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晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM ：指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的I C值）。
实际管子在工作时超过I CM并不一定损坏，但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值，反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO：指在三极管基极电流I B=0时，流过集电极的电流I C。
