电子元器件的认识

认识电子元器件电子元器件是元件和器件的总称。

电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。

如电阻器、电容器、电感器。

因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。

电子元器件是元件和器件的总称。

电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品电子器件：对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等）。

电子元器件行业主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成. 电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。

电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。

发展史电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。

电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。

电子元器件第一代电子产品以电子管为核心。

四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。

五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展.集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。

由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点.在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化.电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。

常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一，可以通过它们来控制电信号和电能的流动。

在工程领域中，我们需要了解电子元器件的种类和功能，以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。

在本文中，我们将介绍一些常见的电子元器件，并对它们的主要特征进行分析和说明。

1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件，它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。

在实际应用中，我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压，以便实现特定的电路功能，比如控制LED亮度，实现制冷系统温度控制等等。

2. 电容器电容器能够储存静电能量，可用来控制电流和电压。

它有两个电极板和一个电介质，当电容器接入电路时，会在两个电极板之间形成等电势线。

电容器的容量是储存的静电能量密度，通常以法拉(F)为单位，这也意味着电容器具有储存电能的能力，可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。

除此之外，它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。

3. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流的流动而没有机械运动，通常用来放大电路信号。

晶体管最常见的类型是二极管，由两个PN结组成，其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。

当施加电压时，电场将使电荷在基极和发射极之间流动，并将集电极中的电流变大。

4. 电感器电感器是一种设备，它可以储存磁场能量，通常用来控制电流或电压。

电感器由线圈和磁芯组成，当电流通过线圈时，磁芯被激活并储存能量。

电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。

实际使用中，电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路，还可以在发电机或变压器中用来调节电感。

5. 二极管二极管是一种电子器件，它由两个半导体层（一正一负）组成，可控制电流的一个方向。

当施加电压时，电子从一层流向另一层，这就是二极管的正向导通，不同于之前的电阻器，它是一种有源元件，可以用于电路中的整流、开关或振荡。

当电子流从高电位电极流向低电位电极时，二极管发生反向击穿，进入负向导通状态，此时它可以用作负向偏置的保护器件。

认识电子元器件1. 介绍电子元器件是构成电子产品的基本组成部分，它们在电路中起着不同的作用。

了解电子元器件的种类、特性和应用范围对于学习电子行业非常重要。

本文将介绍一些常见的电子元器件，并讨论它们在电子行业中的应用。

2. 电子元器件的分类电子元器件可以按照不同的标准进行分类。

根据元器件的功能和作用，可以将电子元器件分为被动元器件和主动元器件。

被动元器件包括电阻、电容和电感等，它们没有放大或控制电信号的能力。

主动元器件则包括晶体管、场效应管和集成电路等，它们可以放大和控制电信号。

此外，电子元器件还可以按照工作原理、结构和材料等方面进行分类。

例如，根据工作原理的不同，可以将电子元器件分为电阻式元器件、电容式元器件和电感式元器件等。

3. 常见的电子元器件3.1 电阻电阻是电流通过时阻碍电流流动的元器件，用来限制电路中的电流，调节电路的电压和功率。

电阻的单位是欧姆（Ω）。

电阻的阻值和功率是电阻的两个重要参数。

3.2 电容电容是储存电荷的元器件，它可以存储电势能。

电容的单位是法拉（F）。

电容的容值和工作电压是电容的两个重要参数。

3.3 电感电感是通过电流变化而产生感应电动势的元器件，它可以储存电流。

电感的单位是亨利（H）。

电感的感值和电流是电感的两个重要参数。

3.4 晶体管晶体管是一种主动元器件，它可以放大电信号。

晶体管有很多种类型，包括二极管、三极管和场效应管等。

晶体管广泛应用于放大电路和开关电路中。

3.5 集成电路集成电路是把多个晶体管、电容、电阻等元器件集成在一个芯片上的元器件，它具有体积小、功耗低、可靠性高等优点。

集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。

4. 电子元器件的应用电子元器件的应用非常广泛，在各个领域都有重要的作用。

以下是一些常见的应用场景：•电阻常用于电路中的电流限制和调节；•电容常用于电源滤波、信号耦合和振荡电路等；•电感常用于频率选择电路和电磁感应等；•晶体管广泛应用于放大电路、开关电路和振荡电路等；•集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域，如处理器、存储器和控制器等。

常用电子元器件的认识与焊接教案第一章：电子元器件概述教学目标：1. 了解电子元器件的分类及基本功能。

2. 掌握常用电子元器件的识别与简单工作原理。

教学内容：1. 电子元器件的分类：被动元件、主动元件、半导体元件等。

2. 常用电子元器件：电阻、电容、电感、二极管、三极管、晶闸管等。

3. 电子元器件的参数及表示方法。

教学活动：1. 讲解电子元器件的分类及基本功能。

2. 展示并讲解常用电子元器件的实物及电路符号。

3. 介绍电子元器件的参数及其表示方法。

第二章：电阻的认识与焊接教学目标：1. 掌握电阻的识别及主要参数。

2. 学会电阻的焊接方法。

教学内容：1. 电阻的种类：固定电阻、可调电阻、热敏电阻等。

2. 电阻的主要参数：阻值、误差、温度系数等。

3. 电阻的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电阻的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电阻的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电阻的焊接操作。

第三章：电容的认识与焊接教学目标：1. 掌握电容的识别及主要参数。

2. 学会电容的焊接方法。

教学内容：1. 电容的种类：固定电容、可调电容、电解电容等。

2. 电容的主要参数：容量、误差、温度系数等。

3. 电容的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电容的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电容的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电容的焊接操作。

第四章：电感的认识与焊接教学目标：1. 掌握电感的识别及主要参数。

2. 学会电感的焊接方法。

教学内容：1. 电感的种类：固定电感、可调电感、线圈等。

2. 电感的主要参数：感抗、误差、温度系数等。

3. 电感的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电感的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电感的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电感的焊接操作。

第五章：二极管的认识与焊接教学目标：1. 掌握二极管的识别及主要参数。

2. 学会二极管的焊接方法。

教学内容：1. 二极管的种类：整流二极管、稳压二极管、检波二极管等。

电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成，因此,要了解开关电源的原理，学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能，结构，工作原理，电路符号,参数标准方法和质量检测方法，下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)⑻ 国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Q ),千欧(K Q ) 和兆欧(M Q).1 M Q =10 ‘K Q =10 “ Q3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻，金属氧化膜电阻，绕线电阻，贴片电阻，可调电阻，水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率，当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4).工作温度范围Carbon Film :-55 °C ----+155 °C Metal Film :-55 C ----+155 C Metal Oxide Film :-55 C ----+200 C Chip Film :-55 C ----+125 C5. 标注方法 (1) 直标法 (2) 色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值 ，误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起 ，在色标法中色标颜色表示数字如下:金银-1 ~-2四色环中，第一,二道色环表示标称阻值的有效值，第三道色环表示倍 数,第四道色环表示允许偏差，五色环中，前三道表示有效值，第四到为倍 数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.，例1:有一电阻器，色环颜顺序为:棕，黑，橙，银，则阻值为：10x 10“ ± 10%(Q ) 6.误差代码Tolera nee± 1% ± 2% ± 2.5% ± 3%± 5%± 10% ± 20%Symbols FGHIJKM7.电阻的分类(1) .碳膜电阻 (2) .金属膜电阻(保险丝电阻)i EKE1EirEI]55T C颜色黑 数字0~棕 1" 4C加餉Ambient lemperaiure in degrees centigrade Figure l :De-rating fbr high ambient tempers lureS5UYH(3).金属氧化膜电阻(4).绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号+(a) (b)(a),(b) 分别表示为无极性，有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U= 艺 S/4 n d,单位法拉(F).3.种类电容器可分为：陶瓷电容，电解电容，安规电容，贴片电容，塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/ P总P耗为充放电损耗功率，P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法，三色环无偏差表示，单位PF6.多层陶瓷电容器电介质分类NPO( COG：—类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的电路.X7R(2X1): 二类电介质，电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能变化并不显著，适用于隔直，偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比 NPC介质更大的电容器.丫5V(2F4): 二类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度，电压等测试条件较敏感.7.Plastic Film Capacitors⑴.Polystyrene Film Capacitor聚苯乙烯膜電容器）High precisi on of capacita nee.Low dissipati on factor and low ESR.High in sulati on resista neeHigh stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.⑵Polyester Film Capacitor聚乙烯膜電容器）High moisture resista neeGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic in serti onESR is mi ni mized.⑶Metallized Polyester Film Capacitor金屬化聚乙烯膜電容器）High moisture resista nee.Good solderability.Non-i nductive eon struct ion and sell-heali ng property.⑷ Polypropylene Film Capacitor 聚丙烯膜電容器）Low dissipatio n factor and high in sulati on resista nee.High stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.Low equivale nt series resista nee. Non-i nductive eon struct ion8.X電容9.Y電容三.电感器（英文Choke即线圈）1.电路符号（普通电感无极性）2.主要参数（1）电感量及允许偏差⑵品质因子（Q值）感抗X L=WL=2n fL Q=2 n fL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器，带磁心电感线圈，可变电感器四.半导体二极管（英文Diode）DIODE Test #1 2 3 VF IRBVRDescriptio nForward voltageReverse curre nt leakageBreakdow n voltage1.电路符号+j N—2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流，即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下，硅管的正向压降为 0.6〜0.7V,锗管0.2〜0.3V,即二极管正向压降基本保持不变，当外加正向电压达到一定程度，二极管正向电流会很大，将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时二极管的反向电流很小，即反向时二极管的内阻很大，相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时，二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成，组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1) 普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管(4)变容二极管(6)肖特基二极管 5. 主要参数(1)最大平均整流电流|F ：表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.⑵最大反向工作电压V R(3) 反向电流|R ：是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4) 工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.2. 稳压原理 V FBV ZBV Z I RBVDescripti onForward voltageMinimum Zener voltage.(Use test #5) Maximum Zener voltage.(Use test #5) Reverse curre nt leakageBVz with programmable soak1.电路符号五.稳压二极管 ZENER Test #从(图二)稳压特性曲线可以看出，当稳压管反向击穿后，流过二极管的工作电流发生很大变化时，稳压二极管的电压降压/基本不变，所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值，那么稳压管处于截止状态，即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2) 稳定电流:稳压管工作对参考电流值，电流小于该值，稳压效果会略差(3)额定功率损耗 (4) 电压温度系数⑸动态电阻六. 半导体三极管(又称晶体三极管)Descriptio n Forward-curre nt tran sfer ratio Baseemitter voltage(see also Appe ndix F) Emitter to base cutoff current Saturati on voltage Collector to base cutoff curre nt Collectorto emiter cutoff curre nt with base to emiter load, reverse bias,orshort(see also Appe ndix F) Breakdow n voltage,collector toemitter, with base to emiter load, reverse bias,or short(see alsoAppe ndix F) Breakdow n voltage,collector to base Breakdow nvoltage,emitter to base Base emitter saturati on voltage TRANSISTOR Test # h FE V BE |EBO V CESAT I CBO I CEO |CER, I CEX, I CES BV CEO BV CER BV CEX BV CES BV CBO BV EBO V BESAT(b)PNPNPN(b) PNP(a)NPN le e b结构如上图.三极管是由三块半导体组成，构成两个PN 结,即集电结 和发射结，基结3个电极,分别是集电极，基极,发射极,管子中工作电流有 集电极电流lc,基极电流 极管电流放大倍数. 3. 工作原理⑴ 放大区发射结正偏，集电结反偏,E1>E2,即NPN 型三极管V c >V b >V b, PNP 型三极管 V c <V b <V e.三极管处于放大状态.由于lc= p lb,即lc 受 lb 控制，而lc 的电流能量是由电源提供的，此时Ube=0.6~0.7V(NPN 硅 管)⑵截止lb 三0的区域称截止区,U BE <0.5V 时,三极开始截止，为了截止可靠，常使 L B E 三0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3) 饱和区当V CE <V B E 即集电结正向偏置，发射结正向偏置时，三极管处于饱和区. 饱和压降 Ucgsat),小功率硅管 U cE (sat) = 0.3V,锗管 U cE (sat) = 0.1V4. 主要参数 _ _(1) 共发射极直流电流放大系数 p ,即H fe, p =l al B(2) 共发射极交流电流放大系数 p . p =△ l c / △ I B(3) 集电极,基极反向饱和电流I CBO(4) 集电极，发射极反向饱和电流I CEO 即穿透电流(5) 集电极最大允许功耗P CM(6) 集电极最大允许电流I CM lb,发射极电流 le,le=lb+lc lc= p lb, p 为三E2U b⑴NPN线U cU eE1⑺ 集电极，基极反向击穿电压U BR)CBO(8)发射极，基极反向击穿电压U BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压 U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR也叫晶闸管)SC R t Test #1I GTDescripti onGate-trigger curre nt2 I GKO Reverse gate curre nt5 V GT Gate-trigger voltage1 6 BV GKO Reverse gaet breakdow n voltage7 I DRM Forward Block ing curre nt__________ 8 I RRM Reverse Block ing curre nt9 I L Latchi ng curre nt11 I H Holdi ng curre nt(see also Appe ndix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward block ing voltage16 V RRM Reverse block ing voltage1.电路符号A K沐阳极G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳，阴极间加上一个正电压，再在控制极和阴极之间加上正电压可控硅导通.(2)可控硅导通后，去掉控制极上的电压，可控硅仍然导通，所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V⑷要使导通的可控硅截止，得降低U AK同时阳极电流也下降，当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UBO指在控制极开路，使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压 U F,约为0.6〜1.2V⑶ 擎住电流Ica -----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H从通态至断态的临界电流⑸ 控制极触发电压 U G —般1〜5V(6) 控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安八. 变压器变压器是变换电压的器件1. 电路符号(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号，它有两组线圈L1,L2, 其中L1为初级丄2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端，它表明 是同名端的两端上的信号相位是同样的.1. 结构构成变压器的部件一般有初级线圈，次级线圈.铁芯线圈骨架，外壳 等组成.为了防潮，绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路 的.3.工作原理当给初级通入交流电时，交流电流流过初级，初级要产生交变磁场， 这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样 .初级的交 变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电，在次级两端便有感生电压， 这样初级上的电压便传输到次级了 .4. 主要参数(1) 变匝比:变压器初级匝数为Ni,次级匝数为N2,在初级上加信号电压 为Ui,次级上的电压为U 2,则有下式成立:L 2/U 1=N2/N 1=NN 为变压器的变压比 (2) 效率是在额定负载时，输出功率与输入功率之比值，即 n =P o /P i *100%(3) 电压,电流的关系若n =100%则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此︱2:-有:U/U I =I I /|2=N 2/N I =N光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光 敏器件,它可以是光电池，光敏三极管，光敏单向可控硅等器件.1. 电路符号2. 工作原理当有电流流过LED 时,便产生一个光源，光的强度取决于激励电 流的强度，此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后 ，光敏三极管产生一个与LED 正向电流成正比例，该比例称为CTR 即电流传输比.2 lDss Zero gate voltage drain curre nt. ------------------3 BVDGO Drain to gate breakdow n voltage.------------------ 4 IGSS Gate reverse curre nt.5 IDGO Drain to gate leakage.------------------ 6 IDOFF Drain cut-off curre nt.7 BVGSS Gate to source breakdow n voltage.8 VDSONDrain to source on-state voltage. VGSOFF Descripti onGate to source 十.场效应管JEFT Test # ------------------- 1 九 光电藕合器(英文PHOTO COUPLE )OPTOCOUPLER Test # 1LCOFF Collector to emitter dark curre nt2 LCBO Collector to base dark curre nt3 BVCEO Breakdow n voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdow n voltage,collector to base5 HFE Forward curre nt tran sfer ratio,tra nsistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse curre nt8 VFForward voltage9 CTR Current tran sfer ratio,coupled10 VSATSaturati on voltage,coupled I C /I F =CTR场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，是电压控制器件，输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管（JFET）和绝缘珊场效应管（IGFET）两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下二.工作原理结型场效应管有两个 PN结，在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道，当d,s极间加上一定电压时，电流就可以从沟道中流过，即通过源电压来改变导电沟道电阻，实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U Ds（off）,当U DS等于某一个定值（10v）,使Id等于某一个微小电流（如50uA）时，源极间所加的U G S即为夹断电压.U DS（off）一般为 1〜10V2.饱和漏极电流I DS当U G S=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻F G S4.低频跨导GM5.漏源击穿电压 U（BF）DS6.珊源击穿电压 U（BF）GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test #1 V GSTH Descripti on Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain curre nt.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdow n voltage.⑶ 耗尽型NMOS二.主要参数 4 VDSON Drain to Source on-state voltage. 5 IGSSF Gate to Source leakage curre nt forward. 6 IGSSRGate to Source leakage curre nt reverse. 7 VFDiode forward voltage. 8 VGSFGate to Source voltage (forward) 1required for specified In at specified Vos. 1 (see SISQ Appe ndix F)9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appe ndix F)10 VDSON On-state drain curre nt11VGSON On-state gate voltage '•结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性,故称为MOSFET 简称MOS 管,(1)增强型NMOS 增强型PMOSiD耗尽型PMOS iD b g d iDgb iD1.漏源击穿电压BV D S2.最大漏极电流I DMSX3•阀值电压V GS(开启电压)4.导通电阻F O N5.跨导(互导)(GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON和关断时间十^一一.集成电路(英文Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路，双列集成电路，园顶封装集成电路,四列集成电路，反向分布集成电路.下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路，电路符号如图:阴极(K) 参考输入端?(a)TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压，当U>2.5 时，阳极(A)K,A极处于导通状态,当Lh<2.5V时,K,A极截止.2.5V ref(b)(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin功能如下：1). CS 此脚做为电流模式控制，当此脚电压超过1.0V时,IC失去作用2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFE管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地，从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地，则会影响振荡频率，并且减少传导与辐射的电磁干扰，街地则无此功能.8).C0MP内部此脚接到电流比较器上，外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用，一般此脚作保护作用.11). BROWN OUT此脚用来感应 BULK CAPACTIO上电压，若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地，用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比，当此脚电压高于2.5V时，占空比控比例开始减少.当V=1.5V时，占空比减少到最大占空比的 65%. 14).POCP接一个电容到地，将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时，此IC失去功能.15)CSLOPE此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND信号地.2.UC3842⑴UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端，当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压，由IC的内部产生⑵ 使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494 有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路，作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高，死区时间达到最大，使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11)Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制，该脚接地，内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)U C3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路，它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT峰值限制端，接电流检测电阻的电压负端，当电流峰值过高时，电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE电刘检测端，内部接CA输入负端，外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端，即电流检测另一端，内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端，外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out电压放大器UA输出端，内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5〜4.77V9)REF 基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压，振荡器,软起动等11)USENSE输出电压检测端，接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容，使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压 Vcc,额定值22V16)GTDRV门极驱动端，通过电阻接功率 MOS^关管门极，该端电位钳在15V(四)D NA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时，此脚为高电平，此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平 PG信号输出.4)TDON 接个电容到地，产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OF端，为低贝U ON,为高贝U Pin1 高6)TDOFF 接个电容到地，起到延迟关机作用，产生PF7)DUV 接个电容到地，这样在电容充电电压小于 2.5V参考电压时，不做欠电压检测，而当充电电压大于2.5V参考电压时，欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部，此Pin是电压供应比较器的同相输入，当此Pin 电压低于2.5v时，则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压，其UUP点4.0〜4.24V,OVP点为6.0〜6.39V10)V12 检测+12V的过电压与欠电压，其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为14.45 〜15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，失去此功能12)V3.3 检测3.3V的过电压与欠电压，此脚接Vcc,则失去此功能，其UUP 点为 1.09〜1.16V,OVP 点为 1.43〜1.52V13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地，从而产生内部恒流15)VREF 2.5V 参考电压输出16)Vcc IC 电源。