二极管、三极管部分----习题

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术领域，模拟电子技术是一门至关重要的基础学科。

对于学习者来说，通过做习题来巩固知识、加深理解是必不可少的环节。

《模拟电子技术第五版》中的基础习题涵盖了丰富的知识点，能够有效地检验我们对这门学科的掌握程度。

接下来，让我们一起探讨其中的一些典型习题及其解答方法。

我们先来看一道关于二极管的习题。

题目是这样的：已知一个二极管在电路中的工作电流为 10 mA，其导通压降为 07 V，求该二极管在电路中消耗的功率。

解答这道题，我们首先要明确功率的计算公式，即功率等于电压乘以电流。

在这个例子中，电压就是二极管的导通压降 07 V，电流为 10 mA（换算为 001 A）。

那么，二极管消耗的功率 P ＝ 07 V × 001 A ＝0007 W ＝ 7 mW。

再来看一道三极管的习题。

假设一个三极管的放大倍数为 50，基极电流为20 μA，求集电极电流的值。

对于三极管，集电极电流等于放大倍数乘以基极电流。

所以，集电极电流＝50 × 20 μA ＝1000 μA ＝ 1 mA。

下面这道题涉及到放大器的分析。

一个共射极放大器，输入电阻为1 kΩ，输出电阻为5 kΩ，电压放大倍数为－100。

若输入电压为 1 mV，求输出电压。

首先，根据电压放大倍数的定义，输出电压等于电压放大倍数乘以输入电压。

所以，输出电压＝－100 × 1 mV ＝－100 mV。

接下来是一道关于反馈电路的习题。

在一个反馈电路中，反馈系数为 01，输入信号为 5 V，求反馈信号的大小。

反馈信号等于反馈系数乘以输入信号，即 01 × 5 V ＝ 05 V。

在模拟电子技术中，运算放大器的相关习题也非常常见。

比如这样一道题：一个理想运算放大器组成的反相比例放大器，反馈电阻为 10kΩ，输入电阻为1 kΩ，输入电压为 2 V，求输出电压。

根据反相比例放大器的公式，输出电压等于（反馈电阻/输入电阻）×输入电压。

一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。

2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。

3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。

4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。

5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。

6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。

7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。

8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。

9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。

1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。

2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。

3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。

4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。

当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。

5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。

6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。

2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。

3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。

电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U 0电压为（ ）。

（a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。

（a ）D 1导通，D 2、D 3截止 （b ）D 1、D 2截止，D 3导通 （c ）D 1、D 3截止，D 2导通题1.1图 题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2的工作状态为（ ）。

（a ）D 1导通，D 2、截止 （b ）D 1、D 2均导通 （c ）D 1、截止，D 2导通题1.3图 题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D 1、D 2为理想元件，则电压U 0为（ ）。

（a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题1.5图（a ）所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为图（b ）所示的三角波，则输出电压u 0 的最大值为（ ）。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V（a ）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A =3v,u B =2sinωtV,R=4KΩ,则u F 等于( ).（a ）3V （b ）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图 题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U 0为（ ）。

（a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D 为理想元件，设u 1=2sinωtV,稳压二极管D Z 的稳定电压为6V ，正向压降不计，则输出电压u 0的波形为图（2）中的波形（ ）。

(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。

18V（a）12V （b）6V （c）10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。

半导体二极管及三极管1.1判断题（1）二极管的内部结构实质就是一个PN结。

（（1）√）（2）NPN型和PNP型晶体管的区别是不但其结构不同，而且它们的工作原理也不同。

（（2）X）（3）晶体管具有放大作用。

（（3）X）（4）选用晶体管时，β越高越好。

（（4）？）（5）发射结处于正向偏置的三极管，一定工作在放大状态。

（（5）X）（6）晶体三极管的输入电阻比场效应管的大。

（（6）X）（7）场效应管是一种电流控制的放大器件，其工作原理与三极管相同。

（（7）X）（8）用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。

（（8）√）1.2选择题（1）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（（1）b）。

（a）温度（b）杂质浓度（c）电子空穴对数目（2）当PN结外加正向电压时，扩散电流（（2）a、b）漂移电流；当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

（a）大于（b）小于（c）等于（3）光敏二极管应在（（3）b）下工作。

（a）正向电压（b）反向电压（c）死区电压（4）二极管的正极电位为-5V，负极电位为-4.3V，则二极管处于（（4）a）状态。

（a）反偏（b）正偏（c）零偏（5）稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（（5）c）状态。

（a）正向导通（b）反向截止（c）反向击穿（6）晶体管工作在放大区时，具有以下哪个特点（（6）b）。

（a）发射结反向偏置（b）集电结反向偏置（c）晶体管具有开关作用（7）当三极管的两个PN结都有反偏电压时，则三极管处于（（7）a、b），当三极管的两个PN结都有正偏电压时，则三极管处于（）。

（a）截止状态（b）饱和状态（c）放大状态（8）用数字万用表Rx1k的电阻挡测量一只能正常放大的三极管，用黑表笔接触一只管脚，红表笔分别接触另两只管脚时测得的电阻值都较小，该三极管是（（8）a）。

（a）PNP型（b）NPN型（c）无法确定1. 11. 22.1判断题1、放大电路的电压放大倍数和电流放大倍数一定都大于1（ x）2、由于放大的是变化值，所以输入直流信号时，任何放大电路的输出都没有变化（ x）3、放大倍数也可以定义为输出量瞬时值和输入量的瞬时值之比（x ）4、在直流通路中，只考虑（1）直流输入信号的作用（ x）（2）直流电源的作用（√）5、电路中交流成分是由交流信号所提供的（ x）2.2填空或选择填空1、一个处于放大状态的电路，当输入电压是10mv时，输出电压为7v；输入电压为15mv时，输出电压为6.5v，电压放大倍数为-1002、阻容耦合放大电路能放大 2 ，（○1直流信号；○2交流信号；○3交直流信号）3、因阻容耦合电路 1 ，（○1各级Q点相互独立；○2Q点互相影响；○3各级Au互相影响）所以这类电路 1 （○1输出级工作点稳定性只受到本级的影响；○2不能放大直流信号；○3放大倍数不稳定）4、用示波器观察NPN管共射单级放大器输出电压得到题图2.1所示三种削波失真的波形，请分别写出失真的波形，请分别写出失真的类型，其中图（a）为截止，图（b）为饱和，图（c）为输入信号过大uot题图2.15、题图2.2所示是一个共射单级放大器的输出电压波形，假定晶体管是NPN型，则该信号的削波属于截止失真，偏流电阻Rb应调小可以消除失真。

一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。

若把电源电压调到V1=10V ，则电流的大小将是___。

A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C 时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时， 则Vd 的大小将是___。

A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A 、B 、C 白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。

A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。

当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时，用黑表笔（带正电）接A 点，红表笔（带负电接B 点），则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中，分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好？A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。

A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。

2.在图1.1.9所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。

3.在图1.1.10所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。

4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。

5.如图1.1.8所示。

试估算A 点的电位为__。

第一章二极管及其应用（1）第一章二极管及其应用（2）1、填空：（每空1分40分）（1）、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。

《电工电子学》期末复习题（下篇）本复习题使用说明：复习题内容是按照知识点编写的非按章节编写请同学们阅读时注意！第Ⅱ大部分：下篇一、客观题（选择题）单项选择题部分：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内（一）、二极管三极管1、17、电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中（）。

(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用(c)D 1、D 2均起箝位作用(d)D 1、D 2均起隔离作用2、45、电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝（）。

(a)0V(b)－6V(c)－18V3、51、电路如图所示，二极管D 1，D 2均为理想元件，则电压u AO =（）。

(a)12V(b)0V(c)－15V4、33、电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压u O等于（）。

(a)0V(b)6V (c)3V5、35、电路如图所示，D 为理想二极管，u i =6sin ωt V ，则输出电压的最大值u OM =（）。

(a)6V(b)3V(c)3V6、37、电路如图所示，二极管D 为理想元件，当输入信号u i =12sin ωt V 时，输出电压的最大值为（）。

(a)12V(b)-6V(c)0V(d)6V7、49、电路如图所示，D 1，D 2均为理想二极管，当输入电压u i >6V 时，则u O =（）。

(a)6V(b)3V(c)u i8、53、电路如图所示，D 1，D 2均为理想二极管，设U 1=10V ，u i =40sin ωt V,则输出电压u O 应为()。

(a)最大值为40V ，最小值为0V (b)最大值为40V ，最小值为+10V (c)最大值为10V ，最小值为－40V (d)最大值为10V ，最小值为0V9、55、电路如图所示，若忽略二极管D 的正向压降和正向电阻，则输出电压u O 为（）。

页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。

3VB、0.5VC、1V D、0。

7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。

3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。

87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。

5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

第2章 习题答案2-1 二极管、三极管用于数字电路中与用于模拟电路有什么不同？答：二极管和三极管在数字电路中主要用作开关，工作于大信号状态，即二极管工作在正向导通和反向截止两个状态，三极管工作在饱和于截止两个状态； 模拟电路中二极管一般工作在小信号状态或反向击穿状态，三极管一般工作在放大状态。

2-2 有两个二极管A 和B ，在相同条件下测得A 管的I F ＝10mA ，I R ＝2mA ；B 管的I F＝30mA ，I R ＝0.5μA ；比较而言，哪个性能更好？答：B 管更好，因为其反向漏电流较小而正向允许电流大。

2-3 三极管工作在截止、饱和、放大状态的外部条件各是什么？答：截止时，使发射结反偏即v BE ≤0；饱和时，使基极电流等于或大于基极饱和电流，即i B ≥I BS =V CC /βR C ；放大时，使发射结正偏，而i B <I BS =V CC /βR C 。

2-4 MOS 管工作在截止、恒流、可变电阻区的外部条件各是什么？ 答：对于常用的增强型NMOS 管，截止时，使栅源电压小于开启电压V T 即v GS >V GS(th)N ；工作于恒流区时，使v DS >v GS - V GS(th)N ；工作于可变电阻区时，使v DS <v GS - V GS(th)N2-5 二极管电路如图P2-5所示。

v I ＝5sin ωt （V ），假设二极管是理想二极管，试画出输出 v O 的波形。

若考虑二极管的导通压降V D ＝0.7V ，画出输出v O 的波形。

解：输出波形如图解P2-5所示。

(a)为输入波形， D 为理想二极管时输出波形为(b)， 考虑D 导通压降为0.7伏时输出波形为(c)。

2-6 二极管开关电路如图P2-6所示。

二极管导通电压为0.7V ，试分析输入端A 、B 分别为0V 和5V 时管子的工作状态，输出电压v O ＝？解：v A =5V ，v B =0V 时，D 2、D 1均导通 v O =–0.7V ； v A =5V ，v B =5V 时， D 2、D 1均导通 v O =4.3V ； v A =0V ，v B =5V 时，D 1 导通、D 2截止 v O =4.3V ； v A =5V, v B =0V 时, D 1截止、D 2导通 v O =4.3V 。

基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。

2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为（）A、0.3VB、0.5VC、1VD、0.7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（）-5.3V -6V -6V -5.3V0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2 C、1.2 U2 D、22U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60VC、72VD、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( )A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时，（1）判断二极管通断情况( )A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为( )A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(2)若电容C脱焊,则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(3)若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则( )A．VO将升高B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

（）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（）4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

解：
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。

三极管复习题及答案1. 三极管的基本结构包括哪三个部分？答：三极管的基本结构包括发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

2. 描述NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理。

答：NPN型三极管在基极施加正向电压时，发射极的电子被吸引到基极，进而到达集电极形成电流。

PNP型三极管则相反，基极施加负向电压时，集电极的空穴被吸引到基极，进而到达发射极形成电流。

3. 三极管的放大作用是如何实现的？答：三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大。

基极电流的微小变化可以导致集电极电流的较大变化，从而实现信号的放大。

4. 什么是三极管的截止状态？答：三极管的截止状态是指基极没有电流流过，导致集电极和发射极之间没有电流流过的状态。

5. 三极管的饱和状态是什么？答：三极管的饱和状态是指基极电流足够大，使得集电极和发射极之间的电压接近于零，集电极电流达到最大值的状态。

6. 三极管的放大区是如何定义的？答：三极管的放大区是指基极电流在一定范围内变化，集电极电流随之成比例变化的区域，此时三极管能够实现信号的放大。

7. 三极管的主要参数有哪些？答：三极管的主要参数包括最大集电极电流（Ic_max）、最大耗散功率（P_max）、集电极-发射极击穿电压（BVceo）等。

8. 如何判断三极管的极性？答：可以通过使用万用表的二极管测试功能，测量三极管的基极与发射极、集电极之间的正向导通电压来判断三极管的极性。

对于NPN型三极管，基极与发射极之间的正向导通电压较低，而PNP型三极管则相反。

9. 三极管的开关作用是如何实现的？答：三极管的开关作用是通过控制基极电流来实现的。

当基极电流足够大时，三极管导通，集电极和发射极之间电流流通；当基极电流为零时，三极管截止，集电极和发射极之间电流被切断。

10. 三极管在电路中的主要应用有哪些？答：三极管在电路中的主要应用包括放大器、开关、振荡器、调制器等。

第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。

A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。

A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。

A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。

A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。