1. 电学SOA
功率晶体管的电学SOA 源于碰撞电离。背栅去偏置 效应。背栅去偏置超过了源区衬偏电压,源向衬底 注入少子。
2. 热电SOA
MOS 结构中固有寄生双极型晶体管具有和任何其他 双极型晶体管一样的缺点,尤其是会出现热击穿。 在约1ms 的延迟后,聚集的电流就会将雪崩MOS 管 烧毁,这种机制叫做热电SOA。漏区-背栅结温度较 高的部分传导较大的电流,使电流积聚到一个热点。
!!Guard Ring 必须封闭
应该采用后者
噪声抑制——屏蔽
M3
M2
Signal
M1
Coaxial Shielding
via2 M2 via1
GND
!如果需要shielding结构,请电路设计者事先告知 !!绕线时,先走Shielding结构,再绕其他线
噪声抑制——差分结构
Differential Signal
噪声抑制——去耦
Stacked Power Rails
M3
GND
小电容
M2
VDD
M1
GND
层叠电源线和地线,会形成许多小电容 对于高频噪声的泄放很有用
在做cell ring时,除非工艺方有特定要 求,往往都做成电源线与地线层叠的形式:
方便ESD走线 增大寄生电容。
噪声抑制——电源
PAD
Individual Power Rail
器件的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意);各器件的尺寸是否和原 理图一致。一般在拿到原理图之后,会对布局有大概的规划,先画器件,(器 件之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。对每个器件 的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑