(完整word版)电子电路基础版

课程内容与学时分配XXX学院课次授课计划授课人: XXX 所在系部：电子信息工程学院 No. 001院课次授课计划授课人：XXX 所在系部: 电子信息工程学院No。

002XXX 学院课次授课计划授课人： XXX 所在系部： 电子信息工程学院 No. 003第3节： 1. 辅导学生完成实训项目并撰写实训报告(45分钟）第4节：1。

辅导学生完成实训项目并撰写实训报告（25分钟） 2。

收缴、点评学生的实训报告（20分钟)课外作业执行后记教学内容提要及重点、难点主要内容： 1。

收缴、点评第1章实训报告及课外作业 2。

讲解线性电阻网络等效变换(例2。

1,例2。

2，补充思考题若干） 3。

讲解电源等效变换（例2。

3 ~ 例2.7，补充思考题若干） 重 点：1. 电阻的串联、并联和混联2. 电压源、电流源的串联和并联 3。

输入电阻的概念及计算 难 点： 1。

电阻的Y 形连接和形连接的等效变换 2. 实际电源的两种模型及其等效变换院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

004院课次授课计划授课人:XXX 所在系部: 电子信息工程学院No. 005院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No. 006院课次授课计划授课人：XXX 所在系部: 电子信息工程学院No. 007院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

008院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

009院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No. 010院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

011院课次授课计划授课人：XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

012院课次授课计划授课人:XXX 所在系部：电子信息工程学院No. 013院课次授课计划授课人:XXX 所在系部：电子信息工程学院No. 014院课次授课计划授课人:XXX 所在系部：电子信息工程学院No。

第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1．以下代码中为无权码的为。

A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．以下代码中为恒权码的为。

A.8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。

A. １B. ２C. ４D. 164．十进制数25用8421BCD码表示为。

A.10 101B.0010 0101C.100101D.101015．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。

A.（256）B.（127）C.（FF）D.（255）1016 10 106．与十进制数（53.5）等值的数或代码为。

10 A.(0101 0011.0101) B.(35.8) C.(110101.1) D.(65.4)8 8421BCD1627．矩形脉冲信号的参数有。

A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期：数为)等值的7.与八进制数(438．8 B.(27.6) C.(27.011)3 ) D. (100111.11).A. (1001112162169. 常用的BCD码有。

码三 D.余421码格 B.雷码 C.8偶A.奇校验码10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。

A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题（正确打√，错误的打×）1. 方波的占空比为0.5。

（）2. 8421码1001比0001大。

（）3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。

（）4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。

（）5．八进制数（18）比十进制数（18）小。

（）108）（。

1为应值上位验校的码验校奇1248在，时5数制进十送传当．6．7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。

（）8．占空比的公式为：q = t / T，则周期T越大占空比q越小。

（）w9．十进制数（9）比十六进制数（9）小。

(完整word 版)电工基础知识一 。

电工基础知识1. 直流电路电路电路的定义: 就是电流通过的途径电路的组成: 电路由电源、负载、导线、开关组成 内电路: 负载、导线、开关 外电路: 电源内部的一段电路 负载： 所有电器电源: 能将其它形式的能量转换成电能的设备基本物理量1。

2。

1 电流1.2。

1。

1 电流的形成： 导体中的自由电子在电场力的作用下作有规则的定向运动就形成电流.1.2。

1。

2 电流具备的条件： 一是有电位差,二是电路一定要闭合。

1。

2.1.3 电流强度： 电流的大小用电流强度来表示,基数值等于单位时间内通过导体截面的电荷量,计算公式为tQI =其中Q 为电荷量（库仑); t 为时间（秒/s)； I 为电流强度1.2.1.4 电流强度的单位是 “安",用字母 “A”表示.常用单位有： 千安(KA ）、安(A)、毫安(mA ） 、微安（uA ） 1KA = 103A 1A = 103mA 1mA = 103uA1.2.1.5 直流电流(恒定电流）的大小和方向不随时间的变化而变化，用大写字母 “I”表示，简称直流电。

1.2.2 电压1。

2.2。

1 电压的形成： 物体带电后具有一定的电位,在电路中任意两点之间的电位差,称为该两点的电压.1.2。

2。

2 电压的方向： 一是高电位指向低电位; 二是电位随参考点不同而改变.1.2.2.3 电压的单位是 “伏特”,用字母 “U ”表示。

常用单位有： 千伏(KV) 、伏（V ）、毫伏(mV) 、微伏（uV ）1KV = 103V 1V = 103 mV 1mV = 103 uV1.2。

3 电动势1。

2。

3。

1 电动势的定义： 一个电源能够使电流持续不断沿电路流动，就是因为它能使电路两端维持一定的电位差。

这种电路两端产生和维持电位差的能力就叫电源电动势。

1。

2.3。

2 电动势的单位是 “伏”，用字母 “E”表示。

计算公式为 QA E =（该公式表明电源将其它形式的能转化成电能的能力）其中A 为外力所作的功，Q 为电荷量,E 为电动势。

第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。

1。

1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。

输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。

理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。

2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器2.2。

1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。

2。

输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。

2.2。

2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2。

3 基本线性运放电路2.3。

1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2。

由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。

由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。

虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。

由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。

第一章二极管及其应用第一节二极管的基本知识一、半导体及PN结物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。

我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。

而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。

可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

1、本征半导体最常用的半导体是硅和锗。

硅和锗都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。

晶体硅原子整齐排列见上右图。

半导体一般都具有晶体结构,所以也称为单晶体.纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体.本征半导体中相邻原子靠共价键结构结合起来.共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴,它带正电.在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。

在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。

2、N型半导体和P型半导体在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。

我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。

a。

N型半导体在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度.但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

b。

P型半导体在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。

1-2 在图1-21中，已知各支路的电流、电阻和电压源电压，试写出各支路电压U 的表达式。

U)(a U )(bU )(cU )(d解：)(a s U IR U --= )(b s U IR U +=)(c s U IR U +-= )(d s U IR U -=1-3 分别求图1-22中各元件的功率，并指出它们是吸收还是发出功率。

VU 10=V U 10-=VU 10-=V U 10=)(a )(b )(c )(d解：)(a W ui p 20102=⨯== （关联） 吸收功率)(b W ui p 20102=⨯== （非关联） 发出功率 )(c W ui p 20)10(2-=-⨯==（关联） 发出功率 )(d W ui p 20)10(2-=-⨯==（非关联）吸收功率1-10 用最简单的方法，求图1-28中各电路的待求量U 、I 。

Ω3Ω3Ω3)(a )(b )(c解：)(a V U 54)36364(9=+⨯+⨯= A I 69366=⨯+= )(b V U 30)36364(5=+⨯+⨯= A I 3105366=⨯+=)(c A I 36322=⨯+= V I U 18234=⨯+=1-13 在图1-31所示的电路中，已知V U AB 10=，求s U 。

Ω2Ω2解：设I 、1I 、2I 、3I 如图所示Ω2Ω22由 102221=+I I 及 512+=I I得 01=I ， A I 52= 又 A U I AB 1283=-=A I I I 6531=++= V I U U AB s 222=+=1-15 如图1-33所示，A 和B 两部分电路通过三条导线相连接，已知A I 11=，A I 22=，Ω=100R ，确定电压表的读数，设电压表的内阻为无穷大。

解：流过电阻R 的电流： A I I I 321=+=方向与电压表极性相同电压表的读数 V RI U 300==1-18 求图1-36所示电路中的电流I 和电压U ，并计算Ω2电阻消耗的功率。

PWM 功率放大电路—-卢浩天LC 梦创电子制作工作室一、PWM 功率放大原理PWM 功放电路有单极性和双极性之分。

双极性指在一个PWM 周期内，电机电枢电压正、负极性改变一次；单极性指PWM 功放管工作时，有一个PWM 信号端和一个方向控制端,在电机正转或反转时，仅有对应的一对功放管通电,而另一对功放管截止。

因此，电机电枢在正转或反转时，正、负极性是固定的,即是单极性的.若忽略晶体管的管压降，可以认为PWM 功率放大管的输出电平等于电源电压，即|AB U ｜=C U 。

图1描绘了电枢的电压波形和电流波形.在图中，T 为PWM 脉冲周期，P T 为正脉冲宽度，h T 为负脉冲宽度。

电枢两端的电流是一个脉动的连续电流,从图可看出，电枢两端的电流是一个脉动的连续电流，加快PWM 的切换频率，电流的脉动就变小，结果近似于直流信号的效果，使电机均匀旋转。

同时,如果改变PWM 的脉冲的宽度,电枢中的平均电流也将变化，电机的转速便将随之改变，这就是PWM 调速的原理。

在图中，PWM 脉冲频率决定了电枢电流的连续性，从而也决定了电机运行的平稳性。

如果脉冲频率切换频率选择不当，电机的低速性能有可能不理想,容易烧坏晶体管，而且由于电流不连续,电机有可能产生剧烈震荡，甚至出现啸叫现象,这些都是不允许的。

因此，在设计PWM 功率放大器时,要慎重选择切换频率。

为了克服静摩擦，改善运行特性，切换频率应能使电机轴产生微振,即：SA C T M T T L U K F F 4=< 式中，T K 为转矩系数，Φ=M T C K （M C 为电机电磁常数、Φ为励磁磁通），C U 为功放电源,A L 为电枢电感，S T 为电机静摩擦力矩。

另外,选择切换频率具体还应考虑以下几个方面:（1）微振的最大角位移应小于允许的位置误差。

在伺服系统中，假设要求位置误差小于δ，则要求切换频率满足下式：31)192(δδJ L U K F F A C T T => 式中,J 为电机及负载的转动惯量。

《电子技术基础》课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c )。

(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间14。

2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。

(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。

3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。

(a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。

5 普通半导体二极管是由( a )。

(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成14。

6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。

(a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4VRO14。

7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。

（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态10V1kΩβ=50二、填空题：14。

8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .14。

9 理想二极管的正向电阻为 0 .14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .14。

11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。

14。

12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。

14。

13 P型半导体中的多数载流子是空穴。

三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。

u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。

u OUo=0v14。

16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。

精心整理试题库薛永培作“电路分析基础”试题(120分钟)—III单项选择题（在每个小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填入提干的括号内。

每小题2分，共40分） 图示电路中电流i 等于（2） 1）1A 2）2A 3）3A 4）4A2、图示单口网络的短路电流sci 等于（1）1）1A 2）1.5A 3）3A 4）-1A3、图示电路中电压u 等于（2） 1）4V 2）-4V 3）6V 4）-6V4、图示单口网络的开路电压ocu 等于（1）1）3V 2）4V3）5V4）9V5、图示电路中电阻R 吸收的功率P 等于（3） 1）3W 2）4W 3）9W 4）12W6、图示电路中负载电阻L R 吸收的最大功率等于（3） 1）0W2）6W 3）3W 4）12W7、图示单口网络的等效电阻等于（1） 1）2Ω 2）4Ω7AΩ2Ω1Ω4i6VΩ2Ω4sci Ω2Ω4+_3VΩ2+_R Ω1A3Ω1Ω26V +_3V+_+-ocu Ω3+_6V5:1LR Ω4-+i2ab3）6Ω 4）-2Ω8、图示电路中开关断开时的电容电压)0(+c u 等于（2） 1）2V 2）3V 3）4V 4）0V9、图示电路开关闭合后的电压)(∞c u 等于（4） 1）2V 2）4V 3）6V4）8V 10、图示电路在开关断开后电路的时间常数等于（2） 1）2S 2）3S 3）4S4）7S11、图示电路的开关闭合后，电感电流)(t i 等于（3）1）te 25- A2）te5.05- A3）)1(52te -- A 4）)1(55.0te -- A 12、图示正弦电流电路中电压)(t u 的振幅等于（4）1）1V 2）4V 3）10V 4）20V13、图示正弦电流电路中电压)(t u 的初相等于（1）1）︒9.362）︒-9.36 3）︒-1.534）︒1.5314、图示单口网络相量模型的等效阻抗等于（3） 1）(3+j4)Ω2）(0.33-j0.25)ΩΩ46VΩ2+_Ω2+-cu 0=t F1- +1u 12u + -Ω2+_Ω2+-=t F1F 25AΩ20=t i1Hs10+_+_u1Hsu F25.0Vt t u s )2cos()(=Ω3+_+_u2Hsu Vt t u s )2cos(5)(=Ω3+_Ω4j ab3）(1.92+j1.44)Ω 4）(0.12+j0.16)Ω15、图示单口网络相量模型的等效导纳等于（4）1）(0.5+j0.5)S 2）(1+j1)S3）(1-j1)S4）(0.5-j0.5)S16、图示单口网络的功率因素为（4）1）0.8 2）0.707 3）-0.6 4）0.617、图示电路中电阻R 吸收的平均功率P 等于（2） 1）12.5W 2）16W 3）32W 4）25W18、图示电路中负载获得的最大平均功率等于（1） 1）2.5W 2）5W 3）10W 4）20W19、图示单口网络的等效电感为（3） 1）1H2）2H 3）3.5H 4）4H 20、图示谐振电路的品质因数为（4） 1）0.01 2）1 3）104）100二、选择填空题（在每小题的三个备选答案，并将正确答案的号码填入题干的空格内。

500型万用表电路图说明看图可以理解万用表内部原理，知道万用表为什么能够测量高电压,什么情况下测量高电压会炸表.看图可以修理万用表。

看图可以制做万用表.1、直流2.5V.左开关置2.5V，右开关置V档。

+孔—右开关—V档，35 k7电阻—12k 电阻—左开关—-表头右侧，表头—660电阻—1400电位器—公用孔。

2、直流10V.左开关置10V，右开关置V档。

+孔—右开关—V档,35k7电阻-12k电阻—150k电阻—左开关-—表头右侧，表头—660电阻-1400电位器-公用孔。

3、直流50V。

左开关置50V，右开关置V档。

+孔—右开关-V档，35k7电阻—12k电阻—150k电阻—800k电阻-左开关-—表头右侧，表头—660电阻-1400电位器—公用孔。

4、直流250V.左开关置250V，右开关置V档.+孔—右开关—V档，35k7电阻—12k电阻—150k电阻—800k电阻-3k+1M电阻-左开关--表头右侧，表头—660电阻-1400电位器—公用孔。

5、直流500V。

左开关置500V，右开关置V档。

+孔—右开关—V档，35k7电阻—12k电阻—150k电阻—800k电阻—3k+1M电阻—5k电阻—左开关--表头右侧，表头—660电阻—1400电位器-公用孔。

6、交流10V.左开关置交流10V,右开关置V档。

+孔—右开关—V档，35k7电阻，左开关第5刀—660电阻，分两路，其中一路(正半波）—右二极管—2k电阻—左开关第4刀—表头右端，表头—660电阻-1400电位器—公用孔；另一路（负半波）—左侧二极管—公用孔.7、交流50V。

左开关置交流50V，右开关置V档.+孔-右开关-V档,35k7电阻、12k、150k 电阻，左开关第5刀—660电阻，分两路，其中一路（正半波)—右二极管—2k电阻—左开关第4刀—表头右端,表头—660电阻—1400电位器—公用孔;另一路(负半波)-左侧二极管—公用孔。

過流保護電路原理過流保護電路圖過流保護電路原理本電路適用於直流供電過流保護,如各種電池供電的場合。

如果負載電流超過預設值，該電子保險將斷開直流負載。

重置電路時,只需把電源關掉,然後再接通。

該電路有兩個聯接點（A、B標記），可以連接在負載的任意一邊。

負載電流流過三極管T4、電阻R10和R11。

A、B端的電壓與負載電流成正比，大多數的電壓分配在電阻上。

當電源剛剛接通時，全部電源電壓加在保險上。

三極管T2由R4的電流導通,其集電極的電流值由下式確定：VD4＝VR7＋0。

6.因為D4上的電壓（VD4）和R7上的電壓（VR7）是恒定的,所以T2的集電極電流也是恒定。

該三極管提供穩定的基極電流給T3，因而使其導通，接著又提供穩定的基極電流給T4。

保險導電,負載有電流流過。

當電源剛接通時，電容器C1提供一段延時，從而避免T1導電和保持T2斷開。

保險上的電壓（VAB）通常小於2V，具體值取決於負載電流.當負載電流增大時，該電壓升高,並且在二極體D4導通時，達到分流部分T2的基極電流，T2的集電極電流因而受到限制.由此,保險上的電壓進一步增大，直到大約4.5V，齊納二極體D1擊穿，使T1導通，T2便截止，這使得T3和T4也截止，此時保險上的電壓增大，並且產生正回饋，使這些三極管保持截止狀態。

C1的作用是給出一段短時延遲，以便保險可以控制短時超載，如象白熾燈的開關電流，或直流電機的啟動電流。

因此,改變C1的值可以改變延遲時間的長短.該電路的電壓範圍是10~36V的直流電，延遲時間大約0。

1秒。

對於電路中給出的元件值，負載電流限制為1A.通過改變元件值,負載電流可以達到10mA～40A。

選擇合適額定值的元件，電路的工作電壓可以達到6～500V。

通過利用一個整流電橋（如下面的電源電路)，該保險也可以用於交流電路.電容器C2提供保險端的暫態電壓保護。

二極體D2避免當保險上的電壓很低時，C1經過負載放電。

過流保護電路圖帶自鎖的過流保護電路1.第一個部分是電阻取樣。

黑龙江工业学院《电路基础》试题答案一、填空题第一章电路模型和电路定律1、电路电源负载中间环节2、传输分配转换传递变换存储处理3、单一确切多元复杂电阻电感电容4、理想电路电路模型集总5、稳恒直流交流正弦交流6、电压两点电位7、电位8、电动势电源电源正极高电源负极低电源端电压9、电功焦耳度电功率瓦特千瓦10、关联非关联11、欧姆基尔霍夫 KCL 支路电流 KVL 元件上电压12、电压电流值电流电压13、电流电源导线负载开关14、正相反15、相反16、0.0117、0.45 48418、参考点 Ua—Ub Ub— Ua。

19、0 正负20、负正21、1728 4.8×10^-422、C d c23、通路开路（断路）短路24、大 10Ω 5Ω25、 = 非线性线性26、 22027、1 428、60V29、无无30、VCVS VCCS CCVS CCCS第二章电阻电路的等效变换1、 32、 20 13、导体半导体绝缘体导电强弱4、1：15、并联串联6、1。

5Ω7、-3W8.增加9.2A10.6V 2Ω11.2Ω12、-20W13.—30W14.90Ω15.断路第三章电阻电路的一般分析1、4 52、4 5 3 23、6A -2A 4A4、3Ω5、减少6、回路电流（或网孔电流）7、回路电流法8、结点电压法9、结点电压法10、叠加定理11、自阻互阻12、n-1 b—n+113、参考结点14、0 无限大15、n—1第四章电路定理1、线性2、短路开路保留不动3、不等于非线性4、有(完整word版)《电路基础》试题题库答案5、串联独立电源6、并联短路电流7、2A8.1A9.3A10.电源内阻负载电阻 U S2/4R011.无源电源控制量12.支路13.6.4Ω 28。

9W14.015、10V 0.2Ω16.-0.6A17、 5 V 1 Ω18、RL=Rs19、不一定20、无第六章储能元件1、耗电感电容2、自感3、互感4、关联非关联5、磁场电场6、开路隔直7、记忆（或无源）8、C1+C2+…+Cn9、L1+L2+…+Ln10、5A11、小于12、通阻通阻13、充电放电14、P1>P215.1。

9014三极管电路图
电路原理：指示器并联在电话线路上,经过D1~D4极性变换,给电路提供电源。

当电话线路无人使用时,电话线路电压为48V左右,48V电压加在电阻R3、R4上,R4获得的分压大于0.7V,三极管T2饱和导通,T2导通是三极管T1失去偏置电压,T1截止,LED不发光。

说明此时可以使用电话通话。

当有人在使用电话时,电话线路电压跌到9V左右,此时R4上分得的电压不足使T2导通,T1通过电阻R2或得偏置电压,T1导通,LED发光,指示有人正在使用电话,请暂时不要使用。

元件选择及制作注意事项：所有元件型号按照以上电路图指明的选用,三极管选择9014,要求放大倍
数大于150,三极管的引脚见下图：。