模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
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模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B;C;F;2、C;D;3、B、E4、B、E;5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解:1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明:Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问:如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2.3.13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2.3.7a/b的解释.我们可以知道1/h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib=0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1/h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic=h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问:没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问:rce1与1/h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4.2.10b中,或公式4.2.15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4.2.10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2.3.13d一致〔2.3.13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4.2.15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A.(A) 电压串联B.(B) 电压并联C.(C) 电流串联D.(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.处于平衡态的PN结,其费米能级EF()。
答案:处处相等2.由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为()的势垒。
答案:3.不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在PN结的势垒区()。
答案:均为常数4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现()过程占优。
答案:复合5.对突变PN结,反向电压很大时,可以略去,这时势垒电容与()成反比。
答案:6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。
也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法,其目的是()。
答案:引入复合中心降低少子寿命7.双极晶体管效应是通过改变()。
答案:正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流8.在缓变基区晶体管中,由于基区中存在内建电场,基区渡越时间变为()。
9.在测量ICBO时,双极型晶体管的发射结和集电结分别处于()。
答案:反偏和反偏10.为了降低基极电阻,通常采用对非工作基区进行()的掺杂。
答案:高浓度、深结深11.ICBO代表( ) 时的集电极电流,称为共基极反向截止电流。
答案:发射极开路、集电结反偏12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:()。
减小栅氧化层厚度13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:()。
答案:降低衬底掺杂浓度14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通:()。
答案:增加衬底掺杂浓度15.当MOSFET的栅极电压较大时,随着温度的温度升高,漏极电流将()。
答案:减小16.MOSFET的()是输出特性曲线的斜率,()是转移特性曲线的斜率。
漏源电导,跨导17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:()。
答案:减小氧化层厚度18.PN结的空间电荷区的电荷有()。
答案:施主离子受主离子19.PN结的内建电势Vbi与()有关。
答案:温度材料种类掺杂浓度20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的()。
生理学_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.促进红细胞叠连的因素是()参考答案:血浆球蛋白含量升高2.影响能量代谢的因素有()参考答案:肌肉活动_环境温度_精神活动_食物特殊动力作用3.神经细胞动作电位的下降支与()有关。
参考答案:钾离子外流4.单个细胞的动作电位的最基本特征是()参考答案:全或无现象5.发绀是一氧化碳中毒的重要表现,提示机体严重缺氧。
参考答案:错误6.钠泵的活动具有生电性。
参考答案:正确7.正常心电图中T波代表心房肌复极过程。
参考答案:错误8.动物实验中,向2kg重的家兔静脉注射5ml的20%葡萄糖溶液后,可观察到家兔尿量增多。
此时尿量增多的主要原因是()。
参考答案:肾小管液溶质浓度升高9.在肾髓质高渗形成的过程中,()处的小管液NaCl被浓缩。
参考答案:髓袢降支细段10.肾脏的生理功能包括()。
参考答案:生成和排出尿液_分泌肾素_参与调节内环境稳态11.肾脏的血供丰富,大部分血液供给肾髓质。
参考答案:错误12.正常机体血压的稳定主要依赖窦-弓反射的调节。
参考答案:正确13.运动状态下,机体最主要的产热器官是()。
参考答案:骨骼肌14.离子通道的电导是描述通道对离子通透性高低的指标。
参考答案:正确15.短时间内大量饮清水,造成尿量明显增加主要是由晶体渗透压下降使得ADH释放减少。
参考答案:正确16.肾脏对钾离子的分泌主要发生在近端小管,并接受醛固酮的调节。
参考答案:错误17.()时,可升高血浆中醛固酮水平。
参考答案:血钾浓度升高_大失血18.属于离子通道特点的是()参考答案:可有门控性_具有离子选择性19.在甲状腺激素合成过程中起关键作用的酶是过氧化物酶。
参考答案:正确20.能结合于N2型受体,从而影响神经肌接头兴奋传递的物质是()。
参考答案:碳酰胆碱21.以下对近端小管重吸收特点的描述中正确的是()。
参考答案:等比等渗重吸收22.外髓渗透压梯度的形成是由于髓袢升支粗段主动重吸收()。
电路与电子技术:电子技术基础_中国石油大学(华东)中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.普通二极管禁止工作在()。
答案:反向击穿区2.若二极管为理想二极管,则该二极管导通时等效为开路。
()答案:错误3.若二极管的导通电压为0.3V,当阳极与阴极之间的电压大于()V时,二极管导通。
答案:0.34.图示二极管的工作状态是()。
【图片】答案:导通5.稳压管的稳压性能是利用PN结的()。
答案:反向击穿特性6.将光信号转化为电信号的是()二极管。
答案:光电7.要使三极管具有放大作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:正向反向8.要使三极管具有开关作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:正向正向_反向反向9.三极管的两个PN结均反偏时,所对应的状态是()答案:截止10.如图所示的放大电路中,集电极电阻RC的作用是()。
【图片】答案:防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压11.当输入电压为正弦信号时,如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真,则集电极电流iC的波形将()。
答案:正半波削波12.电路如图所示,该电路的电压放大倍数为()。
【图片】答案:13.图示电路有正常电压放大的能力。
()【图片】答案:错误14.如图所示的放大电路中,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能时因为()。
【图片】答案:RB开路15.已知基本R-S触发器输入端SD、RD的波形,画出的输出Q波形是正确的。
【图片】答案:正确16.固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如右图所示,当温度升高时工作点Q将( )。
【图片】答案:向Q1移动17.在图示射极偏置电路中,若上偏置电阻RB1短路,则该电路中的三极管处于()。
【图片】答案:饱和状态18.放大电路如右图所示,由于Rb1和 Rb2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。
【图片】答案:适当增加Rb1,减小Rb219.射极输出器的主要特点是电压放大倍数接近于1,输入电阻_____,输出电阻____。
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。
当R从10kΩ减小至5kΩ时,I将____。
【图片】参考答案:变化不大2.随着温度的升高,在杂质半导体中,多数载流子的浓度____。
参考答案:变化较小3.随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____。
参考答案:明显增大4.某硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。
当UD增加10%(即增大到0.66V)时,则ID约为____。
参考答案:100mA5.当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。
参考答案:小于6.当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流。
参考答案:大于7.PN结加正向电压时,空间电荷区将。
参考答案:变窄8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。
参考答案:杂质浓度9.稳压管的稳压区是其工作在。
参考答案:反向击穿10.硅二极管的正向电压从0.65V增大10%,则流过的正向电流增大____。
参考答案:大于10%11.电路如图所示,ui=0.1sinωt(V),当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻rd将____。
【图片】参考答案:减小12.在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,UD=0.7V。
当V调到6V,则I将为____。
【图片】参考答案:大于2mA13.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。
参考答案:ISe(U/UT-1)14.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,在V=10V时,测得I=1μA 。
当V增加到20V时,I将____。
【图片】参考答案:变化不大15.由理想二极管组成的电路如下图所示,其A,B两端的电压Uab应为。
【图片】参考答案:-6V16.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
参考答案:增大17.P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
参考答案:三价元素,如硼等18.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。
参考答案:正确2.反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
参考答案:正确3.减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
参考答案:错误4.在异质结双极型晶体管中,通常用()。
参考答案:宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区5.( )的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。
参考答案:发射极开路时,使6.【图片】对高频小信号注入效率的影响的物理意义是,【图片】的存在意味着【图片】必须先付出对势垒区充放电的多子电流【图片】后,才能建立起一定的【图片】。
这一过程需要的时间是()。
参考答案:发射结势垒电容充放电时间常数7.某长方形扩散区的方块电阻为200Ω,长度和宽度分别为100μm和20μm,则其长度方向的电阻为()。
参考答案:1KW8.要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法()。
参考答案:减小基区掺杂浓度_减小基区宽度9.防止基区穿通的措施是提高()。
参考答案:增大基区宽度_增大基区掺杂浓度10.从发射结注入基区的少子,由于渡越基区需要时间tb ,将对输运过程产生三方面的影响( )。
参考答案:时间延迟使相位滞后_渡越时间的分散使减小_复合损失使小于111.晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流【图片】作参量,输出端电流【图片】与输出端电压【图片】之间的关系。
参考答案:正确12.电流放大系数与频率成反比,频率每提高一倍,电流放大系数下降一半,功率增益降为四分之一。
参考答案:正确13.特征频率【图片】代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极限,而最高振荡频率【图片】则代表晶体管有功率放大能力的频率极限。
参考答案:正确14.模拟电路中的晶体管主要工作在()区。
参考答案:放大15.共发射极电路中,基极电流IB是输入电流,集电极电流IC是输出电流。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
通信原理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.基带4PAM的信号空间是几维的?()。
答案:一维2.MSK信号是一种调制指数为()的连续相位BFSK信号。
答案:0.53.在相同AWGN信道上,当E b相等时,QPSK系统的误码性能与()系统相同。
答案:BPSK4.模拟信号下限频率为1000 Hz,上限频率为3000 Hz,则该信号无频谱重叠的最低采样频率为()。
答案:6000 Hz5.信号传输带宽会随M值的增大而增加的调制方式是()。
答案:MFSK6.()信号的功率谱密度很低,可以隐藏在噪声信号之中,很难让不知情者发现和截获。
答案:直接序列扩频7.m序列又被称为()。
答案:最长线性反馈移位器序列8.单路标准PCM电话系统的数据传输速率为()。
答案:64 kbps9.某数字基带系统的传输速率为1200 Baud,则以八进制码元传输时该系统的比特率为()。
答案:3600 bit/s10.采用双极性NRZ脉冲传输的二元数字基带系统,传输速率为12 kb/s,则该信号第一零点带宽为()。
答案:12 kHz11.下列哪种复用技术常用于模拟通信系统?()。
答案:FDMA12.采用滚降升余弦技术的主要目的是()。
答案:解决码间干扰问题13.下列哪种技术在同等带宽下所传输的数据量最少?()。
答案:二元直接序列扩频14.下面哪种模拟技术在同样频带信道带宽下,所传送的消息信号带宽最大?()。
答案:SSB15.下列哪种技术是实现OFDM的核心技术之一?()答案:FFT16.以下模拟通信系统中,有效性最好的是()。
答案:SSB17.以下说法错误的是()。
答案:DSB-SC系统的解调增益为118.某PM系统中,调制信号m(t)=10cos(2000πt) (V),相偏常数为10 rad/V,则该信号的最大相移为()。
答案:100 rad19.在通信系统中,PCM的中文全称是()。
答案:脉冲编码调制20.对最高频率为f的低通信号进行采样时,最低采样频率为()。
工程测试技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.A/D器用于把模数量转换为数字量,对于一个转换速度为1ms、模拟信号输入范围为0 -- 5V 的8位A/D器件,如果输入一个3.3V的模拟信号,其数字信号输出值应该是:参考答案:1682.在什么条件下变阻器式传感器测量系统的输出量与输入量之间有较好的线性关系参考答案:负载电阻为无穷大3.下列哪些测量场景可以用磁敏电阻+小磁铁构成的传感器来进行检测?参考答案:传感器前通过的高强度钢齿轮零件的数量4.将下面的哪一个信号做为系统的输入信号时,系统的输出信号就可以代表其时域和频域系统特性。
参考答案:δ(t)5.我们想用Matlab编程产生一个方波信号,如下图所示,请问下面那条语句是正确的。
【图片】参考答案:y=square(2*pi*60*t,25);6.下面的哪个英文单词能最准确的代表“传感器"三字的含义参考答案:Sensor7.下面Matlab程序代码产生的是一个600Hz的正弦波信号,由于显示的是全部信号的波形,细节看不清楚,我们可以用如下的哪个函数来改进这一点.【图片】参考答案:axis8.下面是一个实测的心电信号波形,可以近似看作一个周期信号,请问信号的频率是多少?【图片】参考答案:1.4Hz9.按傅里叶变换理论,周期信号可以展开为一组正交的正弦信号和余弦信号,对下图所示的50Hz的方波信号,请问哪个展开式是对的。
【图片】参考答案:(12/π)*{sin(2π50t)+sin(2π150t)/3+sin(2π250t)/5+sin(2π350t)/7+......}10.请问关于信号频谱的概念中,下面的哪一个答案是正确的?参考答案:信号的功率谱是幅值谱的平方11.在傅里叶变换的性质中奇偶虚实性代表的含义是:参考答案:如果x(t)是偶函数,则傅里叶展开系数 bn=0, n=1,2,3,4,5,612.从频谱的栅栏效应误差修正的角度看,下面的哪个窗函数的性能最好 ?参考答案:平顶窗13.压电式传感器受到外力作用时,内部会被极化,表面产生电荷,这种现象称为压电效应。
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题(每空1分,共10分)( A )1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路( C )2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂( A )3.若要实现电流—电压转换电路,应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈( A )4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止( A )5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成:放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节( C )6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑( B )7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V,则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止( C )8.直流负反馈是指:。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈( D )9.对于放大电路,所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路( D )10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷,共( 6 )页,第( 1 )页模拟电子技术A 卷,共( 6 )页,第( 2 )页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题(共10分)1.(请在括号中标明“√”或“×”;每空1分,共5分)( √ )1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立,它只能放大交流信号。
模拟电子技术基础_东北大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.下图为全波整流电容滤波电路。
UO极性如图所示,电解电容C的连接极性是否正确?【图片】参考答案:正确2.已知由理想运放组成的电路如图所示。
模拟乘法器系数K=1,则当Ui=-2V时,输出UO3= -2V。
【图片】参考答案:正确3.电路如图所示。
已知R1=6.8kΩ,R2=10kΩ,R3=20kΩ,R4=3.9Ω,R5=150kΩ,Rf=150kΩ,Cf=0.1uF,Uz=6V,Rw=10kΩ,则电路的最高振荡频率为____________Hz。
【图片】参考答案:33.34.反馈电路如图所示。
在深度负反馈条件下,闭环电压放大倍数Auf=____________。
【图片】参考答案:75.由差动放大器和运算放大器组成的反馈电路如图所示。
设A为理想运放,则该电路的反馈组态为______________;【图片】参考答案:电压串联负反馈6.电路如图所示。
试分析D1,D2工作状态。
【图片】此时,D1 工作在导通状态,D2 工作在截至状态。
参考答案:正确7.电路及其输入电压uI1和uI2的波形如下图所示,二极管导通电压UD=0.7V。
试确定在0~t1期间, uo=________V。
【图片】参考答案:18.已知放大电路中三极管的三个极的直流电位如图所示,则该三极管上、中、下的三个电极分别对应三极管的_________。
【图片】参考答案:基极,发射极,集电极9.根据晶体管型号及实测对地直流电压数据(设直流电压表的内阻非常大),则管子的类型为______。
【图片】参考答案:PNP锗管10.如图所示两级放大电路,已知晶体管β1=β2=40,UBE1=UBE2=0.65V。
求:静态时的ICQ2≈ ________mA。
【图片】参考答案:1。
核医学_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.去除分化型甲状腺癌术后残留甲状腺组织常用131I的剂量参考答案:3.7GBq2.下列措施中不能增强分化型甲状腺癌转移灶摄取131I能力的是参考答案:降低患者TSH水平3.对于甲亢,不适合采用131I治疗的是参考答案:妊娠或哺乳期甲亢4.下列哪一种疾病不能采用核素敷贴治疗参考答案:皮肤溃疡5.有关甲状腺癌的发病率及病理特征描述正确的是参考答案:甲状腺癌中发病率最高的是乳头状癌,其预后最好6.分化型甲状腺癌骨转移131I治疗的常用剂量为参考答案:7.4GBq7.用131I治疗分化型甲状腺癌让患者含服Vit C的目的是参考答案:促进唾液分泌8.下列关于Graves病131I治疗错误的说法是参考答案:突眼严重的Graves病患者不能采用131I治疗9.131I治疗甲亢时,下列哪种为增加剂量的因素参考答案:长期用抗甲状腺药物治疗效果差者10.下列甲状腺疾病中不可采用131I治疗的是参考答案:甲状腺囊肿11.膀胱尿反流显像方法,哪项说法是正确的参考答案:间接法通过静脉注射显像剂,直接法通过导尿管注入显像剂12.肾静态显像显示肾实质受累,提示是参考答案:肾盂肾炎13.肾移植后急性肾小管坏死时,肾动态显像异常表现为参考答案:肾实质摄取明显减低14.在上尿路梗阻时,评价梗阻程度主要看肾图的哪项指标参考答案:半排时间15.下列关于肾动态显像显像剂99mTc-DTPA的说法,正确的是参考答案:大部分经肾小球滤过并很快随尿排出16.前哨淋巴结显像最常用于下面哪种疾病参考答案:乳腺癌17.下面不属于淋巴管显像临床应用的是参考答案:下肢深静脉血栓诊断18.哪项不属于骨髓显像的临床应用参考答案:骨转移灶诊断19.下面不属于再生障碍性贫血的显像特点参考答案:全身骨髓活性增强20.放射性肝胆动态显像适应证不包括参考答案:诊断肝血管瘤21.放射性核素消化道出血显像主要用于什么部位的消化道出血的诊断参考答案:胃、十二指肠以下,乙状结肠部位以上的小肠和结肠部位22.Barrett食管描述错误的是参考答案:是整个食管的病变23.有关干燥综合征描述错误的是参考答案:干燥综合征主要侵犯唾液腺、泪腺及甲状腺24.下列哪一点不是99mTc标记的环丙沙星用于骨髓炎显像的优点参考答案:感染和非感染性炎症均可应用25.下列哪种显像属于炎症特异性显像参考答案:放射性核素标记白细胞显像26.患者男性,60岁,一侧下肢水肿、喘憋2周,心电图为肺动脉高压表现,肺灌注显像示多发性放射性缺损区,肺通气显像为多发性轻度放射性减低区,两种显像异常部位基本一致。
模拟电子技术基础_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.双极型晶体管的输入电阻是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。
参考答案:错误2.图解法可以分析放大电路的非线性失真问题,微变等效电路法却不能。
参考答案:正确3.在晶体管放大电路中,带负载能力最强的放大电路是。
参考答案:共集放大电路4.三种组态的基本放大电路中,共射电路的特点是。
参考答案:既能放大电压也能放大电流5.两只稳压值分别为6V和9V的硅稳压管并联,可得到的稳压值是。
参考答案:6V,0.7V6.稳压管电路如图所示。
两稳压管的稳压值均为6.3 V,正向导通电压为0.7V,其输出电压【图片】为。
【图片】7V7.共基放大电路主要应用于。
参考答案:高频电压放大8.某射极跟随器的【图片】,【图片】,静态工作点为【图片】,【图片】,若晶体管的临界饱和压降【图片】,则该电路跟随输入电压的最大不失真输出电压的幅值为。
参考答案:3V9.在如图所示的电路中,若把上偏置电阻【图片】短路,则该电路中的晶体管将会处于状态。
【图片】参考答案:饱和10.在如图所示的放大电路中,已知【图片】,【图片】,【图片】,【图片】,【图片】,【图片】,【图片】,【图片】、【图片】、【图片】足够大。
晶体管的工作状态是状态。
【图片】参考答案:饱和11.若将如图所示电路中的电容【图片】断开,则会引起。
【图片】和同时增大12.在共射基本放大电路中,当【图片】一定时,在一定的范围内增大发射极电流【图片】,则放大电路的输入电阻。
参考答案:减小13.在方波三角波发生器中,改变,可将三角波变为锯齿波。
参考答案:积分电路结构,使充放电时间常数不等14.非正弦波发生器只要反馈信号能使的状态发生跳变,即能产生周期性的振荡。
参考答案:电压比较器15.要得到频率在20Hz~200kHz范围内的信号,应选择的正弦波振荡电路形式为。
参考答案:RC振荡电路16.在并联型石英晶体振荡电路中,对于振荡信号,石英晶体等效为。
电工与电子技术实验中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.用示波器观测一个峰-峰值为1V的正弦信号,其有效值为()V。
参考答案:0.25√22.万用表用完后应关闭电源,并将功能选择旋钮置于?参考答案:交流电压最高档3.用示波器观察整流滤波后波形的脉动成分,示波器的耦合方式应选择?参考答案:AC档位4.应用万用表测量时,下列哪些操作是错误的?参考答案:在不能确定被测量值的范围时,须将万用表选择最小量程。
5.如果实验图中的QAR和QAF常闭触点互换位置,会出现什么后果?【图片】参考答案:按下按钮后线圈反复开合。
6.下列关于变压器的理解,正确的是:参考答案:误将变压器接在等电压的直流电源上,则空载电流会很大I=U/R。
7.如果用万用表20V挡量程测量的电压值是14.02V;用200V挡量程测量的电压值是016.3V。
你应该选取哪一组数据?参考答案:第一组8.若实验图1.1.1中电位测量,以a为参考点,测得b点电位为-8.9V,分析判断是什么故障?参考答案:bcde支路有断线9.触发晶闸管的触发信号通常是尖脉冲,如果电源信号是矩形脉冲,请问下列哪个电路可以实现矩形脉冲转换成尖脉冲?参考答案:微分电路10.变压器外特性理解正确的是:参考答案:变压器外特性是反映变压器带负载能力,随着负载变化,输出电压变化量越小越好。
11.RL串联电路与直流电源接通时,为了使暂态过程加快,应采取什么办法?参考答案:增大电阻R12.直流电动机(可认为是一个RL串联电路模型)由直流电压源提供电能,为了避免断路时烧毁电动机,可以采取电动机两端并联大电阻方法,下面分析正确的是?参考答案:直流电动机断路时是RL零输入响应,并联大电阻是为了减小暂态过渡过程。
13.实验观察到示波器中的波形如图所示,黄色测量电压的波形,蓝色测量电流波形,判断此时电压电流哪个相位超前?电路此时呈现的是哪种性质?(容性,感性,阻性?)【图片】参考答案:电流超前,容性电路14.本实验中用示波器确定RLC串联谐振频率的理论依据是:参考答案:串联谐振时电压与电流的相位差为0,15.本实验要求的共“地”是指?参考答案:函数发生器,毫伏表和示波器的探头黑表笔接在一点上作为公共参考点。
数字电路与逻辑设计_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.()确定项目是否值得去做.答案:可行性分析2.在整个软件维护阶段所花费的全部工作中,()所占比例最大。
答案:完善性维护3.软件是一种()。
答案:逻辑产品4.软件维护产生的副作用,是指()。
答案:因修改软件而造成的错误5.第一个体现结构化编程思想的程序设计语言是()。
答案:Pascal6.面向对象技术特别强调的是()。
答案:对象的数据结构7.关联是建立()之间关系的一种手段。
答案:类8.为了提高模块的独立性,模块内部最好的是()。
答案:功能内聚9.软件调试技术包括()。
答案:演绎法10.螺旋模型最大的优点是()。
答案:风险驱动11.以下()内容属于项目前期的主要工作。
答案:现状分析粗略设计可行性分析12.对软件配置说法正确的是()。
答案:软件配置项是配置管理的基本单位软件配置实际上是动态的概念软件工程过程中某一阶段的变更均要引起软件配置的变更13.以下()属于面向对象分析建模中的动态模型。
答案:活动图序列图状态图14.需求获取的基本技术有()等方法。
用户面谈专题讨论问卷调查原型化方法15.UML中常用的关系有()。
答案:依赖关系关联关系泛化关系聚合关系16.通常用数据流图、数据库字典和简明算法描述表示系统的逻辑模型。
答案:正确17.软件测试是要发现软件中的所有错误。
错误18.输入/输出风格是在软件需求分析和设计阶段建立的,而不是在编码阶段建立的。
答案:正确19.软件开发小组的组成人员素质应该好,而且人数越多越好。
答案:错误20.UML支持面向对象的主要概念,并与具体的开发过程相关。
答案:错误21.在面向对象方法下,用业务用例来描述一个业务,每个业务用例都用一个活动图来进行描述。
正确22.软件工程学科出现的主要原因是软件危机的出现。
答案:正确23.软件开发工具的作用是为了延长软件产品的寿命。
答案:错误24.用黑盒法测试时,测试用例是根据程序内部逻辑设计的。
模拟电子技术基础_华北电力大学(保定)中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.齐纳二极管工作在()区,其主要参数包括:()、()、()和()。
参考答案:反相击穿##%_YZPRLFH_%##稳定电压##%_YZPRLFH_%##稳定电流##%_YZPRLFH_%##最大稳定电流##%_YZPRLFH_%##动态电阻2.()半导体称为本征半导体。
参考答案:纯净的晶体3.因为N型半导体中的多子为自由电子,所以它带负电。
参考答案:错误4.半导体材料的导电特性具备什么特点。
参考答案:热敏性_光敏性_掺杂性5.在N型半导体中掺杂足够量的三价元素,可将其该行为P型半导体。
参考答案:正确6.PN结具有()导电特性。
参考答案:单向7.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
参考答案:正确8.影响半导体二极管反相电流的因素是()。
参考答案:少数载流子9.半导体的导电特性区别于导体的最显著特点是()。
参考答案:两种载流子10.半导体参与导电的载流子包括()和()。
参考答案:自由电子_空穴11.杂质半导体共有()半导体和()半导体两种。
参考答案:P型_N型12.为了放大从热电偶获得的反应温度变化的微弱信号,放大电路应采用()方式;参考答案:直接耦合13.电压比较器的门限电压实质上是输入电压。
参考答案:正确14.电压比较器的输出电压只有在输入电压值等于门限电压时才发生改变。
参考答案:正确15.迟滞比较器比单门限比较器具有抗干扰性能。
参考答案:正确16.场效应管可称为单极型半导体器件。
参考答案:正确17.为了增大放大电路的输入电阻,应引入()负反馈。
参考答案:串联18.为了稳定放大电路的输出电流,应引入()负反馈。
参考答案:电流19.三端稳压器7812的输出电压为()V。
参考答案:1220.变压副边电压有效值为U,负载RL≈(3~5)×50Hz时,则全波整流滤波电路的输出电压约为()U。
参考答案:1.221.为了稳定放大电路的输出电压,应引入()负反馈。
Physics_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.In the Figure, as the ball rolls down the hill, what is correct about its motion?答案:its speed increase and its acceleration decrease.2.Consider the following controls in an automobile: gas pedal, brake, steeringwheel. What are the controls in this list that cause an acceleration of the car?答案:all three controls3. A particle of mass m is exerted with a force. Which of the following forces isnot a conservative force?(g, k, C, D and γ are constants, and υ is the speed of particle.)答案:4.If two particles have equal kinetic energies, are their momenta equal?答案:yes, if both their masses and directions of motion are the same5. A constant net torque is exerted on an object. Which of the followingquantities for the object can NOT keep constant? (a) angular position (b) angular velocity (c) angular acceleration (d) rotational inertia答案:(a)(b)6. A uniform solid cone (mass M, radius R, height h) rotates about its symmetricaxis, its rotational inertia will be答案:7.Which of the following statements is NOT correct about inertial forces?答案:In a rotational noninertial frame, there is only one inertial force acting on moving objects: Coriolis force.8. A block–spring system vibrating on a frictionless, horizontal surface withamplitude of 6.0 cm has energy of 12 J. If the block is replaced by one whose mass is twice the mass of the original block and the amplitude of the motion is again 6.0 cm, what is the energy of the system?答案:12J9. A traveling wave is shown by y=0.1cos(6x + 80t + π/3) (SI). Then the wavevelocity is答案:13.3m/s10.Sound from a loudspeaker is measured to be 60dB at a distance of 3m. Whatis the sound level measured at a distance 6m?答案:54dB11.In the double-slit interference experiment, the distance between two slits is d,and the screen is L away from the slits. We can change the experimentcondition to see what happens to the interference pattern. Which of thefollowing statements is NOT correct?答案:When the distance d increases, the interference fringes on screen are getting far away from each other.12.600-nm light falls on a single-slit (width a=0.3mm), the screen is 2.0m away.At diffraction angle θ=0.005rad, which fringe can be observed?答案:The second bright fringe.13.If plane polarized light is sent through two polarizers, the first at 45° to theoriginal plane of polarization and the second at 90° to the original plane ofpolarization, what fraction of the original polarized intensity passes through the last polarizer?答案:1/414.Two spaceships move with same speed 0.80c relative to the Earth, but inopposite directions. What is the speed of one ship relative to the other? (c is the speed of light in vacuum)答案:0.976c15.答案:[1.79,1.80]16. A rod of length 30.0 cm has linear density (mass per length) given by λ=50.0+20.0x where x is the distance from one end, measured in meters, and λ is in grams/meter. How far is its center of mass from the x =0 end?___________cm答案:[15.2,15.4]17. A small ball (m=50g) connected by a rope is moving on frictionless tablecircularly with ω =7rad/s and r=30cm. Then one pulls the rope slowlythrough the center. When the radius of circular motion reduces to r'=10cm, the work done on the ball is _____________J.答案:0.882##%_YZPRLFH_%##0.8818.If the functional curve of VELOCITY in an oscillation is shown as figure, thenthe amplitude of oscillation isA = __________________cm.答案:2.419.答案:0.05 20.答案:[216,218]21.The 3rd, 6th, 9th maxima are missing in a grating experiment, and thegrating constant d=7200nm. What is the minimum possible value of slit width a?a = ________nm答案:240022.答案:[2.7,2.8]。
计算机操作系统_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知系统物理内存为4GB,采用48位虚拟地址,页面大小为4KB,页表项大小为8B,每段最大为4GB。
假设系统采用虚拟页式存储,则需要采用()级页表,页内偏移为()位答案:4, 122.进程执行发生缺页中断,经操作系统处理后,应执行()答案:被中断的那一条指令3.某页式存储管理系统,向用户提供的逻辑地址空间最为为16页,每页2048B,内存总共有8个存储块,则逻辑地址空间至少为多少位?内存空间有多大?()答案:逻辑地址至少15位,内存空间为16KB4.快表在计算机系统中的作用是()答案:地址变换5.缓冲池的作用()答案:缓解I/O设备与CPU速度不匹配6.在采用Spooling技术的系统中,用户打印数据首先被送到()答案:磁盘固定区域7.假定把磁盘上的一个数据块中的信息输入到一个双缓冲区的时间为T=0.2ms,将缓冲区中的数据传送到用户区的时间M=0.1ms,而CPU对数据的处理时间C=0.1ms,这样系统对每个数据块的处理时间为()答案:0.2ms8.关于I/O中断使用中不正确的描述是()答案:通道根据I/O中断了解输入输出操作的执行情况9.CPU输出数据的速度远远超过打印机的打印速度,影响程序执行速度,为解决这一问题,可以采用()答案:缓冲技术10. 2. 设文件F1的当前引用计数值为1,先建立文件F1的符号链接文件F2,再建立文件F2的硬链接文件F3,然后删除文件F2。
此时,文件F1的引用计数值为( ) 。
答案:211.文件的物理分配方法包括连续分配、链式分配和()答案:索引分配12.某计算机系统配备了4台同型号打印机、1台扫描仪。
请问该系统需在内存中配置()个设备驱动程序。
答案:213.系统进行设备分配时,应考虑的因素有()答案:I/O设备的固有属性_I/O设备的分配算法_设备分配的安全性14.物理I/O设备的控制方式有()答案:循环测试(Cyclic Test)方式_中断驱动(Interrupt-Driven)方式_DMA控制(DMA Control)方式15.动态分区应用最佳适配法可以保证最优的分配效果。
电磁场与波_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知空气中电偶极子辐射的远场如下式,则波阻抗是( )【图片】【图片】答案:2.已知自由空间中的电磁波的两个分量为【图片】【图片】式中f=20MHz,b=0.42rad/m。
则坡印亭矢量的时间函数S(z,t)及坡印亭矢量的平均值Sav分别是()答案:3.已知在半径分别为a和b(a答案:4.设在m为无穷大的铁磁平面一侧空气中有一无限长直导线和一矩形线圈,两者位于同一个垂直于铁磁面的平面中,求长直导线和矩形线圈之间的互感()。
【图片】答案:5.如图所示为导电介质中的恒定电场,有三种不同介质相交于平行平面S1和S2,电流线与平面法线n1,n2的夹角分别为α1、α2和α3,求:若需α1=α3,应满足什么条件( )【图片】答案:6.半球形铜电极埋入地表面,附近有一个直而深的沟壁,若已知电极半径a=0.5m,电极中心至沟壁距离h=20m,土壤电导率【图片】S/m,如图所示。
接地电阻为( )【图片】答案:32.2 Ω7.一根水平导线,半径1.5mm,长1000m,轴心离地面30m,导线对地电容为( )。
答案:5.2 nF8.恒定磁场的边值问题求解中,对平行平面场,边界与磁力线垂直时,其矢量磁位与标量磁位的边界条件可以写成如下形式:答案:9.一长直铁管置于均匀的外磁场【图片】中,铁管轴线与磁力线垂直。
铁管内外均为空气。
已知铁的相对磁导率【图片】>>1 ,但不视作无穷大。
以图中 a-b-c-d-a 围成的矩形区域作为分析场域,设边界距离铁管足够远,以至于边界处的磁场没有受到铁管的影响。
铁管内半径 R1,外半径 R2;矩形区域长 ab=l,宽 bc =h。
分别以矢量磁位A(只有Az分量)和标量磁位【图片】为求解量计算磁场,需要确定a-b-c-d-a矩形边界两个位函数的边界条件,如果以b点作为矢量磁位A和标量磁位【图片】的参考零点,则c, d, a三个点的位函数分别为:【图片】【图片】答案:10.平行板电容器,极板面积400【图片】,两板相距0.5cm,两板之间一半厚度为玻璃所占,另一半厚度是空气,玻璃的相对介电常数【图片】,其击穿强度为60kV/cm,空气的击穿强度为30kV/cm,当电容器接到20kV的电源后,电容器会不会被击穿?答案:空气和玻璃都被击穿11.已知电偶极子在θ=30°,r=5 km处产生的电场为2 mV/m,则此电偶极子的辐射功率为()答案:P=4.44mW12.下列关于梯度计算正确结果的是( )答案:13.据估计,晴天时太阳辐射到地球的功率为1.34【图片】(对入射波而言),假设阳光为一单色平面电磁波,则入射波中的电场强度和磁场强度的最大值分别为()答案:14.三条输电线位于同一水平面上,导线半径都是r0=4mm,距离地面高度h=14m,线间距离d=2m。
半导体物理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.对应于n型半导体,电子为()参考答案:多子2.硅肖特基二极管的特点()参考答案:开关速度快_不存在少子存储效应_反向泄漏电流较PN结二极管大3.施主杂质能级的作用包括以下()参考答案:提供导带电子_散射中心4.考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将()参考答案:降低5.密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
参考答案:正确6.半导体中载流子的电输运包括()。
参考答案:漂移_扩散7.某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子,那么此Si半导体主要是()导电。
参考答案:空穴8.在纯Ge中掺入下列()元素,Ge将变为p型半导体。
参考答案:In9.电子的漂移电流的方向,与()相同。
参考答案:电场方向10.室温下,n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其费米能级位于()。
参考答案:禁带中线之上11.决定半导体的载流子迁移率的因素有()。
参考答案:电导有效质量_温度12.对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是()。
参考答案:光学波声子散射13.下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。
参考答案:室温下,同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大14.对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。
参考答案:P型15.下列情形中,室温下扩散系数最小的为( )。
参考答案:含硼、磷的硅16.在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大,涉及的物理机理有()。
参考答案:晶格散射为主_杂质完全电离17.电子迁移率通常高于空穴迁移率,这是由于电子电导有效质量()空穴电导有效质量。
参考答案:小于18.假设其它条件不变,可以通过()降低半导体材料的电阻率。
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
参考答案:∞,∞,02.放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相,同相3.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍,应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中,图中A点对地的电压为_____,B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V,-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件,且【图片】,就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+3V时,输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值,而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1,216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路,则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频,那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时,都不会产生自激振荡。
参考答案:正确19.无论在什么情况下,分析运算放大器组成的电路时,都可以运用虚短和虚断的概念。
参考答案:错误20.图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
【图片】参考答案:减小输出电阻_增大输入电阻21.设图示电路满足深度负反馈条件,则它的反馈系数为________,闭环增益约为________,闭环电压增益约为________。
【图片】参考答案:,,22.图示电路级间引入了反馈,该反馈属于反馈。
【图片】参考答案:负,直交流23.为了增大放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
参考答案:电流取样24.运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的,一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。
参考答案:正确25.N型半导体中的多数载流子是,而P型半导体中的多数载流子是。
参考答案:自由电子,空穴26.PN结内电场方向是由。
参考答案:N区指向P区27.PN结正偏是指。
参考答案:P区电位高于N区28.齐纳二极管正常稳压时,工作在状态。
参考答案:反向击穿29.点亮发光二极管应加,光电二极管正常工作时应加,变容二极管正常工作时应加。
参考答案:正偏电压,反偏电压,反偏电压30.已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数rd = 。
参考答案:52 Ω31.在差分式放大电路中,源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置,带来的好处是。
参考答案:提高共模抑制比32.设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。
当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和。
【图片】参考答案:10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA33.二极管电路如图所示。
输入电压只有0V或5V两个取值。
利用二极管理想模型分析,在vI1和vI2电压的不同组合情况下,输出电压vO的值是。
【图片】【图片】参考答案:vO的b列34.电路如图所示,D为硅二极管,若VDD = 2 V,R = 1 kW,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。
则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为,vO的静态电压;动态时,vO的交流电压振幅为。
【图片】参考答案:1.3mA,1.3V;0.049V35.可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。
参考答案:正确36.无旁路电容的直接耦合放大电路区别于阻容耦合放大电路的特点是,它在低频区的增益不会衰减。
参考答案:正确37.电路如图示,已知该电路在室温(300K)下运行,且BJT的VBEQ=0.6V,rbb¢=100W,b0=100,Cb¢c=0.5pF,fT =400MHz;VCC=12V,Rb1=100kW,Rb2=16kW,Re=1kW,Rc=RL=5.1kW,Rs=1kW,那么该电路的上限截止频率约为。
【图片】参考答案:3.45MHz38.电路如图所示,其中+VDD=5V,Rsi = 1kW,Rg1= 30kW,Rg2 = 20kW,Rd= 4kW,gm= 0.8mS,l = 0,Cgs=1pF,Cgd=0.5pF。
那么该电路源电压增益的上限截止频率约为。
【图片】参考答案:55.7MHz39.稳压电路如图所示。
若VI =10V,R =100W,齐纳二极管的VZ =5V,IZ(min)=5mA,IZ(max)=50mA,那么负载RL的变化范围是。
【图片】参考答案:大于111W40.半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
参考答案:正确41.图示一阶RC高通电路,当输入信号的频率等于【图片】时,电路的【图片】_______。
【图片】参考答案:-20dB42.对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。
参考答案:错误43.直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
参考答案:正确44.BJT放大电路在不失真地放大动态信号时,其三个电极的实际电流方向始终不变。
参考答案:正确45.NPN型BJT只能在正电源电压下工作,而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
参考答案:错误46.在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。
参考答案:正确47.用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是_______,该管是________型。
参考答案:e、c、b;NPN48.BJT放大电路共有三种组态的放大电路,它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
参考答案:共集电极,共基极49.BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______,集电结_______。
参考答案:正偏,反偏50.场效应管仅靠一种载流子导电。
参考答案:正确51.已知电路参数如图(a)所示,FET工作点上的互导gm=1mA/V,设rds>>Rd,则该电路的小信号等效电路是_______,电压增益为_______,输入电阻为_______。
【图片】参考答案:图(b),-3.3,2075 kW52.用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。
当输出端开路时,A和B的输出电压相等;当都接入负载电阻RL时,测得A的输出电压小于B的输出电压,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。
参考答案:大53.场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小,因此它是_______控制器件。
参考答案:电场,电压54.N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
参考答案:电子55.通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
参考答案:错误56.P沟道增强型MOS管的阈值电压是________。
参考答案:负值57.12V电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24V的正弦波,则二极管流过的峰值电流为,二极管两端的最大反向电压为。
【图片】参考答案:120mA,36V58.一个MOS场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向),它是_______场效应管。
【图片】参考答案:P沟道增强型59.在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中,_______放大电路电压增益小于1但接近于1,输入输出电压同相,有电压跟随作用;_______放大电路电压增益较高,输入输出电压反相;________放大电路输入输出电压同相,有电流跟随作用;________放大电路输出电阻小;_______放大电路输入电阻小。
参考答案:共漏,共源,共栅,共漏,共栅60.放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。
参考答案:错误61.在图示电路中,已知各MOS管的阈值电压çVT ç=0.5V,MOS管处于截止状态的电路是_______。
【图片】参考答案:图(b)62.试分析图示各电路,能正常放大交流信号的电路是________(设各电容对交流信号的容抗可忽略)。
【图片】参考答案:图(b)63.设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为_______。
【图片】参考答案:图(d)64.电路如图所示。
设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。
场效应管的VT=0.8V,Kn=1【图片】,l = 0。
则场效应管的gm » _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。
【图片】参考答案:1.42 mA/V,-12.7865.源极跟随器电路如图所示,场效应管参数为Kn=1【图片】,VTN=1.2/V,l=0。
电路参数为VDD=VSS=5V,Rg=500kΩ,RL=4kΩ。
若电流源I=1mA,则小信号电压增益约为________,输出电阻约为________。
【图片】参考答案:0.89,0.5kW66.图示电路参数为I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rg=100 kΩ,Rd=10kΩ, Rsi=1kΩ。
场效应管参数为VTN=1V,Kn=0.5【图片】,λ=0。
那么电路的输入电阻约为________,源电压增益Aυs=υo/υs =_________,输出电阻约为________。
【图片】参考答案:1 kW,5,10kW67.放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
参考答案:错误68.电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av = vO/vI = ,Ri= ;图(b)Av=vO/vI = ,Ri = 。