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基本逻辑门电路————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第一节基本逻辑门电路1.1 门电路的概念：实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。
实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑1表示高电平；用逻辑0表示低电平）11.2 与门：逻辑表达式F＝A B即只有当输入端A和B均为1时,输出端Y才为1,不然Y为0.与门的常用芯片型号有:74LS08,74LS09等.11.3 或门：逻辑表达式F＝A+ B即当输入端A和B有一个为1时,输出端Y即为1,所以输入端A和B均为0时,Y才会为O.或门的常用芯片型号有:74LS32等.11.4．非门逻辑表达式F=A即输出端总是与输入端相反.非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.11.5．与非门 逻辑表达式 F=AB即只有当所有输入端A 和B 均为1时,输出端Y 才为0,不然Y 为1.与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.11.6．或非门： 逻辑表达式 F=A+B即只要输入端A 和B 中有一个为1时,输出端Y 即为0.所以输入端A 和B 均为0时,Y 才会为1.或非门常见的芯片型号有:74LS02等.11.7．同或门: 逻辑表达式F=A B+A BA F B11.8.异或门：逻辑表达式F=A B+A B=AF B11.9.与或非门：逻辑表逻辑表达式F=AB+CD AB C F D11.10.RS 触发器：电路结构把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接，即可构成基本RS 触发器，其逻辑电路如图7.2.1.(a)所示。
它有两个输入端R 、S 和两个输出端Q 、Q 。
工作原理 :基本RS 触发器的逻辑方程为：根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系:1.当R=1、S=0时，则Q=0,Q=1,触发器置1。
MOS与门电路详解MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）与门电路是一种常见的数字逻辑门电路，它由金属、氧化物和半导体材料组成。
与门电路是一种基本的数字逻辑门电路，它接受两个输入信号并产生一个输出信号。
本文将详细解析MOS与门电路的工作原理以及应用。
MOS与门电路的工作原理MOS与门电路由两个MOS场效应晶体管组成，其中一个是N型MOS场效应晶体管（NMOS），另一个是P型MOS场效应晶体管（PMOS）。
NMOS和PMOS晶体管有不同的导电特性，因此它们可以被用于构建与门电路。
对于MOS与门电路，当输入信号为低电平（通常为0V）时，NMOS的通道导通，PMOS的通道截断，从而使输出信号为高电平（通常为VDD电源电压）。
当输入信号为高电平（通常为VDD电源电压）时，NMOS的通道截断，PMOS的通道导通，从而使输出信号为低电平。
MOS与门电路的工作原理可以用以下逻辑表达式表示：输出 = 输入1 AND 输入2其中，AND操作是逻辑与操作，只有当两个输入信号同时为高电平时，输出信号才为高电平，否则输出信号为低电平。
MOS与门电路的应用MOS与门电路是数字集成电路中最常用的门电路之一，它广泛应用于各种数字电路和系统中。
以下是一些常见的应用场景：1.时序电路：MOS与门电路可以用于构建各种时序电路，如时钟信号的同步与门。
在时序电路中，MOS与门相当于控制信号的开关，用于控制时钟信号的传输和同步。
2.计算机处理器：MOS与门电路是构建计算机处理器中的算术逻辑单元（ALU）和控制单元的基础。
在处理器中，MOS与门电路用于执行诸如加法、乘法、比较和控制等逻辑操作。
3.存储器：MOS与门电路也可以用于构建各种存储器，如静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。
存储器使用与门电路来控制数据读取和写入操作。
4.通信电路：MOS与门电路常用于数字通信系统中的编码和解码电路。
它用于将信号从模拟形式转换为数字形式，并进行相关的信号处理和解码操作。
半导体集成电路课后答案《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的根底知识、分析与设计方法。
以下是由关于半导体集成电路的课后答案，希望大家喜欢!一，集成电路的根本制造工艺二，集成电路中的晶体管及其寄生效应三，集成电路中的无源元件四，晶体管-晶体管逻辑电路五，发射极耦合逻辑电路六，集成注入逻辑电路七，MOS反相器八，MOS根本逻辑单元九，MOS逻辑功能部件十，存储器十一，接口电路十二，模拟集成电路中的根本单元电路十三，集成运算放大器十四，MOS开关电容电路十五，集成稳压器十六，D/A，A/D变换器十七，集成电路设计概述十八，集成电路的正向设计十九，集成电路的芯片解剖二十，集成电路设计方法二十一，集成电路的可靠性和可测性设计简介二十二，集成电路的计算机辅助设计简介1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOH，电路输出高电平。
2 电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOL，电路输出低电平。
3 电路的电压传输特性-指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系(可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似)。
4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平。
5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平。
6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)。
7 关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。
8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。
9 过渡区宽度VW-输出不确定区域(非静态区域)宽度，VW=VIHmin-VILmax。
10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时，所容许的最大噪声电压。
其表达式为 VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路)。
11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时，所容许的最大噪声电压。
第一章 绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2.集成电路分类情况如何？答：3.微电子学的特点是什么？答：微电子学：电子学的一门分支学科微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。
微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm ＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。
微电子学是信息领域的重要基础学科微电子学是一门综合性很强的边缘学科涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等第二章半导体物理和器件物理基础1.什么是半导体？特点、常用半导体材料答：什么是半导体？金属：电导率106～104(W∙cm-1)，不含禁带；半导体：电导率104~10-10(W∙cm-1)，含禁带；绝缘体：电导率<10-10(W∙cm-1)，禁带较宽；半导体的特点：（1）电导率随温度上升而指数上升；（2）杂质的种类和数量决定其电导率；（3）可以实现非均匀掺杂；（4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率；半导体有元素半导体，如：Si、Ge（锗）化合物半导体，如：GaAs（砷化镓）、InP （磷化铟）硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a）2K×8位（）（）（）（）（b）256×2位（）（）（）（）（c）1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案：1． a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
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CMOS逻辑门电路CMOS是互补对称MOS电路的简称（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），其电路结构都采用增强型PMOS管和增强型NMOS管按互补对称形式连接而成，由于CMOS 集成电路具有功耗低、工作电流电压范围宽、抗干扰能力强、输入阻抗高、扇出系数大、集成度高，成本低等一系列优点，其应用领域十分广泛，尤其在大规模集成电路中更显示出它的优越性，是目前得到广泛应用的器件。
一、CMOS反相器CMOS反相器是CMOS集成电路最基本的逻辑元件之一，其电路如图11-36所示，它是由一个增强型NMOS管T N和一个PMOS管T P按互补对称形式连接而成。
两管的栅极相连作为反相器的输入端，漏极相连作为输出端，T P管的衬底和源极相连接电源U DD，T N管的衬底与源极相连后接地，一般地U DD>(U TN+|U TP|)，(U TN和|U TP|是T N和T P的开启电压)。
当输入电压u i=“0”（低电平）时，NMOS管T N截止，而PMOS管T P导通，这时T N 管的阻抗比T P管的阻抗高的多，（两阻抗比值可高达106以上），电源电压主要降在T N上，输出电压为“1”（约为U DD）。
当输入电压u i=“1”（高电平）时，T N导通，T P截止，电源电压主要降在T P上，输出u o=“0”，可见此电路实现了逻辑“非”功能。
通过CMOS反相器电路原理分析，可发现CMOS门电路相比NMOS、PMOS门电路具有如下优点：①无论输入是高电平还是低电平，T N和T P两管中总是一个管子截止，另一个导通，流过电源的电流仅是截止管的沟道泄漏电流，因此，静态功耗很小。
②两管总是一个管子充分导通，这使得输出端的等效电容C L能通过低阻抗充放电，改善了输出波形，同时提高了工作速度。
③由于输出低电平约为0V，输出高电平为U DD，因此，输出的逻辑幅度大。
CMOS反相器的电压传输特性如图11-37所示。
半导体集成电路复习题及答案第8章动态逻辑电路填空题对于⼀般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的⽹组成，输出信号与电源之间插⼊了栅控制1、极为时钟信号的 ,逻辑⽹与地之间插⼊了栅控制极为时钟信号的。
【答案：NMOS, PMOS, NOMS】对于⼀个级联的多⽶诺逻辑电路，在评估阶段：对PDN⽹只允许有跳变，对 PUN⽹只允许有跳变，2、PDN与PDN相连或PUN与PUN相连时中间应接⼊。
【答案：】解答题从逻辑功能，电路规模，速度3⽅⾯分析下⾯2电路的相同点和不同点。
从⽽说明CMOS动态组合逻辑1、电路的特点。
【答案：】图A是CMOS静态逻辑电路。
图B是CMOS动态逻辑电路。
2电路完成的均是NAND的逻辑功能。
图B的逻辑部分电路使⽤了2个MOS管，图A使⽤了4个MOS管，由此可以看出动态组合逻辑电路的规模为静态电路的⼀半。
图B的逻辑功能部分全部使⽤NMOS管，图A即使⽤NMOS也使⽤PMOS，由于NMOS的速度⾼于PMOS，说明动态组合逻辑电路的速度⾼于静态电路。
2、分析下⾯的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和⼀般动态组合逻辑电路的不同,说明其特点。
【答案：】该电路可以完成OUT=AB的与逻辑。
与⼀般动态组合逻辑电路相⽐，它增加了⼀个MOS管M kp,这个MOS 管起到了电荷保持电路的作⽤，解决了⼀般动态组合逻辑电路存在的电荷泄漏的问题。
3、分析下列电路的⼯作原理，画出输出端OUT的波形。
【答案：】答案：4、结合下⾯电路，说明动态组合逻辑电路的⼯作原理。
【答案：】动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插⼊的时钟信号PMOS,NMOS逻辑⽹和逻辑⽹与地之间插⼊的时钟信号NMOS组成。
当时钟信号为低电平时，PMOS导通，OUT被拉置⾼电平。
此时电路处于预充电阶段。
当时钟信号为低电平时，PMOS截⾄，电路与V DD的直接通路被切断。
这时NOMS导通，当逻辑⽹处于特定逻辑时，电路输出OUT被接到地，输出低电平。
《半导体集成电路》课程教学大纲（包括《集成电路制造基础》和《集成电路原理及设计》两门课程）集成电路制造基础课程教学大纲课程名称：集成电路制造基础英文名称：The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication课程类别：专业必修课总学时：32 学分：2适应对象：电子科学与技术本科学生一、课程性质、目的与任务：本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。
半导体科学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础，而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础，与现代信息科学有着密切的联系。
本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生掌握半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
并为后续相关课程奠定必要的理论基础，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。
二、教学基本要求：1、掌握硅的晶体结构特点，了解缺陷和非掺杂杂质的概念及对衬底材料的影响；了解晶体生长技术（直拉法、区熔法），在芯片加工环节中，对环境、水、气体、试剂等方面的要求；掌握硅圆片制备及规格，晶体缺陷，晶体定向、晶体研磨、抛光的概念、原理和方法及控制技术。
2、掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算；了解SiO2薄膜厚度的测量方法。
3、掌握杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布；了解常用扩散工艺及系统设备。
4、掌握离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火。
