光耦驱动电路
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3.3光耦驱动电路
本设计为了隔离单片机控制电路与充放电电路,采用光电耦合器进行控制,增加了硬件电路的可靠性,光电耦合器驱动电路如图3.6所示。光耦驱动原理:充电电路由MOSFET场效应管Q1控制,当充电控制器的数字信号为0时,即低电平,光电耦合器内部的发光二极管的电流基本为零,单片机控制右侧三极管阻断,导致输出端两管脚间的电阻非常大,相当于断开,输出端K1的电压上升,稳压二级管D2稳压控制电阻R9的右侧电路保持在48伏左右,MOSEFT场效应管的Vgs>0,Q1开启,太阳能电池板充电给蓄电池;当充电控制器的数字信号为1时,即高电平,单片机控制光电耦合器内部的发光二极管发光,控制右侧三极管导通,输出端两管脚间的电阻变小,相当于电路被阻断,从U2传输的电压经过光耦接地,MOSEFT场效应管K1端的电压和零非常接近,MOSEFT场效应管Q1的Vgs小于0,Q1不参与充电电路工作,充电电路关闭。MOSEFT场效应管Q2与MOSEFT场效应管Q1不同,其控制着放电电路,但其原理与MOSEFT场效应管Q1相似。
图 3.6光耦驱动电路