电子元器件的认识讲解
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电子厂电子元器件基础认知一、电阻器:(单位换算、功率大小辨别、色标法计算阻值与误差。
)1.碳膜电阻器2.金属膜电阻器3.线绕电阻器4.氧化膜电阻器5.压敏电阻器6.热敏电阻器7.湿敏电阻器8.水泥电阻器a.电阻器:在电路图中用字母R表示,单位为欧姆,单位符号用Ω表示。
欧姆是德国物理学家,电阻的国际单位制“欧姆”以他的名字命名。
b.电阻单位换算:常用的电阻单位有毫欧(mΩ)、欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ),换算进率为1000。
1000毫欧(mΩ)=1欧姆(Ω)=0.001千欧(KΩ)=0.000001兆欧(MΩ)c.额定功率:规定环境温度下,常见允许消耗功率有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W。
d.色环电阻器电阻值色标法识别:a.国内贴片电阻的命名方法:1、5%精度的命名:RS-05K102JT2、1%精度的命名:RS-05K1002FTR -表示电阻S -表示功率:05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。
K -表示温度系数为100PPM。
102-5%精度阻值表示法:前两位为有效数字,第三位表示有多少零,单位Ω,102=1000Ω=1KΩ。
1002-1%精度阻值表示法:前三位为有效数字,第四位表示有多少零,单位Ω,1002=10000Ω=10KΩ。
J -表示精度为5%F -表示精度为1%T -表示编带包装b.误差精度:贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度,常规用的最多的是±1%和±5%,±5%精度的常规是用三位数来表示,例512,前面两位是有效数字,第三位数2表示有多少个零,单位Ω,这样就是5100Ω=5.1KΩ。
认识电子元器件电子元器件是元件和器件的总称。
电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。
如电阻器、电容器、电感器。
因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。
电子元器件是元件和器件的总称。
电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品电子器件:对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)。
电子元器件行业主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成. 电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证,美国的UL和CUL认证,德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证,来保证元器件的合格。
发展史电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。
电子元器件第一代电子产品以电子管为核心。
四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。
五十年代末期,世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展.集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。
由于,电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性,所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点.在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化.电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。
常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一,可以通过它们来控制电信号和电能的流动。
在工程领域中,我们需要了解电子元器件的种类和功能,以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。
在本文中,我们将介绍一些常见的电子元器件,并对它们的主要特征进行分析和说明。
1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件,它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。
在实际应用中,我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压,以便实现特定的电路功能,比如控制LED亮度,实现制冷系统温度控制等等。
2. 电容器电容器能够储存静电能量,可用来控制电流和电压。
它有两个电极板和一个电介质,当电容器接入电路时,会在两个电极板之间形成等电势线。
电容器的容量是储存的静电能量密度,通常以法拉(F)为单位,这也意味着电容器具有储存电能的能力,可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。
除此之外,它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。
3. 晶体管晶体管是一种半导体器件,它可以控制电流的流动而没有机械运动,通常用来放大电路信号。
晶体管最常见的类型是二极管,由两个PN结组成,其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。
当施加电压时,电场将使电荷在基极和发射极之间流动,并将集电极中的电流变大。
4. 电感器电感器是一种设备,它可以储存磁场能量,通常用来控制电流或电压。
电感器由线圈和磁芯组成,当电流通过线圈时,磁芯被激活并储存能量。
电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。
实际使用中,电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路,还可以在发电机或变压器中用来调节电感。
5. 二极管二极管是一种电子器件,它由两个半导体层(一正一负)组成,可控制电流的一个方向。
当施加电压时,电子从一层流向另一层,这就是二极管的正向导通,不同于之前的电阻器,它是一种有源元件,可以用于电路中的整流、开关或振荡。
当电子流从高电位电极流向低电位电极时,二极管发生反向击穿,进入负向导通状态,此时它可以用作负向偏置的保护器件。
认识电子元器件1. 介绍电子元器件是构成电子产品的基本组成部分,它们在电路中起着不同的作用。
了解电子元器件的种类、特性和应用范围对于学习电子行业非常重要。
本文将介绍一些常见的电子元器件,并讨论它们在电子行业中的应用。
2. 电子元器件的分类电子元器件可以按照不同的标准进行分类。
根据元器件的功能和作用,可以将电子元器件分为被动元器件和主动元器件。
被动元器件包括电阻、电容和电感等,它们没有放大或控制电信号的能力。
主动元器件则包括晶体管、场效应管和集成电路等,它们可以放大和控制电信号。
此外,电子元器件还可以按照工作原理、结构和材料等方面进行分类。
例如,根据工作原理的不同,可以将电子元器件分为电阻式元器件、电容式元器件和电感式元器件等。
3. 常见的电子元器件3.1 电阻电阻是电流通过时阻碍电流流动的元器件,用来限制电路中的电流,调节电路的电压和功率。
电阻的单位是欧姆(Ω)。
电阻的阻值和功率是电阻的两个重要参数。
3.2 电容电容是储存电荷的元器件,它可以存储电势能。
电容的单位是法拉(F)。
电容的容值和工作电压是电容的两个重要参数。
3.3 电感电感是通过电流变化而产生感应电动势的元器件,它可以储存电流。
电感的单位是亨利(H)。
电感的感值和电流是电感的两个重要参数。
3.4 晶体管晶体管是一种主动元器件,它可以放大电信号。
晶体管有很多种类型,包括二极管、三极管和场效应管等。
晶体管广泛应用于放大电路和开关电路中。
3.5 集成电路集成电路是把多个晶体管、电容、电阻等元器件集成在一个芯片上的元器件,它具有体积小、功耗低、可靠性高等优点。
集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。
4. 电子元器件的应用电子元器件的应用非常广泛,在各个领域都有重要的作用。
以下是一些常见的应用场景:•电阻常用于电路中的电流限制和调节;•电容常用于电源滤波、信号耦合和振荡电路等;•电感常用于频率选择电路和电磁感应等;•晶体管广泛应用于放大电路、开关电路和振荡电路等;•集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域,如处理器、存储器和控制器等。
电子元件电子元件(electronic component),是电子电路中的基本元素,通常是个别封装,并具有两个或以上的引线或金属接点。
电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路,例如:放大器、无线电接收机、振荡器等,连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。
电子元件也许是单独的封装(电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等),或是各种不同复杂度的群组,例如:集成电路(运算放大器、排阻、逻辑门等)。
中文名电子元件外文名Electronic component常用的电阻、电容、电感、电位器等用于组成电子产品目录.1元件分类.▪端子与连接器.▪电线.▪开关.▪电阻.▪保护装置.▪电容.▪电磁感应装置.▪网络(Network).▪忆阻器(Memristor).▪压电装置、晶体谐振器.▪电源.▪感测器.▪固态电子元件.▪显示科技.▪真空管.▪组件.▪机械配件.▪其他.2标准缩写元件分类编辑为了保持电子元件运作的稳定性,通常将它们以合成树脂(Resin dispensing)包覆封装,以提高绝缘与保护不受环境的影响。
[1]元件也许是被动或有源的(passive or active):被动元件(Passive components)是一种电子元件,在使用时它们没有任何的增益或方向性。
在电路分析(Network analysis)时,它们被称为电力元件(Electrical elements)。
有源元件(Active components)是一种电子元件,相对于被动元件所没有的,在使用时它们有增益或方向性。
它们包括了半导体器件与真空管。
端子与连接器用于电路连接的装置端子(Terminal)电子连接器(Connector)信号插座(Socket)端子台(Screw terminal, Terminal Blocks)信号接头(Header)电线有连接口或终端在尽头的电线电源线(Power cord)软线(Patch cord)示波器探棒(Test lead)开关能够控制电路的开路或闭路的电子元件开关(Switch)- 手动操作的开关Keypad- 一群按钮开关的集合(例如只能输入数字的小键盘)继电器(Relay)- 电流操作的开关。
认识电子元器件电子元器件是电子技术中不可或缺的一部分。
了解和掌握电子元器件的种类、特点及其作用,对于学习和掌握电子技术知识有着非常重要的作用。
在本文中,将对电子元器件这一知识点进行分析和讲解。
一、电子元器件的基本概念电子元器件是指用于电子技术的各种电子部件和器件,它们可以完成电子电路中不同的功能。
电子元器件分为被动元器件和主动元器件两种。
被动元器件是指无源元器件,不具有增益功能,只能承受电信号,并在其中产生电阻、电抗、电容、电感等等作用。
常见的被动元器件有电阻、电容、电感、电位器、电感器等等。
主动元器件是指有源元器件,如晶体管、三极管、场效应管、集成电路等,它们具有一定的电流放大和电压放大作用(即增益),可以对电路信号进行加工和控制。
二、电子元器件的分类根据作用和形状的不同,电子元器件分为多种类型,下面是一些常见的电子元器件类型介绍:1. 电阻器电阻器是被动元器件,用于控制电路中的电流大小。
它们通常是一个导电质料制成的。
电阻器的种类有线性电阻、非线性电阻和可变电阻等。
2. 电容器电容器也是被动元器件,用于存储电荷。
它们由两个导体板和一个绝缘材料层组成。
电容器的种类有电解电容、陶瓷电容、纸质电容等等。
3. 电感器电感器是被动元器件,用于控制和储存电能。
它们由绕在磁芯上的线圈构成。
电感器的种类有大电感、小电感、发光电感等。
4. 晶体管晶体管是一种主动元器件,具有放大和开关功能。
它们通常被用于模拟和数字电路的设计中。
晶体管的种类有NPN型、PNP型、场效应晶体管等等。
5. 二极管二极管也是一种主动元器件,具有整流和振荡等特性。
它们被广泛应用于电源等电路中。
二极管的种类有普通二极管、整流二极管等等。
6. 集成电路集成电路也是一种主动元器件,是一种复杂的电子元件。
它们由多个晶体管、二极管和电容器等组成,通常可以完成多个电路功能。
集成电路的种类有逻辑集成电路、模拟集成电路等等。
三、电子元器件的基本特性电子元器件都有自己的特性,例如电压、电流和功率等等。
电子元器件的认识及点胶方法电子元器件是指在电子设备中扮演特定功能的各种零部件,它们通常由不同的材料和结构组成,可以分为被动元件和主动元件两大类。
被动元件包括电阻、电容、电感等,主要用于电路的连接、调节和能量储存。
主动元件包括晶体管、场效应管、二极管等,可以放大、开关、控制电流和电压。
1.元器件的类型:根据功能和材料特性,电子元器件可以分为多种类型,如电阻、电容、电感、二极管、晶体管、集成电路等。
了解不同类型的元器件有助于选择合适的元件进行电子设备的设计和制造。
2.元器件的结构和特性:不同类型的电子元器件在结构和特性上有所差别。
例如,电容器由两个导体板之间的介质构成,可以存储电荷。
晶体管由三层半导体材料构成,具有放大电流和开关电路的功能。
了解元器件的结构和特性,有助于合理使用和优化设计。
3.元器件的参数和规格:每种电子元器件都有一些重要参数和规格,例如电阻的阻值、电容的容值、晶体管的电流放大倍数等。
这些参数和规格决定了元器件在电路中的作用和性能。
了解元器件的参数和规格,可以根据具体需求选择合适的元件。
4.元器件的连接和布局:在电子设备中,各种元器件需要按照一定的布局和连接方式进行组装。
例如,电阻、电容可以焊接在电路板上,晶体管需要通过线路连接。
了解元器件的连接和布局方法,有助于实现电路的稳定工作和性能优化。
点胶方法是将胶水应用于电子元器件的连接和封装过程中的一种重要技术。
点胶可以起到确保连接部件的结实和密封的作用,提高电子设备的稳定性和耐用性。
点胶的方法主要包括以下几种:1.手工点胶:使用手工或简单的工具将胶水涂抹或滴在需要点胶的位置。
这种方法适用于一些简单的点胶任务,但需要经验丰富的操作者以确保胶水的均匀分布和准确位置。
2.手持式点胶枪:使用手持式点胶枪可以更方便地控制胶水的流动和位置。
点胶枪通常由胶桶、压力装置和控制阀组成,可以在需要点胶的位置上按下按钮或拨动开关来实现点胶。
3.自动点胶机:自动点胶机可以实现对多个位置的快速、准确点胶。
常用电子元器件知识在现代电子技术的领域中,电子元器件是构建各种电子设备的基础。
无论是我们日常使用的手机、电脑,还是工业生产中的复杂控制系统,都离不开各种各样的电子元器件。
了解常用电子元器件的知识,对于电子爱好者、工程师以及相关专业的学生来说,都是非常重要的。
首先,让我们来认识一下电阻。
电阻是电子电路中最常见的元件之一,它的主要作用是限制电流的流动,从而控制电路中的电压和功率。
电阻的单位是欧姆(Ω),其阻值可以通过色环标识或者直接标注在电阻上。
在实际应用中,根据电阻的精度和功率需求,我们会选择不同类型的电阻,比如碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。
电容也是不可或缺的电子元器件。
它的作用是储存电荷和电能,在电路中常用于滤波、耦合、旁路等。
电容的单位是法拉(F),但通常我们见到的电容单位是微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)。
电容的种类繁多,有电解电容、陶瓷电容、钽电容等。
电解电容具有较大的电容量,但极性不能接反;陶瓷电容体积小、稳定性好,常用于高频电路;钽电容则具有较高的可靠性和稳定性。
电感在电子电路中的应用也很广泛。
它的主要特性是通过电流时会产生磁场,从而储存能量。
电感的单位是亨利(H),通常使用的单位还有毫亨(mH)和微亨(μH)。
电感在滤波、振荡等电路中发挥着重要作用。
常见的电感有空心电感、磁芯电感等。
二极管是一种具有单向导电性的电子元件。
它允许电流从一个方向通过,而阻止电流从相反方向通过。
二极管在整流、稳压、检波等电路中有着重要的应用。
常见的二极管有普通二极管、稳压二极管、发光二极管等。
发光二极管可以发出各种颜色的光,广泛应用于指示灯、显示屏等领域。
三极管是一种具有放大作用的电子元件。
它可以将微弱的电信号放大成较大的电信号。
三极管分为 NPN 型和 PNP 型,在电路中的应用非常灵活,可以构成放大器、开关电路等。
集成电路(IC)则是将多个电子元器件集成在一个芯片上,实现特定的功能。
集成电路的出现极大地推动了电子技术的发展,使得电子设备变得更加小型化和智能化。
电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ)和兆欧(MΩ).1M=10 K10 Ω3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power RatingCurve (Fi gure1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围CarbonFilm:-55℃----+155℃Metal Film:-55℃----+155℃Metal OxideFilm:-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 678 9-1-2四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2% ±2.5%±3%±5%±10%±20%Symbols FG H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2).金属膜电阻(保险丝电阻)(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6.多层陶瓷电容器电介质分类NPO(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factorand low ESR.High insulation resistanceHigh stabilityof capacitanceandDF VS temperature and frequency.(2) PolyesterFilm Capacitor(聚乙烯膜電容器)High moistureresistanceGood solderabilityAvailable ontapeandreel for automaticinsertionESR isminimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor(金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductiveconstruction andsell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor(聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and highinsulation resistance.High stability ofcapacitance andDFVStemperature and fr equency.Lowequivalent seriesresistance.Non-inductiveconstruction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性) 2.主要参数(1)电感量及允许偏差 (2)品质因子(Q值)感抗x L =W L=2πfL Q =2πfL/R Q 即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器 四.半导体二极管 (英文 Di ode)DIODE Test # Descr ip tion1 VF F or wa rd v olt age2 IR Rev ers e curren t lea kage3BV RBreak dow n voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,P N结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管(3)稳压二极管 (4)变容二极管(6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过IF,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压VR(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管DescriptionZENERTest#1 VFForward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test#5)3 BVZ MaximumZenervoltage.(Use test #5)4I R Reversecurrent leakage5 BVZBVz with programmable soak6 ZZ 1 KHzZener Impedance(requiresZZ-1000 or Model 5310)1.电路符号(图一) (图二)2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差些.(3)额定功率损耗(4)电压温度系数(5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管)TRANSISTO RTest#Description1h FE Forward-currenttransfer ratio2 V BE Baseemitter voltage(see also Appendix F)3 IEBOEmitter to base cutoff current4 VCESAT Saturation voltage5 ICBO Collectorto base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoffcurrentI CER, with baseto emiterload,I CEX, reverse bias,orI CESshort(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector toemitter,BV CER with base toemiterload,BV CEXreverse bias,orUBV CES s hort(s ee a ls o App endix F)8 BV CBO Br eakd own vol tage,coll ec tor to base9 BV E BO Br ea kdo wn v olt age,emitter to base10V B ESAT Bas e emi tter s aturation vo ltage1.电路符号(b)PNP(a) NPN三极管是由三块半导体组成,构成两个PN 结,即集电结,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic ,基极电流Ib,发射极电流Ie,I e=I b+Ic Ic =βIb , β为三极管电流放大倍数. (1)NP N (2) PNP(3)共(b) PNP发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即NPN型三极管V c>Vb>V e,PNP型三极管V c<Vb<Ve.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE<0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当VCE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管UCE(sat)≒0.1V4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hfe,β=I C/IB(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗PCM(6)集电极最大允许电流ICM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 IGT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5VGT Gate-triggervoltage6 BVGKO Reversegaet breakdownvoltage7 IDRM Forward Blocking current8I RRM ReverseBlockingcurrent9 I L Latching current11 IHHolding current(see alsoAppendix F)13 VTM Forward onvoltage15VDRM Forwardblocking voltage16V RRM Reverseblocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压UF,约为0.6~1.2V(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流IH:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=Po/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLERTest #(Requires Opto Adapt er) 1 LCOFFCollector toemitter darkcurrent2LCBO Collector tobase darkcurrent3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBOBreakdownvoltage,collector tobase5 HFE Forwardcurrent transfer ratio,transistor6VCESAT Saturationvoltage,base driven7 IR Reverse current8VFForward voltage9 CTRCurrenttransfer ratio,coupled10 VSAT Saturationvoltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FICIC/I F=CTR十.场效应管JEFT Test# Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gatevoltage draincurrent.3 BVDGODrain togate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGODrain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSSGate to sourcebreakdownvoltage.8VDSON Drainto source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGF ET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下d d结型场效应管有三极:珊极g源极N型sP型s漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当UDS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时,源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率PDM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 VGSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gateto Source reversebias.3 BVDss Drain to Sourcebreakdownvoltage.4 VDSONDrain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gateto Source leakagecurrentforward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specifiedIn atspecifiedVos.(see SISQAppendix F)9 VGSRGate to Source voltage(reverse)required for specified ID at specifiedVDS.(see alsoAppendix F)10 VDSON On-statedraincurrent11 VGSONOn-stategate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性iD+s(1)增强型 NMOS (2)增强型 PM OSiD(3)耗尽型 NM OS (4)耗尽型P MOS二.主要参数1.漏源击穿电压B VDS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM ) 6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integrae d C ir cuit 缩写为IC) 集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL 431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A )TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压,当U-R>2.5时,K,A极处于导通状态,当UR<2.5V时,K,A极截止.KRA(b)(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin功能如下:1).CS此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过1.0V时,IC失去作用2).GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于2.5V时,占空比控比例开始减少.当V=1.5V时,占空比减少到最大占空比的65%. 14).POCP接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.2.UC3842(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND接地端2)PKLMT峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5~4.77v9)REF基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS软起动端14)CT外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为 f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM信号地3)PG正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于2.5V参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于2.5V参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于2.5v时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP 点为6.0~6.39V10)V12检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OV P点为14.45~15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3检测3.3V的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其UUP点为1.09~1.16V,OVP点为1.43~1.52V13)V-5检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT接个电阻到地,从而产生内部恒流15)VREF 2.5V参考电压输出16)Vcc IC电源。