tlp521驱动_应用电路_光耦参数

摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。

文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。

关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。

普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。

近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。

1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。

光耦合器的分类及内部电路如图1所示。

图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。

1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。

它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。

tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管（FET）光耦，其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。

本文将详细介绍TLP521的参数和特性。

1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA，这是光耦工作的关键参数之一。

输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏，因此需要在使用时仔细控制。

2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。

正常情况下，光耦应该在其指定的工作温度范围内运行，以免影响性能或寿命。

3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流（IFLH）为5mA，这是光耦的灵敏度的关键参数。

发光电流越低，光耦的灵敏度就越高。

因此，TLP521是相对较敏感的光耦。

4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V，这是光耦输出电信号的关键参数。

如果需要更高的输出电压，可以考虑其他光耦型号。

5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒，这也是光耦的关键参数之一。

响应时间越短，光耦的应用范围就越广。

6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆，这是光耦进行隔离的关键参数之一。

绝缘电阻越高，光耦进行隔离的效果就越好。

总之，TLP521是一种功能强大的光耦，适用于许多应用，包括自动化控制、通信、电力等领域。

了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。

摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。

文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。

关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。

普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。

近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。

1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。

光耦合器的分类及内部电路如图1所示。

图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。

1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。

它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。

概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证（NO.:E497745） ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量：36000只 2) 内包装：i. 每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。

TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−(Ta≥50℃)−(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−−mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−−mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, .≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

p521光耦参数P521光耦是一种用于连接不同电子设备的光耦，是一种光学性能优异的元件，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据。

P521光耦是一种外壳和外壳尺寸相同，内部由相干光发射器和接收器组成的光电耦合器，主要由前端电路板、后端电路板、支架以及连接支架等组成，其中前端电路板由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器等构成，而后端电路板由APD、放大器、光电耦合器等构成。

这种结构使得P521光耦具有良好的阻抗匹配性，稳定的电压和电流，并且具有较强的抗电磁干扰能力，此外，其封装结构防水性好，可用于恶劣环境中，非常适用于汽车、通信设备和消费电子设备中的应用。

P521光耦参数分包括常规参数和主要参数，其中常规参数包括：发射器工作电压、接收器工作电压、发射器发射电流、接收器接收电流、发射器输出功率、频率特性以及输入阻抗、输出阻抗等；主要参数则包括：输入端真实光功率、输出端真实光功率、噪声比、调制带宽、回传响应时间、温度特性和抗电磁干扰能力等。

根据现有的行业标准，P521光耦要求其发射器最大输出功率必须大于或等于3dBm，接收器最大接收电流要求大于或等于20mA，除此之外，还需要保证输入端真实光功率大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，传输网络延迟小于或等于20μs，调制带宽大于或等于2.5GHz，带宽传输时延小于或等于0.4ns，抗电磁干扰能力大于或等于50dB，安装位置的温度环境温度要求为0°C-85°C。

综上所述，P521光耦是一种高效、高稳定性的行业标准电子元件，主要由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器、APD、放大器、光电耦合器等构成，并且具有良好的阻抗匹配性、稳定的电压和电流、较强的抗电磁干扰能力以及防水性，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据，可用于恶劣环境中。

同时，P521光耦参数也有明确的标准，必须符合具体的要求才能得到满足，例如输入端真实光功率必须大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，抗电磁干扰能力大于或等于50dB等。

光耦pc817应用电路P c817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器 件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。

〈光耦pc817应用电路图〉当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导 通，产生光电流从输岀端输出，从而实现了 “电-光-电”的转换。

普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。

线性光 电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信 号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敬晶体管的导 通程度也不同，输岀的电压或电流也随之不同。

PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

厦4.29 PC81 7 &射极电压V 你三二槻管正向电流If 关系极极射电— Ic=( 1. 5mA二 — ——- —— 一—■ IrnA 3 mA —— — bmA 7mA阳阴发集5 43 2发光二极管正向电流If(mA )\当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。

普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。

线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敬晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。

PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

光耦的测量：用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚，其中仅且仅有一次导通的，红表笔接的为阳极，黑表笔接的为阴极（指针表相反）。

且这两脚为低压端，也就是反馈信号引入端。

在正向测试低压端时，再用列一块万用表测试列外高压端两只脚，接通时，红表笔所接为C极，黑表笔接为E极。

当断开低压端的表笔时，高压端的所接万用表读数应为无穷大。

关于ＴＬＰ５２１的使用做毕业设计要用到光耦合，选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的，中间出现了些问题，拿出来探讨，希望大家不要出现类似的错误。

重要参数：输入输出电流都是50ＭＡ左右，这是最大值吧，最好不要超过８０MA，不过太小了也不行，太小了输入端不能使发光二极管导通。

限流一般用限流电阻实现。

电压范围较大，就输入级而言，导通时就不用说，就是发光二极管的电压，不过正反向偏压好像不能超过5~6Ｖ的样子。

输出级电压范围更大，只要不大于５０Ｖ就行，不过我有点怀疑受光三极管是否能承受，不过怀疑是怀疑，我也没做过具体实验测试。

下面是TLP的引脚图，他有三种封装，不过用法都一样：TLP521光耦的1、2两个脚是发光侧，3、4两个脚是受光侧。

1、1－2脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作，也可以不要这个，没什么影响。

2、以TLP521－1为例，输出接单片机IＯ口，输出端为NPN型光电三极管结构，3脚为发射极，4脚为集电极，受光点为基极，接线方式有两种：（1）3脚下拉电阻接地，4脚接＋5V，3脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0。

（2）4脚上拉电阻接＋5V，3脚接地，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1。

网上大都采用这两种接法，好像采用方法一的比例多谢，不过我用方法一出现了问题，就是在不接入单片机IO口单独测试时，峰峰值电压可以达到接近+5V的方波信号（我本来要得到是方波信号，用来输入单片机INT0口做中断）。

不过当按方法一将输出接入单片机IO口INT0时，输出方波信号被拉低了，只有3.2V左右的峰值，根本驱动不了ＩＯ口，也就产生不了中断。

所以我改用了方法二，后来发现方法二可行，输出方波电压没有被拉低，可以很好驱动IO口。

下面是我用两种方法所连接的protues图：方法一：4脚下拉电阻接地，5脚接＋5V，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0方法二：5脚上拉电阻接＋5V，4脚接地，5脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1关于为何用方式一输出电压被拉低，具体原因我也不清楚，我想大概是用方式二有个三极管在输出端和地之间做隔离所以不会被拉低吧相当于是灌电流了，而方式一直接是IO口与电阻，地相接，产生的是拉电流。

TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃)−0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−1.5−1.0mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−2.5−1.5mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, R.H.≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

TLP521中文资料(引脚图,电气参数及应用电路) - 电子元器件TLP521中文资料(引脚图,电气参数及应用电路)概述TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装TLP521引脚图图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图TLP521电气参数:集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）最小电流速率比(CTR)： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃) Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP5211TLP5212 TLP5214LEDForward current 正向电流IF7050mAForward current derating 正向电流减率ΔIF/℃0.93(Ta≥50℃)0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collectoremitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmittercollector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃1.51.0mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃2.51.5mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, R.H.≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

TLP521光耦导通实验笔记TLP521光耦导通实验笔记3.5v～24v以为是高电平，0v～1.5v以为是低电平1、0v～1.5v以为是低电平，运用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V摆布；2、24V是最高电压，不能在最高电压的时分，光耦经过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦作业在大约10mA的电流，可以确保安稳牢靠作业n年以上；3、3.5V以上是高电平，为了赶快进入光敏三极管的饱满区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因而选用10K；一同要思考到ctr最小为50％；1、发光管端：实验室电源（0～24V）-2K-1N4001-TLP521-1(1)-TLP521-1(2)-gnd12、光敏三极管：实验室电源（DC5V）-10K-TLP521-1(4)-TLP521-1(3)-gnd23、万用表直流电压挡20V万用表+-TLP521-1(4)万用表--TLP521-1(3)实验效果输入电源万用表电压(V)1.3V51.5V4.81.7V4.411.9V3.582.1V2.942.3V1.82.5V0.582.7V0.22.9V0.193.1V0.173.3V0.163.5V0.165V0.1324V0.06光耦电流传输比的测验模型我一向在找光耦电流传输比的测验模型，可是如同都没有看到精确的；1、要是发光管没有电流，那么光敏三极管处于到状况；2、要是发光管有电流，那么依据电流传输比核算，三极管会流过一个电流；3、假定Ic=1mA；那么，假定Vc/Rc=1mA，那么三极管底子上进入饱满导通状况；假定Vc/Rc=0.5mA，那么三极管必定进入了饱满导通状况；假定Vc/Rc=2mA，那么三极管进入了拓展状况；当然这是一个大体上的核算方法；还要思考到Vce的值；可是由于一样的一品种型一个批次的光耦，它们的电流传输比离散性很大，所以大体上核算一下即可；实习上的光耦的上拉电阻的选值，要依据Ib、电流传输比、Vcc 来大体上核算一下，然后依据工程状况而定；假定是传递开关量信号，那么，进入深度饱满就可以了；假定是要传送频率的信号，那么，要细心的挑选Ib和Rc，找到一个最适宜的参数；啥叫深度饱满状况？光耦的Vce刚刚=0.2V的时分，可以以为是进入了饱满的状况；把这个时分的Ib进步到2倍，那么，必定是进入了饱满的状况，至所以不是深度饱满，要看对深度饱满的界说；我以为，n=3就可以看作是深度饱满了；光耦隔绝的参数是啥进程来核算的光耦隔绝首要是思考几个值：1、二极管的驱动电流2、CTR3、光敏三极管的上拉电阻4、光耦的速度5、思考隔绝信号的频率值通常的开关量信号的隔绝，运用低速便宜的光耦只需求思考一下可以确保充沛饱满和截止；高速信号的隔绝，需求思考到选用高速光耦；这个时分，首要是依照datasheet来挑选参数；。

tlp521光耦的输出端电阻计算我们来介绍一下光耦器件。

光耦器件是一种能够实现电-光-电转换的器件，它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成。

当输入端施加电压时，发光二极管会发出光信号，光敏三极管则会根据光信号的强弱来输出相应的电信号。

光耦器件具有电隔离的特性，能够有效地解决电路中的地位问题和信号干扰问题，因此在工业控制和电子设备中得到广泛应用。

在光耦器件中，输出端电阻是一个重要的参数。

它是指当输出端电压发生变化时，输出端电流的变化情况。

输出端电阻越小，输出端电流对电压的变化越敏感，反之则越不敏感。

因此，输出端电阻的大小直接影响到光耦器件的灵敏度和精确度。

那么，如何计算光耦器件的输出端电阻呢？计算输出端电阻的方法有多种，下面介绍一种常用的计算方法。

我们需要明确输出端电阻的定义。

输出端电阻指的是当输出端电压变化一个很小的量时，输出端电流的变化量与电压变化量之比。

通常用公式表示为：输出端电阻= ΔV/ΔI其中，ΔV表示输出端电压的变化量，ΔI表示输出端电流的变化量。

在实际计算中，我们可以通过测量输出端电压和电流的变化量来获得输出端电阻的值。

具体步骤如下：1. 施加一个小的电压变化量ΔV到光耦器件的输入端。

2. 测量输出端电压的变化量ΔV。

3. 测量输出端电流的变化量ΔI。

4. 根据公式输出端电阻= ΔV/ΔI 计算输出端电阻的值。

需要注意的是，为了获得更加准确的输出端电阻值，我们需要保持输入端电压的稳定和输出端电流的稳定，避免其他因素对测量结果的影响。

除了通过测量来计算输出端电阻外，我们还可以通过光耦器件的参数手册或者厂家提供的数据手册来获取输出端电阻的数值。

这种方法更加简便快捷，但需要对手册中的参数进行理解和解读。

总结起来，光耦器件的输出端电阻是衡量其灵敏度和精确度的重要指标之一。

通过适当的测量和计算方法，我们可以得到输出端电阻的数值，从而更好地评估和应用光耦器件。

同时，我们还可以通过查阅光耦器件的参数手册来获取输出端电阻的数值，以便在实际应用中进行合理的设计和选型。

软件介绍:
p521中文资料,p521中文PDF应用资料:
东芝TLP521-1 --，2和-- 4包括一张照片晶体管光学对一镓砷化物红外麻省理工学院二极管连接。

TLP521-2在八中提供两个隔离的通道领导TLP521-4在十六种塑料的DIP包装中提供四个隔离的通道的塑料的DIP包装
集极电压50V（min）
电流转移比率50%（min）
等级GB 100%（min）
隔离电压2500Vrms(min)
Anode 阳极
cathode 阴极
emitter; (晶体管的)发射极
collector集电极
东芝连续不断地工作改进其产品的质量和可靠性。

然而，半导体设备能故障或者因为他们的易受物理的压力的固有的灵敏性和攻击而失败。

当利用东芝产品时为了在为了整个的系统做一个保险箱设计时遵照安全的标准同时，避免在其中这样东芝产品的一次故障或者失败能造成人类生活损失的形势对财产的身体的伤害或者破坏是购买者的责任。

推荐操作条件
特性最小值典型值最大值单位提供电
压 5 24 V
转换电流16 25 mA 发射极电
流 1 10 mA
工作温度-25 85 °C
TLP521照片晶体管光耦特点描述：
东芝TLP521 - 1 ， -2和4组成的照片晶体管
光耦合到砷化镓红外发光二极管。

该TLP521 - 2提供了两个孤立的渠道，在8引脚塑料DIP封装，而TLP521 - 4提供4个孤立的渠道
1 16塑料DIP封装。

TLP521照片晶体管光耦(图片）
TLP521照片晶体管光耦技术参数。

摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。

文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。

关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。

普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。

近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。

1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。

光耦合器的分类及内部电路如图1所示。

图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。

1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。

它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C ∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: NIL = 30%, NIH= 30% of VCCat VCC= 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, VIL = 0.8V (Max), VIH= 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, Il 1μA at VOL, VO该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。

正极电路图：发射极集电极负极外形图：正极标记电流传输比标记由电流传输比信号传输CE 产品说明书特性: （CTR 在I F =5mA ，V =5V 工作条件下最小值为：50%）高绝缘电压（V ISO( rms )：）工作温度：-40℃to +85℃封装形式：4-Pin DIP应用： 信号隔离开关电源概述：TLP521兼容东芝TLP521TLP521光电耦合器是一个红外发光二极管和一个光敏三极管组成。

750V 产品型号标记最大极限值（湿度= 40 - 60%）电学参数（T A =25℃）3750 V5 V50 mA 集电极与发射极电压发射极与集电极电压输出功耗参数符号最小值最大值单位贮藏温度T S -55 125 ℃工作温度T A ℃I F V R 输入功耗P 70 mWV CEO V ECO 集电极电流I C 50 mA P C V ISO( rms )min 绝缘电压（交流测试时间1）反向电压正向电流150 mW -4085 55V7V 2.5=10mA100-600100-300200-600 A 50-600 集电极与发射极击穿电压发射极与集电极击穿电压集电极电流参数符号最小值典型值最大值单位测试条件V F F 反向电流I R 10μA V R =5V 集电极暗电流I CEO 100 nA V CE=24V BV CEO 55V I C =0.5mABV ECO 6V I E I CA CTR 50 600 % I F =5mA,V CE =5V 饱和压降V CES0.2 V I F =20mA,I C =1mA 上升时间μs 下降时间μs V CC =10V , I C =2mA,R L =100Ω绝缘电阻R ISO1×1011ΩDC=500V , 湿度40-60%电流传输比等级CTR% 测试条件I F =5mA,V CE =5V , T A =25℃电流传输比GR BL GB 50-150 电压正向 1.21.4V I =0.1mA30 m tr 4tf 3注：CTR=IC/I F×100%110550022050100200040200206012014016080100180Ｉ　－正向电流－ｍＡＦＶ　－正向电压－ＶＦＣＴＲ－电流传输比－％Ｉ　－正向电流－ｍＡＦ图３．电流传输比与正向电流曲线图４．正向电流与正向电压曲线0213456Ｉ　－正向电流－ｍＡＦ图６．集电极－发射极饱和电压与正向电流曲线ＶＣＥ（ＳＡＴ．）－集电极－发射极饱和电压－Ｖ0.110.20.550025102050100200响应时间－ｕｓＬＲ 图１．响应时间与负载电阻曲线－负载电阻－ｋΩ图２．电压增益与频率响应曲线-20-10ｆ－频率－ｋＨｚ电压增益　ＡＶ－ｄＢＣＥ04020503010Ｉｃ－集电极电流－ｍＡＶ－集电极与发射极击穿电压－Ｖ图５．集电极电流与集电极－发射极电压曲线INPUT频率测试电路响应时间测试电路INPUT5010407512525050100-30603020图７．正向电流与温度曲线Ｉ－正向电流－ｍＡＦＴＡ－工作温度－°C100502001507512525050100-30图８．输出功耗与温度曲线Ｐｃ－输出功耗－ｍＷＴＡ－工作温度－°C。