第3章 场效应管放大电路习题答案
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第3章场效应管放大电路3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
(⨯)(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将A。
A.增大B.不变C.减小3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-33-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
A 、R i和R o。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解u图P3-4解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1m A ,U G S Q =-2V 。
如解图P3-4(a )所示。
解图P3-4在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D SQ ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GSDm DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
第三章习题解答一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且,输出电阻R o<100,第一级应采用,第二级应采用。
三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。
第2章自测题、习题解答自测题2一、在括号内用“”或“X”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5 )放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1 )X (2)V (3)X (4)X (5)V (6)X (7)X试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
解:(a ) 不能。
因为输入信号被直流电源U BB 短路。
(b ) 可能。
(c ) 不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载(叠加)在静 态电压之上,必然失真。
(d ) 不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e ) 不能。
因为输入信号被C 2短路。
(f ) 不能。
因为输出信号被U CC 短路,恒为零。
(g ) 可能。
(h ) 可能。
(i ) 不能。
因为T 截止。
已知U cc = 12V ,晶体管的=100 , R b = 100k Q 。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当U j = 0V 时,测得U BEQ =,若要基极电流I BQ = 20 A ,则R b 和R W 之和R b = ____ k Q; 而右测得 U CEQ = 6V ,贝~ ____________________________ k Qo (2)若测得输入电压 有效值U i =5mV 时,输出电压(d> to m(g!1 (h) (0图 T2- 2在图T2 — 3所示电路中,有效值U ° =, 则电压放大倍数 A = __________________ 沁 ____ 。
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。
它属于 型器件,其最大的优点是 。
(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。
(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。
(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。
(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。
(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。
(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。
(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。
(2)漏,源,源,漏,源。
(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。
(4)16mA ,4V 。
(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。
(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。
(7)自给,分压式。
(8)减小,减小,减小。
(9)m g ,s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。
第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1.场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.a 。
栅源电流b 。
栅源电压c 。
漏源电流d 。
漏源电压 2.结型场效应管发生预夹断后,管子________。
a 。
关断b 。
进入恒流区c 。
进入饱和区 d. 可变电阻区 3.场效应管的低频跨导g m 是________.a. 常数 b 。
不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。
场效应管靠__________导电.a 。
一种载流子b 。
两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。
增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零 b 。
小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零 c 。
等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型b. 耗尽型 c 。
结型 d 。
增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。
a 。
设置合适的静态工作点b 。
减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数 d 。
提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m b 。
源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。
某场效应管的I DSS 为6mA ,而I DQ 自漏极流出,大小为8mA ,则该管是_______.a 。
P 沟道结型管b 。
N 沟道结型管c 。
增强型PMOS 管d 。
耗尽型PMOS 管e 。
增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管解答:1。
b 2。
b 3.b ,c 4. a 5.b 6.a 7。
b,c 8。
d 9.c 10。
d4-2 已知题4—2图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源V DD 的极性(+、—)、u GS 的极性(>0,≥0,〈0,≤0,任意)分别填写在表格中。
第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗?( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。
(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗?( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗?( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。
(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
(8)画直流通路比画交流通路复杂吗?(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。
(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗?( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。
试判别其类型,并说明各管子在∣U DS ∣= 10V 时的饱和漏电流I DSS 、夹断电压U GSOff (或开启电压U GSth )各为多少。
解:FET 有JFET 和MOSFET ,JFET 有P 沟(GS U 只能为正)和N 沟(GS U 只能为负)之分。
MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟(GS U 可为正、零或负),增强型P 沟(GS U 只能为负)和N 沟(GS U 只能为正)。
图 (a):N 沟耗尽型MOSFET ,DSS I =2mA,3-=)th (G S U V 。
图 (b):P 沟结型FET ,DSS I =3mA, 3=)th (GS U V 。
图 (c):N 沟增强型MOSFET ,DSS I 无意义 ,51.U )th (GS =V 。
3.2 已知某JFET 的I DSS =10mA ,U GSoff =-4V ,试定性画出它的转移特性曲线,并用平方律电流方程求出u GS =-2V 时的跨导g m 。
解:(1)转移特性如下图所示。
u GS /Vi /mA (a)u GS /Vi/mA(b)u DS /V(c)题图3.1)/(5.2215)421()4(102)1(2)1(.22V m A U u U I du di g U u I i g V U GSoffGS GSoff DSS GS Dm GSoffGS DSS D m GS =⨯=--⨯-=--==-=故因为时的=-求3.3 已知各FET 各极电压如题图3.3所示,并设各管的2)(=th GS U V 。
试分别判别其工作状态(可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作)。
解:图 (a)中,N 沟增强型MOSFET ,因为3=GS U V 2=>)th (GS U V ,2-=GD U V 2==)th (GS U V ,所以工作在恒流区。
图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET ,5=GS U V 2-=>)th (GS U V ,0=GD U V 2-=>)th (GS U V ,所以工作在可变电阻区。
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
第3章习题解答1. 放大器有那些基本指标?分别叙述它们的含义。
答:放大电路的主要性能指标可以用以下几个参数来描述:增益、输入阻抗、输出阻抗、频率响应和失真。
如下图所示:R L增益有电压增益:i o v v v A =;电流增益:i o i i i A =;跨导:i o m v iG =;跨阻io m i v R =输入阻抗是:放大电路的输入电压与输入电流之比:i ii i v Z =。
输出阻抗是:放大电路的输出电压与输出电流之比:ooo i v Z = 频率响应是放大电路对于不同频率信号的放大作用。
失真是说明输出信号是否忠实地再现了输入信号。
2. 放大电路可以根据输入输出信号的不同分成哪几种类型?试总结不同类型放大电路之间的相互转换关系。
答:一般而言,线性放大电路可以用一个具有输入阻抗、输出阻抗和受控源的网络进行描述,如下图所示。
由于放大电路中采用的有源器件不同,上图中的受控源可以是VCVS 、CCCS 、VCCS 和CCVS 四种形式中的任意一种。
例如,图(a)中的受控电压源可以是a v v i ,也可以是r m i i ;图(b)中的受控电流源可以是a i i i ,也可以是g m v i 。
根据等效电源定理,上述几种形式的受控源均可以互相转换。
3. 简单说明频率失真和非线性失真的区别。
答:频率失真属于线性失真,它仅使信号中各频率分量的幅度和相位发生变化,而不会产生新的频率分量,非线性失真则一定会产生新的频率分量。
4. 单管放大电路的输出动态范围是由哪些参数决定的?试以共射电路说明之。
答:以共射电路为例,单管放大电路的输出动态范围主要取决于电源电压、静态工作点以及交流负载电阻L C L R R R //'=5. 试证明:当负载电阻趋于无穷大时,共射电路的极限电压增益绝对值趋于V A /V T 。
证明:共射电路的增益绝对值为:L C ce m R R r g ////,若ce L C r R R >>//,则共射电路的增益绝对值为T A CAT C ce m V V I V V I r g /=⋅=6. 试证明:阻容耦合方式的共射电路的极限电压增益绝对值小于V CC /V T 。
第三章场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1(a)~(d)所示。
(1)说明图(a)~(d)曲线对应何种类型的场效应管。
(2)根据图中曲线粗略地估计:开启电压V T、夹断电压V P和饱和漏极电流I DSS或I DO 的数值。
图题1.3.1解: (1)(a)增强型N沟道MOS管,VGS(th)≈3V,IDO≈3mA;(b)增强型P沟道MOS管,VGS(th)≈2V,IDO≈2mA;(c)耗尽型型P沟道MOS管,VGS(off)≈2V,IDSS≈2mA;(d)耗尽型型N沟道MOS管,V GS(off)≈2V,I DSS≈3mA。
题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线i D=f(v GS)。
解:在漏极特性上某一VDS 下作一直线,该直线与每条输出特性的交点决定了VGS和ID的大小,逐点作出,连接成曲线,就是管子的转移特性了。
图题1.3.3题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。
试问:(1)I DSS、V P值为多大?(2)根据给定曲线,估算当i D=1.5mA和i D=3.9mA时,g m约为多少?(3)根据g m 的定义:GSDm dv di g,计算v GS = -1V 和v GS = -3V 时相对应的g m 值。
解: (1) I DSS =5.5mA,V GS(off)=-5V;(2) I D =1.5mA 时,gm ≈0.88ms,I D =3.9mA 时,gm ≈1.76ms;(3) V GS =-1V 时,gm ≈0.88ms,V GS =-3V 时,gm ≈1.76ms题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.3.4的(a )和(b )所示的输出 特性曲线,试判断它们的类型,并粗略地估计V P 或V T 值,以及v DS =5V 时的I DSS 或 I DO 值。
场效应管考试题目及答案1. 场效应管的工作原理是什么?答案:场效应管的工作原理基于电场控制,通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
在增强型场效应管中,栅极电压必须达到一定的阈值才能使电流流动;而在耗尽型场效应管中,即使栅极电压为零,电流也能流动,栅极电压的变化用于调节电流的大小。
2. 场效应管与双极型晶体管(BJT)的主要区别是什么?答案:场效应管是电压控制器件,其输入阻抗高,输出阻抗低,而双极型晶体管是电流控制器件,其输入阻抗低,输出阻抗高。
场效应管的开关速度比双极型晶体管快,且场效应管的噪声水平更低。
3. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系如何?答案:在一定范围内,场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS成正比。
当VGS增加时,ID也随之增加,但这种关系并非线性,而是受到漏极电压VDS的影响。
在饱和区,ID随着VGS的增加而增加,直到达到饱和电流IDSS。
4. 场效应管的阈值电压Vth是什么?答案:阈值电压Vth是指在增强型场效应管中,栅极电压必须达到的最小电压值,以使漏极电流开始流动。
当VGS等于Vth时,漏极电流ID开始显著增加。
5. 场效应管的沟道长度调制效应是什么?答案:沟道长度调制效应是指在场效应管中,当漏极电压VDS增加时,沟道的有效长度会减小,导致漏极电流ID增加。
这种效应在高电压操作下尤为明显,可以通过设计来减少其影响。
6. 如何测量场效应管的阈值电压Vth?答案:测量场效应管的阈值电压Vth通常需要使用半导体参数分析仪。
通过逐渐增加栅源电压VGS,并观察漏极电流ID的变化,当ID开始显著增加时对应的VGS值即为阈值电压Vth。
7. 场效应管的开关速度与哪些因素有关?答案:场效应管的开关速度与多种因素有关,包括器件的几何尺寸、沟道材料的迁移率、栅极电压的变化速率以及漏极电流的大小。
减小沟道长度、增加沟道宽度、提高材料迁移率以及快速的栅极电压变化都可以提高场效应管的开关速度。
基本放大电路的练习题及答案一、判断题1、(错误)根据功率放大电路中晶体管静态工作点在交流负载线上的位置不同,功率放大电路可分为两种。
2、(错误)电源电压为+12V 的OCL 电路,输出端的静态电压应该调整到6V 。
3、(正确)OTL 功率放大器输出端的静态电压应调整为电源电压的一半。
4.(错误)乙类功率放大器电源提供的功率与输出功率的大小无关。
二、选择题:(请将唯一正确选项的字母填入对应的括号内)1、根据功率放大电路中晶体管( A )在交流负载线上的位置不同,功率放大电路可分为3种。
A .静态工作点B .基极电流C .集电极电压D .集电极电流2、乙类功率放大器电源提供的功率( A )。
A .随输出功率增大而增大B .随输出功率增大而减小C .与输出功率的大小无关D .是一个设计者确定的恒定值3、甲类功率放大器电源提供的功率( D )。
A .随输出功率增大而增大B .随输出功率增大而减小C .与输入功率的大小有关D .是一个设计者确定的恒定值4、电源电压为+9V 的OCL 电路,输出端的静态电压应该调整到( D )V 。
A .+9B .一9C .4.5D .05、电源电压为12V 的OTL 电路,输出端的静态电压应该调整到( C )V 。
A .12B .9C .6D .0三、思考题1、按照静态工作点设置位置不同,可以将功率放大器的工作状态分为哪几种形式。
答:按照静态工作点设置位置不同,可以将功率放大器的工作状态可以分为甲类、乙类和甲乙类放大等形式。
2、什么是乙类互补对称功率放大电路?答:将静态工作点设置在放大区和截止区的交界处(BQ 0I =),静态时电流0CQ I ≈,在此工作状态下,输出信号只有输入信号的半个周期,另外半个周期被截止了。
在实际应用中,选用两个不同管型的三极管,在输入信号的正、负半周交替导通,然后在负载上合成一个完整的输出信号,称为乙类互补对称功率放大电路。
3、场效应管与晶体管的区别主要体现在哪几个方面?答:(1)场效应管是电压控制器件,它通过栅源电压来控制漏极电流;(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(710~1510Ω)很大;(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
第3章 场效应晶体管放大电路3.1知识要点3.1.1场效应管有结型和MOS 型两大类,每类都有N 沟道和P 沟道之分,MOS 场效应管还有增强型和耗尽型之分,故场效应管有6种类型。
它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分析方法相似;正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制;小信号模型完全相同;但由于沟道类型不同,结构上也有不同,因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。
栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管;天然原始导电沟道,只有在U GS绝对值大于开启电压U GS(th)绝对值后才能形成导电沟道的,则称为增强型场效应管。
2GS D DSS P(1) U I I U =−当工作于放大区时,对耗尽型场效应管1.2.4 场效应晶体管表5.1 晶体管与场效应管比较比较项目晶体管场效应管载流子两种不同极性的载流子(电子与空穴)同时参与导电,故又称为双极型晶体管只有一种极性的载流子(电子或空穴)参与导电,故又称为单极型晶体管 控制方式电流控制电压控制类型 NPN 型和PNP 型两种 N 沟道和P 沟道两种 放大参数 200~20=β5~1m =g mA/V输入电阻 42be 10~10=r Ω较小147gs 10~10=r Ω很大 输出电阻 r ce 很大 r ds 很大 热稳定性 差 好制造工艺 较复杂简单,成本低,便于集成对应电极基极-栅极,发射极-源极,集电极-漏极3.1.2 场效应晶体管放大电路共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
U DDo +U DD(a )放大电路(b )直流通路+u o -o(c )交流通路 (d )微变等效电路图5.1 共源极分压式偏置放大电路(1)静态分析:DD G2G1G2G U R R R U +=SG S S D R U R U I ==)(S D D DD DSR R I U U +−= (2)动态分析:Lm u R g A ′−= 式中L D L//R R R =′。
放大电路测试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 放大电路中,输出信号与输入信号相位相反的放大器是()。
A. 共发射极放大器B. 共集电极放大器C. 共基极放大器D. 共栅极放大器答案:B2. 在放大电路中,静态工作点的确定是为了()。
A. 提高放大倍数B. 保证电路的稳定性C. 减小非线性失真D. 以上都是答案:D3. 放大电路中,负载电阻RL对放大倍数的影响是()。
A. 增大RL,放大倍数增大B. 减小RL,放大倍数减小C. RL对放大倍数无影响D. 以上说法都不对答案:A4. 放大电路中,电源电压为12V,静态工作点电流IE为2mA,若要使集电极电流IC为4mA,则应选择的β值是()。
A. 2B. 10C. 20D. 100答案:C5. 在共发射极放大电路中,若要使放大倍数增大,可以()。
A. 增大集电极电阻RCB. 减小集电极电阻RCC. 增大发射极电阻RED. 减小发射极电阻RE答案:A二、填空题(每题2分,共10分)1. 放大电路中的静态工作点是指电路在没有输入信号时的__工作状态__。
2. 放大电路的放大倍数通常用__Av__表示,其中A代表放大倍数,v代表电压。
3. 在放大电路中,为了减小温度对工作点的影响,通常在电路中加入__温度补偿电路__。
4. 放大电路的输入阻抗是指在输入端看进去的__阻抗__,输出阻抗是指在输出端看进去的阻抗。
5. 放大电路的频率响应是指放大电路对不同__频率__信号的放大能力。
三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述放大电路中引入负反馈的作用。
答:引入负反馈可以提高放大电路的稳定性,减小非线性失真,拓宽放大电路的通频带,并且可以调整放大倍数。
2. 描述放大电路中静态工作点的调整方法。
答:调整静态工作点通常通过改变偏置电阻的值来实现,具体方法是调整基极偏置电阻RB或发射极偏置电阻RE,以使电路在无输入信号时达到所需的静态工作电流IE和集电极电流IC。
第3章场效应管及其放大电路习题解3.1教学内容与要求本章介绍了场效应管的结构、类型、主要参数、工作原理及其基本放大电路。
教学内容与教学要求如表1.1所示。
表3.1第3章教学内容与要求3.2内容提要3.1.1场效应晶体管1.场效应管的结构及分类场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,是电压控制型器件。
工作过程中起主要导电作用的只有一种载流子(多数载流子),故又称单极型晶体管。
场效应管有两个PN结,向外引出三个电极:漏极D、栅极G和源极S。
(1)栅源控制电压的极性对JFET,为保证栅极电流小,输入电阻大的特点,栅源电压应使PN结反偏。
N沟道JFET:UGS<0;P沟道JFET:UGS>0。
对增强性MOS管,N沟道增强型MOS管,参加导电的是电子,栅源电压应吸引电子形成反型层构成导电沟道,所以UGS>0;同理,P沟道增强型MOS管,UGS<0。
对耗尽型MOS管,因二氧化硅绝缘层里已经掺入大量的正离子(或负离子:N沟道掺入正离子;P沟道掺入负离子),吸引衬底的电子(或空穴)形成反型层,即UGS=0时,已经存在导电沟道,所以,栅源电压UGS 可正可负。
(2)夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)对JFET和耗尽型MOS管,当|UGS|增大到一定值时,导电沟道就消失(称为夹断),此时的栅源电压称为夹断电压UGS(off)。
N沟道场效应管UGS(off)<0;P沟道场效应管UGS(off)>0。
对增强型MOS管,当UGS增加到一定值时,才会形成导电沟道,把开始形成反型层的栅源电压称为开启电压UGS(th)。
N沟道增强型MOS管UGS(th)>0;P沟道增强型MOS管UGS(th)<0。
(3)栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用场效应管的导电沟道是一个可变电阻,栅源电压uGS可以改变导电沟道的尺寸和电阻的大小。
当uDS=0时,uGS变化,导电沟道也变化但处处等宽,此时漏极电流iD=0;当uDS≠0时,产生漏极电流,iD≠0,沿沟道产生了电位梯度使导电沟道变得不等宽。
3 场效应管自我检测题一.选择和填空1. N沟道和P沟道场效应管的区别在于C 。
(A.衬底材料前者为硅,后者为锗,B.衬底材料前者N型,后者为P型,C.导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴)2. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小;绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
3.结型场效应管的栅源之间通常加反向偏置电压,因此栅极电流很小;绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层S i O2绝缘层,因此栅极静态电流几乎等于零。
4. 图选择题4中,(a)电路中场效应管的类型是N沟道增强型绝缘栅场效应管,V DD 的极性为正;(b)电路中场效应管的类型是N沟道结型场效应管,V DD的极性为正;(c)电路中场效应管的类型是P沟道耗尽型绝缘栅场效应管,V DD的极性为负。
ggg( a )( b )( c )DD图选择题45.在放大状态下,双极型晶体管的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置;结型场效应管的栅源之间加有反向偏置电压,栅漏之间加有反向偏置电压。
6.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了基极电流对集电极电流的控制能力;而单极型场效应管常用跨导g m 参数反映栅源电压对漏极电流的控制能力。
7. 场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流,因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。
8.结型场效应管利用半导体器件的内部电场效应进行工作,MOSFET利用半导体器件的表面电场效应进行工作。
9.双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和PNP两种类型,工作时有多子和少子两种载流子参与导电。
场效应管从结构上可以分成结型和绝缘栅型两大类型,因导电沟道的不同每一大类又可分为N沟道和P沟道两类,无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于多数载流子的运动。
二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.场效应管的优点是有很高的输入电阻。
(√)2.绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
(⨯)
(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)
3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有B 。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
A 、R i和R o。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解
u
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。
如解图P3-4(a )所示。
解图P 3-4
在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)
GS
D
m DS
=-=
∂∂=
I I U u i g U
Ω
==Ω==-=-=k 5
M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u
3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
求解
电路的Q 点和u
A 。
图P 3-5
解:(1)求Q 点:
根据电路图可知, U G S Q =V G G =3V 。
从转移特性查得,当U G S Q =3V 时的漏极电流 I D Q =1mA
因此管压降 U D S Q =V D D -I D Q R D =5V 。
(2)求电压放大倍数:
20V
mA 22D
m DO DQ GS(th)
m -=-===
R g A I I U g u
3-6电路如图3-6所示,已知场效应管
的低频跨导为g m ,试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
图P 3-6
解:u
A 、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
3-7 电路如图3-7所示。
已知V DD =12V ,GG V =2V ,R G =100kΩ,R D =1kΩ, 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=-4V 。
求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。
图P 3-7 解:
DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ,U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ,当U GS =4V 、 U DS =5V 时,管子的I DQ =9mA 。
现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路,电路中的R G =100kΩ, R D1=5.1KΩ,R D2=3.3kΩ,R D3=2.2kΩ,R S =1kΩ。
试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图P 3-8
解:先求场效应管的x 值。
由已知的
GS U =4v
时
DQ I =9mA
及
()GS th U =2v ,代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-,可求得
K =2.25mA /2
V .
图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图(d )放大区
3-9在图p3-9所示的四种电路中,R G 均为100 kΩ,R D 均为3.3kΩ,V DD =10V ,GG V =2V 。
又已知:T 1的I DSS =3mA 、
U GS(off)=-5V ;T 2的U GS(th)=3V ;T 3的I DSS =-6mA 、U GS(off)=4V ;T 4的I DSS =-2mA 、U GS(off)=2V 。
试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区?
图P 3-9
解:图 a T1为N 沟道JF ET ,由图可知T1工作于放大区
图 b T2工作于截止状态 图c 工作于可变电阻区 图 d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中,哪个(或哪几个)电路具有电压放大作用。
图P 3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。
其中-V DD =-20V ,R G =1MΩ, R D =10kΩ, U GSQ =2V ,管子的I DSS =-2mA 、U GS(off)=4V ,各电容器的电容量均足够大。
试求: (a) I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区,R S2不能超过什么值。
解:(a ) DQ I =-0.5mA 14S R K =Ω
(b) 222S R K <Ω
3-12 电路如图3-12所示。
已知V DD =30V ,R G1=R G2=1MΩ, R D =10kΩ,管子的U GS(th)=3V ,且当U GS =5V 时I D 为0.8mA 。
试求管子的U GSQ 、I DQ 、U DSQ 。
解: 1.8DQ I mA = 12DSQ U V = GSQ U =6V
3-13电路如图3-13所示。
已知-V DD =-40V ,R G =1MΩ,R D =12kΩ,R S =1kΩ,场效应管的I DSS =-6mA 、U GS(off)=6V 、r ds >>R D ,各电容器的电容量均足够大。
试求: (a) 电路静态时的I DQ 、U GSQ 、U DQ 值; (b) 电路的A u 、R i 、R o 值。
解(a )
2.3DQ I mA =-
12.4DQ U V =- 10.1DSQ U V =-
(b) 14.9
112u i o A R M R k =-=Ω=Ω
3-14电路如图3-14所示。
其中R G =1.1MΩ,R S =10kΩ,场效应管的g m =0.9mS 、 r ds 可以忽略,各电容器的电容量均足够大,电源电压V DD 的大小已足以保证管子能工作于恒流区。
试求A u 、R i 和R o 的值。
解:0.9 1.11u i o A R M R k ==Ω=Ω
图P 3-11 图P 3-12
图P 3-13 图P 3-14
3-15 在图3-15所示的电路中,R D = R S =5.1kΩ,R G2=1MΩ, V DD =24V ,场效应管的I DSS =2.4mA 、U GS(off)=-6V ,各电容器的电容量均足够大。
若要求管子的U GSQ =1.8V ,求: (a) 1G R 的数值; (b)
DQ I 的值;
(c)
1
1o u i
U A U =
及22o u i U A U =
的值。
解: (a)1 4.7G R M =Ω (b) 1.18DQ I mA = (c) 1
1o u i
U A U =
=0.74 22o u i U A U ==-0.74
图P 3-15 图P 3-16
3-16 电路如图3-16所示。
设场效应管的跨导为g m ,r ds 的影响必须考虑,各电容器的电容量均足够大。
试求该电路输出电阻R o 的表达式。
解://'//['(1')]O D O D S ds m S R R R R R r g R ==++
3-17 电路如图3-17所示。
已知电路中的R G =1MΩ, R D =10kΩ,R S =2kΩ,负载电阻R L =4kΩ,负载电容C L =1000pF ,场效应管的C gs 、C gd 、C ds 和r ds 的影响均可以忽略。
试求该电路的上限截止频率f H 。
图P 3-17
解:
1
55.72(//)H D L L
f kHz R R C π=
=。