模拟电子技术2021学习通章节答案期末考试题库2023年

2021模电期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案：C2. 什么是共射放大器的偏置方式？A. 自偏置B. 分压偏置C. 固定偏置D. 以上都是答案：B3. 在模拟电路设计中，反馈的作用是什么？A. 提高增益B. 降低增益C. 增加噪声D. 减少噪声答案：B4. 什么是运算放大器的开环增益？A. 运算放大器的输出电压与输入电压之比B. 运算放大器的输出电流与输入电流之比C. 运算放大器的输入阻抗D. 运算放大器的输出阻抗答案：A5. 什么是模拟信号？A. 离散的电压或电流信号B. 连续的电压或电流信号C. 数字信号D. 脉冲信号答案：B6. 在模拟电路中，什么是耦合？A. 信号的放大B. 信号的调制C. 信号的解调D. 信号的传输答案：D7. 什么是理想运算放大器？A. 增益无限大B. 输入阻抗无限大C. 输出阻抗无限小D. 以上都是答案：D8. 什么是积分器？A. 将电压信号转换为电流信号B. 将电流信号转换为电压信号C. 将电压信号转换为时间函数D. 将时间函数转换为电压信号答案：C9. 在模拟电路中，什么是失调电压？A. 运算放大器的输入电压B. 运算放大器的输出电压C. 运算放大器的输入电压不为零时的输出电压D. 运算放大器的输入电压为零时的输出电压答案：D10. 什么是差分放大器？A. 用于放大差分信号的放大器B. 用于放大共模信号的放大器C. 用于消除共模干扰的放大器D. 以上都是答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 解释什么是负反馈，并说明其在模拟电路中的作用。

答案：负反馈是一种反馈方式，其中输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。

在模拟电路中，负反馈可以提高电路的稳定性，减少非线性失真，增加增益的线性度，以及提高输入阻抗和降低输出阻抗。

2. 描述运算放大器的非理想特性，并解释它们如何影响电路的性能。

绪论单元测试1.在时间上和幅值上连续变化的信号称为信号。

A:时间B:幅值C:模拟D:数字答案:C2.数字信号在时间上和数值上均有连续性。

A:对B:错答案:B3.将模拟信号转换为数字信号称为“数-模”转换。

A:错B:对答案:A4.在电子系统中，常用的模电电路中的放大电路的作用是用于信号的额提取、变换或抗干扰。

A:错B:对答案:A5.模拟电子技术课程不具有工程性和实践性的特点，是只需要纯理论分析和计算的课程。

A:错B:对答案:A第一章测试1.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）A:错B:对答案:A2.PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A:变窄B:无法确定C:基本不变D: 变宽答案:A3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。

A: ISeUB:ISC:ISeU/UT -1D: ISeU/UT答案:C4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）A:对B:错答案:B5.PN结又被称为空间电荷区，耗尽层。

A:错B:对答案:B第二章测试1.射极输出器是（）组态的放大电路。

A:共源B:共基C:共集D:共射答案:C2.放大电路中的上限截止频率fH和下限截止频率fL决定于电容所在回路的时间常数τ，通频带等于（）A:fH-fLB:fLC:fHD:fL-fH答案:A3.以下基本单管放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）A:共集电路B:共基电路C:共漏电路D:共射电路E:共源电路答案:A4.NPN型单管共射放大电路顶部出现了削波失真，该类型的失真称为（）。

A:交越失真B:饱和失真C:截止失真答案:C5.一个NPN型晶体三极管构成的单管基本放大电路，输入信号从基极输入，信号从发射极输出，则可以判断该电路的接法是（）A:共源B:共基C:共射D:共集答案:D6.以下几种接法的电路中，不具有电压放大作用的是（）。

A:共基放大电路B:共集放大电路C:共源放大电路D:共射放大电路答案:B第三章测试1.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的________。

第一章测试1.信号的三要素是幅值、周期和初相位。

A:对B:错答案:A2.以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是A:示波器B:函数信号发生器C:DC信号源D:交流毫伏表答案:BC3.总体来说，函数信号发生器的功能有A:频率设置B:幅值设置C:波形设置D:自检设置答案:ABC4.以下是交流有效值的单位是A:VrmsB:VppC:mVppD:dBm答案:A5.通常，示波器在使用前都需要进行自检。

示波器GDS820C的自检信号波形是A:1kHz1Vpp的方波信号B:1kHz2Vpp的正弦波信号C:1kHz2Vpp的方波信号D:1kHz1Vpp的正弦波信号答案:C6.调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。

A:对B:错答案:B7.若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIVA:左旋至底B:右旋至底C:调大D:调小答案:C8.调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以A:改变坐标轴纵轴的位置B:改变坐标轴横轴的位置C:改变水平方向每格所代表的时间D:改变波形的完整性答案:B9.若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平A:位于最大值上面位于最小值下面B:位于最大值上面C:位于最大值和最小值之间答案:C10.通常，示波器屏幕上显示波形周期数A:5个B:2-3个C:1个D:越多越好答案:B11.直流稳压电源GPS-3303A的CH3为5V3A的固定输出端。

A:错B:对答案:B第二章测试1.信号放大的前提是不失真，不失真的放大，在实验中是通过调试合适的静态工作点来保证的。

A:对B:错答案:A2.基本放大电路实验中给放大电路提供输入信号的设备是A:交流毫伏表B:直流稳压电源C:DC信号源D:函数信号发生器答案:D3.在测量放大电路的输入电阻时，需要在信号源和放大电路之间串联一个电阻Rs,其数量级应与放大电路的输入电阻在同一个数量级上。

模拟电子技术基础（铜陵学院）智慧树知到课后章节答案2023年下铜陵学院绪论单元测试1.世界上第一个电子管于（）年问世。

A:1958 B:1904 C:1947 答案:19042.世界上第一只晶体管诞生于（）年。

A:1958 B:1947 C:1904 答案:19473.1958年9月12日，美国物理学家（）实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，成为世界“芯片之父”。

A:杰克·基尔比 B:巴丁 C:肖克利 D:布拉顿答案:杰克·基尔比4.在时间和数值上都具有离散性的电信号是（）。

A:交流信号 B:模拟信号 C:数字信号 D:直流信号答案:数字信号5.将模拟信号转换为数字信号称为“模－数转换”，简称（）。

A:A/D B:A/AC:D/D D:D/A 答案:A/D6.“数－模转换器”简称D/A转换器，它可将（）。

A:数字信号转换为模拟信号 B:直流信号转换为交流信号 C:模拟信号转换为数字信号 D:交流信号转换为直流信号答案:数字信号转换为模拟信号7.（）电路可以实现信号的预处理。

A:隔离 B:放大 C:滤波 D:功率放大答案:隔离;放大;滤波8.完成一个或多个信号求和、乘除、微分、积分等数学运算的电路称为（）。

A:转换电路 B:滤波电路 C:运算电路 D:放大电路答案:运算电路9.电子信息系统主要由（）4个部分组成。

A:信号的预处理 B:信号的提取 C:信号的驱动与执行 D:信号的加工答案:信号的预处理;信号的提取;信号的驱动与执行;信号的加工10.模拟电子技术课程强调定性分析，定量分析往往通过“估算”，抓住主要矛盾和矛盾的主要方面，忽略次要矛盾以及矛盾的次要方面。

（）A:错 B:对答案:对第一章测试1.在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。

A:二价 B:四价 C:五价 D:三价答案:五价2.采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界处就形成了（）。

模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。

当R从10kΩ减小至5kΩ时，I将____。

【图片】参考答案:变化不大2.随着温度的升高，在杂质半导体中，多数载流子的浓度____。

参考答案:变化较小3.随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____。

参考答案:明显增大4.某硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。

当UD增加10％（即增大到0.66V）时，则ID约为____。

参考答案:100mA5.当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

参考答案:小于6.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。

参考答案:大于7.PN结加正向电压时，空间电荷区将。

参考答案:变窄8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____。

参考答案:杂质浓度9.稳压管的稳压区是其工作在。

参考答案:反向击穿10.硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。

参考答案:大于10％11.电路如图所示，ui=0.1sinωt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻rd将____。

【图片】参考答案:减小12.在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，UD=0.7V。

当V调到6V，则I将为____。

【图片】参考答案:大于2mA13.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。

参考答案:ISe(U/UT-1)14.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。

当V增加到20V时，I将____。

【图片】参考答案:变化不大15.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A,B两端的电压Uab应为。

【图片】参考答案:－6V16.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

参考答案:增大17.P型半导体是在纯净半导体中掺入____。

参考答案:三价元素，如硼等18.已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新吉林农业大学第一章测试1.PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

参考答案:错2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

参考答案:错3.在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P 型半导体。

参考答案:对4.U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。

参考答案:错5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将参考答案:增大6.稳压管的稳压区是其工作在参考答案:反向击穿7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为参考答案:前者正偏、后者反偏第二章测试1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

参考答案:错2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。

参考答案:对3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

参考答案:错4.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。

参考答案:错5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

参考答案:对6.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

参考答案:错7.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

图1（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U om≈参考答案:2V8.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小R W，则输出电压的幅值将参考答案:增大9.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内在＝1mV时，将R W调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将参考答案:底部失真10.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。

模拟电子技术试题库与答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A、三价；B、六价。

C、四价；D、五价；正确答案：A2.集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用。

A、基准B、虚短C、虚断D、虚地正确答案：B3.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、仍为正弦波。

B、等腰三角波；C、矩形方波；D、正弦半波；正确答案：D4.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。

A、正确;B、错误正确答案：A5.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。

（）A、错B、对:正确答案：A6.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。

A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。

正确答案：B7.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

正确答案：A8.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。

A、多子B、自由电子载流子C、少子D、空穴载流子正确答案：A9.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：B10.绝缘栅型场效应管的输入电流()。

A、为零;B、较小;C、无法判断。

D、较大;正确答案：A11.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

()A、正确;B、错误正确答案：B12.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。

A、四价B、三价C、五价正确答案：B13.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。

A、虚短和虚地B、虚断和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。

《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是。

2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。

3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。

4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。

A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。

A、大于B、小于C、等于3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。

A、增大B、减小C、不变（）。

A．1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。

A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。

（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

( )4、负反馈越深，电路的性能越稳定。

（ ）5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（ ） 四、简答题：（ 25分）1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？u ou o -3、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式。

2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。

模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。

3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至，U O＝2V ②D导通，U O＝1.3V2、电压并联负反馈，电压并联负反馈3、解：N-H,J-M,K-F五、计算题1、解：V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解：U O=-55U ITHANKS !!!致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等打造全网一站式需求欢迎您的下载，资料仅供参考。

绪论单元测试1.在电子技术中选择器件时应该一味的追求高指标。

( )A:对B:错答案:B2.在模拟电子技术中做近似分析计算在工程上是允许的。

( )A:对B:错答案:A第一章测试1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )A:到0.3V才开始导通B:超过死区电压时才开始导通C:立即导通答案:B2.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A:略大于150VB:约等于150VC:等于75V答案:C3.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A:不变B:减小C:增大答案:C4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管（）说明管子是好的。

A:正.反向电阻都为无穷大B:正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧C:正.反向电阻都为零答案:B5.PN结加上正向电压时，空间电荷区将（）。

A:变宽B:基本不变C:变窄答案:C6.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A:增大B:不变C:减小答案:A7.二极管正向电阻和反向电阻相比是（）。

A:无法确定B:一样大C:小D:大答案:C8.问以下哪种情况中，二极管会导通（）。

A:B:C:D:答案:D9.场效应管可看作（）控制的电流源。

A:其它B:电压C:电流答案:B10.场效应管应该是属于什么极型的器件。

（）A:其它B:双C:单答案:C第二章测试1.三极管可看作（）控制的电流源。

A:其它B:电流C:电压答案:B2.三极管工作在放大区的条件是（）。

A:发射结和集电结均处于正偏B:发射结正偏集电结反偏C:发射结和集电结均反偏答案:B3.小信号时，放大电路分析方法应该选择（）分析法。

A:微变等效电路B:图解C:其它答案:A4.三极管组成的放大电路中，电压放大倍数约等于1的是（）。

A:共集放大电路B:共基放大电路C:共射放大电路答案:A5.用来衡量带负载能力强弱的性能指标是（）。

A:放大倍数B:输出电阻C:输入电阻答案:B6.对于多级放大电路，放大倍数虽然提高了,但通频带却变（）了。

模拟电子技术基础（山东理工大学）智慧树知到课后章节答案2023年下山东理工大学山东理工大学第一章测试1.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA:对 B:错答案:对2.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA:错 B:对答案:对3.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA:2 B:1 C:0 D:3答案:04.电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA:2.1 B:2.3 C:2.2 D:2.4答案:2.35.稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好–A:错 B:对答案:错6.稳压管的正常工作区是反向区A:对 B:错答案:错7.二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A:对 B:错答案:对8.扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A:错 B:对答案:对9.当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A:错 B:对答案:对10.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A:对 B:错答案:对第二章测试1.共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A:4 B:1 C:3 D:2答案:12.共集电极放大电路的输入电阻比较高A:对 B:错答案:对3.共集电极放大电路的输出电阻比较低A:对 B:错答案:对4.共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A:对 B:错答案:对5.直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A:对 B:错答案:对6.不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A:对 B:错答案:错7.若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A:对 B:错答案:错由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加––A:对 B:错答案:对9.Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。

模拟电子技术基础_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.双极型晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

参考答案:错误2.图解法可以分析放大电路的非线性失真问题，微变等效电路法却不能。

参考答案:正确3.在晶体管放大电路中，带负载能力最强的放大电路是。

参考答案:共集放大电路4.三种组态的基本放大电路中，共射电路的特点是。

参考答案:既能放大电压也能放大电流5.两只稳压值分别为6V和9V的硅稳压管并联，可得到的稳压值是。

参考答案:6V，0.7V6.稳压管电路如图所示。

两稳压管的稳压值均为6.3 V，正向导通电压为0.7V，其输出电压【图片】为。

【图片】7V7.共基放大电路主要应用于。

参考答案:高频电压放大8.某射极跟随器的【图片】，【图片】，静态工作点为【图片】，【图片】，若晶体管的临界饱和压降【图片】，则该电路跟随输入电压的最大不失真输出电压的幅值为。

参考答案:3V9.在如图所示的电路中，若把上偏置电阻【图片】短路，则该电路中的晶体管将会处于状态。

【图片】参考答案:饱和10.在如图所示的放大电路中，已知【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】，【图片】、【图片】、【图片】足够大。

晶体管的工作状态是状态。

【图片】参考答案:饱和11.若将如图所示电路中的电容【图片】断开，则会引起。

【图片】和同时增大12.在共射基本放大电路中，当【图片】一定时，在一定的范围内增大发射极电流【图片】，则放大电路的输入电阻。

参考答案:减小13.在方波三角波发生器中，改变，可将三角波变为锯齿波。

参考答案:积分电路结构，使充放电时间常数不等14.非正弦波发生器只要反馈信号能使的状态发生跳变，即能产生周期性的振荡。

参考答案:电压比较器15.要得到频率在20Hz~200kHz范围内的信号，应选择的正弦波振荡电路形式为。

参考答案:RC振荡电路16.在并联型石英晶体振荡电路中，对于振荡信号，石英晶体等效为。

模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。

（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。

A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。

A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。

A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。

（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。

A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。

A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。

A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。

（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。

电子基本技能2学习通超星课后章节答案期末考试题库2023年1.少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

答案:我的答案：对2.塑料外壳封装的三极管S9013,,它的管脚从左至右的分布情况应该是（）答案:e/b/c3.测试光电二极管，其方法和普通二极管一致。

答案:错4.焊点距离管壳不小于10mm，电烙铁功率一般不大于45W，焊接时间不超过5s。

答案:对5.安装电子元件时，除接插件、熔丝座等必须紧贴底板外，其余元件距底板约1-5mm。

答案:错6.检测电子元件的安装与焊接时，用直观检查有无虚焊、脱焊现象。

答案:对7.为了防止（），所有元件的引线均应预先镀锡。

答案:虚焊8.焊点距管壳不小于10mm，电烙铁功率一般不大于45w，焊接时间不超过（）s答案:59.半导体中载流子有（）和漂移两种运动方式答案:扩散10.半导体分立器件的型号与命名方法按照国家标准规定一般由五个部分组成。

答案:对11.测量1Ω以下的的直流电阻时，可选用（）进行测量。

答案:直流双臂电桥12.用multisim做仿真实验时，电路构建时不需要接地。

答案:错13.直流单臂电桥测试直流电阻的测量范围是：1Ω-（）。

答案:1MΩ；1兆欧；1兆欧姆；1M欧姆14.万用表是用来测量（）等电参数的常用仪表答案:交/直流电压###交/直流电流###电阻15.在测量电感电路的直流电阻时，应先按下“B”按钮，再按下“G”按钮;断开时，先断开“G”按钮，后断开“B”按钮。

答案:对16.用电桥测量电阻值是一种比较精密的测量方法，而电桥本身又是灵敏度和准确度都比较高的测量仪器，如果使用不当，不仅达不到应有的准确度、给测量结果带来误差，而且还有可能损坏电桥。

答案:对17.万用表又称（）答案:三用表18.一个RJ71命名的电阻，它应该为（）电阻器。

答案:精密金属膜19.固定电阻器用文字符号（）表示，电位器用文字符号（）表示。

模拟电子技术基础_郑州大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.差动放大电路具有（）的特点：参考答案:放大差模信号、抑制共模信号2.半导体中有（）参与导电。

参考答案:电子载流子_空穴载流子3.“虚断”是指某一支路中电流十分微小；而“断路”则表示某支路电流为零。

参考答案:正确4.互导放大电路：参考答案:可以实现电压到电流的转换。

_放大倍数是输出电流与输入电压的比值。

5.三极管工作在放大状态时，有：参考答案:IC=βIB_发射结正偏_集电结反偏6.场效应管放大电路和三极管电路相比，具有特点。

参考答案:噪声低_输入阻抗高_温度稳定性好_功耗小7.互导放大电路可以把电压信号转换为电流信号。

参考答案:正确8.（）放大电路的零点漂移比较严重。

参考答案:直接耦合9.正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的交流正反馈放大电路。

参考答案:正确10.整流电路的作用是利用电容的储能作用，将交流电压变成单方向的脉动直流电压。

参考答案:错误11.稳压电路的内阻定义为：经过整流滤波后输入到稳压电路的直流电压不变时，稳压电路的输出电压变化量与输出电流变化量之比。

参考答案:正确12.共模抑制比KCMR是（）之比。

参考答案:差模电压放大倍数和共模电压放大倍数13.计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据直流通路。

参考答案:错误14.阻止某一频带范围内信号通过，而允许此频带之外的信号通过的电路称为：参考答案:带阻滤波器15.理想集成运放的开环差模电压放大倍数Aud为：参考答案:无穷大16.集成运算放大器的特点是：参考答案:高输入电阻_高增益_低输出电阻17.零点漂移产生的主要原因是因为晶体三极管的参数受温度的影响。

参考答案:正确18.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用：参考答案:带阻滤波器19.差动放大电路是一种具有两个输入端且电路结构对称的放大电路。

参考答案:正确20.集成运算放大器实际上是一个高增益的多级阻容耦合放大电路。

第一章测试1.对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是： ( )。

A:Up<UNB:Up≥UNC:Up>UND:Up≤UN答案:A2.关于PN结内电场的方向,说法正确的是:( )。

A:由P区指向N区B:与外电场相同C:与外电场相反D:由N区指向P区答案:D3.当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,形成了一个稳定的空间区域:P区呈负电荷、N区呈正电荷,该区的名称为：（）。

A:空间电荷区B:PN结C:耗尽层D:势垒答案:ABCD4.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

A:错B:对答案:B5.由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。

A:对B:错答案:B6.当PN结外加正向电压时,扩散电流 ( ) 漂移电流。

A:等于B:小于C:大于答案:C7.当PN结外加正向电压时,耗尽层( )。

A:变宽B:变窄C:不变答案:B8.当PN结加正向电压(正向偏置)时,A:内电场增强B:耗尽层变窄C:内电场减小D:耗尽层变宽答案:BC9.当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小。

A:对B:错答案:A10.当PN结加反向电压(反向偏置)时,势垒电压减小。

A:对B:错答案:B11.常温下,温度电压当量UT的数值为:( )。

A:26mVB:26VC:2.6uVD:260V答案:A12.PN结反向电流Is的合理数值为:( )。

A:uAB:100mAC:1AD:mA答案:A13.当PN结加正向电压(正向偏置)时,随着电压增大,电流( ).A:指数式上升B:对数式上升C:比例式上升D:越来越快地上升答案:D14.当PN结加反向电压(反向偏置),如果电压数值达到U(BR), 则PN结( ).A:反向电流很小B:反向电流很大C:产生电击穿D:会被烧毁答案:BC15.温度电压当量UT与温度、PN结面积都有关。

A:对B:错答案:B16.PN结反向电流Is与温度有关。

智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案第一章1、电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A:对B:错答案: 对2、电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A:对B:错答案: 错3、第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A:对B:错答案: 错4、电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A:对B:错答案: 对5、电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A:对B:错答案: 对6、模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。

A:对B:错答案: 错7、计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A:对B:错答案: 错8、数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A:对B:错答案: 错9、含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对B:错答案: 对10、下列信号不属于模拟信号的是( )A:0~5V的电压信号B:20Hz~20kHz的音频信号C:4~20mA的电流信号D:灯的亮灭状态答案: 灯的亮灭状态第二章1、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A:对B:错答案: 错2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A:对B:错答案: 对3、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A:对B:错答案: 对4、理想运算放大器的两个重要结论是A:虚地与反相B:虚短与虚地C:虚短与虚断D:短路和断路答案: 虚短与虚断5、集成运放的线性和非线性应用电路都存在A:虚短B:虚地C:虚短与虚断D:虚断答案: 虚断6、如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A:＋UOMB:-UOMC:无穷大D:0答案:＋UOM,-UOM7、反相输入积分电路中的电容接在电路的A:反相输入端B:同相输入端C:反相端与输出端之间D:同相端与输出端之间答案: 反相端与输出端之间8、电路如图所示，若R1=5K&Omega;,R2=R3=10K&Omega;，Vi=1V，则VO=A:-1VB:1VC:-2VD:2V答案:2V9、集成运放能处理A:交流信号B:直流信号C:交流和直流信号D:正弦信号答案: 交流和直流信号10、理想运算放大器的输出电阻Ro为A:零B:有限值C:无穷大D:不确定答案: 零第三章1、设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V答案:B2、用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A:正向电阻小反向电阻大B:正向电阻大反向电阻小C:正向电阻反向电阻都小D:正向电阻反向电阻都大答案:A3、如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A:击穿B:电流为0C:电流过大而使管子烧坏D:正常导通答案:C4、二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。

电子技术基础学习通课后章节答案期末考试题库2023年1.电路如图，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压uo=（）V。

参考答案:12.72.测得某放大电路中BJT的三个电极对地的电位分别为9V、4V和3.4V，则三个电极依次是（）。

参考答案:c，b，e3.电路如图(a)所示，若vo出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的（）元件，将其（）。

参考答案:Rb，调大4.分压式偏置单管共射放大电路，若把上偏置电阻Rb1短路，则该电路中的晶体管将会处于（）状态。

参考答案:饱和5.N型半导体中的多数载流子是（），而P型半导体中的多数载流子是（）。

参考答案:自由电子，空穴6.如图所示，已知Vi1=0.3V，Vi2=0.4V，则输出电压的值为（）参考答案:Vo=0.9V7.某晶体管的极限参数ICM=50mA，PCM=100mW，V(BR)CEO=20V，若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过（）。

参考答案:10mA8.欲将输入电压信号放大100倍，应选用（）电路。

参考答案:同相比例9.场效应管利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小，因此它是（）控制器件。

参考答案:电场，电压10.电路如图所示，输入电压ui=10sinωt (mV)，则输出电压uO为（）。

参考答案:方波11.P沟道耗尽型MOS管中，外加电压VGS的极性为（）。

参考答案:可正可负12.为什么可以称共漏极放大电路的电压跟随器？又为什么可以称共栅极放大电路为电流跟随器？参考答案:######13.三种组态的放大电路各有什么特点？参考答案:能放大功率不能放大电压###既能放大电压也能放大电流###既能放大电压也能放大电流###14.MOSFET放大电路有哪几种组态？如何判断放大电路的基本组态？参考答案:###15.测得某放大电路中BJT的三个电极对地的电位分别是2V、6V、2.2V，这个管子是（）。