模拟电路期末考试题A卷

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

2013 - 2014学年第二学期 《模拟电子技术》期末试卷（A ）姓名： 学号： 专业班级：__________（）一、 填空（本题共8小题,每空1分, 总计20分）得分 判卷人1. PN 结的伏安特性方程 i =I S (e U/UT-1)，表明PN 结呈现 单向 导电性。

2. 放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 U A = -9V ，U B = -6.2V ，U C = -6V ，则该三极管是 锗PNP 型三极管，A 为 集电极 ；B 为 基 极 ；C 为 发射 极。

3. 对于下图所示的电压跟随器，其输出电压与输入电压的关系是 u o ＝u i ，输入电阻趋于 零 ；输出电阻趋于 无穷大 ，该电路是 电压串联 类型反馈电路（反馈组态）。

4．多级放大电路与各单级放大电路比较，多级放大电路压增益大，单级放大电路 通頻带宽。

5．双端输入、双端输出差动放大电路如下所示，已知 静态时V O =V C1-V C2=0，设差模电压增益|A VD |=100，共模电压增益A VC =0，V i1=10mV ，V i2=5mV ，则差模输入电压V id 为 5mV ，共模输入电压V ic 为 7.5mV ，输出电压|V o |= 0.5V 。

6.所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。

该反馈能稳定电路的输出电__流_。

7．场效应管（FET ）用于放大时，应工作在 恒流 区。

8．为了稳定放大器的静态工作点，应引入 直流 负反馈；为了稳定放大器的交流性能，应引入 交流 负反馈。

v o ＋－R L R 1v ii o A二、选择题（共10小题，每题1分，总计10分）1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A．温度 B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷2.滞回比较器有2个阈值电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生次跃变。

［ A ］A. 1B. 2C. 3D. 03.当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。

《模拟电子技术》试卷（A卷）一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

《模拟电路》复习纲要A一、单项选择题1．温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变2．场效应管的主要优点是（）。

A、输出电阻小B、输入电阻大C、是电流控制D、组成放大电路时电压放大倍数大3．在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大，输出阻抗小时，应选用的反馈类型为（）。

A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈4．二极管的正向电流在202mA的基础上增加一倍，它两端的压降（）。

A、也增加一倍B、增加一倍以上C、略有增加D、不变5．在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）。

A、集电极电位一定最高B、集电极电位一定最低C、发射极电位一定最高D、基极电位一定最低6．差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。

A、增加一倍B、减小一半C、不变D、按指数规律变化7．电流负反馈在电路中的主要作用是（）。

A、提高输入电阻B、降低输出电阻C、增大电路增益D、稳定静态工作点8．为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。

A、电流串联B、电流并联C、电压串联D、电压并联9．欲将正弦波电压移相＋90度，应选用（）。

A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、积分运算电路D、微分运算电路10．放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。

A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适二、填空题1. 差分放大器的基本特点是放大______、抑制______。

2. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结______、集电结______。

3. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值______。

2007/2008学年第一学期《模拟电子技术》复习自测题（五）一．填空选择1．稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（）状态。

（a）正向导通（b）反向截止（c）反向击穿2．选择正确答案，用A、B填空。

（A．共源组态B．共漏组态）在共源、共漏两种组态的放大电路中，希望电压放大倍数大应选用____，希望带负载能力强应选用____，希望输出电压与输入电压同相应选用____。

在共射、共集两种组态的放大电路中，希望电压放大倍数大应选用____，希望带负载能力强应选用____，希望输出电压与输入电压同相应选用____。

3．图解法较适合于解决的问题是（）Ａ输入输出均为小信号时电路的交流性能Ｂ输入正弦波信号时输出波形Ｃ输出为小信号时的副值与波形Ｄ静态工作点的设置情况4．直流反馈是指：（）。

（a）只存在于直接耦合电路，而阻容耦合电路中不存在的反馈（b）直流通路中的负反馈（c）只存在放大直流信号时才有的反馈5．由集成运放组成的反馈放大电路如图所示。

试分析其中的交流反馈，从给出的以下答案中选择正确者填空（每小题填三个空格）。

答案：A．正反馈，B．负反馈，C．电压反馈，D．电流反馈，E．串联反馈，F．并联反馈。

（1）图（a）电路为___________，___________，___________;（2）图（b）电路为___________，___________，___________。

6．为了稳定放大电路的输出电流，应引入（）负反馈。

A. 电压B. 电流C. 串联D. 并联7．石英晶体振荡器的主要优点是（）。

A 振幅稳定B 频率稳定度高C 频率高8．电路如图所示，三极管=50 ，，稳压管，为多少？A．8.9VB．7.5VC．8.2VD．都不是9．稳压二极管构成的稳压电路，其接法是（）。

a:稳压二极管与负载电阻串联b:稳压二极管与负载电阻并联c:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联10．复合管如图所示，等效为PNP管的有（）A B C D11．晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。

2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。

3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。

4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。

5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。

6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。

7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。

8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。

二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。

[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。

[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。

[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。

[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。

《电路分析基础》模拟试卷1一、单选题（30题，每题1分，共30分），答案写在下表中1.基尔霍夫定律（Σi＝0和Σu＝0）可以适用的电路类型为（）（A）只适用于直流电路；（B）只适用于正弦交流电路；（C）只适用于动态电路；（D）可适用于任何电路。

2.基尔霍夫电流定律（Σi＝0）应用于电路中的（）（A）支路；（B）节点；（C）回路；（D）网孔。

3.若把电路中的参考点由原来电位较低的点改选为电位较高的点，则电路中各点的电位比原来（）（A）升高；（B）降低；（C）不变；（D）不能确定。

4．在如题4图所示直流电路中，根据基尔霍夫节点电流定律可确定电路中电流I的大小为（）（A）I＝0 A；（B）I＝0.5 A；（C）I＝1 A；（D）I＝10 A。

5．如题5图所示直流电路，当开关S断开时电压表V读数为10 V，当开关S闭合时电压表V读数为5 V，则U S和R S的值分别为（）（A）U S =5 V，R S =5 Ω；（B）U S =5 V，R S =10 Ω；（C）U S =10 V，R S =5 Ω；（D）U S =10 V，R S =10 Ω。

10IR L10 Ω单选题4电路图单选题5电路图6．理想电压源的内阻R S的大小是（）（A）内阻为零；（B）内阻为无穷大；（C）内阻的大小由外电路来确定；（D）不能确定。

7．如题7图所示直流电路，若用支路电流法解题，则下列式子正确的是（）（A）I1+I2+I3=0 ；（B）I1R1+I3R3+U1=0 ；（C）I2R2+I3R3－U2=0 ；（D）I1R1－I2R2+U2+U1=0 。

U 22S单选题7电路图 单选题8电路图8．如题8图所示直流电路，R 1和R 2值均未知。

根据叠加定理，当3 A 电流源单独作用时，U R2＝4 V ；当12 V 电压源单独作用时，U R2＝4 V 。

则R 2的值为（ ） （A ）2 Ω ； （B ）4 Ω ； （C ）8 Ω ； （D ）16 Ω 。

课程编号：（ELC06005） 北京理工大学 2015- 2016学年第1学期模拟电子技术基础A 期末试题 A 卷注：试题答案必须书写在答题纸上，在试题和草稿纸上答题无效班级学号 姓名 成绩一、（20分）综合题1.测得PNP 型三极管各电极对地电位分别为V E ＝ -4V ，V B ＝-4.7V ，V C ＝-4.6V ，说明此三极管处在 。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区2. 理想运放的开环放大倍数A od 、输入电阻、输出电阻分别为 。

A.∞ ∞ 0； B. ∞；0；∞； C. ∞；∞；∞； D.不确定 ∞ 03. 将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 ;将三角波转换为方波, 应选用 。

A .积分运算电路；B .微分运算电路；C .乘法运算电路；D.滞回比较电路 4. 某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。

如果GS u =5V ，DS u =5V ，管子工作在 区；如果GS u =9V ，DS u =4V ，管子工作在 区。

（A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区）5.某放大电路的对数幅频特性如图1-5所示，其放大倍数的表达式为 。

图1-5 图1-66.在如图1-6所示电路中，变压器内阻和二极管的正向电阻均可忽略不计，电容C 取值满足R L C＝（3～5）2T。

输出电压平均值()AV O U ≈ ; 若P 1开路，()AV O U ≈ 。

A. ()AV U O ≈1.2U 2； B. ()AV U O ≈0.9U 2； C. ()AV U O ≈22U ； D. ()AV U O = 0.45U 2 7.某放大电路接入一个内阻等于零的信号源电压时，输出电压为5V ，若信号源内阻增大到1K Ω，其它条件不变时，输出电压为4V ，则该放大电路的输入电阻为 。

A.1K Ω；B. 2K Ω；C. 4K Ω；D. 5K Ω二、（10分）判断下列说法是否正确1. 图2-1所示电路为二阶高通滤波电路。

深圳大学期末考试试卷开/闭卷 闭卷A/B 卷A 课程编号 2213990901~8课程名称模拟电路学分3-1命题人(签字) 审题人(签字)年 月 日 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 基本题总分附加题得分评卷人一、 简答题（20分）1、设晶体三极管在信号周期T 内的导电时间为t ，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t 与T 的关系。

2、直流电源通常由哪几部分组成，并说明各部分的作用。

3、放大电路的电压放大倍数增益的模值在高频段和低频段分别产生什么变化？各由何种电容影响？4、为什么场效应管称为单极性管？它属于何种控制器件？和三极管相比其输入电阻具有何种特点？ 二、（25分）电路如图1所示，图中R s = 2.2k Ω，R b1 = 20 k Ω，β= 60，R b2 = 7.6 k Ω，R C = 6.2 k Ω，R e = 3.6 k Ω，R L = 3 k Ω （1） 画出直流通路。

（2） 计算静态工作点。

（3） 画出微变等效电路。

（4） 写出A u 、R i 和R o 的表达式。

（5） 简述图中三个电容的作用。

图1三、（15分）如图2所示放大电路中，已知V CC =12V ，R b1=120k Ω R b2=30k Ω, R c =5.1k Ω, R e1=2k Ω, R b3=150k Ω, R e2=3k Ω, R L =1.5k Ω,β1=β2=50, r be1=1.77k Ω, r be2=1k Ω。

试求：（1）电路中有几级放大，各级三极管为什么组态？（2）画出微变等效电路；（2）写出总电压放大倍数A u 的表达式； （3）写出R i 和R o 的表达式。

_____________ ________学院 专业 姓名 学号 座号( 密 封 线 内 不 答 题 ) ………………………………………密………………………………………………封………………………………………线………………………………图2四、（15分）反馈放大电路如图3所示。