半导体制造工艺之离子注入原理课程

第四章 离子注入与快速热处理1.下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1-6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。答：（1）1：离子源，用于产生注入用的离子；2：分析磁块，用于将分选所需的离子；3：加速器，使离子获得所需能量；4：中性束闸与中性束阱，使中性原子束因直线前进不能达到靶室； 5：X & Y 扫描板，使离子在整个靶片上均匀注

半导体制造工艺之离子注入原理课件

半导体工艺 离子注入共28页

半导体工艺讲解（1）--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40〜60%光刻机是生产线上最贵的机台，5〜15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15〜20个直径为200〜300mm勺

半导体工艺原理—离子注入掺杂工艺(6.11)(贵州大学)

半导体工艺技术.pptx

掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子热退火晶格原子掺杂物原子注入制程：退火退火前退火后

Microelectronic Fabrication & MEMS Technology171、等离子体型源 这里的 等离子体 是指部分电离的气体。虽然等离子体中的 电离

请回答以下问题：题目：（1）请回答以下几个概念：【20分】（1）场区、（2）有源区、（3）键合、（4）负载效应、（5）钝化。题目：（2）集成电路工艺主要分为哪几大部分，每一部分中包括哪些主要工艺、并简述各工艺的主要作用。 【20分】 题目：（3）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理!【

半导体离子注入工艺--离子注入离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理:离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有一定量的电荷。可通过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一

Βιβλιοθήκη Baidu离子注入系统 离子注入源：气态（气瓶）或固态源 常用气体：AsH3、PH3、BF3离化反应室：将掺杂物原子离化，低压 （10－3托）电子与杂质源碰

Rp：投影射程（ projected range） R在 入射方向上的投影非晶靶中注入离子的浓度分布射程分布：平均投影射 程Rp，标准偏差Rp， 横向标准偏差RRp：标准偏差（St

电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。半导体制造工艺基础第七章 离子注入原理 (上)10LSS理论dE dxNSn ES e ESn E 1 NdE dx, nSeE 1

1．引言 (2)2．离子注入工艺 (2)2.1简介 (2)2.2 离子注入的分类 (3)2.3 离子注入的要求 (3)3．离子注入工艺的特点 (4)4. 离子注入工艺中应注意的几个问题 (6)4.1 离子沟道 (6)4.2 损伤 (6)4.3 退火 (7)4.4 预防沾污 (7)5. 结束语 (7)1．引言离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其

半导体离子注入工艺09电科A柯鹏程 0915221019离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1eV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um。相对扩散

半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有一定量的电荷。可通过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一定的能量进入

离子束（100）Si语言资格考试PPT12语言资格考试PPT13除了转动靶片，还可以用事先生长氧化层或用Si、 F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对大直径 Si片，还用增大倾斜

7、离子与衬底原子的相互作用：注入离子与衬底原子的相互作用，决定了注入离 子的分布、衬底的损伤。注入离子与靶原子的相互作用，主要有离子与电 子的相互作用，称为电子阻止。和离子与核的

中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度分离中 性原子。聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数 毫米的离子束。偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作