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第05章 存储器及其与CPU接口0

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微型计算机原理及其应用第五章存储器及其接口

微型计算机原理及其应用第五章存储器及其接口
半导体存储器
RAM
ROM
SRAM
DRAM
掩膜ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Flash ROM
*
只读存储器(Read Only Memory,ROM)：内容只可读出不可写入，最大优点是所存信息可长期保存，断电时，ROM中的信息不会消失。主要用于存放固定的程序和数据，通常用它存放引导装入程序。
在出厂前由芯片厂家将程序写到rom里，以后永远不能修改。 如图是一个简单的4×4位的MOS ROM存储阵列，两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS管就导通，输出低电平，表示逻辑“0”；否则（如位线2和位线3）输出高电平，表示逻辑“1”。(0110、0101、1010、0000)
概述 只读存储器ROM 随机存储器RAM 存储器芯片的扩展及其与系统总线的连接 典型的半导体芯片举例
*
第五章：存储器及其接口——存储器芯片的扩展与连接
*
存储器的系统结构 一般情况下，一个存储器系统由以下几部分组成。 基本存储单元：一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元，决定了由其所组成的存储器件的类型不同。 存储体：一个基本存储单元只能保存一位二进制信息，若要存放M×N个二进制信息，就需要用M×N个基本存储单元，它们按一定的规则排列起来，由这些基本存储单元所构成的阵列称为存储体或存储矩阵。 地址译码器：由于存储器系统是由许多存储单元构成的，每个存储单元一般存放8位二进制信息，为了加以区分，我们必须首先为这些存储单元编号，即分配给这些存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与此地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读/写操作。存储器地址译码有两种方式，通常称为单译码与双译码。 单译码：单译码方式又称字结构，适用于小容量存储器。 双译码：双译码结构中，将地址译码器分成两部分，即行译码器(又叫X译码器)和列译码器(又叫Y译码器)。X译码器输出行地址选择信号，Y译码器输出列地址选择信号，行列选择线交叉处即为所选中的单元。

05存储器及其与CPU的接口

05存储器及其与CPU的接口
第五章 存储器及其与CPU的接口
۞教学内容 5.1 存储器的基本概念 5.2 只读存储器与随机读写存储器 5.3 存储器与CPU接口的基本技术
5.1 存储系统的基本概念
一、存储系统的基本参数 微机存储系统有三个基本参数：容量、速度、成本 容量：以字节数表示 速度：以访问时间TA、存储周期TM或带宽BM表 TA——从接收读申请到读出信息到存储器输出端的时

掩摸ROM
生产厂家根据用户需要在ROM的制作阶段，通过“掩膜”工 序将信息做到芯片里，适合于批量生产和使用。 掩膜ROM制成后，用户不能修改。
只读存储器（ROM）

可擦可编程ROM（EPROM）
基本存储单元电路 – 核心部件是FAMOS场效应管（Floationg grid Avalanche injection MOS） S D
TA2 TA1
1 则 e r (1 r ) H
TA1 e TA
存储系统的基本概念
三、存储器访问的局部性原理
1 追求 e r (1 r ) H
1.0 r=1
1
r=2
e r=10
r=100
0 H 1.0
5.2 存储器分类
一、半导体存储器的分类 按制造工艺分类
①双极型
双极型由TTL晶体管逻辑电路构成，在微机系统中常用作高速缓存器 （Cache）。 特点：工作速度快，与CPU处在同一量级；集成度较低、功耗大、价格偏 高。
②金属氧化物半导体型
金属氧化物半导体型又称MOS型，在微机系统中主要用来构造内存。根据 制造工艺，可分为NMOS、HMOS、CMOS、CHMOS等，可用来制作 多种半导体存储器件，如静态RAM、动态RAM、EPROM等。
特点是集成度高、功耗低、价格便宜，但速度较双极型器件慢。

微机原理第五章 存储器

微机原理第五章 存储器
eg：要将6116SRAM放在8088CPU最低地址区域
（00000H~007FFH）
A11
CPU
A19
…
A0~A10
6116 CS
2）部分译码法 系统总线中的地址总线除片内地址外，部分高位地址（不是
全部高位地址）接到片外译码电路中参加译码，形成片选信号。 因此对应于存储芯片中的单元可有多个地址 。
（二）内存与CPU连接时的速度匹配
对CPU来说，读/写存储器的操作都有固定的时序（对8086 来说需要4个时钟周期），由此也就决定了对内存的存取速 度要求。
（三）内存容量的配置、地址分配 1. 内存容量配置
• CPU寻址能力（地址总线的条数） 软件的大小（对于通用计算机，这项不作为主要因素）
2. 区域的分配 RAM ROM 3. 数据组织 （按字节组织） 16位数据，低位字节在前，高位字节在后，存储器奇偶分体 （四）存储器芯片选择 根据微机系统对主存储器的容量和速度以及所存放程序的不同等 方面的要求来确定存储器芯片。它包括芯片型号和容量的选择。
24V
S
SiO2 G
D
字线
Vcc 位 线 输 出
P+ + + P+ N衬底
浮栅MOS
位
D
线
浮栅管
S
特点： 1）只读， 失电后信息不丢失 2）紫外线光照后，可擦除信息， 3）信息擦除可重新灌入新的信息（程序） 典型芯片（27XX） 2716（2K×8位），2764（8K ×8位）……
D0 D8
CE
址
线
存储体
启动
控制逻辑 控制线
读 写
数 据 CPU
电寄
路存
器数

05第五章-存储器和并口扩展解析

05第五章-存储器和并口扩展解析
• 但是电容中存储的电荷由于漏电会渐渐 丧失，即存储的信息会丧失。因此，它 需要定时刷新，把握较简洁，适合于大 存储容量的微型计算机。
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• 静态RAM(static RAM )。它的存储电路以双 稳态触发器为根底，状态稳定，可以静态工 作，只要不掉电，信息就不会丧失。因此， 它不需要定时刷新;
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• 常用芯片
• SRAM 6116 • 6116是一种典
型的CMOS型 SRAM，其容 量为2KB。 • 6116的构造分 为存储矩阵、 地址译码和读/ 写把握三局部。
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• 存储矩阵
• 6116芯片的容量为 2Kx8位，即它有 2048个存储单元， 每个存储单元字长为 8位，故6116芯片内 有16384个根本存储 电路。
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• 6264
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• 62256
5.1.1 存储器分类、常用存储芯片及其选择
• EPROM 2716 • 2716是典型的NMOS型2KB的EPROM； • 其内部构造同样分为存储矩阵、地址译码和
读/写把握三局部； • 其工作方式与 • SRAM6116特殊 • 类似，只是工作 • 状态较简洁。
为了将它们分别出来，需要外加地址锁 存器，从而构成与一般CPU相类似的片外三 总线，见图5-5。
图 5.5
地址锁存器一般承受74LS373，承受74LS373 的地址总线的扩展电路如以以以下图。
5－3
1、以P0口作为低8位地址/数据总线。 2、以P2口的口线作高位地址线。 3、把握信号线。

微机原理和接口技术(第三版)课本习题答案解析

微机原理和接口技术(第三版)课本习题答案解析

第二章 8086 体系结构与80x86CPU1．8086CPU 由哪两部份构成？它们的主要功能是什么？答：8086CPU 由两部份组成：指令执行部件<EU,Execution Unit>和总线接口部件<BIU,Bus Interface Unit>。

指令执行部件〔EU 主要由算术逻辑运算单元<ALU>、标志寄存器F R、通用寄存器组和E U 控制器等4个部件组成,其主要功能是执行指令。

总线接口部件<BIU>主要由地址加法器、专用寄存器组、指令队列和总线控制电路等4个部件组成,其主要功能是形成访问存储器的物理地址、访问存储器并取指令暂存到指令队列中等待执行,访问存储器或者I／O 端口读取操作数参加E U 运算或者存放运算结果等。

2．8086CPU 预取指令队列有什么好处？ 8086CPU 内部的并行操作体现在哪里？答： 8086CPU 的预取指令队列由6个字节组成,按照8086CPU 的设计要求, 指令执行部件〔EU 在执行指令时,不是直接通过访问存储器取指令,而是从指令队列中取得指令代码,并分析执行它。

从速度上看,该指令队列是在C PU 内部,EU 从指令队列中获得指令的速度会远远超过直接从内存中读取指令。

8086CPU 内部的并行操作体现在指令执行的同时,待执行的指令也同时从内存中读取,并送到指令队列。

5．简述8086 系统中物理地址的形成过程。

8086 系统中的物理地址最多有多少个？逻辑地址呢？答： 8086 系统中的物理地址是由20 根地址总线形成的。

8086 系统采用分段并附以地址偏移量办法形成20 位的物理地址。

采用分段结构的存储器中,任何一个逻辑地址都由段基址和偏移地址两部份构成,都是16 位二进制数。

通过一个20 位的地址加法器将这两个地址相加形成物理地址。

具体做法是16 位的段基址左移4位<相当于在段基址最低位后添4个"0">,然后与偏移地址相加获得物理地址。

存储器及其接口

存储器及其接口

0
1
1
1
1
0
F0000～F7FFFH
0
1
1
1
1
1
F8000～FFFFFH
ROM子系统中译码器管理的存储器地址
存储器地址区域
3.RAM子系统
系统板上RAM子系统为256KB，每64KB为一组，采用9片4164 DRAM芯片，8片构成64KB，另一片用于奇偶校验
CPU
数据总线
地址总线
寻址范围
T2为一列基本存储单元电路上共有的控制管。
CD
T1
字选择线
刷 新 放大器
位选择线
T2
单管动态RAM存储电路
数据线（D）
DRAM的基本存储电路
NC
D
IN
WE
RAS
A
0
A2
A1
GND
—
—
—
—
—
—
—
—
V
CC
CAS
D
OUT
A6
A3
A4
A5
A7
—
—
—
—
—
—
4.电可擦可编程的ROM
5.闪速存储器（Flash Memory）
01
闪存也称快擦写存储器，有人也简称之Flash。 Flash Memory属于EERPOM类型 ,有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，而且可以选择删除芯片的一部分内容，但还不能进行字节级别的删除操作。
单击此处添加小标题
02
单击此处添加小标题
8088
8位
20位
1MB
8086
8位
20位
1MB
80286

《存储器及其接口 》课件

存储容量的计算公式为：存储容量 = 存储单元数 × 每个存储单元的位数。
数据传输速率
定义与单位
数据传输速率是指存储器在单位时间内可以传输的数据量，通常以MB/s 或GB/s为单位。
数据传输速率的计算公式为：数据传输速率 = 数据总线宽度 × 数据总线 频率。
存取时间
01
定义与分类
02
存取时间是指存储器从接收到读/写命令到完成数据传输所 需的时间，通常以ns（纳秒）为单位。
CHAPTER 03
存储器接口
IDE接口
总结词
IDE接口是一种并行接口标准，主要用于连接硬盘驱动器和计 算机主板。
详细描述
IDE接口采用40根或80根的扁平电缆连接硬盘和主板，传输 速率较慢，但兼容性好，广泛应用于个人电脑中。
SATA接口
总结词
SATA接口是一种串行接口标准，相比IDE接口，它具有更高的传输速率和更小的 线缆尺寸。
详细描述
SATA接口采用较细的线缆连接硬盘和主板，支持热插拔和本机命令队列等功能 ，广泛应用于现代个人电脑和企业服务器中。
SCSI接口
总结词
SCSI接口是一种并行接口标准，主要 用于连接高端存储设备和计算机主板 。
详细描述
SCSI接口具有高带宽和高速传输的特 点，但线缆长度较短，且连接设备数 量有限，常用于服务器和工作站等高 端应用场景。
存储器市场主要厂商
存储器市场应用领域
智能手机、平板电脑、笔记本电脑、 服务器等是存储器市场的主要应用领 域。
三星、SK海力士、美光、铠侠等是全 球存储器市场的主要供应商。
存储器技术发展趋势
1 2
存储器技术进步
随着制程工艺的不断进步，存储器的容量和速度 不断提升。

存储器及其与CPU的接口课件


•存储器及其与CPU的接口
•17
• 2764工作方式：
• 读方式：这是EPROM的主要工作方式。此时， VCC=VPP，CE=0，OE=0。数据线为输出。
• 维持方式（未选中）：此时，CE=1，VCC=VPP，OE任 意，EPROM数据线为高阻态。
• 编程方式（写入方式）：VPP加规定电压，CE=OE=1， EPROM数据线为输入。
• 由于存储单元的熔丝一旦被烧断就不能恢复，因此 PROM存储的信息只能写入一次，不能擦除和改写。
•存储器及其与CPU的接口
•4
• ③ EPROM
• EPROM是一种紫外线可擦除可编程ROM。
• 写入信息是在专用编程器上实现的，具有能多次改写的 功能。
• EPROM芯片的上方有一个石英玻璃窗口，当需要改写时， 将它放在紫外线灯光下照射约15～20分钟便可擦除信息， 使所有的擦除单元恢复到初始状态“1”，又可以编程写 入新的内容。
• 其特点是集成度高，功耗低，价格便宜，但由于电容存 在漏电现象，电容电荷会因为漏电而逐渐丢失，因此必 须定时对DRAM进行充电（称为刷新）。
•存储器及其与CPU的接口
•9
• ③ NVRAM
• NVRAM是一种非易失性随机存储器。
• 它的存储电路由SRAM和EEPROM共同构成，在正常运 行时和SRAM的功能相同，既可以随时写入，又可以随 时读出。但在掉电或电源发生故障的瞬间，它可以立即 把SRAM中的信息保存到EEPROM中，使信息得到自动 保护。
A2
A2
A2
A2 8
A1
A1
A1
A1
A1 9
A0
A0
A0
A0
A0 10
D0

微机原理和接口技术-5-2 存储系统

0110000000000000 1111111111111111
20
Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
例3 （1）解：如果ROM和RAM存储器芯片都采用 8K×1的芯片，试画出存储器与CPU的连接图。
MREQ# A15-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
例2解
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
MREQ# A20-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
A20-18
000
3-8译码器
001
010
A17-0
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
D7~D0
D7~D0
D7~D0
…
111
WE A CS
如果采用的字节编址方式，则需要20条地址线，因为220=1024K byte。
注：字编址方式时，每个32位字地址能够访问4个字节； 如果按照字节编址方式，则每个地址只对应一个字节， 因此所需的地址数是前者的4倍， 218* 4=220 ，即需要20条地址线）
13
Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
解：256K*8位SRAM芯片包含18根地址线 (1) 该存储器需要2048K/256K = 8片SRAM芯片； (2) 需要21条地址线， 因为221=2048K， 其中高3位经过译码器输出后用于芯片选择， 低18位作为每个存储器芯片的地址输入。 (3) 该存储器与CPU连接的结构图如下。

微机原理与接口存储器IO接口课件


半导体
存储器 按 （按读 存 写功能
读写 存储器
RAM
双极型：存取速度快，但集成度低，一般用于大
型计算机或高速微机中；
静态 MOS型 SRAM
Multi-SRAM NV-SRAM FIFO Cache
速度较快，集成 度较低，一般用 于对速度要求高、 而容量不大的场 合。
动态DRAM： 集成度高但存取速度较低 一般用于需要较大容量的场合。
存储器作为计算机系统的重要组成部分，随着更好的存
储载体材料的发现及生产工艺的不断改进，争取更大的存储 容量、获得更快的存取速度、减小存储器载体的体积以及降 低单位存储容量性价比等方面都获得快速的发展。
5.1 存储器分类及性能指标
5.1.1 半导体存储器的分类
简单的二级结构
主存
一般为半导体存 储器，也称为短 期存储器。解决 读写速度问题。
程存储器。EPROM可由用户自行写入程序，写入后的内容 可用紫外线灯照射来擦除，然后可重新写入内容。EPROM 可多次改写。
✓E2PROM（Electrically Erasable Programmable ROM ）：
电可擦除可编程ROM。可用电信号进行清除和重写的存储器。 E2PROM使用方便，但存取速度较慢，价格较贵。
1 X X X Vcc Vcc 高阻
1 X X X Vpp Vcc 高阻
0
1
0
X Vpp Vcc DIN
0
1
0
X Vpp Vcc DIN
0
0
1
X Vpp Vcc DOUT
0 0 1 1 Vcc Vcc 编码
5.4 存储器与CPU接口的基本技术
5.4.1 接口连接应注意的主要问题 一、CPU总线的负载能力
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CELL
X1
D D
D
CELL
D D
D
CELL
X15
…
D
…
D
… … … …
D D
D
CELL
…
D
CELL
CELL
CELL
D
D
X0
D
D
D
D
WE CE
OE
≥
…
D0 D1
≥
…
D7
二、SRAM的结构及组成
• • • • • 1、单译码结构 2、双译码结构 3、 CE 作用 4、优点：不用刷新，速度快 缺点：功耗大，集成度低
Intel 2817的工作方式
︰
6、Flash易失性半导体 存储器，它以性能好、功耗低、体积小、重量轻等特点活跃于便携 机存储器市场。 快擦型存储器具有EEPROM的特点，可在计算机内进行擦除 和编程，它的读取时间与DRAM相似，而写时间与磁盘驱动器相当 快擦型存储器有5V或12V两种供电方式。对于便携机来讲，用5V电 源更为合适。快擦型存储器操作简便，编程、擦除、校验等工作均 已编成程序，可由配有快擦型存储器系统的中央处理机予以控制。 快擦型存储器可替代EEPROM，在某些应用场合还可取代 SRAM，尤其是对于需要配备电池后援的SRAM系统，使用快擦型 存储器后可省去电池。快擦型存储器的非易失性和快速读取的特点 能满足固态盘驱动器的要求，同时，可替代便携机中的ROM，以 便随时写入最新版本的操作系统。快擦型存储器还可应用于激光打 印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。
（二）MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态（Static） RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM （有时用DRAM表示）两种。 1、静态RAM的特点 ① 6管构成的触发器作为基本存储电路。 ② 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路。 ④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 ⑤ 易于用电池作为后备电源(RAM的一个重大问题是 当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个 问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个 用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息)。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。
静态RAM（SRAM）
动态RAM（DRAM）
随机存取存储器 （RAM） 半导体 存储器 非易失RAM（NVRAM） PSRAM MPRAM FPRAM
掩膜式ROM
只读存储器 （ROM） 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） OTPROM 电擦除可编程ROM（EEPROM）
VDD 字线 0 字线 1
字线 2
字线 3
位线 1 位线 2 位线 3 位线 4 字线 4 D3 D2 D1 D0
•
A0 A1 A2 A3 A4 1 X 地 址 译 码 器
• • • • • • •
• • •
•
2
32
• •
I/O
1
•2
A5 A6 A7
32
Y 地址译码器 A8 A9
2．可编程序的只读存储器PROM(Programmable ROM) 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种 PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能 写一次。
第5章 存储器及其与CPU的接口
• • • • • • • 5.1 半导体存储器的分类 5.2 随机读/写存储器 5.3 只读存储器ROM 5.4 存储器与CPU的基本技术 5.5 存储器的管理 5.6 高速缓冲存储器 5.7 外部存储器简介
5.1 半导体存储器的分类
一、主要功能:存放系统工作时的信息(程序和数据) 二、组成:由具有记忆功能的两态物理器件组成(电容、双 稳态电路等) 三、两种基本操作:读和写 四、分类： 内存：存放当前运行所需要的程序和数据 又(主存储器) 1、按在 在主板上 (内部存储器) 微机系统 中的位置 相对于外存，容量小，速度快，价格高 外存：存放当前暂不运行的程序和数据以及 分类： 需要永久保存的数据 在外部，通过I/O接口 (适配器)与CPU相连， (辅助存储器) 成批与CPU交换数据 (外部存储器) 相对于内存，容量大，速度低，价格低
X 地址译 码线
• •
A T5 T3 D0 T4 VCC （+5V）
• •
行选择线X
T2
•
•
T1
CELL
•B
T6
•
位线D
位线D
DO
T7 (I/O) 接 Y 地址译码器
T8 (I/O)
2、动态RAM的特点 DRAM(Dynsmic RAM) ① 基本存储电路用单管线路 组成（靠电容存储电荷）。 ② 集成度高。 ③ 比静态RAM的功耗更低。 ⑤ 价格比静态便宜。 ⑥ 因动态存储器靠电容来存 储信息，由于总是存在着泄漏 电流，故需要定时刷新。典型 的是要求每隔1ms刷新一遍。 单管动态存储电路
2．存取时间
存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经
历的时间。例如，读出时间是指从CPU向存储器发出有
效地址和读命令开始，直到将被选单元的内容读出为止
所用的时间。显然，存取时间越小，存取速度越快。 3．存储周期 连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所 需要的最短间隔时间称为存储周期。它是衡量主存储器 工作速度的重要指标。一般情况下，存储周期略大于存 取时间。 4．功耗 功耗反映了存储器耗电的多少，同时也反映了其发热的 程度。
5.1.1半导体存储器
半导体存储器从使用功能上来分，可分为：读写存 储器 RAM （ Random Access Memory ）又称为随机存 取存储器；只读存储器ROM（Read Only Memory）两 类。RAM主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中 间计算结果，与外存交换的信息和作堆栈用。它的存储 单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。而 ROM 的信息在使用时是不能改变的，也即只能读出， 不能写入故一般用来存放固定的程序，如微型机的管理、 监控程序，汇编程序等，以及存放各种常数、函数表等。
上一张 返回
5．可靠性
可靠性一般指存储器对外界电磁场及温度等变
化的抗干扰能力。存储器的可靠性用平均故障 间隔时间MTBF(Mean Time Between Failures) 来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均 时间间隔。MTBF越长，可靠性越高，存储器正
常工作能力越强。
6．集成度
集成度指在一块存储芯片内能集成多少
FLASH ROM
5.1.2 半导体存储器的特点
• • • • • 1、存储容量 2、速度: 分存取时间TA和存取周期TAC 3、功耗 :分维持功耗和操作功耗 4、可靠性:平均无故障时间MTBF 5、性价比
1．存储容量
(1) 用字数位数表示，以位为单位。常用来表示存储芯 片的容量，如1K4位，表示该芯片有1K个单元 (1K=1024)，每个存储单元的长度为4位。 (2) 用字节数表示容量，以字节为单位，如128B，表示
5.2.1 SRAM
一、SRAM的内部结构
• •
A T5 T3 D0 T4 DO VCC （+5V）
• •
行选择线X
• •
T1 T2
•B
T6
•
CELL
位线D
位线D
T7 (I/O) 接 Y 地址译码器
T8 (I/O)
A7 Y0 X0
CELL
A6
A5
A4
行地址译码 Y1
…
CELL
Y15
…
… …
A3 A2 A1 A0 行 地 址 译 码
1．Intel 2817的基本特点
R/B NC A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND — — — — — — — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 — VCC — WE — NC — A8 — A9 — NC — OE — A10 — CE — D7 — D6 — D5 — D4 — D3
5、电可擦除可编程ROM (Electronic Erasible Programmable ROM, EEPROM) EEPROM内资料的写入要用专用 的编程器，并且往芯片中写内容时 必须要加一定的编程电压(12—24V， 随不同的芯片型号而定)。 EEPROM在写入数据时，仍要利用 一定的编程电压，此时，只需用厂 商提供的专用刷新程序就可以轻而 易举地改写内容，所以，它属于双 电压芯片。借助于EPROM芯片的 双电压特性，可以使BIOS具有良好 的防毒功能，在升级时，把跳线开 关打至“ON”的位置，即给芯片加 上相应的编程电压，就可以方便地 升级；平时使用时，则把跳线开关 打至“OFF”的位置，防止病毒对 BIOS芯片的非法修改。
二、ROM（Read Only Memory）
正常工作时，只读不可写，掉电不丢失 1．掩模ROM • • • 早期的ROM 由半导体厂 • 字 • 按照某种固 线 A0 • • 地 定线路制造 • 址 译 的，制造好 A1 • 码 • 以后就只能 器 • • • 读不能改变。 • •
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选择存储器件的考虑因素 （1）易失性 （2）只读性 （3）位容量 （4）功耗 （5）速度 （6）价格 （7）可靠性
一 、 RAM 又 可 以 分 为 双 极 型 （ Bipolar ） 和 MOS RAM两大类。 正常工作，可读可写，一般情况掉电丢失。 （一）双极型RAM的特点 （1）存取速度高。 （2）以晶体管的触发器（F-F——Flip-Flop） 作为基本存储电路，故管子较多。 （3）集成度较低（与MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。 所以，双极型 RAM 主要用在速度要求较高的 微型机中或作为cache。