常用元器件认识

常用电子元器件识别与检测大家好，我是一名电子工程师，今天我要和大家分享一下关于常用电子元器件的识别与检测。

在我们的日常工作中，电子元器件是非常常见的，但是如何正确地识别和检测它们呢？这就需要我们掌握一定的知识和技巧。

我们需要了解一些基本的电子元器件。

比如说，电阻器、电容器、二极管、晶体管等等。

这些元器件都有各自的特点和用途，我们需要根据实际情况来选择合适的元器件。

我们还需要了解一些基本的测量工具，比如万用表、示波器等等。

这些工具可以帮助我们准确地测量元器件的参数和性能。

接下来，我将从三个方面来介绍常用电子元器件的识别与检测方法。

一、电阻器的识别与检测电阻器是我们最常用的电子元器件之一，它可以用来限制电流的大小。

在识别电阻器时，我们需要看它的外观特征，比如说颜色、形状、尺寸等等。

我们还需要使用万用表来测量电阻器的阻值和功率等参数。

如果测量结果不符合要求，就需要更换电阻器了。

二、电容器的认识与检测电容器是一种能够储存电荷的元器件，它可以用来滤波、耦合、隔直流等。

在认识电容器时，我们需要看它的外观特征，比如说颜色、形状、尺寸等等。

我们还需要了解电容器的类型和参数，比如说容量、电压等级、工作温度等等。

在使用万用表测量电容器时，我们需要先将其充电到一定电压，然后再进行测试。

如果测试结果不符合要求，就需要更换电容器了。

三、二极管和晶体管的认识与检测二极管和晶体管是常见的半导体元器件，它们可以用来放大信号、开关电路等等。

在认识二极管和晶体管时，我们需要看它们的外观特征，比如说颜色、形状、尺寸等等。

我们还需要了解它们的结构和工作原理，比如说PN结、双极性、单向导通等等。

在使用万用表测量二极管和晶体管时，我们需要先将其接入电路中，然后再进行测试。

如果测试结果不符合要求，就需要更换二极管或晶体管了。

以上就是我对常用电子元器件识别与检测的一些介绍。

希望大家能够通过学习这些知识，提高自己的技能水平。

谢谢大家！。

常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一，可以通过它们来控制电信号和电能的流动。

在工程领域中，我们需要了解电子元器件的种类和功能，以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。

在本文中，我们将介绍一些常见的电子元器件，并对它们的主要特征进行分析和说明。

1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件，它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。

在实际应用中，我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压，以便实现特定的电路功能，比如控制LED亮度，实现制冷系统温度控制等等。

2. 电容器电容器能够储存静电能量，可用来控制电流和电压。

它有两个电极板和一个电介质，当电容器接入电路时，会在两个电极板之间形成等电势线。

电容器的容量是储存的静电能量密度，通常以法拉(F)为单位，这也意味着电容器具有储存电能的能力，可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。

除此之外，它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。

3. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流的流动而没有机械运动，通常用来放大电路信号。

晶体管最常见的类型是二极管，由两个PN结组成，其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。

当施加电压时，电场将使电荷在基极和发射极之间流动，并将集电极中的电流变大。

4. 电感器电感器是一种设备，它可以储存磁场能量，通常用来控制电流或电压。

电感器由线圈和磁芯组成，当电流通过线圈时，磁芯被激活并储存能量。

电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。

实际使用中，电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路，还可以在发电机或变压器中用来调节电感。

5. 二极管二极管是一种电子器件，它由两个半导体层（一正一负）组成，可控制电流的一个方向。

当施加电压时，电子从一层流向另一层，这就是二极管的正向导通，不同于之前的电阻器，它是一种有源元件，可以用于电路中的整流、开关或振荡。

当电子流从高电位电极流向低电位电极时，二极管发生反向击穿，进入负向导通状态，此时它可以用作负向偏置的保护器件。

第1章元器件的认识电子材料是电子产品的电气主体,目前电子材料种类繁多,又有DIP式(插入式)、及SMD式(表面粘贴式)之分.可依据其作用及类别的不同,分为以下类别来加以区分。

一、电阻1.电阻的概述：电阻的作用主要是限流、分压；用英文字母“R(resistance)”表示；其中排阻可分為：串联排阻用英文字母“RN”表示，串联排阻没安装时没有方向；并联排阻用英文字母“RP”表示，并联排阻安装时要注意PIN1的位置2. 固定式电阻：其阻值恒定不变称为固定式电阻,以其标称电阻阻值的方式不同,可分为色环电阻、数字电阻,直接标称电阻。

3. SMT电阻：有用一位、三位、四位数字表称的电阻.用一位数字表标的电阻,一般是特殊电阻,其阻值为0欧,3.1 用三位数字标示的电阻:前两位数字为有效数值，第三位数字为10的幂指数，其数字表达式．Ｒ＝有效数值*10N N为自然数例：电阻为”103”,其阻值数为R=10*103=10000Ω=10KΩ3.2 用四位数字标示的电阻：前三位数字为有效数值,第四位数字为幂指数,数字表达式为：Ｒ＝有效数值*10N N为自然数例：电阻为”1201”其阻值为R=120*101=1200Ω=1.2KΩ四位数字表标的电阻为高精度电阻，其精度为1%。

4. 水泥电阻(高瓦特电阻)：把电阻的阻值和功率都直接标明在电阻的本体上,这类电阻易读,一般其阻值较小,功率较大.其本身无方向性,作业时遵客户要求作业. (如图4)（图3）贴片电阻 (图4) 水泥电阻5. 可变电阻：其阻值,体积,外观之差异较多, 法但总的特点来利用其中心抽头可滑动,使能改变其阻值的大小.为了便于识别区分,以及简单化,现以其用途和功能分为两大类: 一类是开关类,另一类为非开关类.5.1 非开关类可变电阻: 这类可变电阻(VR)一般有三个脚,还有一个“-”字或“+”字调节口,它们的阻值标识,一般是数字标称和直接标称.外观有立式与卧式之分。

电子元件大全
电子元件是电子设备中不可或缺的组成部分，它们能够控制电流、存储信息、
转换能量等，是现代科技发展的基础。

本文将介绍一些常见的电子元件，以及它们的功能和应用。

首先，我们来谈谈电阻。

电阻是一种用来限制电流流动的元件，它的单位是欧
姆（Ω）。

电阻的主要作用是消耗电能、降低电压、控制电流大小，常用于电路中的稳压、限流等功能。

在实际应用中，电阻还可以用来调节灯光的亮度、控制电机的转速等。

其次，我们介绍电容。

电容是一种用来存储电荷的元件，它的单位是法拉（F）。

电容的主要作用是储存电能、滤波、隔直通交等。

在电子设备中，电容常
用于电源滤波、信号耦合、振荡电路等方面。

再者，我们来看看电感。

电感是一种用来存储磁场能量的元件，它的单位是亨
利（H）。

电感的主要作用是阻碍电流的变化、滤波、振荡等。

在实际应用中，电
感常用于电源滤波、无线电收发信等方面。

除了上述几种基本的电子元件外，还有许多其他种类的电子元件，如二极管、
三极管、集成电路等。

二极管是一种具有单向导电性的元件，常用于整流、开关、稳压等电路中。

三极管是一种具有放大、开关功能的元件，常用于放大、开关、振荡等电路中。

集成电路是将许多电子元件集成在一起的芯片，它的功能非常丰富，可以实现各种复杂的电路功能。

总的来说，电子元件在现代电子设备中起着至关重要的作用，它们的种类繁多、功能多样，为电子技术的发展提供了坚实的基础。

希望本文对您有所帮助，谢谢阅读！
以上就是本文的全部内容，希望对您有所帮助。

元器件认识第十三节集成电路 (22)第十四节集成稳压器件 (23)电子产品制造业常用的物料可分为生产物料和辅助物料两大类，生产物料大致可分为：电子元器件、标准件、五金件、塑胶件;辅助物料可分为：标签、硅脂、洗板水、酒精、热缩管、锡条(线)等。

电子元器件随着电子技术及其应用领域的迅速发展，所用的元器件种类日益增多，学习和掌握常用元器件的性能、用途、质量判别方法，对提高电气设备的装配质量及可靠性将起重要的保证作用。

电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、集成电路等都是电子电路常用的器件。

第一节电阻器电阻器是用电阻率较大的材料(碳或镍铬合金等)制成。

它在电路中起着限流、分压的作用。

一、电阻器的分类电阻器在电子产品中是必不可少、使用最多的元器件。

它的种类很多，常见的有下列几种分类。

1、按阻值可否调节分有固定电阻器、可变电阻器两大类。

固定电阻器是指电阻值不能调节的电阻器;可变电阻器是指阻值在某个范围内可调节的电阻器，如电位器。

2、按制造材料分有线绕电阻、非线绕电阻。

3、按用途分有通用型、高阻型、高压型、高频无感型。

除以上三种分类方法以外，还有按结构形状及引出线进行分类。

二、部分电阻器外形及图形符号1、电阻器外形：2、图形符号：Ω三、电阻器的主要技术参数标称阻值、允许误差和额定功率是固定电阻器的主要参数。

电阻器标有的电阻数值，这就是电阻器的阻值标称值。

电阻标称值往往和它的实际值不完全相符，实际值和标称值的差值除以标称值所得的百分数，就是电阻的误差，它反映了电阻器的精密程度。

下表为常用电阻器的误差等级。

允许误差±0.5% ±1% ±2%±5% ±10% ±20%级别005 01 02ⅠⅡⅢ类型精密型普通型额定功率是指电阻器长时间正常工作下能承受最大功率。

额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。

额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，如下表：外形尺寸额定功率碳膜电阻金属膜电阻L DLD0.06W 82.50.125W 122.572.20.25W 154.582.6 0.5W 25 4.5 10.8 4.2 1W 28613 6.6 2W 468 18.58.6四、电阻器主要技术参数的标志方法电阻器的标称阻值和误差通常都标在电阻器上，标志方法有以下几种。

电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ) 和兆欧(MΩ).1MΩΩ3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻,可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围Carbon Film :-55℃----+155℃Metal Film :-55℃----+155℃Metal Oxide Film :-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2 四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 ±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2%±2.5%±3%±5%±10%±20% Symbols F G H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻（保险丝电阻）(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率, P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO（COG）﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factor and low ESR.High insulation resistanceHigh stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器)High moisture resistanceGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic insertionESR is minimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and high insulation resistance.High stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.Low equivalent series resistance.Non-inductive construction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性)2.主要参数(1)电感量及允许偏差(2)品质因子(Q值)感抗x L=W L=2πfL Q=2πfL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODE Test # Description1 VF Forward voltage2 IR Reverse current leakage3 BVR Breakdown voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管 (4)变容二极管 (6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压V R(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENER Test # Description1 V F Forward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test #5)3 BV Z Maximum Zener voltage.(Use test #5)4 I R Reverse current leakage5 BV Z BVz with programmable soak6 ZZ1.电路符号(图一2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差 些. (3)额定功率损耗 (4)电压温度系数 (5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管) TRANSISTOR Test # Description1h FEForward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff current I CER, with base to emiter load,I CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter, BV CER with base to emiter load, BV CEX reverse bias,or BV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base 9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10V BESATBase emitter saturation voltage1.电路符号(b)PNPNPN(b) PNP结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β为三极管电流放大倍数.(1)NPN (2) PNP (3)共发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即 NPN型三极管V c>V b>V e, PNP型三极管V c<V b<V e.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE时,三极开始截止,为了截止可靠,常使U BE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当V CE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区. 饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管U CE(sat)≒4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即H fe,β=I C/I B(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗P CM(6)集电极最大允许电流I CM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 I GT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5 V GT Gate-trigger voltage6 BV GKO Reverse gaet breakdown voltage7 I DRM Forward Blocking current8 I RRM Reverse Blocking current9 I L Latching current11 I H Holding current(see also Appendix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward blocking voltage16 V RRM Reverse blocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压U F,约为(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=P o/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLER Test #(Requires Opto Adapter) 1 LCOFF Collector to emitter darkcurrent2 LCBO Collector to base dark current3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdown voltage,collector to base5 HFE Forward current transfer ratio,transistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse current8 VF Forward voltage9 CTR Current transfer ratio,coupled10 VSAT Saturation voltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FI C/I F=CTR十.场效应管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下结型场效应管有三极:珊极g g 源极 N型漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当U DS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时, 源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSON Drain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gate to Source leakage current forward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specified In at specified Vos.(see SISQ Appendix F) 9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11 VGSON On-state gate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管. 符号和极性(1)增强型 NMOS (2)增强型 PMOS(3)耗尽型 NMOS (4)耗尽型PMOS二.主要参数-+1.漏源击穿电压BV DS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A)TL431内部结构如图(b),其内部有一个的基准电压,当U R 时, K,A 极处于导通状态,当U R 时,K,A 极截止. A (b)(二).PWM 开关电源的集成电路(IC)片共16 Pin,各Pin 功能如下:1). CS 此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过时,IC 失去作用 2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET 管的输出(方波输出) 4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP 内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT 此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于时,占空比控比例开始减少.当时,占空比减少到最大占空比的65%.14).POCP 接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE 此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT 峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS 有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为9)REF 基准电压端,产生基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE 输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON 接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF 接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP点为10)V12 检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3 检测的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其UUP点为1.09~1.16V,OVP点为13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地,从而产生内部恒流参考电压输出16)Vcc IC电源。

认识电子元器件电子元器件是电子技术中不可或缺的一部分。

了解和掌握电子元器件的种类、特点及其作用，对于学习和掌握电子技术知识有着非常重要的作用。

在本文中，将对电子元器件这一知识点进行分析和讲解。

一、电子元器件的基本概念电子元器件是指用于电子技术的各种电子部件和器件，它们可以完成电子电路中不同的功能。

电子元器件分为被动元器件和主动元器件两种。

被动元器件是指无源元器件，不具有增益功能，只能承受电信号，并在其中产生电阻、电抗、电容、电感等等作用。

常见的被动元器件有电阻、电容、电感、电位器、电感器等等。

主动元器件是指有源元器件，如晶体管、三极管、场效应管、集成电路等，它们具有一定的电流放大和电压放大作用（即增益），可以对电路信号进行加工和控制。

二、电子元器件的分类根据作用和形状的不同，电子元器件分为多种类型，下面是一些常见的电子元器件类型介绍：1. 电阻器电阻器是被动元器件，用于控制电路中的电流大小。

它们通常是一个导电质料制成的。

电阻器的种类有线性电阻、非线性电阻和可变电阻等。

2. 电容器电容器也是被动元器件，用于存储电荷。

它们由两个导体板和一个绝缘材料层组成。

电容器的种类有电解电容、陶瓷电容、纸质电容等等。

3. 电感器电感器是被动元器件，用于控制和储存电能。

它们由绕在磁芯上的线圈构成。

电感器的种类有大电感、小电感、发光电感等。

4. 晶体管晶体管是一种主动元器件，具有放大和开关功能。

它们通常被用于模拟和数字电路的设计中。

晶体管的种类有NPN型、PNP型、场效应晶体管等等。

5. 二极管二极管也是一种主动元器件，具有整流和振荡等特性。

它们被广泛应用于电源等电路中。

二极管的种类有普通二极管、整流二极管等等。

6. 集成电路集成电路也是一种主动元器件，是一种复杂的电子元件。

它们由多个晶体管、二极管和电容器等组成，通常可以完成多个电路功能。

集成电路的种类有逻辑集成电路、模拟集成电路等等。

三、电子元器件的基本特性电子元器件都有自己的特性，例如电压、电流和功率等等。

教你认识电子元件教你认识电子元件电子元件是指能够在电路中起到电学、磁学等作用的器件或材料。

在电子产品设计与制造中，电子元件是重要的组成部分。

如果我们想要在电子领域有所建树，就需要对电子元件进行深入的了解。

本文将为读者介绍一些常见的电子元件及其功能，以便读者在学习使用电子元器件的过程中，能更好地理解电路的原理，为电路的设计、调试和维修提供便利。

第一部分：基础元器件1.电阻电阻是电路中常用的元件。

它的作用是阻挡电流的流动，使电流限定在一定的范围内。

电阻的计量单位是欧姆，通常以Ω来表示。

电阻共有金属膜电阻、碳膜电阻、石墨电阻、线绕电阻等类型，在实际电路中使用时要根据具体情况选择相对应的电阻。

2.电容电容是一种储存电荷的元件，它的作用是在电路中存储电荷并分床电路能量的分配，掌握电容的使用方法可以极大帮助你在电路设计与调试中找到电路问题和优化电路性能。

电容的计量单位是法拉，通常以F来表示。

电容共有固态陶瓷电容、铝质电解电容、有机电解电容等类型，在实际中使用要选择相应的电容，同时还需注意其电容值、额定电压、容差等参数。

3.电感电感是电路中常用的元件，其作用是在电路中存储能量并阻抗交流电流，调节电流和电压的波形等。

电感的计量单位是亨利，通常以H来表示。

电感共有铁氧体电感、空气芯电感、铁-氧-铝电感等类型，选择电感时也要根据实际的使用场景和性能要求来选择合适的电感。

第二部分：功能类元器件1.晶体管晶体管主要应用于电流变换和信号放大等功能的电路。

晶体管共有双极型晶体管、场效应晶体管、双极型场效应晶体管等类型，不同类型的晶体管有着不同的特性。

在实际的电路中应根据电路的要求来选择合适的晶体管。

2.场效应管场效应管是晶体管的一种，它具有广泛的应用，例如用于开关开关电机、让函数合成功能增强甚至让绝大多数放大器的设计。

场效应管的优势在于其开关速度快、驱动能力强等，因此在大多数场合下被普遍应用。

3.二极管二极管主要应用于电路放大和整流电路等功能。