可以检测芯片的功能是否正常B. 可以提高芯片的可靠性C. 测试只在生产完成后进行D. 有助于筛选出不合格的芯片答案：C解析：集成电路测试在生产过程的多个阶段都可能进行，不只是在生产完成后。

《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。

如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。

实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。

该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。

在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。

如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。

实现一个方法，用于获取当前酒量。

在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。

2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。

同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。

确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。

这些约束条件将影响解决方案的设计。

分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。

这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。

制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。

这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。

评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。

这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。

2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。

在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。

根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。

集成电路期末试题及答案Michael Chen2022年1月10日第一部分：选择题1. 集成电路是指（）A. 多个电路板连接在一起B. 多个电子元件连接在一起C. 多个电气设备连接在一起D. 多个电子器件集成在一起答案：D2. 集成电路的分类依据是（）A. 外部尺寸B. 工作原理C. 制造工艺D. 功耗大小答案：C3. 集成电路的封装形式包括（）A. DIPB. SIPC. QFPD. 以上都是E. 以上都不是答案：D4. CMOS是指（）A. 生物科学中的一种病毒B. 一种通信协议C. 一种数字电路设计技术D. 一种模拟电路设计技术答案：C5. 集成电路的发展趋势是（）A. 更小封装B. 更低功耗C. 更高速度D. 以上都是答案：D第二部分：填空题1. 集成电路的最早应用是在（电子计算机）中。

2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和（蚀刻）。

3. 集成电路的数字功耗由（开关功耗）和（短路功耗）组成。

4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外，还有（BGA）。

5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器（Intel 4004）的发布。

第三部分：简答题1. 请简要解释集成电路的概念，并举例说明。

答：集成电路是将多个电子器件（如晶体管、电容器等）集成在一个芯片上的电路。

通过微影工艺在芯片上形成电路连接，实现各种电路功能。

例如，常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集成电路技术制造的。

2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。

答：薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。

它通过在芯片表面上沉积一层薄膜，为后续工艺提供基础。

常用的薄膜沉积工艺包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是通过物理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜；CVD则是通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。

薄膜沉积可以实现金属导线、绝缘层等结构的形成，为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。

北京大学信息学院考试试卷装订线内请勿答题考试科目：模拟集成电路原理与设计 考试时间：专业级班主讲教师___________姓名学号________________题号一 二 三 四 五 六 七 总分得分说明：各MOSFET均工作在饱和区，除非另做说明。

1、电路如图1所示，图中各晶体管均工作于饱和区。

使用各晶体管的g m、r o（如M1的g m、r o表示为g m1、r o1）表示电路的R out。

（10分）图1解：133o o m OUT r r g A R ⋅⋅≈而A 即为点X 到点P 的增益：15OUT m R g A ⋅=很容易求得此折叠共源共栅放大器（辅助放大器）的输出阻抗为：()()[]95771311111||||o o o m o o m OUT r r r g r r g R ⋅⋅≈最终总的输出阻抗等于：()([]{}95771311115133133||||o o o m o o m m o o m o o m OUT r r r g r r g g r r g r r g A R ⋅⋅⋅⋅=)⋅⋅=2、 计算如图2电路的增益。

（15分）图2解：此电路当中，电阻Rf 检测输出电压并向X 节点返回一个逾七成正比的电流，因此这种反馈可以看作是电压—电流型。

通过诺顿等效来代替Vin 和Rs 如下图左，并把Rs 看作是主放大器的输入电阻，断开环路如下图右，忽略沟道长度调制效应的影响，则开环增益为：()(F D m F S openINOUTOPEN O R R g R R I V R ||||,⋅⋅−==)这里S IN IN R V I ⋅=，电路的环路增益为。

且由于反馈网络仅由Rf 组成，OPEN O R Y ,21FR Y 121−=。

因此，电路的电压增益等于：()()()()F S S m F D F D m F S F IN OUT R R R g R R R R g R R R V V +⋅⋅+⋅⋅⋅−=/||1||||13、 某电路的传输函数如下式所示，其中21p p ωω<<。

集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.画小信号等效电路时，恒定电流源视为。

答案:开路2.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。

答案:增益3.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。

答案:输出摆幅4.题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：。

答案:2016年7月5.题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：。

答案:低风险6.题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

答案:187.MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。

答案:8.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。

答案:电压控制电流源9.下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。

【图片】答案:饱和区10.一个MOS管的本征增益表述错误的是。

答案:与MOS管电流无关11.工作在区的MOS管，其跨导是恒定值。

答案:饱和12.MOS管中相对最大的寄生电容是。

答案:栅极氧化层电容13.MOS管的小信号输出电阻【图片】是由MOS管的效应产生的。

答案:沟长调制14.题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。

答案:SoC15.题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。

答案:VLSI16.题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。

答案:194717.题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。

答案:195818.题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：。

答案:胡正明19.题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：。

答案:张忠谋20.题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：。

答案:基尔比21.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。

答案:夹断22.MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是。

答案:耗尽23.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。

2022集成电路系统设计基础试卷华南农业大学期末考试试卷2022学年第1学期考试类型：（开卷）考试时间：120分钟学号姓名年级专业一、选择题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）1．为了提高集成度所采取的途径不合适。

A．提高微细加工技术；B.晶圆大直径化；C.芯片面积缩小；D.简化电路结构2．发明了世界上第一块集成电路，为此他在2000年获得诺贝尔物理学奖。

A．WilliamB.ShockleyB．WalterH.BrattainC．JackKilbyD．JohnBa rdeen3．在图案发生器法中，规定版图基本图形为矩形。

每个矩形条用5个参数进行A．矩形高度HB．矩形宽度WC．矩形左下角坐标某、YD．矩形宽度W所在的直线与某轴夹角A5．下列集成电路有源器件工艺中，潜在速度最高的是：A．CMOSB．NMOSC．BiCMOSD．GaA6．在工艺的晶体结构中存在大量可高速迁移的电子即二维电子气。

A．MESFETB．HBTC．HEMTD．MOS7．硅栅工艺出现后，MOS制作工艺得到了极大的改善，其原因主要是：A．形成了自对准技术B．硅栅比铝栅成本低C．硅栅容易制作；D．器件集成度更高8．下列半导体集成电路工艺中不属于外延生长工艺的是A．P－CVD；B.MOVPE；C.MBED.LPE9．下列集成电路设计的表示方法中，不属于同类设计方法的是：A．CBIC；B.GA；C.ISPD.GS10．集成电路设计的最终输出是：A．电子产品；B.电路图；C.版图D.掩模二、填空题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）1．描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为：、芯片面积、晶片直径以及封装。

2．在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为区；一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为区。

3．摩尔定律是：4．IC设计单位不拥有生产线，称为IC制造单位致力于工艺实现，没有IC设计实体，称为6．根据不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。

集成电路基础知识试题### 集成电路基础知识试题#### 一、选择题（每题2分，共20分）1. 集成电路的英文缩写是：A. ICB. CPUC. RAMD. ROM2. 下列哪个不是集成电路的基本元件？A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 硬盘3. 集成电路的制造工艺中，光刻是用于：A. 形成电路图案B. 清洗硅片C. 检测电路D. 封装电路4. CMOS技术中，CMOS代表：A. 互补金属氧化物半导体B. 计算机操作与制造系统C. 复杂多输出系统D. 连续多输入系统5. 以下哪个是集成电路设计中的后端流程？A. 逻辑综合B. 电路仿真C. 布局与布线D. 原理图绘制#### 二、填空题（每空2分，共20分）6. 集成电路按照制造材料可以分为______和______两大类。

7. 集成电路的最小特征尺寸通常用______来表示。

8. 集成电路的功耗主要由______和______组成。

9. 在数字集成电路中，最基本的逻辑门是______、______、非门和或门。

10. 集成电路的封装类型包括DIP、BGA、______等。

#### 三、简答题（每题15分，共30分）11. 简述集成电路的发展历程及其对未来电子技术的影响。

集成电路自20世纪50年代诞生以来，经历了从小规模集成电路（SSI）到超大规模集成电路（VLSI）的快速发展。

这一过程不仅极大地推动了电子技术的革新，也为现代信息技术、通信技术、计算机技术等领域的发展奠定了基础。

集成电路的高集成度、低功耗、低成本等特点，使其成为现代电子设备不可或缺的核心组件。

未来，随着新材料、新工艺的不断涌现，集成电路将继续向着更高性能、更小尺寸的方向发展，为人类社会带来更多的便利和创新。

12. 解释什么是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，并简述其优缺点。

互补金属氧化物半导体（CMOS）技术是一种广泛应用于现代集成电路制造的工艺技术。

它利用了P型和N型MOSFET的互补特性，实现了低功耗、高集成度的电路设计。