第6章 半导体器件及其应用

其中u1、u2分别表示变压器的 原边和副边交流电压，ＲＬ为负载电阻。
RL
图1.1.9
设u2= U2 2 sinωtV，
在u2的正半周内，二极管VD正偏导通，此时有电流经过二极管流 过负载，忽略二极管上压降，负载上输出电压uO=u2，输出波形与 u2相同。
在u2负半周内，二极管VＤ承受反向电压，此时二极管截止， 负载 上无电流流过，输出电压uO=0，此时u2电压全部加在二极管VＤ上。
反向饱和电流
硅管的反向饱和电流为1微安以下
锗管的反向饱和电流为几十到几百微安
反向击穿电压。
－U(BR)
－ 30 IR
发生反向击穿后，
C
造成二极管的永久性损坏，
C′
iV / m A 锗
15 B′
B
10
5
O A′
A
0.2 0.4 0.6 0.8
－5
硅
uV / V
失去单向导电性。
(A)
D D′
1.2.3 温度对二极管特性的影响
当ui>Us1时，VD1处于正向偏置而导通，使输出电压保持在Us1。。
当ui<-Us2时， VD2处于正向偏置而导通，输出电压保持在-Us2。由于输出电压uo被 限制在+Us1与-Us2之间，即|uo|≤5V, 好像将输入信号的高峰和低谷部分削掉一样, 因 此这种电路又称为削波电路。 输入、 输出波形如图1.1.6(b)所示。
五、用汉语拼音字母表示规格号，反映了管子承受反向击穿电压的程 度。如A、B、D….其中A承受反向击穿电压最低,B次之….
例 1.1在图1.1.6中，已知稳压二极管的UVDZ=6.3V, 当 UI=±20V，R=1kΩ时，求UO。已知稳压二极管的正向导通 压降UF=0.7 V。

（a）
图6-8
（b）
3．快闪存储器(Flash Memory)
而且浮置栅一源区间的电容要比浮置栅一控制栅间的电容小得多 。 当控制栅和源极间加上电压时,大部分电压都将降在浮置栅与源极 之间的电容上。 快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的，如图6-8(b)所 示。
（a）
图6-8
（b）
半导体存储器的技术指标
存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值 信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的 位数称做字长。
例如，16位构成一个字，那么该字的字长为16位。一个存储 单元只能存放一个一位二值代码，即只能存一个0或者一个1。 这样，要存储字长为16的一个字，就需要16个存储单元。若 存储器能够存储1024个字，就得有1024×16个存储单元。 通常，用存储器的存储单元个数表示存储器的存储容量，即 存储容量表示存储器存放二进制信息的多少。存储容量应表 示为字数乘以位数。 例如，某存储器能存储1024个字 ，每个字4位，那它的存储容 量就为1024×4=4096，即该存储器有4096个存储单元。 存储器写入（存）或者读出（取）时，每次只能写入或读出 一个字。若字长为8位，每次必须选中8个存储单元。 选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址 码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。 如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。
[例6-1]
[例6-1]
根据表6-2可以写出Y的表达式： Y7=∑（12，13，14，15） Y6=∑（8，9，10，11，14，15） Y5=∑（6，7，10，11，13，15） Y4=∑（4，5，7，9，11，12） Y3=∑（3，5，11，13） Y2=∑（2，6，10，14） Y1=0 Y0=∑（1，3，5，7，9，11，13，15 ） 根据上述表达式可画出ROM存储点阵如图6-9所示。

5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
1.单相整流电路 （2）单相桥式整流电路 单相桥式整流电路如图5-8 a）所示，四只整流二极管D1- D4 接成电桥的形式，所以此电路被称为桥式整流电路。图5-8 b） 是其简化画法。
T
a D4
iD1,3
io
D1
u1
u2
RL
uo
v2
D3
D2
b
iD2,4
RL
vo
图5-8 单相桥式整流电路图
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半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
（2）选择滤波电容C
取
RLC
5
T 2
，而
T 1 1 0.02S，
f 50
所以
C 1 5 T 1 5 0.02 417μ F
RL
2 120
2
可以选用C = 500μF，耐压值为50V的电解电容器。
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5.1 二极管及其应用
5.1.1二极管类型及电路符号 1.二极管类型 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种； 按结构来分，有点接触型、面接触型和硅平面型等几种； 按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多
种。
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5.1 二极管及其应用
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5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
2.滤波电路 （2）电感滤波电路 在桥式整流电路和负载电阻间串入一个电感器L，如图5-12所
示。利用电感的储能作用可以减小输出电压的纹波，从而得到 比较平滑的直流。
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半导体器件的工作原理和应用场景半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、医疗、军事、工业等领域。

它通过控制电子的流动来实现各种功能，是现代电子设备的核心元器件。

本文将对半导体器件的工作原理和应用场景进行详细介绍。

一、半导体器件的工作原理半导体器件是一种能够控制电流的元器件，其工作原理基于半导体材料的电学性质。

半导体材料是指在温度较低时导电能力比金属差，而又比绝缘材料好的一类物质。

常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)等。

半导体器件的工作基础是PN结。

PN结的制备是将半导体材料中掺杂不同种类的杂质，形成N型和P型两个区域。

N型区域中的杂质能提供自由电子，P型区域中的杂质能提供空穴。

两个区域接触的位置就形成了PN结。

PN结具有电子流从P区到N区时好，从N区到P区时难的特性。

当PN结接受到一个正向电压时，电子就流向P区，空穴流向N区，导通状态就建立了；当PN结接受到一个反向电压时，电子则被挤向N区，空穴被挤向P区，此时就会出现堵塞状态。

常见的半导体器件有二极管、晶体管和集成电路等。

二极管是由PN结组成，具有单向导电性；晶体管可以通过控制一个电极上的电流，从而使另外一个电极的电流变化；集成电路则是在单个芯片上集成了多个器件的电路，实现各种功能。

二、半导体器件的应用场景1.计算机领域半导体器件在计算机领域功不可没。

计算机的中央处理器芯片大多采用集成电路，由上千万甚至上亿个晶体管组成。

晶体管的主要作用是控制电流的流动，实现逻辑运算、计算、存储等功能。

同时，半导体随机存储器芯片（SRAM）和动态随机存储器芯片（DRAM）等也是计算机不可或缺的组件。

2.通信领域随着移动通信技术的飞速发展，半导体器件在通信领域的应用也越来越广泛。

无线电频率控制器（RFIC）是一种集成了各种放大器、滤波器和信号处理器的半导体器件，用于通过无线电信号进行通讯。

智能手机、移动电视等器件都离不开RFIC的支持。

3.医疗领域半导体器件在医疗领域的应用也越来越广泛。