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1.概述内置高精度电压检测电路和延时电路进行电压、电流以及温度的监控，保证Pack 安全。
此外， 具有0V 充电功能，提升Pack 使用寿命。
具有三种工作模式：正常模式、休眠模式和关机模式。
当任意电芯处于低容量状态时，进入休眠模式来降低系统功耗。
2.特点◆ 高精度电压检测功能：过充电保护电压V OV ：3.600V-4.375V (档位25mV) 过充电保护电压精度：±25mV 迟滞电压：0-350mV过放保护电压V UV ：2.0V - 3.1V (档 位100mV) 过放电保护电压精度：±80mV 过放电保护解除迟滞电压：0-1.0V◆ 放电过流检测功能：过流1保护电压V DOC1：0.025V - 0.350V (档位25mV) 过流1保护电压精度：±10mV过流2保护电压V DOC2：2×VDOC1 (档位50mV) 过流2保护电压精度：±20mV◆ 短路检测功能：短路保护电压V SC ：4.5×VDOC1 (档位112.5mV) 短路保护电压精度：±45mV◆ 温度检测功能：充电高温保护温度：50°C 充电高温保护温度精度：±4℃(Max.) 充电低温保护温度：0°C 充电低温保护温度精度：±4℃(Max.)ZCC8993ZCC8993ZCC8993ZCC8993放电高温保护温度：70°C 放电高温保护温度精度：±4℃(Max.)◆外接电容设置过放电保护延时、放电过流1保护延时以及放电过流2保护延时◆过充电保护延时、短路保护延时以及温度保护延时固定◆工作电压范围：3V - 26V◆工作温度范围：-40℃~85℃◆集成N-MOSFET驱动◆低功耗设计：正常工作功耗：18 uA (Max.)休眠模式功耗：5 uA (Max.)◆封装形式：16-pin TSSOP◆SEL管脚选择3/4串应用3.订购信息注释:目前只有A,B版本VC1VC2VC3VC4VDDGNDSELVI DSGCHG TSCDCDSD CHSEVMTEST图系统框图ZCC8993TEST CHSE CHG VM DSG DSD CDC VIVDDVC1VC2VC3VC4GNDSELTS 管脚图6.管脚定义ZCC89937.功能描述7.1正常模式下列条件均满足时， 处于正常模式：(1) 所有电芯电压位于过充电保护电压 (V OV ) 与过放电保护电压 (V UV ) 之间 (2) VI 管脚电平小于放电过流1保护电压V DOC1(3) TS 管脚检测温度位于充电高温保护温度T COT 与充电低温保护温度T CUT 之间 (4) 无安全保护发生7.2过充电保护状态下列条件均满足时，进入过充电保护状态： (1) 任意电芯电压高于过充电保护电压V OV (2) 状态(1)持续时间超过过充电保护延时t OV 处于过充电保护状态时，CHG 管脚输出高阻态。
HY2113规格书1节锂离子/锂聚合物电池保护IC .目录概述1. (5)特点2. (5)应用3. (5)方框图4. (6)订购信息5. (6)产品目录6. (7)电气参数选择6.1. (7)6.2. (8)延迟时间代码－延迟时间参数选择6.3. (9)特性代码－其它功能选择封装、脚位及标记信息7. (9)绝对最大额定值8. (11).电气特性9. (12)电气参数（延迟时间除外）9.1. (12)9.2. (13)延迟时间参数电池保护IC应用电路示例10. (14)工作说明11. (15)正常工作状态11.1. (15)11.2. (15)过充电状态11.3. (15)过放电状态11.4. (16)放电过流状态（放电过流检测功能和负载短路检测功能）11.5. (16)充电过流状态11.6. (17)向0V电池充电功能（允许）11.7. (17)向0V电池充电功能（禁止）特性（典型数据）12. (18)封装信息13. (21)DFN-6L 封装13.1. (21)13.2. (22)SOT-23-6封装14. (23)修订记录.注意：1、本说明书中的内容，随着产品的改进，有可能不经过预告而更改。
请客户及时到本公司网站下载更新。
2、本规格书中的图形、应用电路等，因第三方工业所有权引发的问题，本公司不承担其责任。
3、本产品在单独应用的情况下，本公司保证它的性能、典型应用和功能符合说明书中的条件。
当使用在客户的产品或设备中，以上条件我们不作保证，建议客户做充分的评估和测试。
4、请注意输入电压、输出电压、负载电流的使用条件，使IC内的功耗不超过封装的容许功耗。
对于客户在超出说明书中规定额定值使用产品，即使是瞬间的使用，由此所造成的损失，本公司不承担任何责任。
5、本产品虽内置防静电保护电路，但请不要施加超过保护电路性能的过大静电。
6、本规格书中的产品，未经书面许可，不可使用在要求高可靠性的电路中。
例如健康医疗器械、防灾器械、车辆器械、车载器械及航空器械等对人体产生影响的器械或装置，不得作为其部件使用。
frsky睿斯凯d设置说明使⽤说明书睿思凯X9D设置说明希望这个也兼容PLUS；由于此控为开源，固件不断更新，设置也有所不同。
请使⽤者根据固件版本的不同，请选择性使⽤另外此⽂在整理中难免有误，请模友们多多指教，最好将修改后的版本上传，以便共享。
1.开控，插上usb ，控的tf卡就是⼀个U盘了，⾥⾯有⼀个⽂件夹叫sounds2.，就是语⾳⽂件。
在群共享⾥有中⽂语⾳包下载后把tf卡⾥的en⽂件夹覆盖就可以中⽂发声了。
建议覆盖前把tf卡⾥的数据备份，万⼀哪天要恢复。
3.只要⽀持ppm型号的外置⾼频头全都能兼容,但⼀定要与其配套的接收机⼀同使⽤。
4.在每个模型设置的第⼀页，abs是正常时间，th%是按油门⼤⼩计算时间，其它有某个开关或某个通道变化的时候开始计时。
tmr1是当前时间，如果已经开始了49秒，系统就播报49秒。
开关播报当前计时，正计时（时间设置为零）、倒计时都可以（时间设置为⾮零）。
5.x8R接收机⽤双向模式在距离遥控器20cm以内会信号堵塞，单向模式没问题6.两个控边上的滑杆钮左边是ls，右边是rs。
7.控与电脑连接有2种⽅式。
⼀是：先插usb后开控是刷固件模式，选择frmware为frsky，然后读写控。
⼆是：先开控再插usb是模型设置模式。
第⼀种⽅式不能读取参数及设置模型。
不⽤原⼚固件的话，得装驱动,就可以随便刷最新版本的固件了。
现在OPENTX固件是2940版本。
8.舵⾓的正反修改是这⾥，改成inv就是反向了。
ccpm舵机的正反设置可以在第⼆个页⾯选择三个混控通道的正反向。
如果三个舵机⾥有⼀个反了，在这⾥设置,如果整体混控反了，在这⾥设置。
下⾯的三个选项是设置混后的整体正反向的。
9.摇杆曲线就是让摇杆的操作更柔顺⼀些。
看这⾥⽐较直观⼀些，摇杆靠近中点的时候会顺滑。
10.11.或8个相同类型的飞机，⽐如两架固定翼，可以⽤0 和1 分开设置，飞机A，在装配调试的时候副翼中点要偏移⼀点，但是飞机B不⽤偏移，设置好后选择0就飞A飞机，选择1就飞B飞机。
电子材料安森美半导体推出高度集成的锂离子电池保护控制器7月23日，安森美半导体推出新的锂离子电池保护控制器（LC05111CMT），用于智能手机和平板电脑。
高度集成的LC05111CMT利用模拟电路技术、MOSFET技术、先进封装装置和技术，在单个电路中集成控制器及驱动器功能。
LC05111CMT实现了高精度电流控制，无须使用电流检测电阻。
该电流控制由于支持更大充电电流，故能缩短充电时间。
该器件包含高精度电流检测电路及检测延迟电路，以预防电池过度充电、过度放电、过大电流放电及过大电流充电。
高集成度减少元件数量，因而减少占用空间受限的电池组中所需的电路板空间。
安森美半导体智能电源方案分部总经理IkuyaKawasaki说：“先进的便携设备明确要求更精确的电池电流控制及小封装。
LC05111CMT结合多种技术，提供尺寸小但功能创新的器件，缩短充电时间，为电池充电电路提供多级保护。
”（中国半导体行业协会）应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统应用材料公司近日宣布全新推出AppliedVarianVIISta9003D系统。
作为业内领先的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3DNAND制程而开发，具有超凡的控制能力，可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化，降低可变性，提高良率，是应用材料公司在精密材料领域的又一重大突破。
VIISta9003D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度，并且还能够出色的控制离子剂量和均匀性，从而帮助客户实现制程的可重复性，优化器件性能。
该系统采用独特的热注入技术和三重磁场结构，可通过降低缺陷率来进一步提高良率。
凭借这些优势，VIISta9003D系统能胜任复杂3D结构生产中所需的精确离子注入。
VIISta9003D系统的一个最重要的创新就是Superscan3技术，它可以借助独特的离子束形状控制能力，根据客户需要提供精确、精准的剂量方案，能完成几乎所有图案，实现定制化的硅片剂量图形。
概述DH03AEFS14/R5是一款专用于3串锂电池或聚合物电池的保护芯片。
它具有高精度的电压检测和电流检测电路，实现过压(OV)保护、欠压(UV)保护、放电过流(DOC)保护、短路(SC)保护、高温(OT)保护和低温(UT)保护。
DH03AEFS14/R5集成了场效应管的驱动电路，DH03AEFS14/R5能够直接驱动N型的充电管和N型的放电管。
DH03AEFS14/R5处于正常状态时消耗的电流低于35uA，断电状态时低于3uA。
DH03AEFS14/R5封装为14引脚的SOP封装。
特点各节电池的高精度电压检测过充电检测电压：4.20V过充电迟滞电压：0.15V过放电检测电压：2.7V过放电迟滞电压： 0.3V3段放电时的过电流检测保护功能过电流检测电压1：100mV过电流检测电压2：200mV短路检测电压：400mV放电过流和短路解除条件：充电器连接或者负载断开。
内建的断线保护。
内建的充电和放电高温保护。
内建的充电和放电低温保护。
低功耗的工作状态：正常状态：<35uA断电状态：<3uA应用电动工具典型应用电路103RTC1K 1K1K 510R 1N4148CHC DHCDH03VMON VCS CUVT COVTCOCT VSS VCCVC3VC2VC1TSVTH1234567891011121314电池3电池2电池10.1u0.1u4.7u0.1u0.1u0.1uR 100R5.1K放电管P-P+2M充电管510K0.1u10K10M1uB=3435R (20K)0.1uR S 1M图1 3串电池包的N 型充电管和N 型放电管的同口典型应用电路图103RTC1K1K 1K51R 1N4148CHC DHCDH03VMON VCS CUVT COVTCOCT VSS VCC VC3VC2VC1TSVTH1234567891011121314电池3电池2电池10.1u0.1u 4.7u0.1u0.1u0.1uR 100R 5.1K放电管P-P+充电管510K0.1u10K10MC-2M1u 0.1u200R 4.7uR S 1MSS34B=3435R (20K)图2 3串电池包的N 型充电管和N 型放电管的分口典型应用电路图产品说明产品名称过充电保护阈值 V OVP 过充电保护解除阈值 V OVR 过放电保护阈值 V UVP 过放电保护解除阈值 V UVR 第一级放电过流保护阈值 V DOCP1 DH03AEFS14/R5AAFS14/R54.20 （±0.028V ）4.05 （±0.028V ）2.70 （±0.09v ）3.00 （±0.09v ）0.1 ±0.01V订货信息型号 封装 包装数量 丝印 DH03AEFS14/R5SOP-14卷盘，2500 PCSDH03AE xxxx管脚分布VCS DHC VMON CHC VC2VC3VCC SOP-14123414131211CUVT 5VC110COCTCOVT 67VTH98TS VSS图3 管脚分布管脚描述引脚号 符 号 描 述1CHC 充电控制MOS 栅极连接引脚 2 VMON 负载开路和充电器接入检测引脚 3 DHC 放电控制MOS 栅极连接引脚 4 VCS 充放电过电流检测引脚5 CUVT 接电容，设置放电过流2检测延时6 COVT 接电容，设置过充电检测延时7 COCT 接电容，设置放电过流1检测延时、过放电检测延时8VTH 外部电阻偏置输出引脚，设定和调节保护温度点9 TS 接负温度系数热敏电阻，温度检测 10 VSS 接地引脚11 VC1 第一节电池正极、第二节电池负极连接引脚12 VC2 第二节电池正极、第三节电池负极连接引脚13 VC3 第三节电池正极连接引脚14VCC芯片电源，第三节电池正极连接引脚电气参数（环境温度为25℃）符号项目说明最小值典型值最大值单位过充电和过放电保护阈值V OVP过充电保护阈值 4.20VV OVP- 0.028V OVPV OVP+ 0.028VV OVP_HYS过充电解除迟滞电压0.15 VV OVR过充电解除阈值V OVR = V OVP– V OVP_HYSV OVR- 0.028V OVRV OVR+ 0.028VV UVP过放电保护阈值 2.7VV UVP- 0.090V UVPV UVP+ 0.090VV UVP_HYS过放电解除迟滞电压0.3V V UVP_HYS VV UVR过放电解除阈值V UVR = V UVP + V UVP_HYSV UVR- 0.090V UVRV UVR+ 0.090V放电过流和短路保护V DOCP11级放电过流保护阈值90 100 110 mV V DOCP22级放电过流保护阈值V DOCP2=2*V DOCP1180 200 220 mV V SCP短路保护阈值V SCP=4*V DOCP1360 400 440 mV 放电高温保护和充电高温保护T DOTP放电高温保护阈值根据R VTH设定T DOTP-5 T DOTP T DOTP+5°CT DOTP_HYS放电高温解除迟滞值15 °CT DOTR放电高温解除阈值T DOTR = T DOTP– T DOTP_HYS T DOTR-5 T DOTR T DOTR+5°CT COTP充电高温保护阈值根据R VTH设定T COTP-5 T COTP T COTP+5°CT COTP_HYS充电高温解除迟滞值 5 °CT COTR充电高温解除阈值T COTR = T COTP– T COTP_HYS T COTR-5 T COTR T COTR+5°CT DUTP放电低温保护阈值根据R VTH设定T DUTR-5 T DUTR T DUTR+5°CT DUTP_HYS放电低温解除迟滞值10 °CT DUTR放电低温解除阈值T DUTR = T DUTP + T DUTP_HYS T DUTR-5 T DUTR T DUTR+5°CT CUTP充电低温保护阈值根据R VTH设定T CUTR-5 T CUTR T CUTR+5°CT CUTP_HYS充电低温解除迟滞值 5 °CT CUTR充电低温解除阈值T CUTR = T CUTP + T CUTP_HYS T CUTR-5 T CUTR T CUTR+5°CV IN_DSG放电状态检测电压V VCS>V IN_DSG时电池包被认为是放电状态；否则，电池包被认为是充电状态2 4 6 mV符号项目说明最小值典型值最大值单位外部可编程的保护和解除延迟时间t OVP过压保护延迟时间C COVT=0.1uF 0.7 1.0 1.3 S t UVP欠压保护延迟时间C COCT=0.1uF 0.7 1.0 1.3 S t UV_PD欠压断电延迟时间C COCT=0.1uF 4.3 6.2 8.1 St DOCP11级放电过流保护延迟时间C COCT=0.1uF 0.7 1.0 1.3 St DOCP22级放电过流保护延迟时间C CUVT=0.1uF 0.07 0.1 0.13 St SCP短路保护延迟时间内部固定100 250 500 μS t TDET温度检测周期C COVT=0.1uF 0.7 1.0 1.3 S 电源(VCC)V CC输入电压 4.0 25 V I VCC_NOR电源电流正常状态,V CELL=3.5V 30 35 μAI VCC_PD 断电状态,V CELL=1.8VCTL引脚连接V SS2 3 μAV POR芯片复位电压 4.8 6.0 V V VCC_CHGINI起始充电的VCC电压 1.8 2.2 2.8 V V VREGH放电管的驱动电压V CC>V VREGH+1V 9.0 10.5 12 VV CC<V VREGH+1V V CC-1.5 V CC-1 V CC-0.5 V 电池输入(VC3,VC2,VC1)I VC3V C3正常状态电流3节电池, V CELL=3.5V 1.5 2.5 μAI VCX V C(n)正常状态电流,n=1to2V CELL=3.5V -0.5 +0.5 μA驱动电路(CHC,DHC)I CHC CHC引脚流出电流V CELL=3.5V,V CHC=V CC–3V 3 6 9 μA V CELL=V OVP+0.2V,V CHC=V CC–3VHi-Z μAV DHCHDHC引脚输出电压V VCS=0V V VREGH V V DHCL V VCS>=V DOCP10.4 V功能描述1、过充电状态当任何一节电池电压高于V OVP且时间持续t OVP或更长，DH03AEFS14/R5的CHC引脚将变成高阻态。
FM3310(文件编号：S&CIC1430)内置MCU/数码显示全集成移动电源管理IC 概述FM3310是一款全集成充电管理，锂电池保护，DC-DC升压限流，手电筒照明及数码显示电量的多功能电源管理芯片。
FM3310的同步升压系统提供最大2.4A输出电流，转换效率91%；在1A输出电流时转换效率高达95%。
芯片只需要一个1uH电感实现降压与升压功能。
DC-DC转换器工作在750k Hz，可以支持低成本电感和电容。
当空载时，静置32s后系统进入休眠状态，工作电流降至100uA以下。
FM3310同步开关充电技术，提供最大2.5A电流，充电效率高达96%，大大缩短充电时间。
芯片内置温度控制电路，根据IC温度和输入电压智能调节充电电流。
芯片内置可编程的MCU，可以对各I O口引脚功能重新设置程序。
对按键，手电筒灯，背光灯也可按客户需求进行编程。
改善市场上移动动电源外挂MCU的传统做法，极大地减小外围元件，降低BOM整体成本。
特点2.5A同步开关充电器，2.4A同步升压转换器单电感架构，750KHZ开关频率，支持1uH电感升压效率最高达95%开关式充电，充电效率高达96%IO口可直接驱动三位数字段码LED数显‘188’LCD屏显示/配合1905驱动芯片可做成百级电量显示内置自适应电源路径管理，支持边充边放自动切换待机模式与工作模式支持按键开关与自动负载识别集成USB快速充电协议端口充电电压精度：±1.0%；升压电压精度：±1.0%过流保护（OCP），过压保护（OVP），短路保护（SCP），过温保护（OTP）ESD 4KV，瞬态耐压11V，极高可靠性极低的BOM成本待机电流100uA以下支持4.2、4.35电池封装形式：QFN-28应用移动电源IPAD及其他数码设备备用电源FM3310(文件编号：S&CIC1430)内置MCU/数码显示全集成移动电源管理IC 引脚示意图及说明FM3310(文件编号：S&CIC1430)内置MCU/数码显示全集成移动电源管理ICFM3310(文件编号：S&CIC1430)内置MCU/数码显示全集成移动电源管理IC 电性能参数注：最大极限参数是指超出该工作范围IC可能会损坏。
Subject: 应用文档 AN22019 Rev 1.1 20131017 Model Name: CP3113 EVA KIT Rev1.1评估板用户手册CP3113 EVA KIT Rev1.1评估板用户手册1CP3113概述CP3113是一款立体声D类音频放大器，工作电压范围7V至25V。
在12V电源电压下，8欧姆负载单通道输出功率可达10W（10%THD）。
通过增益设置管脚GAIN1和GAIN0可以配置四种基础增益模式（20dB、26dB、32dB、36dB）。
芯片内置了功率管理功能，启动后可以有效防止输出功率过大导致喇叭损伤，专用的功率管理架构保证了输出被较好的控制在非常小的失真范围，即使在输入信号失控过大的状态下也可保持非常理想的输出音质。
当系统要求工作在大功率输出模式下，进一步提高效率成为芯片能保持良好工作状态的前提条件，将PBTL引脚悬空后CP3113可以实现通道并行驱动，在该模式下两路输出驱动管合并输出可以降低50%的导通电阻，进一步提高芯片的驱动效率，满足大功率工作模式下的散热需求。
CP3113具备完善的保护模式，通过FAULTN可以设置芯片在触发保护后的恢复方式，当FAULTN 悬空时候，芯片需要重新上电或通过使能引脚复位保护状态，当FAULTN接EN引脚时候，芯片将在触发保护关闭输出400ms后自动恢复。
1.1 封装图图 1CP3113封装图1.2 引脚定义序号名称描述1 EN 使能引脚，内置120K 下拉电阻2 FAULTN 保护设置引脚，内置500K 下拉电阻该引脚悬空：触发过流保护和DC 保护后需要重新上电恢复该引脚接EN ：芯片触发保护模式后可以自动延时恢复工作3 INP_L 左通道差分输入正端4 INN_L 左通道差分输入负端5 GAIN0增益配置引脚，内置300K上拉电阻至GVDD 6 GAIN1增益配置引脚，内置300K上拉电阻至GVDD 7 AVCC模拟电源8 AGND模拟地9 GVDD芯片内部产生的低压工作电源10 PLIMIT 功率管理配置引脚，高有效11 INN_R 右通道差分输入正端12 INP_R 右通道差分输入负端13 NC NC14 PBTL 并行输出模式配置引脚，内置300K上拉电阻15\16 PVCC_R 右通道功率电源17 BSP_R右通道正输出功率管自举驱动端口18 OUTP_R右通道正输出端口19 PGND 功率地20 OUTN_R右通道负输出端口21 BSN_R右通道负输出功率管自举驱动端口22 BSN_L 左通道负输出功率管自举驱动端口23 OUTN_L左通道负输出端口24 PGND 功率地25 OUTP_L左通道正输出端口26 BSP_L 左通道正输出功率管自举驱动端口27\28 PVCC_L 左通道功率电源2CP3113评估板介绍2.1CP3113评估板原理图图 2 CP3113评估板原理图2.2CP3113评估板PCB图图 3 CP3113评估板PCB图（TOP View）2.3器件设置说明序号 器件名 设置说明 备注1 J1 PVCC2 J2,J3 GND3 J4,J5 INNR,INPR4 J6，J7 INPL,INNL5 J8,J9 OUTP_L,OUTN_L6 J10,J11 OUTN_R,OUTP_R7 JP6,JP7 单端输入控制，接GND为单端模式8 JP1 芯片EN端9 JP13 PLIMIT控制端10 JP2，JP3 G0，G1，增益控制11 JP14 不接，测试用12 JP4 FAULT是否连接EN端13 X1 3.5mm音频接口调试步骤：1)去掉JP1即 EN信号跳线帽。
PW3133AOne Cell Lithium-ion/Polymer Battery Protection ICGENERAL DESCRIPTIONThe PW3133A series product is a high integration solution for lithiumion/polymer battery protection. PW3133A contains advanced power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits and delay circuits. PW3133A is put into an ultra-small SOT23-3 package and only one external component makes it an ideal solution in limited space of battery pack.PW3133A has all the protection functions required in the battery application including overcharging, overdischarging, overcurrent and load short circuiting protection etc. The accurate overcharging detection voltage ensures safe and full utilization charging. The low standby current drains little current from the cell while in storage. The device is not only targeted for digital cellular phones, but also for any other Li-Ion and Li-Poly battery-powered information appliances requiring longterm battery life.FEATURES● Protection of Charger Reverse Connection ● Protection of Battery Cell ReverseConnection● Integrate Advanced Power MOSFETwithEquivalent of 56mΩ RSS(ON) ● Ultra-small SOT23-3 Package● Only One External CapacitorRequired ● Over-temperature Protection ● Overcharge Current Protection● Two-step Overcurrent Detection :Overdischarge Current;Load Short Circuiting● Charger Detection Function ● 0V Battery Charging Function ● Delay Times are generated inside ● High-accuracy Voltage Detection ● Low Current Consumption: OperationMode: 2.8μA typ.Power-down Mode: 1.5μA typ.● RoHS Compliant and Lead (Pb) FreeAPPLICATIONS● One-Cell Lithium-ion Battery Pack ● Lithium-Polymer Battery PackTYPICAL APPLICATION CIRCUIT代理深圳夸克微科技Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTDELECTRICAL CHARACTERISTICSTypicals and limits appearing in normal type apply for TA = 25oC, unless otherwise specifiedNote: The parameter is guaranteed by design .ParameterSymbol Test Condition Min Typ Max UnitDetection VoltageOvercharge Detection Voltage V CU4.254.30 4.35VOvercharge Release Voltage V CL 4.054.10 4.15VOverdischarge Detection VoltageV DL 2.3 2.4 2.5VOverdischarge Release Voltage V DR2.93.03.1VDetection CurrentOverdischarge Current1Detection *I IOV1V DD =3.6V3.5A Load Short-Circuiting Detection*I SHORT V DD =3.6V20ACurrent ConsumptionCurrent Consumption in Normal OperationI OPE V DD =3.6V VM =0V 2.86μA Current Consumption in power DownI PDNV DD =2.0VVM pin floating1.53μAVM Internal Resistance Internal Resistance between VM and V DD*R VMD VDD=2.0V VM pin floating 300k ΩInternal Resistance between VM and GND*R VMSV DD =3.6V VM=1.0V20k ΩFET on ResistanceEquivalent FET on Resistance *R SS(ON)V DD =3.6V I VM =1.0A56m ΩOver Temperature Protection Over T emperature Protection*T SHD+150oCOver T emperature Recovery Degree *T SHD-110Detection Delay TimeOvercharge Voltage Detection Delay Timet CU 80130200mS Overdischarge Voltage Detection Delay Timet DL 204060mS Overdischarge Current Detection Delay Time*t IOV V DD =3.6V 4816mS Load Short-Circuiting Detection Delay Time*t SHORTV DD =3.6V80180300uSFunctional Block DiagramOPERATIONThe PW3133A monitors the voltage and current of a battery and protects it from being damaged due to overcharge voltage, overdischarge voltage, overdischarge current, and short circuit conditions by disconnecting the battery from the load or charger. These functions are required in order to operate the battery cell within specified limits.The device requires only one external capacitor. The MOSFET is integrated and its RSS(ON) is as low as 56mΩ typical.Normal operating modeIf no exception condition is detected, charging and discharging can be carried out freely. This condition is called the normal operating mode.Overcharge ConditionWhen the battery voltage becomes higher than the overcharge detection voltage (VCU) during charging under normal condition and the state continues for the overcharge detection delay time (tCU) or longer, the PW3133A turns the charging control FET off to stop charging. This condition is called the overcharge condition. The overcharge condition is released in the following two cases:1, When the battery voltage drops below the overcharge release voltage (VCL), the PW3133A turns the charging control FET on and returns to the normal condition.2, When a load is connected and discharging starts, the PW3133A turns the charging control FET on and returns to the normal condition. The release mechanism is as follows: the discharging current flows through an internal parasitic diode of the charging FET immediately after a load is connected and discharging starts, and the VM pin voltage increases about 0.7 V (forward voltage of the diode) from the GND pin voltage momentarily. The PW3133A detects this voltage and releases the overcharge condition. Consequently, in the case that the battery voltage is equal to or lower than the overcharge detection voltage (VCU), the PW3133A returns to the normal condition immediately, but in the case the battery voltage is higher than the overcharge detection voltage (VCU),the chip does not return to the normal condition until the battery voltage drops below the overcharge detection voltage (VCU) even if the load is connected. In addition, if the VM pin voltage is equal to or lower than the overcurrent 1 detection voltage when a load is connected and discharging starts, the chip does not return to the normal condition.Remark If the battery is charged to a voltage higher than the overcharge detection voltage (VCU) and the battery voltage does not drops below the overcharge detection voltage (VCU) even when a heavy load, which causes an overcurrent, is connected, the overcurrent 1 and overcurrent 2 do not work until the battery voltage drops below the overcharge detection voltage (VCU). Since an actual battery has, however, an internal impedance of several dozens of mΩ, and the battery voltage drops immediately after a heavy load which causes an overcurrent is connected, the overcurrent 1 and overcurrent 2 work. Detection of load shortcircuiting works regardless of the battery voltage.Overdischarge ConditionWhen the battery voltage drops below the overdischarge detection voltage (VDL) during discharging under normal condition and it continues for the overdischarge detection delay time (tDL) or longer, the PW3133A turns the discharging control FET off and stops discharging. This condition is called overdischarge condition. After the discharging control FET is turned off, the VM pin is pulled up by the RVMD resistor between VM and VDD in PW3133A.Meanwhile when VM is bigger than 1.5V (typ.) (the load short-circuiting detection voltage), the current of the chip is reduced to the power-down current (IPDN). This condition is called power-down condition. The VM and VDD pins are shorted by the RVMD resistor in the IC under the overdischarge and power-down conditions. The power-down condition is released when a charger is connected and the potential difference between VM and VDD becomes 1.3 V (typ.) or higher (load shortcircuiting detection voltage). At this time, the FET is still off. When the battery voltage becomes the overdischarge detection voltage (VDL) or higher (see note), the PW3133A turns the FET on and changes to the normal condition from the overdischarge condition.Remark If the VM pin voltage is no less than the charger detection voltage (VCHA), when the battery under overdischarge condition is connected to a charger, the overdischarge condition is released (the discharging control FET is turned on) as usual, provided that the battery voltage reaches the overdischarge release voltage (VDU) or higher.When the discharging current becomes equal to or higher than a specified value (the VM pin voltage is equal to or higher than the overcurrent detection voltage) during discharging under normal condition and the state continues for the overcurrent detection delay time or longer, the PW3133A turns off the discharging control FET to stop discharging. This condition is called overcurrent condition. (The overcurrent includes overcurrent, or load short-circuiting.)The VM and GND pins are shorted internally by the RVMS resistor under the overcurrent condition. When a load is connected, the VM pin voltage equals the VDD voltage due to the load. The overcurrent condition returns to the normal condition when the load is released and the impedance between the B+ and Bpins becomes higher than the automatic recoverable impedance. When the load is removed, the VM pin goes back to the GND potential since the VM pin is shorted the GND pin with the RVMS resistor. Detecting that the VM pin potential is lower than the overcurrent detection voltage (VIOV1), the IC returns to the normal condition.Abnormal Charge Current DetectionIf the VM pin voltage drops below the charger detection voltage (VCHA) during charging under the normal condition and it continues for the overcharge detection delay time (tCU) or longer, the PW3133A turns the charging control FET off and stops charging. This action is called abnormal charge current detection. Abnormal charge current detection works when the discharging control FET is on and the VM pin voltage drops below the charger detection voltage (VCHA). When an abnormal charge current flows into a battery in the overdischarge condition, the PW3133A consequently turns the charging control FET off and stops charging after the battery voltage becomes the overdischarge detection voltage and the overcharge detection delay time (tCU) elapses.Abnormal charge current detection is released when the voltage difference between VM pin and GND pin becomes lower than the charger detection voltage (VCHA) by separating the charger. Since the 0 V battery charging function has higher priority than the abnormal charge current detection function, abnormal charge current may not be detected by the product with the 0 V battery charging function while the battery voltage is low.Load Short-circuiting conditionIf voltage of VM pin is equal or below short circuiting protection voltage (VSHORT), the PW3133A will stop discharging and battery is disconnected from load. The maximum delay time to switch current off is tSHORT. This status is released when voltage of VM pin is higher than short protection voltage (VSHORT), such as when disconnecting the load.Delay CircuitsThe detection delay time for overdischarge current 2 and load short-circuiting starts when overdischarge current 1 is detected. As soon as overdischarge current 2 or load short-circuiting is detected over detection delay time for overdischarge current 2 or load short- circuiting, the PW3133A stops discharging. When battery voltage falls below overdischarge detection voltage due to overdischarge current, the PW3133A stop discharging by overdischarge current detection. In thisPW3133Acase the recovery of battery voltage is so slow that if battery voltage after overdischarge voltage detection delay time is still lower than overdischarge detection voltage, the PW3133A shifts to power-down.Overcurrent delay time0V Battery Charging Function (1) (2) (3)This function enables the charging of a connected battery whose voltage is 0 V by self-discharge. When a charger having 0 V battery start charging charger voltage (V0CHA) or higher is connected between B+ and B- pins, the charging control FET gate is fixed to VDD potential. When the voltage between the gate and the source of the charging control FET becomes equal to or higher than the turn-on voltage by the charger voltage, the charging control FET is turned on to start charging. At this time, the discharging control FET is off and the charging current flows through the internal parasitic diode in the discharging control FET. If the battery voltage becomes equal to or higher than the overdischarge release voltage (VDU), the normal condition returns.Note(1) Some battery providers do not recommend charging of completely discharged batteries. Please refer to battery providers before the selection of 0 V battery charging function.(2) The 0V battery charging function has higher priority than the abnormal charge current detection function. Consequently, a product with the 0 V battery charging function charges a battery and abnormal charge current cannot be detected during the battery voltage is low (at most 1.8 V or lower).(3) When a battery is connected to the IC for the first time, the IC may not enter the normal condition in which discharging is possible. In this case, set the VM pin voltage equal to the GND voltage (short the VM and GND pins or connect a charger) to enter the normal condition.TIMING CHART1． Overcharge and overdischarge detectionOvercharge and Overdischarge Voltage Detection2． Overdischarge current detectionOverdischarge Current DetectionRemark: (1) Normal condition (2) Overcharge voltage condition (3) Overdischarge voltage condition (4)Overcurrent conditionVV CU -VV DL +V VDLONONCHARGEV DD Vov1VSS VVM Charger Load V CUV CU -V HCV DL +V DHV DLONDISCHARGE OFF V DD V V ov2V ov1V SSCharger Load(1)(4)(1)(1)(1)(4)(4)Charger Detection4． Abnormal Charger DetectionAbnormal Charger DetectionRemark: (1) Normal condition (2) Overcharge voltage condition (3) Overdischarge voltage condition (4) Overcurrent conditionVV CU -V V DL +V V DL ON Charger Load V DDV SSV VMVVCU -VV DL +VV DL ON ONCHARGE VDD V SS VVM Charger LoadTYPICAL APPLICATIONAs shown in Figure 6, the bold line is the high density current path which must be kept asshort as possible. For thermal management, ensure that these trace widths are adequate. C1 is a decoupling capacitor which should be placed as close as possible to PW3133A.PW3133A in a Typical Battery Protection CircuitPrecautions• Pay attention to the operating conditions for input/output voltage and load current so that the power loss in PW3133A does not exceed the power dissipation of the package.• Do not apply an electrostatic discharge to this PW3133A that exceeds the performance ratings of the built-in electrostatic protection circuit.PW3133A 11 PW3133A_2.3 PACKAGE DESCRIPTION SOT23-3无锡平芯微。
S-8242Bシリーズ2セル直列用バッテリー保護IC © Seiko Instruments Inc., 2006-2010 Rev.2.1_00 S-8242Bシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵した2セル直列用リチウムイオン／リチウムポリマー二次電池保護用ICです。
2セル直列用リチウムイオン／リチウムポリマー二次電池パックの過充電、過放電、過電流の保護に最適なICです。
■特長（1）各セルに対する高精度電圧検出機能V～4.5 V（50 mVステップ）精度±25 mV ・過充電検出電圧n（n = 1, 2） 3.9V～4.5 V*1精度±50 mV ・過充電解除電圧n（n = 1, 2） 3.8V～3.0 V（100 mVステップ）精度±50 mV ・過放電検出電圧n（n = 1, 2） 2.0V～3.4 V*2精度±100 mV ・過放電解除電圧n（n = 1, 2） 2.0（2）2段階の過電流検出機能（過電流1, 過電流2）・過電流検出電圧1 0.05 V, 0.08 V～0.30 V（10 mVステップ）精度±15 mVV（固定）精度±300 mV ・過電流検出電圧2 1.2（3）各種遅延時間（過充電、過放電、過電流）は内蔵回路のみで実現（外付け容量は不要）（4）0 V電池への充電機能 「可能」／「禁止」の選択可能（5）充電器検出機能・VM端子のマイナス電圧（typ. －0.7 V）検出により過放電ヒステリシスを解除（充電器検出機能）（6）高耐圧デバイス絶対最大定格 28 V（7）広動作温度範囲－40°C～＋85°C（8）低消費電流μA max.（＋25°C）・動作時 10μA max.（＋25°C）・パワーダウン時 0.1（9）鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*3*1.過充電解除電圧 = 過充電検出電圧−過充電ヒステリシス電圧（過充電ヒステリシス電圧n（n = 1, 2）は、0 Vまたは0.1 V～0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能）*2.過放電解除電圧 = 過放電検出電圧＋過放電ヒステリシス電圧（過放電ヒステリシス電圧n（n = 1, 2）は、0 Vまたは0.1 V～0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能）*3. 詳細は「 品目コードの構成」を参照してください。
FM5009E(文件编号：S&CIC1362) 600mA锂电充电+3档可调风量风扇IC 概述FM5009E是一款集成了锂电池充电管理，锂电池保护，DC-DC升压限流，手电筒照明，电量指示以及3档风量可调风扇驱动功能于一体的电源管理IC；专用于采用锂电池供电的便携式风扇。
FM5009E集成了包括涓流充电，恒流充电和恒压充电全过程的充电方式，带充电指示及满电指示灯；支持风扇驱动功能，内置3档可调节风量控制，支持3段风量LED指示；当电池电压小于2.9V时，FM5009E系统进入欠压状态，整个系统电流为30uA；内置恒定恒流充电电流600mA。
FM5009E具有多重保护设计，包括负载过流保护，充电时防倒灌保护，短路保护，短路防锁定，软启动保护，锂电过放保护，过温及欠压保护等。
特点0.6A锂电池充电支持9V电机驱动控制，3档风量可调，3段风扇风量指示3颗LED电量显示, 内置照明灯驱动支持双按键开关充电电压精度：±1.0%；升压电压精度：±4.0%过流保护（OCP），过压保护（OVP），短路保护（SCP），过温保护（OTP）ESD 2KV，可靠性高极低的BOM成本待机电流30uA支持4.2、4.35V电池封装形式：ESOP16应用使用锂电池供电的便携式风扇电参数注：最大极限参数是指超出该工作范围IC可能会损坏。
推荐工作范围是指在该范围内IC工作正常，但不完全保证满足个别性能指示。
电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指示的测试条件下的直流和交流电气参数规范。
对于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
电气参数无特殊说明，VDD=5V，T a=25℃应用说明恒温充电模式FM5009E 内部集成了温度反馈环路，充电时，如果芯片内部的温度升高到110℃，充电电流会随着芯片的温度升高而降低，从而减小系统功耗，降低温升，当温度升高到140℃时，充电电流减小为零，由于温度反馈控制，IC工作温度最终会稳定在110℃～130℃之间的某个值。
