第3讲场效应管18130

通信电子线路重点总结第一章1、一个完整的通信系统应包括信息源、发送设备、信道、接收设备和收信装置五部分。

2、只有当天线的尺寸大到可以与信号波长相比拟时，天线才具有较高的辐射效率。

这也是为什么把低频的调制信号调制到较高的载频上的原因之一。

3、调制使幅度变化的称调幅，是频率变化的称调频，使相位变化的称调相。

4、解调就是在接收信号的一方，从收到的已调信号中把调制信号恢复出来。

调幅波的解调称检波，调频波的解调叫鉴频。

第二章1、小信号调谐放大器是一种最常见的选频放大器，即有选择地对某一频率的信号进行放大的放大器。

它是构成无线电通信设备的主要电路，其作用是放大信道中的高频小信号。

所谓调谐，主要是指放大器的集电极负载为调谐回路。

2、调谐放大器主要由放大器和调谐回路两部分组成。

因此，调谐放大器不仅有放大作用，还有选频作用。

其选频性能通常用通频带和选择性两个指标衡量。

3、并联谐振回路01LC0L10CLCCLCL(C称为谐振回路的特性阻抗）并联谐振回路的品质因数是由回路谐振电阻与特性阻抗的比值定义的，即QR0LCR00LR00CR0回路的越大，Q值越大，阻抗特性曲线越尖锐；反之，00R0越小，Q值越小，阻抗特性曲线越平坦。

在谐振点处，电压幅值最大，当0时，回路呈现感性，电压超前电流一个相角，电压幅值减小。

当相角，电压幅值也减小。

4、谐振回路的谐振曲线分析UUm11(Q2f2)f0时，回路呈现容性，电压滞后电流一个U对于同样频偏f，Q越大，Um值越小，谐振曲线越尖锐一个无线电信号占有一定的频带宽度，无线电信号通过谐振回路不失真的条件是谐振回路的幅频特性是一常数，相频特性正比于角频率。

在无线电技术中，常把Um从1下降到U1ff2（以dB表示，从0下降到-3dB）处的两个频率1和22f0.7的范围叫做通频带，以符号B或Bf2f1f0Q表示。

即回路的通频带为选择性是谐振回路的另一个重要指标，它表示回路对通频带以外干扰信号的抑制能力。

常用三极管型号及参数晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W**NMOS场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W**NMOS场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应IRFP460500V20A250W**NMOS场效应IRFP450500V14A180W**NMOS场效应IRFP440500V8A150W**NMOS场效应IRFP353350V14A180W**NMOS场效应IRFP350400V16A180W**NMOS场效应IRFP340400V10A150W**NMOS场效应IRFP250200V33A180W**NMOS场效应IRFP240200V19A150W**NMOS场效应IRFP150100V40A180W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFP140100V30A150W**NMOS场效应IRFP05460V65A180W**NMOS场效应IRFI744400V4A32W**NMOS场效应IRFI730400V4A32W**NMOS场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应IRFD12380V 1.1A1W**NMOS场效应IRFD120100V 1.3A1W**NMOS场效应IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W**NMOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W**NMOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W**NMOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W**NMOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9610200V1A20W**PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF954160V19A125W**PMOS场效应IRF953160V12A75W**PMOS场效应IRF9530100V12A75W**PMOS场效应IRF840500V8A125W**NMOS场效应IRF830500V 4.5A75W**NMOS场效应IRF740400V10A125W**NMOS场效应IRF730400V 5.5A75W**NMOS场效应IRF720400V 3.3A50W**NMOS场效应IRF640200V18A125W**NMOS场效应IRF630200V9A75W**NMOS场效应IRF610200V 3.3A43W**NMOS场效应IRF54180V28A150W**NMOS场效应IRF540100V28A150W**NMOS场效应IRF530100V14A79W**NMOS场效应IRF440500V8A125W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF230200V9A79W**NMOS场效应IRF130100V14A79W**NMOS场效应BUZ20100V12A75W**NMOS场效应BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应2SC4582600V15A75W**NPN2SC4517550V3A30W**NPN2SC44291100V8A60W**NPN2SC4297500V12A75W**NPN2SC42881400V12A200W**NPN2SC4242450V7A40W**NPN2SC4231800V2A30W**NPN2SC41191500V15A250W**NPN2SC41111500V10A250W**NPN2SC4106500V7A50W*20MHZ NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC4059600V15A130W**NPN2SC403850V0.1A0.3W*180MHZ NPN2SC4024100V10A35W**NPN2SC39981500V25A250W**NPN2SC39971500V15A250W**NPN2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿) 2SC3953120V0.2A 1.3W*400MHZ NPN2SC3907180V12A130W*30MHZ NPN2SC38931400V8A50W*8MHZ NPN2SC38861400V8A50W*8MHZ NPN2SC3873500V12A75W*30MHZ NPN2SC3866900V3A40W**NPN2SC3858200V17A200W*20MHZ NPN2SC380730V2A 1.2W*260MHZ NPN2SC3783900V5A100W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC37201200V10A200W**NPN2SC3680900V7A120W**NPN2SC3679900V5A100W**NPN2SC359530V0.5A 1.2W90*NPN2SC3527500V15A100W13*NPN2SC3505900V6A80W12*NPN2SC34601100V6A100W12*NPN2SC34571100V3A50W12*NPN2SC335820V0.15A**7000MHZ NPN2SC335520V0.15A**6500MHZ NPN2SC3320500V15A80W**NPN2SC3310500V5A40W20*NPN2SC3300100V15A100W**NPN2SC185520V0.02A0.25W*550MHZ NPN2SC1507300V0.2A15W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC149436V6A40W*175MHZ NPN2SC122260V0.1A0.25W*100MHZ NPN2SC116235V 1.5A10W**NPN2SC100880V0.7A0.8W*50MHZ NPN2SC90030V0.03A0.25W*100MHZ NPN2SC82845V0.05A0.25W**NPN2SC81560V0.2A0.25W**NPN2SC38035V0.03A0.25W**NPN2SC10660V 1.5A15W**NPN2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿）2SB1429180V15A150W**PNP2SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿）2SB137560V3A2W**PNP2SB133580V4A30W**PNP2SB1317180V15A150W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿）2SB124340V3A1W*70MHZ PNP2SB124040V2A1W*100MHZ PNP2SB123880V0.7A1W*100MHZ PNP2SB118560V3A25W*75MHZ PNP2SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿）2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿）2SB83460V3A30W**PNP 2SB817160V12A100W**PNP 2SB77240V3A10W**PNP 2SB74470V3A10W**PNP 2SB73460V1A1W**PNP 2SB688120V8A80W**PNP 2SB67560V7A40W**PNP(达林顿）2SB66970V4A40W**PNP(达林顿）晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB649180V 1.5A1W**PNP 2SB647120V1A0.9W*140MHZ PNP2SB44950V 3.5A22W**PNP 2SA1943230V15A150W**PNP 2SA1785400V1A1W*140MHZ PNP 2SA1668200V2A25W*20MHZ PNP 2SA1516180V12A130W*25MHZ PNP 2SA1494200V17A200W*20MHZ PNP 2SA1444100V 1.5A2W*80MHZ PNP 2SA1358120V1A10W*120MHZ PNP 2SA1302200V15A150W**PNP 2SA1301200V10A100W**PNP 2SA1295230V17A200W**PNP 2SA1265140V10A30W**PNP 2SA1216180V17A200W**PNP 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SA116250V0.15A0.15W**PNP 2SA1123150V0.05A0.75W**PNP 2SA102050V2A0.9W**PNP 2SA1009350V2A15W**PNP 2N6678650V15A175W**NPN 2N568560V50A300W**NPN 2N6277180V50A300W**NPN 2N5551160V0.6A0.6W*100MHZ NPN 2N5401160V0.6A0.6W*100MHZ PNP 2N3773160V16A150W**NPN 2N3440450V1A1W**NPN 2N3055100V15A115W**NPN 2N290760V0.6A0.4W200*NPN 2N236940V0.5A0.3W*800MHZ NPN 2N222260V0.8A0.5W45*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型901830V0.05A0.4W*1G NPN 901550V0.1A0.4W*150MHZ PNP 901450V0.1A0.4W*150MHZ NPN 901350V0.5A0.6W**NPN 901250V0.5A0.6W**PNP 901150V0.03A0.4W*150MHZ NPN TIP147100V10A125W**PNP TIP142100V10A125W**NPN TIP127100V8A65W**PNP TIP122100V8A65W**NPN TIP102100V8A2W**NPN TIP42C100V6A65W**PNP TIP41C100V6A65W**NPN TIP36C100V25A125W**PNPTIP35C100V25A125W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型TIP32C100V3A40W**PNP TIP31C100V3A40W**NPN MJE130071500V 2.5A60W**NPN MJE13005400V4A60W**NPN MJE13003400V 1.5A14W**NPN MJE2955T60V10A75W**NPN MJE350300V0.5A20W**NPN MJE340300V0.5A20W**NPNMJ15025400V16A250W**PNPMJ15024400V16A250W**NPNMJ13333400V20A175W**NPNMJ11033120V50A300W**NPNMJ11032120V50A300W**NPNMJ10025850V20A250W**NPNMJ10016500V50A200W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BUS13A1000V15A175W**NPN BUH5151500V10A80W**NPN BU25321500V15A150W**NPN BU25271500V15A150W**NPN BU25251500V12A150W**NPN BU25221500V11A150W**NPN BU2520800V10A150W**NPN BU2508700V8A125W**NPN BU25061500V7A50W**NPN BU932R500V15A150W**NPN BU806400V8A60W**NPN BU406400V7A60W**NPN BU323450V10A125W**NPN(达林顿) BF458250V0.1A10W**NPN BD682100V4A40W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10015400V50A200W**NPNMJ10012400V10A175W**NPN(达林顿) MJ450290V30A200W**PNP MJ305560V15A115W**NPN MJ295560V15A115W**PNP MN6501500V6A80W**NPN BUX98A400V30A210W**NPN BUX84800V2A40W**NPN BUW13A1000V15A150W**NPN BUV48A450V15A150W**NPNBUV28A225V10A65W**NPN BUV2690V14A65W**NPN BUT12A450V10A125W**NPN BUT11A1000V5A100W**NPN BUS14A1000V30A250W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BD681100V4A40W**NPN BD24445V6A65W**PNP BD24345V6A65W**NPN BD238100V2A25W**PNP BD237100V2A25W**NPN BD13860V 1.5A12.5W**PNP BD13760V 1.5A12.5W**NPN BD13645V 1.5A12.5W**PNP BD13545V 1.5A12.5W**NPN BC54750V0.2A0.5W*300MHZ NPN BC54680V0.2A0.5W**NPN BC33850V0.8A0.6W**NPN BC33750V0.8A0.6W**NPN BC32750V0.80.6W**PNP BC30750V0.2AA0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SDK55400V4A60W**NPN2SD24451500V12.5A120W**NPN2SD238890V3A 1.2W**NPN(达林顿) 2SD23351500V7A100W**NPN2SD23341500V5A80W**NPN2SD2156120V25A125W2000-20000*NPN(达林顿) 2SD2155180V15A150W**NPN2SD203660V1A 1.2W**NPN2SD201260V3A2W**NPN2SD200880V1A 1.5W**NPN2SD199740V3A 1.5W*100MHZ NPN2SD199460V1A1W**NPN2SD199350V0.1A0.4W**NPN2SD1980100V2A10W1000-10000*NPN(达林顿) 2SD1978120V 1.5A1W30000*NPN(达林顿) 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1975180V15A150W**NPN2SD1930100V2A 1.2W1000*NPN(达林顿) 2SD184750V1A1W**NPN(低噪) 2SD176260V3A25W*90MHZ NPN2SD1718180V15A 3.2W*20MHZ NPN2SD1640120V2A 1.2W4000-40000*NPN(达林顿)2SD1590150V8A25W15000*NPN(达林顿) 2SD1559100V20A20W5000*NPN(达林顿) 2SD141580V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD141680V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD130225V0.5A0.5W*200MHZ NPN2SD127380V3A40W*50MHZ NPN2SD1163A350V7A40W*60MHZ NPN2SD1047160V12A100W**NPN2SD1037150V30A180W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1025200V8A50W**NPN(达林顿) 2SD789100V1A0.9W**NPN 2SD774100V1A1W**NPN 2SD669180V 1.5A1W*140MHZ NPN2SD667120V1A0.9W*140MHZ NPN( 达林顿 )2SD560150V5A30W**NPN( 达林顿 )2SD547600V50A400W**NPN 2SD438500V1A0.75W*100MHZ NPN 2SD415120V0.8A5W**NPN2SD385100V7A30W**NPN( 达林顿 )2SD32550V3A25W**NPN2SD40C40V0.5A40W**NPN( 达林顿 )2SC52521500V15A100W**NPN 2SC52511500V12A50W**NPN 2SC52501000V7A100W**NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC52441500V15A200W**NPN 2SC52431500V15A200W**NPN 2SC52071500V10A50W**NPN 2sc5200230V15A150W**NPN 2sc51321500V16A50W**NPN 2sc50881500V10A50W**NPN 2sc50861500V10A50W**NPN 2sc50681500V10A50W**NPN 2sc50201000V7A100W**NPN 2sc4953500V2A25W**NPN 2sc49411500V6A65W**NPN 2sc49271500V8A50W**NPN 2sc4924800V10A70W**NPN 2sc49132000V0.2A35W**NPN2sc47691500V7A60W**NPN( 带阻尼 )晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2sc47471500V10A50W**NPN 2sc47451500V6A50W**NPN2sc47421500V6A50W**NPN( 带阻尼 )2sc4706 900V14A130W*6MH NPN 2SD18871500V10A70W**NPN 2SD18861500V8A70W**NPN 2SD18851500V6A60W**NPN 2SD18841500V5A60W**NPN 2SD18831500V4A50W**NPN 2SD18821500V3A50W**NPN 2SD18811500V10A70W**NPN 2SD18801500V8A70W**NPN 2SD18791500V6A60W**NPN 2SD18781500V5A60W**NPN 2SD18761500V3A50W**NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD17391500V6A100W**NPN 2SD17381500V5A100W**NPN 2SD17371500V 3.5A60W**NPN 2SD17321500V7A120W**NPN 2SD17311500V6A100W**NPN 2SD17301500V5A100W**NPN 2SD17291500V 3.5A60W**NPN 2SD17111500V7A100W**NPN 2SD17101500V6A100W**NPN 2SD16561500V6A60W**NPN 2SD16551500V5A60W**NPN 2SD16541500V 3.5A50W**NPN 2SD16531500V 2.5A50W**NPN 2SD16521500V6A60W**NPN 2SD16511500V5A60W**NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD16501500V 3.5A50W**NPN 2SD16351500V5A100W**NPN 2SD16321500V4A70W**NPN 2SD15771500V5A80W**NPN 2SD15541500V 3.5A40W**NPN 2SD15481500V10A50W**NPN 2SD15471500V7A50W**NPN 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3.5A40W**NPN2SD802900V6A50W**NPN2SC271735V0.8A7.5W**NPN2SC2482150V0.1A0.9W**NPN2SC2073150V 1.5A25W**NPN2SC1815Y60V0.15A0.4W**NPN2SB774T30V0.01A0.25W**PNP2SA1015R50V0.15A0.4W**PNP2SA90490V0.05A0.2W**PNP2SA562T30V0.4A0.3W**PNP。

常用场效应管和晶体管参数大全2010年03月04日 10:13 .elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6)常用场效应管和晶体管参数大全IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应常用场效应管及晶体管参数(2)晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC4582 600V 15A 75W * * NPN2SC4517 550V 3A 30W * * NPN2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN2SC4297 500V 12A 75W * * NPN2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN2SC4242 450V 7A 40W * * NPN2SC4231 800V 2A 30W * * NPN2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN2SC4059 600V 15A 130W * * NPN2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN2SC4024 100V 10A 35W * * NPN2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN2SC3866 900V 3A 40W * * NPN2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN2SC3783 900V 5A 100W * * NPN2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN2SC3680 900V 7A 120W * * NPN2SC3679 900V 5A 100W * * NPN2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN2SC3320 500V 15A 80W * * NPN2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN2SC3300 100V 15A 100W * * NPN2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(3)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）2SB1429 180V 15A 150W * * PNP2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）2SB1375 60V 3A 2W * * PNP2SB1335 80V 4A 30W * * PNP2SB1317 180V 15A 150W * * PNP2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP2SA1302 200V 15A 150W * * PNP2SA1301 200V 10A 100W * * PNP2SA1295 230V 17A 200W * * PNP2SA1265 140V 10A 30W * * PNP2SA1216 180V 17A 200W * * PNP--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(4)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP2SA1009 350V 2A 15W * * PNP2N6678 650V 15A 175W * * NPN2N5685 60V 50A 300W * * NPN2N6277 180V 50A 300W * * NPN2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPNTIP147 100V 10A 125W * * PNPTIP142 100V 10A 125W * * NPNTIP127 100V 8A 65W * * PNPTIP122 100V 8A 65W * * NPNTIP102 100V 8A 2W * * NPNTIP42C 100V 6A 65W * * PNPTIP41C 100V 6A 65W * * NPNTIP36C 100V 25A 125W * * PNPTIP35C 100V 25A 125W * * NPNTIP32C 100V 3A 40W * * PNPTIP31C 100V 3A 40W * * NPNMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPNMJE13005 400V 4A 60W * * NPNMJE13003 400V 1.5A 14W * * NPNMJE2955T 60V 10A 75W * * NPNMJE350 300V 0.5A 20W * * NPNMJE340 300V 0.5A 20W * * NPNMJ15025 400V 16A 250W * * PNPMJ15024 400V 16A 250W * * NPNMJ13333 400V 20A 175W * * NPNMJ11033 120V 50A 300W * * NPNMJ11032 120V 50A 300W * * NPNMJ10025 850V 20A 250W * * NPNMJ10016 500V 50A 200W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(5)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BUS13A 1000V 15A 175W * * NPNBUH515 1500V 10A 80W * * NPNBU2532 1500V 15A 150W * * NPNBU2527 1500V 15A 150W * * NPNBU2525 1500V 12A 150W * * NPNBU2522 1500V 11A 150W * * NPNBU2520 800V 10A 150W * * NPNBU2508 700V 8A 125W * * NPNBU2506 1500V 7A 50W * * NPNBU932R 500V 15A 150W * * NPNBU806 400V 8A 60W * * NPNBU406 400V 7A 60W * * NPNBU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)BF458 250V 0.1A 10W * * NPNBD682 100V 4A 40W * * PNPMJ10015 400V 50A 200W * * NPNMJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿)MJ4502 90V 30A 200W * * PNPMJ3055 60V 15A 115W * * NPNMJ2955 60V 15A 115W * * PNPMN650 1500V 6A 80W * * NPNBUX98A 400V 30A 210W * * NPNBUX84 800V 2A 40W * * NPNBUW13A 1000V 15A 150W * * NPNBUV48A 450V 15A 150W * * NPNBUV28A 225V 10A 65W * * NPNBUV26 90V 14A 65W * * NPNBUT12A 450V 10A 125W * * NPNBUT11A 1000V 5A 100W * * NPNBUS14A 1000V 30A 250W * * NPNBD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPNBD238 100V 2A 25W * * PNPBD237 100V 2A 25W * * NPNBD138 60V 1.5A 12.5W * * PNPBD137 60V 1.5A 12.5W * * NPNBD136 45V 1.5A 12.5W * * PNPBD135 45V 1.5A 12.5W * * NPNBC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPNBC546 80V 0.2A 0.5W * * NPNBC338 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC337 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC327 50V 0.8 0.6W * * PNPBC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(6)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SDK55 400V 4A 60W * * NPN2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)2SD2155 180V 15A 150W * * NPN2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN2SD2012 60V 3A 2W * * NPN2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN2SD1994 60V 1A 1W * * NPN2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿)2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)2SD1975 180V 15A 150W * * NPN2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿)2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN2SD1047 160V 12A 100W * * NPN2SD1037 150V 30A 180W * * NPN2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN2SD774 100V 1A 1W * * NPN2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿 )2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿 )2SD547 600V 50A 400W * * NPN2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿 )2SD325 50V 3A 25W * * NPN2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿 )2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(7)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC5244 1500V 15A 200W * * NPN2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN2sc5200 230V 15A 150W * * NPN2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN2sc4953 500V 2A 25W * * NPN2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN2sc4924 800V 10A 70W * * NPN2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼 )2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN2sc4745 1500V 6A 50W * * NPN2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼 )2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN2SD1885 1500V 6A 60W * * NPN2SD1884 1500V 5A 60W * * NPN2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN2SD1738 1500V 5A 100W * * NPN2SD1737 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1732 1500V 7A 120W * * NPN2SD1731 1500V 6A 100W * * NPN2SD1730 1500V 5A 100W * * NPN2SD1729 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1711 1500V 7A 100W * * NPN2SD1710 1500V 6A 100W * * NPN2SD1656 1500V 6A 60W * * NPN2SD1655 1500V 5A 60W * * NPN2SD1654 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1653 1500V 2.5A 50W * * NPN2SD1652 1500V 6A 60W * * NPN2SD1651 1500V 5A 60W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(8)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1650 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1632 1500V 4A 70W * * NPN 2SD1577 1500V 5A 80W * * NPN 2SD1554 1500V 3.5A 40W * * NPN 2SD1548 1500V 10A 50W * * NPN 2SD1547 1500V 7A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1456 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1454 1700V 4A 50W * * NPN 2SD1434 1700V 5A 80W * * NPN 2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN 2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN2SD994 1500V 8A 50W * * NPN2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN2SD952 1500V 3A 70W * * NPN2SD904 1500V 7A 60W * * NPN2SD903 1500V 7A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD838 2500V 3A 50W * * NPN2SD822 1500V 7A 50W * * NPN2SD821 1500V 6A 50W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(9)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN2SC3687 1500V 8A 150W * * NPN2SC3686 1500V 7A 120W * * NPN2SC3685 1500V 6A 120W * * NPN2SC3486 1500V 6A 120W * * NPN2SC3485 1500V 5A 120W * * NPN2SC3484 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC3482 1500V 6A 120W * * NPN2SC3481 1500V 5A 120W * * NPN2SC3480 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2125 2200V 5A 50W * * NPN2SC2027 1500V 5A 50W * * NPNBUY71 2200V 2A 40W * * NPNBU508A 1500V 7.5A 75W * * NPNBU500 1500V 6A 75W * * NPNBU209A 1700V 5A 12.5W * * NPNBU208D 1500V 5A 12.5W * * NPNBU208A 1500V 5A 12.5W * * NPNBU108 1500V 5A 12.5W * * NPN2SD1585 60V 3A 15W * * NPN2SD773 20V 2A 1W * * NPN2SC2785 60V 0.1A 0.3W * * NPN2SC403 50V 0.1A 0.1W * * NPN2SD1246 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2570A 25V 0.07A 0.6W * * NPN2SC1047 30V 0.015A 0.15W * * NPN2SC3114 60V 0.15A 0.2W * * NPN2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN2SC2621 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2568 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1674 30V 0.02A 0.1W * * NPN2SC536F 40V 0.1A 0.25W * * NPN2SA608F 30V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1271A 130V 7A 40W * * NPN2SD1133 70V 4A 40W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(10)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1360 50V 0.05A 0.5W * * NPN2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP2SD1274A 150V 5A 40W * * NPN2SC2371 300V 0.1A 10W * * NPN2SD1378 80V 0.7A 10W * * NPN2SD553Y 70V 7A 40W * * NPNRN1204 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1405Y 50V 3A 30W * * NPN2SC2878 50V 0.3A 0.4W * * NPN2SC1959 30V 0.4A 0.5W * * NPN2SC1569 300V 0.15A 1.5W * * NPN 2SC2383Y 160V 1A 0.9W * * NPN2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP2SB564A 45V 0.05 0.25W * * PNP 2SD1877 800V 4A 50W * * NPNBU508A 1500V 8A 125W * * NPN BUT11 1500V 5A 80W * * NPN2SD3505 900V 6A 50W * * NPN2SD906 1400V 8A 50W * * NPN2SD905 1400V 8A 50W * * NPN2SC1942 1500V 3A 100W * * NPN2SD1397 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1396 1500V 2.5A 50W * * NPN 2SC3153 900V 6A 100W * * NPN2SD1403 1500V 6A 50W * * NPN2SD1410 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SD2057 1500V 5A 100W * * NPN2SD2027 1500V 5A 50W * * NPN2SD953 1500V 7A 95W * * NPN2SD951 1500V 3A 65W * * NPN2SD950 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD852 1500V 5A 70W * * NPN2SD850 1500V 3A 25W * * NPN2SD900B 1500V 5A 50W * * NPN2SD899A 1500V 4A 50W * * NPN2SD898B 1500V 3A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1433 1500V 7A 80W * * NPN2SD1432 1500V 6A 80W * * NPN2SD820 1500V 5A 50W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(11)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD819 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1497 1500V 6A 50W * * NPN2SD1398 1500V 5A 50W * * NPN2SD1427 1500V 5A 80W * * NPN2SD1428 1500V 6A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2068 70V 0.2A 0.62W * * NPN2SC1627Y 80V 0.3A 0.6W * * NPN2SC495Y 70V 0.8A 5W * * NPN2SC388A 20V 0.02A 0.2W * * NPN2SB686 100V 6A 60W * * PNP2SA940 150V 1.5A 1.5W * * PNP2SC2120Y 30V 0.8A 0.6W * * NPN2SD1555 1500V 5A 50W * * NPN2SD8806 60V 3A 30W * * NPN2SC2456 300V 0.1A 10W * * NPN2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP2SC304CD 60V 0.5A 0.8W * * NPN2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN2SC3328 80V 2A 0.9W * * NPN2SC2190 450V 5A 100W * * NPN2SA968Y 160V 1.5A 25W * * PNP2SC3402 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SC2168 200V 2A 30W * * NPN2SC3198G 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SC2655Y 60V 2A 0.9W * * NPN2SC1827 80V 4A 30W * * NPN2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SD880 60V 3A 30W * * NPN2SC945 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3279 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN2SA950Y 150V 0.8A 0.6W * * PNPBC548B 30V 0.2A 0.5W * * NPN2SC3399 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SC1983R 80V 3A 30W * * NPN2SC227 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1213D 50V 0.5A 0.4W * * NPN2SA778AK 180V 0.05A 0.2W * * PNPDTC114ES 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3413C 40V 0.1A 0.5W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(12)---------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN2SC1514 300V 0.1A 1.25W * * NPNDTC124ES 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1078 50V 2A 20W * * NPN2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP2SD788 20V 2A 0.9W * * NPN2SD882 40V 3A 10W * * NPN2SD787 20V 2A 0.9W * * NPN2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN2SC2271N 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1740 50V 0.3A 0.3W * * NPN2SC1214C 50V 0.5A 0.6W * * NPN2SC458D 30V 0.1A 0.2W * * NPN2SA673 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SD1556 1500V 6A 50W * * NPN2SD1499 100V 5A 40W * * NPN2SD1264A 200V 2A 30W * * NPN2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SD966 60V 5A 1W * * NPN2SD601AR 60V 0.1A 0.2W * * NPN2SC3265Y 30V 0.8A 0.2W * * NPN2SC3063 300V 0.1A 1.2W * * NPN2SC2594 40V 5A 10W * * NPN2SC1317-R 30V 0.5A 0.4W * * NPN2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP2SD1226 60V 3A 35W * * NPN2SC2636Y 30V 0.05A 0.4W * * NPN2SB940 200V 2A 30W * * PNP2SA720-Q 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SD1391 1500V 5A 80W * * NPN2SC2188 45V 0.05A 0.6W * * NPN2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1266 60V 3A 35W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD973 30V 1A 1W * * NPN2SC2923 300V 0.2A 15W * * NPN2SC2653H 250V 0.2A 15W * * NPN2SC2377C 30V 0.15A 0.2W * * NPN2SC1685Q 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SB642-R 60V 0.2A 0.4W * * PNP2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP2SA564A 25V 0.1A 0.25W * * PNP--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(13)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SC1685 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNPUN4213 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4211 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4212 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4111 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SD965 40V 5A 0.75W * * NPN2SC2839 30V 0.1A 0.1W * * NPN2SC2258 250V 0.1A 1W * * NPN2SC1846 45V 1A 1.2W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SD1544 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD802 900V 6A 50W * * NPN2SC2717 35V 0.8A 7.5W * * NPN2SC2482 150V 0.1A 0.9W * * NPN2SC2073 150V 1.5A 25W * * NPN2SC1815Y 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SB774T 30V 0.01A 0.25W * * PNP2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SA904 90V 0.05A 0.2W * * PNP2SA562T 30V 0.4A 0.3W * * PNP。

100n03场效应管原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

将这种状态称为夹断。

这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。

而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

A1200 四频 GPRS / EDGE电路原理Motorola, Inc.Mobile DeviceField Quality & Technical support teamMar 15th, 20062. 概述 (5)2.1 系统框图 (5)3. PCAP2 硬件概述 (6)3.1 电源管理 (7)3.1.1 开关及线性稳压器初始配置 (7)3.1.2 稳压器使用描述 (8)1) V1 线性稳压器 (8)2) V2线性稳压器 (8)3) V3线性稳压器 (8)4) V4线性稳压器 (8)5) V5线性稳压器 (8)6) V6线性稳压器 (8)7) V7线性稳压器 (8)8) V8线性稳压器 (9)9) V9线性稳压器 (9)10) V10线性稳压器 (9)11) VAUX1线性稳压器 (9)12) VAUX3线性稳压器 (9)13) VAUX4线性稳压器 (9)14) SW1开关稳压器 (9)15) SW2开关稳压器 (9)16) SW3开关稳压器 (10)3.1.3 电源分布图 (10)3.1.4 电源管理控制 (11)3.2 A1200音频系统和PCAP2 音频部分 (13)3.2.1 音频系统结构图 (13)3.2.2 音频输入部分 (14)3.2.3 音频输出部分 (15)3.3 A/D 模/数转换和通道控制 (17)3.3.1 A/D 模/数转换通道详细描述 (18)1) AD1 (LICELL) (18)2) AD2 (BATTI) (19)3) AD3 (PCAP_BP) (19)5) AD4 (THERM) (19)5) AD5 (ACC_ID) (19)4. Neptune-LTE 逻辑接口 (20)4.0 Neptune BP处理器 (20)4.1 Neptune 描述 (21)4.3 Neptune 功能概述 (21)4.3.1 DSP (21)4.3.2 ARM7 MCU (21)4.3.2.1 MCU 存储器 (21)4.3.2.2 MCU 外围设备 (21)6) 多重串序接口 (MQSPI) (22)8) SIM 接口 (SIM) (22)9) 异步收发器 (UART) (22)10) 深度睡眠模式 (DSM) (22)11) Watchdog 计时器 (WDOG) (22)13) 键盘接口 (KPP) (22)19) 实时时钟 (RTC) (22)20) 显存访问控制器 (DMAC) (23)21) 时钟控制模块 (CCM) (23)22) 外部中断模块 (INT) (23)23) 模拟数字接口 (A2DIGL) (23)4.3.3 共享外围设备 (23)4.3.3.1 通用串行总线模块 (USB) (23)4.3.3.2 通用接口 (GPIO) (23)4.3.3.3 MCU / DSP 接口 (MDI) (24)4.3.3.4 Layer 1 Timer (L1T) (24)4.5 Neptune-LTE 内存接口 (24)4.5.1 Flash (24)4.5.3 Neptune 芯片选择分配 (24)4.6 Neptune MQSPI Module (25)4.7 SIM 接口 (27)5. Neptune-LTE 射频接口 (30)5.1.1 RF6025 功能描述 (30)5.1.2 RF6025串行数据接口和设备控制 (31)5.3 RF3178(四频功率放大器) 描述 (31)6. 应用处理器 (Bulverde) (32)6.0 Bulverde 功能介绍 (32)6.1 Bulverde 存储器接口 (34)6.1.1 Bulverde SDRAM 接口 (34)7.1.2 Bulverde Flash 接口 (36)6.2 A1200 键盘及背景灯接口 (36)6.2.1 键盘接口 (36)6.4 A1200 LCD模块接口 (38)6.5 Bulverde 外围设备接口 (40)6.5.1 蓝牙模块 (41)6.5.2 数码相机 (42)6.5.3 Tri-Flash 存储卡 (43)6.5.4 调频立体声收音机 (44)7. A1200 系统结构框图 (46)7.1 A1200 Neptune-LTE与Bulverde通讯连接(ICL) (46)7.2 A1200时钟系统控制 (48)7.2.1 Neptune-LTE相关时钟信号 (48)7.2.2 射频相关时钟信号 (48)7.2.3 Bulverde相关时钟信号 (49)7.2.4 蓝牙相关时钟信号 (49)7.2.5 PCAP2相关时钟信号 (49)8. A1200 数据线及附件 (49)8.1 A1200 EMU数据线系统结构 (49)2. 概述本文介绍A1200 四频手机的基带与射频芯片,基带与处理器之间接口信号及电源供给. A1200采用的芯片包括Neptune-LTE IC (U300,基带处理器), Bulverde IC (U400,应用程序协处理器), PCAP2 (U600,功率控制及音频接口平台) IC, RF6025 IC(U130,射频接口) 及 RF3178 IC (U110,功率放大), ENU数据线IC.在本问中还将对主要芯片的功能特性进行介绍. 尤其对Neptune-LTE(U300) 与Bulverde(U400)之间的通讯部分将做详细介绍. 同时介绍从Neptune-LTE(U300) 到RF6025 (U130)和 RF3178(U120) 的控制信号.2.1 系统框图3. PCAP2 硬件概述PCAP2 IC(平台控制/音频/电源) . PCAP2 的结构源于以前的类似芯片GCAP-III 和CCAP, 具有扩展的功能支持下一代移动终端.因系统需求而改进的PCAP2 的功能如下:改进的为外部设备提供的电源切断/供给和控制支持多媒体的音频立体声专用收发器电源供给PCAP2扩展特性可以改进系统功效并减少外围元件双 SPI 控制接口允许从两个独立的基带处理器进行数据访问多开关模式电源供给控制器进行跳变和/或渐进式转换独立的可编程电压调整器扩展触摸屏接口改进的背景灯控制器某些GCAP-II, GCAP-III的功能由于系统需求改变或不再使用而在PCAP2 中被取消.这些功能包括:GCAP中的内部过压保护/ 钳电位电路负电压发生器负电压线性稳压器DSC 串行通讯接口3.1 电源管理3.1.1 开关及线性稳压器初始配置PGM0 和 PGM1 决定开机时PCAP2转换及线性稳压器的初始电压值. 这两个管脚也同时决定各稳压器的开机时序. 每一个稳压器的初始电压值在PGM [1:0] 中的设定如表 1所示.EZXA1200使用PGM [1:0] = 0:1 作为初始设定值.PGM [1:0] 00 01 10 11 V1 1.600 2.775 1.875 2.775V2 2.775 2.775 2.775 2.775V3 1.875 1.275 1.875 1.550V4 1.875 2.775 1.875 2.775V5 2.775 2.775 2.775 2.775V6 2.775 2.775 2.775 2.775V7 1.875 2.775 1.875 2.775V8 1.875 1.275 1.875 1.875V9 2.475 1.575 2.475 2.475V10 5.000 5.000 5.000 5.000SW1 2.250 1.200 2.250 1.600SW2 1.600 1.875 1.600 1.875SW3 5.500 5.500 5.500 5.500SW4 OFF OFF OFF OFFVAUX1 2.775 1.875 2.775 2.775VAUX2 2.775 2.775 2.775 1.875VAUX3 OFF OFF OFF OFFVAUX4 OFF 3.0 OFF OFFVHOLD 1.875 1.550 1.875 1.875VUSB OFF OFF OFF OFFVUSB_MSTR OFF OFF OFF OFFVSIM 1.875 1.875 1.875 OFFVSIM2 1.875 OFF 1.875 OFFV_VIB OFF OFF OFF OFF表 1 – PCAP2 稳压器初始电压 PGM [1:0] 设置3.1.2 稳压器使用描述PCAP2 中的稳压器作为Neptune-LTE 或 Bulverde 的专用电源. 功能如下.1) V1 线性稳压器V1 线性稳压器. 它被设定为2.775V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V1 供电给Neptune_LTE 的模拟模块和RF6025 的SPI端口. V1同时为Bulverde的子系统提供输入/输出电压. 一些外部的电平转换电路也由V1供电. 在A1200的电路图上, V1 被标注为 AP_IO_REG.2) V2线性稳压器V2线性稳压器. 它被设定为2.775V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V2 供电给Neptune 内部的CODEC 电路及PCAP2 内部的音频相关电路如音频放大器迈克偏置电路等. 在A1200的电路图上V2被标注为AUD_REG.3) V3线性稳压器V3线性稳压器. 它被设定为1.275V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V3 供电给Bulverde VCC_SRAM, 在A1200的电路图上V3被标注为VCC_SRAM.在Bulverde进入睡眠模式时,此稳压器可以被关闭,控制信号为Bulverde的PWR_EN.4) V4线性稳压器V4线性稳压器. 它被设定为2.775V. V4 供电给PCAP2的内部电路如SPI 模块及Neptune的输入输出系统.在A1200电路图上V4被标注为BB_IO_REG.5) V5线性稳压器V5线性稳压器. 它被设定为2.775V. V5 供电给PCAP2的内部电路如SPI 模块及射频RF6025相关电路等. 在A1200电路图上V5被标注为VCO_REG.6) V6线性稳压器V6线性稳压器. 它被设定为2.775V. V6 供电给蓝牙的射频电路.7) V7线性稳压器V7线性稳压器. 它被设定为2.775V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V7 供电給射频RF6025 和相关电路. 在A1200的电路图上V7 被标注为RF_REG.8) V8线性稳压器V8线性稳压器. 它被设定为1.275V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V8 供电给Bulverde VCC_PLL. 在A1200的电路图上V8 被标注为VAP_PLL. 在Bulverde进入睡眠时,Bulverde的PWR_EN控制管脚可以将V8关闭.9) V9线性稳压器V9线性稳压器. 它被设定为1.275V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. V9 供电给Neptune LVDD1 作为Neptune 内部基准电压. 在A1200的电路图上V9被标注为REF_REG.10) V10线性稳压器在A1200中未使用V10.11) VAUX1线性稳压器在A1200中未使用VAUX1.12) VAUX3线性稳压器VAUX3线性稳压器. 它被设定为2.800V. 它直接由B+供给. 在开机时此电压处于关闭, 即初始工作电压为0V. VAUX3供电给Trans_Flash卡. 在A1200的电路图上VAUX3 被标注为VCC_TRANSFLASH.13) VAUX4线性稳压器在A1200中未使用VAUX4.14) SW1开关稳压器SW1线性稳压器. 它被设定为1.2V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. SW1供电给Bulverde VCC_CORE. 在A1200的电路图上SW1 被标注为AP_CORE.15) SW2开关稳压器SW2线性稳压器. 它被设定为1.875V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. SW2供电给Bulverde 的存储器系统和Neptune_LTE的存储器接口. 在A1200的电路图上SW2 被标注为VBUCK.16) SW3开关稳压器SW3线性稳压器. 它被设定为5.5V. 它直接由B+供给. 无论是否开机此电压都存在. SW3供电给EMU数据线芯片及发光二极管. 在A1200的电路图上SW3 被标注为VBOOST_EMU.3.1.3 电源分布图在A1200手机中并未全部使用表 1 中所列的稳压器. 图1为A1200电源分布图,它给出了A1200所有使用的稳压器.图 1 – A1200电源分布图3.1.4 电源管理控制图 2 s为A1200电源管理部分控制信号关系.图 2 – A1200电源管理控制PCAP2中有两个不同的待机信号, 其中一个PCAP2待机控制管脚与Neptune_LTE 的STABDBY管脚连接, 另一个待机控制管脚与Bulverde的PWR_EN管脚连接(通过反向二极管连接).在Neptune_LTE处于待机模式时, Neptune_LTE通过STANDBY管脚使PCAP2关闭对Neptune_LTE子系统的供电以达到节电目的. Neptune_LTE待机模式关闭的电源为V7,V4和V5.在A1200 Bulverde 附属处理器节电模式下, Bulverde需要进入睡眠模式以达到最小电源损耗,这需要在Bulverde进入睡眠模式后关闭供给Bulverde核心处理器,PLL和内部SRAM的电源. 在Bulverde进入睡眠模式后Bulverde的PWR_EN管脚由逻辑高电位变为逻辑低电位. 通过反向二极管PWR_EN与PCAP2的STANDBY2管脚连接. 因此当PCAP2的STANDBY2管脚由逻辑低电位变为逻辑高电位时, 供给Bulverde核心处理器,PLL和内部SRAM的电源被关闭. 在Bulverde的睡眠模式操作过程中使用两种稳压器,一种是线性稳压器,另一种是开关稳压器.通过PWR_EN对VCC_SRAM,VCC_PLL和VCC_CORE的控制序列波形如图3.Figure 3 – A1200睡眠模式及运行模式电源控制在软件进入睡眠模式后, Bulverde的PWR_EN信号状态可以自动由高变为低, 当有触发信号时也可自动由低变为高. 在STANDBY2管脚由高变为低后SW1,V3和V8的改变有一个很小的延时.但不影响Bulverde对时序的需求.3.2 A1200音频系统和PCAP2 音频部分3.2.1 音频系统结构图A1200的音频系统包括Neptune, Bulverde, 和PCAP2. Neptune和Bulverde通过SPI 数据端口控制PCAP2音频部分. A1200支持话音音频,立体声音频,蓝牙音频, A1200音频路由控制如图4.图 4 – A1200音频系统结构图3.2.2 音频输入部分PCAP 音频输入部分框图如图 5所示. 可选三路MIC输入: MIC_OUT(HJACK_MIC) , AUX_OUT (INT_MICP) 和 EXT_MIC (AUDIO_IN).. 这三个信号由同一端口输出. 微分输入MIC放大器A3和A5没有被使用.图 5 – PCAP 音频输入在A3 输出和MIC_OUT之间与在A5 输出和AUX_OUT之间为开关转换器. 它的作用是在放大器处于关断时为高阻抗状态.3.2.3 音频输出部分PCAP 音频输出部分框图如图 6所示.图 6 – PCAP 音频输出从话机DAC解码器产生的音频输出信号或从立体声DAC解码器右路通道产生的信号通过右路可编程放大器输送到音频的四路输出端, 这些输出是: 内部听筒放大器A1, 振铃放大器A2, 外部扬声器放大器A4, 专用耳机右通道扬声器放大器ARight. 所有这四路输出同时连接到右路可编程放大器,但只有需要的通路会被使用而不会出现多路同时使用的情况.Mono adder单声道叠家器可以将立体声解码器的左路和右路信号或各种经过左右路可编程放大器PGA的信号进行合成,并将合成后的信号进行衰减0dB, 3dB 或6dB,最终的单声道信号被送到上面提到的四路输出端放大器.Figure 5 – A1200 音频路由和SPI 控制3.3 A/D 模/数转换和通道控制PCAP2芯片的模/数转换功能是通过PCAP2 与Neptune-LTE的连接实现的, PCAP2和 Bulverde 通过读和写操作访问SPI 端口. PCAP2的模/数转换器为14通道, 10-bit 转换器,可控不同操作模式. 14通道输入被分成两组,每组7个.信号AD_SEL 在两组7通道输入信号中进行选择. 如果为零则在转换结速时选择LiCell, BATSENSE, B+SENSE, MPBSENSE, AD4, AD5, 和 AD6 读取并存储到PCAP2寄存器中. If AD_SEL 被设定为1则选择AD7, AD8, AD9, TSX1, TSX2, TSY1, 和 TSY2 并存储. 这样做是为了减少总的读取时间并减少转换值对存储空间的需求.下图为AD_SEL = 0时的情况.AD_SEL = 1时通道转换如下图.3.3.1 A/D 模/数转换通道详细描述1) AD1 (LICELL)此模/数转换通道可以监测纽扣锂电池电压. 它被应用于电源切断,用户关闭模式等功能.2) AD2 (BATTI)这个模/树转换器的输入直接与电池的正极相连用来检测电池充放电电压以及正确显示电量. 模/树转换器的输入与PCAP2的BATTI 管脚相连, 电池正极通过PCAP2内部电路连接到BATTI .3) AD3 (PCAP_BP)此模/数转换器的输入与B+相连用于监测电池放电时的电压. 在电池电量很低不足以提供整机工作的时候,软件可以通过这个模/数转换器关闭电源. 关机时的数据存储在电池EPROM 中并可在开机时读取.5) AD4 (THERM)此模/数转换器用于检测电池的温度. 在电池内部设计有热敏电阻,它是为了电池的安全使用而在电池充放电过程中测量电池的温度.这个模/数转换器与PCAP2内部的AD4连接. 连接结构图如 图 6所示.在待机操作模式下, 为了节省电能待机信号将断开V2 与热敏电阻的连接. 输入到AD5 的电压将保持在0.4V ~ 2.3V.在AD4有一个接地抗干扰保护电容.在室温状态下,RT 的正常阻值大约为10K Ω. 在AD4能测到的电压为 1.28V.电池与主板断开连接时, 在AD4能图 6 – 电池热敏电阻连接5) AD5 (ACC_ID)此模/数转换器与EXT_B+相连. 它在充电进行之前首先检测充 6) 触摸屏 TSX1-TSX2 / TSY1-TSY2在测到的电压大约为2.70V.电器的类型.此四个模/数转换器用于测量触摸屏触摸点的位置. 输入电压根据按压点的位置分布在0.4~2.3V.4. Neptune-LTE 逻辑接口4.0 Neptune BP处理器Neptune 结构图A1200 四频手机采用的是Neptune-LTE 257管脚芯片作为基带呼叫处理器. Neptune-LTE IC主要应用于2.5 / 2.75G GSM 手机. 它采用双核心处理器包括数字信号处理器核心和微控制器及其它外围设备.主要特点:与V600 IC相同结构特点:1. 双处理器ARM7TDMI-S, DSP566002. 支持 GSM/GPRS, EGPRS3. 集成RAM和ROM易于控制与处理.Neptune-LTE 与Bulverde, PCAP2, RF6025等连接组成A1200系统框架.4.1 Neptune 描述Neptune采用双处理器包括Onyx DSP(566xx)数字信号处理器核心和ARM7TDMI-S 微控制器及其它外围设备. Neptune 是基于2.75G GSM应用的优化芯片,它使用内部ROM存储器和一个外部存储器.4.3 Neptune 功能概述4.3.1 DSPNeptune中的DSP56600 S-ONYXU 核心处理器最高运行频率为104 MHz,支持(GPRS), 高速电路转换数据(HSCSD), 扩展语音(VA), 语音识别(VR)及其它特性.4.3.2 ARM7 MCUARM7TDMI-S为32位高性能低功耗的微处理器.Neptune 中的ARM7 MCU 处理器的工作频率最高为52 MHz. 处理器的频率增加可以改进内部存储器优先程序的运行能力. 存储器的常规程序包括: 虚拟DMA, V.42bis 格式压缩, GPRS 支持, RTOS 操作.4.3.2.1 MCU 存储器MCU可以访问Neptune 中的 901Kx32 内部存储空间. 其中792Kx32内部存储空间作为ROM, 其它的109Kx32 存储空间作为RAM.4.3.2.2 MCU 外围设备下面是Neptune中的MCU外围设备的概述. 每一个外围设备可以在模块的输入端屏蔽时钟信号并可以通过软件复位. 与系统复位一样,软件必须以相同的方式复位外围设备. 在外围设备模块之外Neptune还包含一些时钟控制逻辑,由时钟控制模块处理这些附加的时钟控制信号.6) 多重串序接口 (MQSPI)The MQSPI 提供两个独立的QSPI 通道进行连续编程操作配置射频子系统并选择外围设备. 它可以使多重串行数据交换对MCU的影响最小. 模块采用多重排续方式保持数据传输. 数据传输为第一层计数器触发.8) SIM 接口 (SIM)SIM 模块采用异步收发模式可以兼容智能卡并遵守ISO 7816 规范. 其发送缓冲器为16字节,接收缓冲器为32字节.9) 异步收发器 (UART)UART用于执行与”开始-停止”有关的异步通讯操作. UART 收发缓存都为32字节. UART运行在基于13MHz 参考时钟的115.2Kbps, 460Kbps和 920Kbps速率.10) 深度睡眠模式 (DSM)深度睡眠模式可以在空闲模式下节省电能,它允许Neptune 自动同步桢时序且无需校验时间基准标记.11) Watchdog 计时器 (WDOG)Watchdog计时器保证在未知因素或应用程序错误时系统不会出现错误响应. 计时器在开始运行后由核心处理器控制其工作,如果在一定周期内控制矢效计时器模块产生复位信号.13) 键盘接口 (KPP)键盘矩阵扫描专用模块.19) 实时时钟 (RTC)实时时钟(RTC)模块由计数器和缓存器组成,用于存储日期,时间,提示值等. RTC在关机状态下依然操作,其提醒功能将开起处理器. 如果在手机开机状态下将产生处理器中断信号. RTC使用由PCAP产生的频率基准. RTC 也提供电源切换逻辑信号, 在检测到电源低电的情况下保持存储器处于激活状态.20) 显存访问控制器 (DMAC)DMAC (显存访问控制器) 从系统存储器的显示缓存中传输数据到外部LCD显示设备.21) 时钟控制模块 (CCM)时钟控制模块处理所有内部模块时钟路由, 为处理器和不同外围设备选择不同时钟源,通过关闭外围设备时钟和其它相关特性管理MCU的低功率模式. 它还包括用于软硬件芯片复位的控制逻辑.22) 外部中断模块 (INT)外部中断模块提供五个外部中断源的控制. 每一个管脚被配置为分级中断,边沿检测(上升沿,下降沿, 或全部) 中断,或通用I/O. 每一个管脚具有专用数据线.23) 模拟数字接口 (A2DIGL)模拟数字接口提供八个外部中断源的控制. 每一个管脚被配置为分级中断,边沿检测(上升沿,下降沿, 或全部) 中断,或通用I/O .A2DIGL为数字模块可对信号混合模块进行控制. 它被分成两部分: 一部分包含SPI接口; 另一部分包含GPADC数字控制. 混合信号模块为: REGUL, GPADC, TOSW, 和 TUNEC. 混合信号复用模块为: PAC, TX, TRSYNT, DCADAPT, RxSDG, RxAFE和 RXCPROC. 复用模块可以保证对Patriot程序软件的向下兼容性.4.3.3 共享外围设备共享外围设备是指可以被DSP和MCU访问的外围设备. 功能如下.4.3.3.1 通用串行总线模块 (USB)USB 模块为通用串行总线提供缓存和协议. 它为MCU提供访问端口且仅作为USB设备,不作为主机设备使用. 支持所有四种USB数据传输: 控制,同步,中断和批处理.4.3.3.2 通用接口 (GPIO)GPIO是独立的模块与MCU,DSP或外界进行通讯连接. GPIO具有如下功能:• 标准GPIO 功能• 综合输出功能• 交替输入功能• DSP 和 MCU的访问共享• MCU, DSP 中断• 中断4.3.3.3 MCU / DSP 接口 (MDI)MDI为DSP 和 MCU之间的通讯接口. 通过此接口可以访问共享存储器和信息缓存等. 也允许各处理器之间的中断, 监控低功率状态和其它有用的功能.4.3.3.4 Layer 1 Timer (L1T)L1T模块控制所有通道时序. 它的主要功能是减少MCU与手机无线接口的通讯. 并扩充时序安排和运行的灵活性.4.5 Neptune-LTE 内存接口虽然Neptune 具有内部ROM 和RAM, 它仍然需要外部存储芯片以支持其操作. Neptune通过16-bit 并行数据线访问存储器, 容量为32Mbit Flash 和一个16Mbit SRAM. Neptune为每一设备配备了特定的片选信号.4.5.1 Flash在A1200中使用的FLASH为Intel W18系列产品. 采用1.8 伏 Intel® 无线存储器,可提供 16Bit 高性能数据包同步和异步RWW/RWE读写,具有为数据和代码优化的可擦除存储模块.4.5.2 SRAM在A1200中使用的SRAM存储器容量为16Mbit.4.5.3 Neptune 芯片选择分配ARM 外部接口模块(AEIM) 负责处理Neptune与外围芯片的通讯,包括产生对外部芯片及存储器的片选信号.六个片选信号分配如表 9所示.表 9 – Neptune 片选分配EB0 和 EB1 用于访问SRAM 时的地址选择. EB0 用于 SRAM 低端地址, EB1用于SRAM 高端地址.Neptune-LTE与内存的连接如图10所示.图 10 – Neptune-LTE 与内存连接4.6 Neptune MQSPI ModuleMQSPI (多序列接口) 执行串行数据编程操作配置子系统选择外围设备. 在双路SPI 配置中, 系统分为射频和基带两部分. 这种设计主要是为了减少多重串行数据传输对微控制单元的通讯需求. MQSPI 模块功能如下:全双工, Three-Wire 同步传输半双工, Two-Wire同步传输可编程比特率可编程时钟可编程片选十个片选管脚SPI共享数据传输256 X 16 bit RAM可编程数据传输长度 - 1 - 32 Bytes可编程多媒体信息 - 1 - 64 Messages双独立功能 SPI控制序列/触发可编程控制数据寄存器MCU 控制触发存储器双中断数据线可编程上升沿/下降沿数据改动可编程上升沿/下降沿数据锁定分离读/写数据输入/出存储指针脉冲信息传输可编程时钟延时可选收发数据LSB/MSB间歇模式显示串口A1200四频EDGE/GPRS GSM使用专用射频SPI 端口用做 RF6025 数据写入. PCAP2 访问端口为MQSPI 端口,片选为 SPI_CS3. Neptune-LTE和PCAP2, RF6025, 的连接如图10所示.图 10 – Neptune MQSPI 与 PCAP2 ,RF6025 连接4.7 SIM 接口SIM 接口模块的设计更易于与SIM卡或预付费卡通讯. SIM 模块的两个接口可与不同的卡通讯. SIM 连接如图11所示.图 11 – A1200 SIM 连接因为Neptune 与SIM的数据集合输入输出在一起,所以在A1200中没有使用PCAP 内部的5V电平转换开关,即不支持5V和1.8V SIM卡.,只支持 3V SIM 卡.在A1200的设计中SIM 检测电路与电池检测电路相同. 在满足如下条件时,输出BATT_DETB 为逻辑0 指示电池存在.热敏电阻 (有效阻值 < 38K ) 连接到 AD4 输入BATT+ (电池) 电压超过 REF2 门限电压MOBPORTB存在并且BATT_DET_IN 信号接地PCAP2 电池检测电路框图如图12所示.图 12 – A1200 SIM 检测逻辑电路在电池插入后将BATT_DETB (Neptune 的管脚名为 SIM_PD) 信号线拉低. 手机软件自动检测此数据线是否为低. 如果检测不是低电位表示电池不存在手机会显示“Insert Battery”. 在电池不存在时, BATT_DETB 被拉高到 V2 (2.775 V). 电池接入后, BATT_DETB 为低电位,软件将从SIM卡中读取数据. 如果在 SIM 卡的 SIM_I/O 数据线未能读到数据表示卡不存在,手机将显示 “Check Card” .卡存在状态提示信息注释电池存在状态 SIM没有没有"插入电池" 手机通过 EXT_B+ 开机没有有"插入电池" 手机通过 EXT_B+ 开机有没有"检查SIM卡" 手机通过电池或EXT_B+ 开机有有允许用户使用手机全部功能表 10 – SIM 卡检测表 10显示SIM 卡检测矩阵表.电池不论好 (高于关机门限电压) 坏 (低于关机门限电压), 必须接入手机中以拉低 BATT_DETB 数据线. 如不能单独使用电池开机, 则需使用交流电源,其与电池具有同样的内部热敏电阻用于手机检测. 在以上条件时都可进行紧急呼叫.5. Neptune-LTE 射频接口A1200射频部分包括两个独立的芯片.5.1.1 RF6025 功能描述RF6025为四频应用的接收发射处理器.它包含以下功能:集成接收SAW滤波器,集成发射VCO和接收VCO,功率波形控制和外置晶体振荡器基准振荡电路.通过三总线串行接口直接连到基带处理器Neptune并对内部寄存器进行设置以配置射频收发器,在接收状态,RF6025通过转换器接收四路输入信号,经过下变频和滤波之后输送出RX的I/Q数据到基带.在发射状态,RF6025通过基带得到模拟的I/Q数据和发射部分的标记数据,用这些数据对VCO进行调置并控制功率放大器的波形信号.合成器部分为接收与发射双工器,产生两套PLL参数,PLLX0寄存器决定PLL的工作状态.每一个PLL具有全集成环路滤波器.RF6025具有缓冲晶体振荡器输出为基本提供13MHz或26MHz基准输出.内部VCO应用于下列频率范围:VCO1频率范围为824MHz-915MHz,VCO2频率范围为1710MHz-1910MHz,每一个VCO具有最低4dBm输出功率.从VLIF到基带及所有GSM/GPRS/EDGE接收基频滤波由数字形式实现,可编程带宽范围从80KHz到135KHz.在EDGE模式,数字与模拟接口都可用,RF6025将所需要的脉冲波形和数据位与幅度和相位成份叠加用于调制需要.相位成分根据PLL环路滤波的需要进行预矫正并与合成器的信道选择字位叠加,调制于内部VCO.RF6025功能框图参考图13.图 13 – RF6025 功能框图根据SDI编程,GSM发射和接收基带接口可以配置为不同的I/Q信号或数字信号工作.GSM信号需要的GMSK信号被输入到发射合成器用于VCO的调制.5.1.2 RF6025串行数据接口和设备控制通过串行数据接口可以对RF6025内部的控制寄存器编程.串行数据接口由串行选择(SSB)串行数据输入(SDI)串行时钟管脚(SCLK)组成.加锁检测/测试输出管脚为串行接口的默认配置,它可以被用作检测不同的内部PLL信号.5.3 RF3178(四频功率放大器) 描述RF3178是大功率内部集成功率控制的高效能功率放大模块,其包含50瓯坶输入输出阻抗,模块内部包含双路功率放大器,谐波滤波器和天线开关.采用闭环方式进行功率控制.通过变化的控制电压控制输出功率.由于功率控制内部集成,减少了偶合器,检波二极管及其它功率控制电路的使用.这样通过DAC的输出可以直接驱动PA.图 22 – RF3178功能框图和管脚输出接收发射频段控制逻辑表如下:6. 应用处理器 (Bulverde)6.0 Bulverde 功能介绍Bulverde 处理器框图如图 28所示.图 28 – Bulverde 处理器Bulverde 具有如下特性:支持核心频率200 MHz PXA261 处理器200 - 300 MHz PXA262处理器系统存储器接口¾100MHz SDRAM¾ 4 MB - 256 MB SDRAM 存储器¾支持 16, 64, 128, 或256Mbit DRAM 技术¾4段 SDRAM, 每段支持 64 MB 存储¾时钟启动 (CKE) – 提供 CKE pin接口 用于 SDRAM 自动更新¾支持最多5个外部静态存储器设备 (SRAM, flash, 或 VLIO) 及 1个内部 flashPCMCIA 卡/Compact Flash卡 控制管脚LCD 控制器管脚全功能异步收发 UART蓝牙 UART硬件 UART多媒体控制器管脚SSP 管脚网络 SSP音频 SSPUSB 管脚AC’97 控制器管脚标准 UART 管脚I2C 控制器管脚PWM 管脚20 专用 GPIOs 管脚支持JTAGSingle-Ended USB client6.1 Bulverde 存储器接口A1200 使用Intel 64MB Flash + 48MB SDRAM作为程序和用户数据存储芯片. 其容量是256M Bit. Bulverde 与存储器连接如图 29所示.6.1.1 Bulverde SDRAM 接口处理器支持最高100MHz SDRAM接口. 此接口可以支持16-bit 或 32-bit 的四个SDRAM分区. 在内部存储空间中每一分区被分配64 MBytes. 但实际每一分区的空间大小取决于SDRAM使用的配置. 四个分区被分为两组: 0/1组和2/3组. 在同一组内的两个分区(如, 分区0 和1) 配置和字节容量相同; 但两组之间可以不同.图29 – Bulverde 存储器连接上图中SDRAM相关信号功能如下:•S_DATA [15:0] – 数据输入 / 输出管脚.•S_ADD [12:0] – 在一个指令有效期内, 在时钟上升沿数据取样,这些信号用来定义行地址. 在读写指令周期内, 在时钟上升沿数据取样S_ADD[0] –S_ADD [n] 定义列地址(CA0 – CAn). CAn 的数值取决于SDRAM 的配置.此外,在读写指令周期末尾,列地址S_ADD [10] (=AP) 被用做自动分配操作.如果S_ADD [10] 为高,由BA0, BA1选择分区. If S_ADD [10] 为低, 不进行自动分配操作. 在分区选择指令周期内, S_ADD [10] (= AP) 与 BA0 和BA1 控制分区选择. 如果 A10 为高, 无论BA0 和 BA1状态如何,四个区同时分配. 如果A10 为低, 由BA0 和 BA1 进行分区选择.•S_ADD [23] & S_ADD [24] – 分区选择输入.•SDRAM_RAS & SDRAM_CAS –在时钟正上升沿数据取样时, 这两个信号与信号SDRAM_nWE 共同确定SDRAM的执行指令.•SDRAM_CLK1 –系统时钟输入. 所有的SDRAM 输入信号都是在时钟上升烟取样.•SDRAM_CKE1 –高电位启动时钟信号,低电位屏蔽时钟信号.•SDRAM_nSDCS0 –低电位时指令解码有效,高电位时指令解码无效. 在指令解码无效时, 新指令被忽略,以前的操作继续.此信号用于32MB SDRAM.•SDRAM_nSDCS3 –低电位时指令解码有效,高电位时指令解码无效. 在指令解码无效时, 新指令被忽略,以前的操作继续. 此信号用于16MB SDRAM.7.1.2 Bulverde Flash 接口在Bulverde内置的256M Flash是Intel 1.8V StrataFlash L18存储器.相关Flash信号功能如下:• A [23:0] – 地址信号.在SDRAM读写操作过程中共享输入内存地址.• D [15:0] – 数据输入 / 输出信号.在写周期输入数据和指令,在读周期输出数据.•ADV# – 有效地址.•F1-CE# – Flash 片选使能信号. 其变为低时,允许读写操作.•F-CLK – Flash时钟.在同步操作时同步存储器和系统总线时钟.•OE# – 输出使能信号.低电位允许Flash输出驱动.•WAIT – 设备等待.•WE# – 写操作.低电位时选择适当的存储器进行写操作.6.2 A1200 键盘及背景灯接口6.2.1 键盘接口在A1200手机上共有12个按键. 开关机键与PCAP2 ON管脚连接其它11个键与Bulverde 键盘控制模块连接. A1200按键如图30所示.。