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数字电子技术基础 第七章 半导体存储器

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阎石《数字电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(7-11章)【圣才出品】

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存储矩阵中选出指定单元，并把其中数据送到输出缓冲器。 （3）输出缓冲器的作用是提高存储器带负载能力，实现对输出状态的三态控制，便与 系统的总线连接。
图 7-1 ROM 的电路结构框图
2．可编程只读存储器（PROM） PROM 初始时所有存储单元中都存入了 1，可通过将所需内容自行写入 PROM 而得到 要求的 ROM。PROM 的总体结构与掩模 ROM 一样，同样由存储矩阵、地址译码器和输出 电路组成。 PROM 的内容一经写入以后，就不可能修改了，所以它只能写入一次。因此，PROM 仍不能满足研制过程中经常修改存储内容的需要。
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分组成，如图 7-4 所示。 ①存储矩阵由许多存储单元排列而成，每个存储单元能存储 1 位二值数（1 或 0），既 可以写入 1 或 0，又可以将存储的数据读出； ②地址译码器一般都分成行地址译码器和列地址译码器。行地址译码器将输入地址代码 的若干位译成某一条字线的输出高、低电平信号，从存储矩阵中选中一行存储单元；列地址 译码器将输入地址代码的其余几位译成某一根输出线上的高、低电平信号，从字线选中的一 行存储单元中再选 1 位（或几位），使这些被选中的单元经读/写控制电路与输入/输出端接 通，以便对这些单元进行读、写操作；
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第 7 章 半导体存储器
7.1 复习笔记
一、概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。半导体存 储器的种类很多，从存、取功能上可以分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。 只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数 据。ROM 的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。它的缺点是只适用于存 储那些固定数据的场合。只读存储器中又有掩模 ROM、可编程 ROM（PROM）和可擦除 的可编程 ROM（EPROM）几种不同类型。 随机存储器与只读存储器的根本区别在于，正常工作状态下就可以随时快速地向存储器 里写入数据或从中读出数据。根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随机存储器分为 静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）。

数电第七章 半导体存储器

数电第七章 半导体存储器

图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元
9
图7.2.5 PROM管的结构原理图
编程时首先输入地址代码， 找出要写入0的单元地址
然后使VCC和选中的字线提 高到编程所要求的高电平， 同时在编程单元的位线上加 入编程脉冲（幅度约为20v,持 续时间约为十几微秒），写入 放大器AW的输出为低电平，有 较大的脉冲电流流过熔丝，将 其熔断。正常时读出放大器AR 输出的高电平不足以使DZ导 通，AW不工作。
若A1、A0为输入逻辑变量，D0-D3为输出逻辑变量，
则D0-D3就是A1、A0的组合逻辑函数
32
[例7.5.1]试用ROM设计一个八段字符显示的译码器，真值表如下
输入
D C BA
0000 0001 0010
0011 0100 0101 0110 0111
1000 1001 1010
1011 1100 1101 1110 1111
101 001 011
011 111 111 111 001
111 111
010
110 010 010 110 110
字型
a
f
b
e gch d
33
由真值表可见，应取输入地址为4位、输出数据为8位的 ROM来实现译码电路
图7.5.1 例7.5.1的电路
34
[例7.5.2]试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数
图7.3.3 六管NMOS静态存储单2元5
由于CMOS电路具有微功耗的特点，所以尽管它的制造工艺比NMOS 电路复杂，但在大容量的静态存储器中几乎都用CMOS存储单元
CMOS静态存储单元的电路
T2、T4改用P沟道增强型MOS管
优点：
图7.3.4 六管CMOS静态存储单元

数字电子技术第7章 半导体存储器

数字电子技术第7章 半导体存储器
UCC
字字
Wi
熔熔
位字
Di
15
7.2.3 可擦可编程只读存储器 1. EPROM
最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM（又称UVEPROM） （又称 最早出现的是用紫外线照射擦除的 ） 总体结构与PROM一样，不同之处在于存储单元， 一样，不同之处在于存储单元， 总体结构与 一样 存储单元 即字线与位线上接的器件是叠栅MOS管(SIMOS) 即字线与位线上接的器件是叠栅 管
20
Flotox管的结构和符号 管的结构和符号 + +
S GC D
S
Gf
Gc
D
SiO2 D
N＋ P
N＋
Gc Gf S
N P
N
隧隧隧
浮栅和漏区之间的氧化层非常薄，称为隧道区。 浮栅和漏区之间的氧化层非常薄，称为隧道区。
工作原理： 工作原理：
之间加高压时(可正可负 被击穿， 当GC与D之间加高压时 可正可负 ，薄氧化层被击穿，形成导 之间加高压时 可正可负)，薄氧化层被击穿 电隧道，漏区电子可以到达浮栅 间加正电压)， 电隧道，漏区电子可以到达浮栅(GCD间加正电压 ，浮栅电子 间加正电压 也可以到达漏区(G 间负电压 间负电压)， 也可以到达漏区 CD间负电压 ，因此写入和擦除都可以通过 电信号来实现。 电信号来实现。
23
ROM的应用 的应用 1）用于存储固定的专用程序 ） 2）利用ROM可实现查表等功能 ）利用 可实现查表等功能 查表功能 － 如查某个角度的三角函数 查表功能 先把变量值作为地址码， 先把变量值作为地址码，其对应的函数 值作为存放在该地址内的数据存储在 ROM 内，这称为 “造表”。使用时，根 造表” 使用时， 据输入的地址(角度 角度)， 据输入的地址 角度 ，就可在输出端得到 所需的函数值，这就称为“查表” 所需的函数值，这就称为“查表”。

数字电子技术基础-第7章-半导体存储器PPT课件

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（二）具有两个地址译码器的ROM 的一般结构
二、ROM的基本耦合单元
（一）掩模ROM（MROM）的基本耦合 单元
1. MOS管构成的基本耦合单元
2. 双极型三极管构成的基本耦合单元
（二）一次可编程ROM（OTPROM）的 基本耦合单元
1． 熔丝型的OTPROM的基本耦合单元
2． 结破坏型的OTPROM的基本耦合单元
第七章 半导体存储器
7-1 7-2 7-3 7-4 7-7
作业
第一节 存储器的基本概念和分类 第二节 半导体存储器
第三节 只读存储器（ROM）
第一节 存储器的基本概念和分类
一、存储器的基本概念 二、存储器的分类
第二节 半导体存储器
一、半导体存储器的分类 （一）从制造工艺的角度分类 （二）从工作方式的角度分类 二、半导体存储器的三个主要技术指标
X ( A, B,C, D) m（2，3，4，5，8，9，15） Y ( A, B,C, D) m（6，7，10，11，14，15） M ( A, B,C, D) m（0，3，6，9，12） N ( A, B,C, D) m（7，11，13，14，15）
Q( A, B,C, D) m (0,1,2,3)
CS
O7
OE U2
（二）扩展字数
第四节 随机存取存储器（RAM）
一、RAM的基本结构
写在最后
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
You Know, The More Powerful You Will Be
第三节 只读存储器（ROM）

《数字电子技术--刘汉华》第7章 半导体存储器

《数字电子技术--刘汉华》第7章 半导体存储器
编程 时VCC 和字 线电 压提 高
2021/6/10
9
16字×8位的十PROM
六 条 字 线
24＝16
缺点：不能重复擦除。
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20V 编程脉冲
十几微秒
八 条 位 线
10
三、可擦除的可编程只读存储器 （EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器 （UVEPROM）
是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是 指这种。
13
（三）快闪存储器(Flash Memory） •存储单元的工作原理：
1.写入利用雪崩注入法。
2.擦除用隧道效应。
3.读出：源极接地，字线为5V逻辑高 电平。
5V
0V 12V
10s
6V
0V 12V
100ms
快闪存储器特点：集成度高，容量大，成本低，使用 方便。已有64兆位产品问世。很有发展前途。
地址译码器：根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应 的单元，把数据送往输出缓冲器。
输出缓冲器： 增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系
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统的总线相连。
6
2.工作原理 按组合电路进行分析。
地址译码是四个二极管与门； 存储矩阵是四个二极管或门；
当EN=0时
D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0
字长：一个字中包含二进制数位数的多少称为字长，字长是标 志数字系统精度的一项技术指标。
KB即为K字节 1K=210 =1024 B MB即为M字节 1M=220 =1024 K GB即为G字节 1G=230 =1024 M
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2
第七章 半导体存储器
第一节 概述

数字电路第7章半导体存储器

数字电路第7章半导体存储器
数字电路第7章 半导体存储器
• 半导体存储器概述 • 随机存取存储器（RAM） • 只读存储器（ROM） • 闪存（Flash Memory） • 存储器的性能指标与比较
01
半导体存储器概述
定义与分类
定义
半导体存储器是一种利用半导体技术制作的 存储数据的电子设备。
分类
半导体存储器主要分为随机存取存储器 （RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
地址解码器用于将输入的地址信号解码 为对应的存储单元的地址。
闪存的工作原理
闪存的存储单元由一个浮栅场效应管构成，该场效应管的浮栅上存储电荷，通过电荷的 多少表示数据的0和1。
当对存储单元进行读取时，根据存储单元的阈值电压判断其存储的数据是0还是1。
当对存储单元进行写入或擦除时，通过改变浮栅上的电荷数量来实现。写入操作通常是 通过将电荷注入浮栅来实现，擦除操作通常是通过将浮栅上的电荷消除来实现。
一种常用的主存储器，以电容存储数据，需要定时刷新。
功耗与可靠性
功耗
可靠性
表示存储器的耗电量，分为动态功耗和静 态功耗。
表示存储器的稳定性和寿命，通常用平均故 障间隔时间（MTBF）来衡量。
闪存（Flash Memory）
只读存储器（ROM）
一种非易失性存储器，能够在断电情况下 保持数据，常用于U盘、固态硬盘等。
工业控制
用于工业控制系统中，如PLC、DCS等，用于存 储控制逻辑和实时数据。
02
随机存取存储器（RAM）
RAM的基本结构
存储单元阵列
由大量存储单元组成，每个单元存储一个二进制数。
地址译码器
用于选择存储单元，通过输入地址信号，选择对应的存储单元。
控制逻辑

数电第七章_半导体存储器

内蒙古大学电子工程系
《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
用ROM实现七段数码管的显示译码器 ROM实现七段数码管的显示译码器
内蒙古大学电子工程系
接法：将各片的地址线、读写线、 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可
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《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
7.4.2 字扩展方式
适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 例：用256 8位 例：用256 x 8位→1024 x 8位 RAM 8位
《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
第七章 半导体存储器
内蒙古大学电子工程系
《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
7.1 概述
！单元数庞大 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 ！输入/输出引脚数目有限
输 入 出 电 路 I/O
内蒙古大学电子工程系
《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
A 9 ~ A 2 10 , A 9 ~ A 2 11
四片的地址分配就是： 四片的地址分配就是： A 9 ~ A 2 00 , A 9 ~ A 2 01 , 00000000 11111111 00 00
内蒙古大学电子工程系
《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
A2 A3 A9
A1 A0
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• 存储器的容量：“字数 ×位数” 存储器的容量：“ 位数”
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《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》
7.4 存储器容量的扩展
7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时

数字电路逻辑设计第七章半导体存储器


动态RAM（DRAM）
总结词
DRAM是一种常见的半导体存储器，其特点是集成度高、功耗低，但需要周期性地刷新。
详细描述
DRAM由单个晶体管和电容组成，每个存储单元非常小，因此可以实现高集成度。由于其结构简单， DRAM的制造成本相对较低。但是，由于电容会逐渐放电，因此需要周期性地刷新以保持数据。
只读存储器（ROM）
02
随机存取存储器（RAM）
静态RAM（SRAM）
总结词
SRAM是一种常见的半导体存储器，其特点是速度快、功耗低，但集成度较低。
详细描述
SRAM由交叉反接的晶体管组成，每个存储单元由6个晶体管组成，因此其结构相对 简单。由于其速度快，SRAM通常用于高速缓存（Cache）和中央处理器（CPU） 中的高速缓存。
用于存放固定不变的程序和数据，如BIOS、嵌入式操作 系统等。
随机存取存储器（RAM）
用于存储嵌入式系统运行时的变量、堆栈等，具有读写 功能。
面临的挑战与未来发展方向
集成度提高
新型存储技术
随着工艺尺寸的减小，如何实现更高 的集成度是半导体存储器面临的重要 挑战。
如阻变存储器、相变存储器等新型存 储技术的研究和开发，为半导体存储 器的未来发展提供了新的可能。
05
半导体存储器的应用与 挑战
在计算机系统中的应用
要点一
主存储器
用于存放计算机运行时所需的程序和数据，直接影响到计 算机的运算速度、存取时间和可靠性。
要点二
高速缓冲存储器（Cache）
作为CPU和主存储器之间的缓冲，存放的应用
只读存储器（ROM）
工作原理
RAM
通过在半导体存储单元上施加不同的电压来存储和读取数据 。

数字电路逻辑设计 第七章半导体存储器1ppt课件

一半导体存储器芯片，共有4K个存储单元，每个单元 存储8位二进制信息，那么该芯片的存储容量是 4K×8bits或4K字节，简称4KB。
字节数
存
〔4K个字节数〕
储
器
……
字节长B 〔一个字节8bits〕
7.2 顺序存取存储器〔SAM〕
Sequential Access Memory
7.2.1 动态CMOS反相器 7.2.2 动态CMOS移存单元 7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器
7.3.2 RAM存储单元
1、静态MOS RAM〔SRAM〕
来自行地 址译码器
的输出
由于数据由触发器记忆，只需不断电，信息就可 以永久保管。 采用CMOS管，所以静态功耗极小。
7.2.1 动态CMOS反相器
１．电路构造
由 传 输 门 和 CMOS 反 相 器 组 成 。 电 路 中 T1 、 T2 栅 极的寄生电容C是存储信息 的主要“元件〞。
VDD CP
T2
+
TG1
vI
CP
–
CR
+
T1
vO
•–
图7-2-1 动态CMOS反相器
２．MOS管栅电容C的暂存作用
栅电容C充电迅速，放电缓慢，因此可以暂存输入信息。假 设每隔一定时间对C补充一次电荷，使信号得到“再生〞，可长 期坚持C上的1信号，这一操作过程通常称为“刷新〞。
容量：存储单元总数〔bit〕，一个根本存储单元能存 储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。
1Kbit=1024bit=210bit 128Mbit=134217728bit=227bit 字长：一个芯片可以同时存取的比特数，存储器的读写 操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。

数字电子技术—08第七章半导体存储器


IP
编程时 VCC和 字线电 压提高
写入时，要使用编程器
7.2.3 可擦除可编程只读存储器
一、EPROM(UVEPROM-Ultra Violet)
SIMOS: Stacked-gate Injection MOS; 叠栅注入MOS
浮置栅极为氮化物是可 以存储电荷的电荷势阱 行列地址译码器
iD
浮栅无电子
主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量：用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动 态存储器的容量为109位/片。
7.2 只读存储器ROM 7.2.1 掩模只读存储器(Mask ROM) 1. ROM结构原理图
存储单位:字
2. 工作原理 ROM是组合逻辑电路
d3=W1+W3=A’1A0+A1A0
第七章 半导体存储器
7.1 概述 半导体存储器是固态存储器SSD (Solid State Drives) ，具有存储 密度高，体积小，容量大，读写速度快，功耗低等优点!
光盘
硬磁盘
固盘
分类：
非挥发存储器（Non-Volatile Memory--NVM）
掩模ROM 可编程ROM (PROM--Programmable ROM) 只读存储器ROM 可擦除可编程ROM (EPROM--Erasable PROM) EEPROM (Electrically EPROM)/E2PROM Flash Memory (快闪存储器，如U盘)
按 功 能 特 点
(Read- Only Memory)
随机存储器RAM
(Random Access Memory)
静态存储器SRAM (Static RAM) 主要用于高速缓存和服务器内存 动态存储器DRAM (Dynamic RAM) SDRAM, DDR-SDRAM等
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电路结构
地 址 输 入
列地址译码
CS R/W
地址输入 地址译码器：行地址译码选出一行，列地址译码选出一列（或几列）
CS＝0 片选有效，可进行读 写 R/w＝1 执行读操作 R/w＝0 执行写操作
2114RAM（1024×4位）
7.4
存储器容量的扩展
的总位数。 字 — word 位 — bit
1. 存储容量 存储器存储数据的能力，为存储器含存储单元
电子技术 数字电路部分
第七章
半导体存储器
第七章 半导体存储器 本章的重点：
1．存储器的基本工作原理、分类和每种类型存储器的特 点； 2．扩展存储器容量的方法； 3．用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容 是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程 的重点。
256511 512767 7681023
7.5
用存储器实现组合逻辑函数
ROM的每个输出都是由地址输 入的最小项之和的形式给出的，因 此可以用来实现组合逻辑函数。 一个ROM的数据表 A1 0 0 1 1 A0 0 1 0 1 D3 0 1 0 1 D2 1 0 1 1 D1 0 1 1 1 D0 1 0 1 0 输出 函数
1 1 1 1
译 码 器
m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m8 m9 m10 m11 m12 m13 m14 m15
编 码 器
Y1 Y2 Y3 Y4
输入 变量
逻辑结构示意图
n 个 输 入 变 量
A0 A1 译 m0 m1 mi m2n-1
码 器
An-1
与门阵列
… … 或门
… … 或门
…
或门阵列
… … 或门
2n个与门构成 n 位 二进制译码器 , 输 出2n 个最小项。
Z0
(D0)
Z1
(D1)
…
Zb-1
(Db-1)
b 个输出函数
Z0 m1 mi m2n 1 D0
•PROM：所有的存储单元均为0或1，可根据需要改写一次 存入数据（编程）的方法：熔断法，PN结击穿法 •EPROM：可根据需要改写多次，将存储器原有的信息抹去，再 写入新的信息，允许改写几百次 方法：利用雪崩击穿，采用特殊的雪崩注入MOS管或叠栅注入MOS管 擦除方式：紫外线照射 特点：擦除操作复杂，速度慢，正常工作时不能随意改写 •E2PROM：允许改写100～10000次 方法：利用隧道效应，采用具有两个栅极的特制NMOS管和一个普通NMOS
数据输出
b 位数据
…… …… …… ……
地址输入
Db-1 Db-1 An-1
2n×b ROM
A0 A1
An-1
2. 内部结构示意图
地址译码器 存储单元 A0 A1
地 址 输 入
W0 W1
Wi
0单元 1单元
字 线
i 单元 2n-1单元
An-1
W2n-1
位线 D0 D1 Db-1
数据输出
ROM 存储容量 = 字线数 位线数 = 2n b（位）
存储容量 = 字数 位数
1k 1 : 1024 个字
1k 4 : 1024 个字 256 8 : 256 个字
每个字 1 位
每个字 4 位 每个字 8 位
存储容量 1 k
存储容量 4 k 存储容量 2 k 存储容量 1024k（1M）
64 k 16: 64 k 个字 每个字 16 位
RAM
静态RAM：SRAM 动态RAM：DRAM
由制造工艺分：
双极型 MOS型
7.2 只读存储器（ROM）
掩模 ROM
分类 说明:
可编程 ROM（PROM — Programmable ROM）
可擦除可编程 ROM（EPROM — Erasable PROM）
掩模 ROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改
管
擦除方式：加电 特点：擦除操作简单，速度快，正常工作时最好不要随意改写 •Flash Memory:快闪存储器 方法：采用特殊的单管叠栅MOS管，写入用雪崩注入，擦除利用隧道效应 擦除方式：加电 特点：擦除操作简单，集成度高，容量大
7.3
7.3.1
随机存储器RAM
静态随机存储器RAM
行 地 址 译 码 存储矩阵 读 写 控 制 I/O
7.4.2
字扩展方式
例：用256字×8位RAM组成1024字×8位存储器。 4片256×8位的RAM，构 特点：必须使用译码器。 成1024×8位的RAM
并联
并联
译 码 器
方法：片内地址信号并联；多余地址端 通过译码器接至各片的片选端；I/O同 名端并联。
4片256×8位的RAM，构 成1024×8位的RAM
本章的难点：
在本章的重点内容中基本没有难点。
第七章
§7-1 概述
半导体存储器
§7-2 只读存储器ROM
§7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数
7.1 概述
存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导 体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字 的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内 部有地址译码器。
编程 时VCC 和字 线电 压提 高
16字×8位的PROM
十 六 条 字 线
读出时，读出 放大器AR工作，写 入放大器AW不工作。 写入时，在位 线输入编程脉冲使 写入放大器工作， 且输出低电平，同 时相应的字线和VCC 提高到编程电平， 将对应的熔丝烧断。
八 条 位 线
20V
编程脉冲 十几微秒 缺点：不能重复擦除。
Y1=m2+m3+m6+m7 Y2=m6+m7+m10+m14 Y3=m4+m14 Y4=m2+m15 列出数据表：
不可编程
打点处有二极管
ROM的简化表示方法。
ROM 应用举例
Y1= m (2,3,4,5,8,9,14,15） 用 ROM 实现 以下逻辑函数
A B C D
Y2= m (6,7,10,11,14,15） Y3= m (0,3,6,9,12,15） Y4= m (7,11,13,14,15）
NMOS管存储矩阵 交叉点处接有MOS管时相当于存1，没有MOS管 时相当于存0。交叉点的数目称为存储单元数，用 4（字数）×4（位数）表示。
•固定ROM电路结构简单，集成度高 •组合逻辑电路
7.2.2
PROM
产品出厂时存的全是1，用户可一次性写 入，即把某些1改为0。但不能多次擦除。
存储单元多采用熔丝－－低熔 点金属或多晶硅。写入时设法在 熔丝上通入较大的电流将熔丝烧 断。
半导体存储器能存储大量二值信息，是数 字系统不可缺少的部分
1、衡量指标
存储量 存储速度 2、种类 只读存储器（Read-Only Memory ROM） 随机存储器（Random Access Memory RAM）
ROM
掩模ROM 可编程ROM：PROM 可擦除可编程ROM：EPROM 电抹可编程ROM（E2PROM）
W2
或 门 阵 列
(编码器)
D 3 D 2
D3 D2 D1 D0
位 线
D 1 D 0
二极管或门
EN
2.工作原理 按组合电路进行分析。 存储矩阵是四个二极管或门；
二－四线 译码器
D 当EN=0时， i D i 。
D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0
存储矩阵
地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器 输出缓冲器
提高存储器带负载的能力
实现输出状态三态控制，与系统总线连接
一、ROM 的结构示意图 1. 基本结构
An1 ~ A0 — n 位地址
Db1 ~ D0 —
最高位 最低位 D0 D1 D0 D1 A0 A1
PROM 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读
EPROM
EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒）
7.2.1
掩模只读存储器ROM
根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM 中 电路结构
地 址 输 入 地 址 译 码 器 输 出 缓 冲 器 数 据 输 出
A 9 A8 0 0 Y0=0
A7A6A5A4A3A2A1A0 CS=0 字线
000000000 11111111 000000000
…… …… …… ……
0255
0 1 1 0 1 1
Y1=0 Y2=0 Y3=0
11111111 000000000 11111111 000000000 11111111
Z1 m0 m1 mi D1
. . .
Z b-1 m0 m1 mi m2n 1 Db-1
例7.5.1 用ROM设计八段字符译码器，以输入地址A3A2A1A0为 DCBA，以输出数据D0D1……D7作为a,b,……,g,h
输入变量
例7.5.2 用ROM产生组合逻辑函数： Y1=ABC+ABC Y2=ABCD+BCD+ABCD Y3=ABCD+ABCD Y4=ABCD+ABCD 解： 将原函数化成最小项之和形式：
•ROM 的基本工作原理 1. 电路组成
+VCC
Vcc
1
A1