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射频功放管MRF5S9070

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通信电台功率放大器参数

通信电台功率放大器参数

VHF-UHF功率放大模块资料部分大功率功放模块和常用高频发射管的参数！高频功率放大模块 t"Io*型号频率功率型号频率功率 gE\M M57704EL 335-360M 13W M67741L 135-160M 30W Y]O7M57704L 400-420M 13W M67741H 150-175M 30W kM57704H 450-470M 13W M67742 68-88M 30W 14)M57706 145-175M 8W M67743L 68-81M 7W oM57710A 156-160M 30W M67743H 77-88M 7W XM57716 430-450M 17W M67748L 135-150M 7W AqvKh@M57719L 135-145M 14W M67748H 150-175M 7W ?31xM57719 145-175M 14W M67749L 400-430M 7W L-gM57721L 350-400M 7W M67749H 440-470M 7W BKS!M57726 144-148M 43W M67760LC 806-870M 20W iQaM57729EL 335-360M 30W M67775 1465-1477M 7.5W wPpM57729SL 360-380M 30W M67776H 896-941M 5W CS~oM57729UL 400-420M 30W 4(M57729L 400-420M 30W M67781L 135-160M 40W D/4PNM57729H 450-470M 30W M67781H 150-175M 40W {di6M57735 50-54M 19W M67783 1240-1300M 1.4W ZJM57737 144-148M 30W M67789 1465-1477M 3W "M57774 220-225M 30W M68702L 135-160M 60W 'vUPM57775 806-866M 0.4W M68702H 150-175M 60W #RC'#/M57782 824-851M 7W M68703LA 400-430M 50W rEG =aM57788M 430-450M 40W M68703HA 440-470M 50W I*M57796MA 144-148M 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6W 13.8dB 13.5V 175MHz FM T-31E2SC2312 18.5W 27MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E2SC2314 1.8W 17dB 12V 180MHz FM/AM TO-126 E C B2SC2509 13W 14dB 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E2SC2527 60W 80MHZ WINTransceiver TO-2202SC2538 0.6W 10dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E2SC2539 14W 14.5dB 13.5V 175MHz FM T-31E2SC2558 1.3W 12dB 960MHz2SC2630 60W 175MHz2SC2660 30W 30MHz WINTransceiver TO-2202SC2668 0.1W 18dB 40V 550MHz FM2SC2695 30W 5dB 13.5V 520MHz FM T-31E2SC2851 0.9W 9dB 175MHz FM2SC2905 50W 5dB 512MHz2SC2932 6W 8dB 960MHz2SC3001 6W 13dB 7.2V 175MHz FM T-31E2SC3017 1W 11dB 13.5V 175MHz FM TO-39 C B E2SC3018 3W 13dB 7.2V 175MHz FM T-31E2SC3019 0.6W 14dB 512MHz2SC3020 3W 10dB 12.5V 520MHz FM T-31E2SC3021 7W 7.7dB 12.5V 520MHz FM T-31E2SC3022 18W 4.8dB 12.5V 520MHz FM T-31E2SC3103 2.8W 6.7dB 7.2V 520MHz FM T-31E2SC3104 6W 4.8dB 7.2V 520MHz FM T-31E2SC3133 13W 14dB 12V 1.5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C 2SC3174 60W 7dB 175MHz2SC3297 15W 100MHz WINTransceiver TO-2202SC3299 20W 120MHz WINTransceiver 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TO-220MRF486 40W 15dB 28V 1.5-30MHz WINTransceiver TO-220MRF496 40W 15dB 13.5V 1.5-30MHz WINTransceiver TO-220MRF497 60W 10dB 13.5V 27-50MHz WINTransceiver TO-220 B E C MRF517 0.75W 10dB 20V 1000MHz WINTransceiver TO-39MRF553 1.5W 9dB 175MHzMRF559 0.5W 900MHzMRF607 1.75W 11.5dB 16V 175MHz WINTransceiver TO-39MRF630 4W 10dB 13.5V 512MHz FM TO-39MRF650 50W 5dB 512MHzMRF652 5W 10dB 512MHzMRF859 6.5W 11dB 900MHzMRF660 7W 5.4dB 12.5V 400-512MHz WINTransceiver TO-220 MRF844 30W 960MHzMRF846 40W 960MHzMRF847 45W 960MHzMRF857 2W 11dB 900MHzMRF858 3.6W 11dB 900MHzMRF891 5W 9dB 900MHzMRF899 150W 11dB 900MHzMRF2062 1.2W 15dB 2000MHzMRF2628 15W 12dB 175MHzMRF8372 0.75W 8dB 960MHzMRF20060 60W 9dB 2000MHzMRF20082 15W 9dB 2000MHzMRF20146 0.6W 10dB 2000MHzMRF20147 4W 10dB 2000MHzMRF20170 30W 8.5dB 2000MHzMS1226 30W 18dB 28V 30MHz FM/AM/SSBMS1227 20W 15dB 12.5V 30MHz FM/AM/SSBSD1477 100W 175MHzTP3007 2W 9dB 900MHzTP3008 4W 11.5dB 900MHzTP3020 2.2W 9dB 900MHzTP3022 15W 9dB 900MHzTP3024 35W 7.5dB 900MHzTP5002 2W 13dB 510MHzTP5015 15W 11dB 510MHz国内三极管3DA21A 7.5W 10dB 15V 400MHz FM/AM3DA21B 7.5W 10dB 25V 400MHz FM/AM3DA22A 15W 10dB 15V 400MHz FM/AM3DA22B 15W 10dB 25V 400MHz FM/AM3DA23A 30W 15V 500MHz FM/AM3DA23B 30W 12V 500MHz FM/AM3DA23C 30W 20V 500MHz FM/AM3DA24A 2W 15V 1000MHz FM3DA24B 2W 15V 1000MHz FM3DA190 2W 35V 600MHz3DA191 5W 35V 600MHz3DA192 7.5W 35V 600MHz3DA193 15W 35V 600MHz3DA194 2W 35V 1GHz常用高频放大等配件参考报价表:C1907 1.1G 0.3W 0.70 BFR90 5G 0.2W 2.80 C2570 5G 0.3W 1.20 BFR91A 5G 0.25W 1.90 C3355 6.5G 0.6W 1.30 BFR96S 5G 0.35W 1.90 C3358 7G 0.25W 5.00 MRF571 8G 1W 9.00 BFQ34 3.5G 2.5W 108.00 MRF581 5G 2.5W 6.00 BFW16A 1.5G 1.5W 9.00 MRF587 5.5G 10W 150.00 LP1001 5G 0.25W 1.20型号电流功率频率报价(元/只)型号电流功率频率报价(元/只)C1945 6A 14W 27M 34.00 C2694 20A 70W 175M 180.00 C1946A 7A 30W 175M 75.00 C2695 10A 30W 520M 195.00 C1947 1A 3.5W 175M 34.00 C2782 20A 80W 175M 260.00 C1969 6A 16W 27M 15.00 C2879 25A 120W 28M 328.00 C1970 0.6A 1W 175M 9.00 C2904 22A 100W 30M 180.00 C1971 2A 6W 175M 16.00 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M57719L 135-145M 14W 210 M67748H 150-175M 7W 136 M57719 145-175M 14W 210 M67749L 400-430M 7W 136 M57721L 350-400M 7W 210 M67749H 440-470M 7W 136 M57726 144-148M 43W 355 M67760LC 806-870M 20W 520 M57729EL 335-360M 30W 368 M67775 1465-1477M 7.5W 660 M57729SL 360-380M 30W 368 M67776H 896-941M 5W 648 M57729L 400-420M 30W 310 M67781L 135-160M 40W 540 M57729H 450-470M 30W 310 M67781H 150-175M 40W 540 M57735 50-54M 19W 380 M67783 1240-1300M 1.4W 406 M57737 144-148M 30W 310 M67789 1465-1477M 3W 720 M57774 220-225M 30W 248 M68702L 135-160M 60W 496 M57775 806-866M 0.4W 128 M68702H 150-175M 60W 496 M57782 824-851M 7W 358 M68703LA 400-430M 50W 520 M57788M 430-450M 40W 460 M68703HA 440-470M 50W 530 M57796MA 144-148M 7W 110 M68706 250-270M 30W 338 M57796H 150-175M 7W 110 M68710L 400-430M 2W 168M57797MA 430-450M 7W 110 M68711 889-915M 3.8W 318 M57797H 450-470M 7W 110 M68721 118-137M 10W 248 M67702 150-175M 60W 720 M68729 220-245M 30W 328 M67709L 350-390M 13W 540 M68732SL 330-380M 7W 180 M67711 1240-1300M 16W 430 M68743H 896-941M 3.8W 285 M67715 1240-1300M 1.2W 380 M68745L 806-870M 3.8W 96 M67723H 276-284M 1.5W 218 M68745H 896-941M 3.8W 396 M67730L 175-200M 30W 450 MHW803-3 870-905M 3W 168 M67732 1240-1300M 1W 345 S-AV17 144-148M 60W 350 M68762SL 360-380M 30W 426型号种类报价(元/只)型号种类报价(元/只)BA1404 调频发射 6.00 MC3359P 调频中频 5.0038KHz 频差20PPm3.50 MC3361P 调频中频4.00BB910 变容管 2.5 MC3361(贴片) 调频中频 4.50 TA7673 调制器8.00 MC3362D(贴片) 调频接收 15.00 UC3842 电源控制 3.50 MC3367DW 调频接收 18.00 UPC1241H 功放10.00 MC12022A 分频器30.00 NE564 伴音解调12.00 MC145106P 频率合成 19.00 NE575N 频率压扩19.50 MC145146P 频率合成 35.00 NE576N 频率压扩10.00 MC145151P2 频率合成 30.00 NE576D(贴片) 频率压扩11.00 MC145152P2 频率合成 30.00 NE592 视频放大 3.50 MC145026 编码 5.00 NE602 混频12.00 MC145027 解码 5.00 NE604 中频放大25.00 MC145028 解码 6.00NJM2902 低功耗四运放2.80 MC145030 编解码12.00UM3750 编译码8.00 MC145436P 编解码10.00 UM3753 编译码8.00 VD5026-4 解码 3.50 UM3758-108A 编译码9.50 VD5027-4 解码 3.50 UM3758-108AM(贴片)编译码9.80 VD5028-4 解码 4.50 M51304L 低噪放大19.80 CM8870P1 编码 6.00 MB504L 分频器21.00 CM8880P1 编解码32.00 MB1504PF(贴片) 频率合成30.00 MT8870CE 编码 6.50MB3713 功放38.00 TA8164P 调频调幅接收3.80MB3756 电源调控38.00 TDA7010T 调频接收 6.00转换LA4422 功放30.00 TDA7021T 调频接收 6.00MC1377P 彩色编码15.00 TDA7050T 立体声功放3.80MC2831P 调频发射 5.00 TDA7088T 调频接收 6.00 MC2833P 调频发射 4.00MC2833D(贴片) 调频发射 6.00MC3357P 调频中频 4.00。

VHF波段80W宽带线性功率放大器

VHF波段80W宽带线性功率放大器

3258
科 学 技 术 与 工 程
9卷
25 dBm。第三级 MRF136 增益设定在 13 dB ,输出 功率 38 dBm。末级采用 Polyfet公司的推挽结构的 VDMOS功率管 SR705 作为功率输出级 ,采用传输 线变压器设计宽带匹配电路 ,增益为 11 dB ,输出功 率 49 dBm (80 W ) 。此外 ,为了进一步拓展带宽 ,减
高频信号和直流偏置电压分离 。电感的具体形态 应充分考虑通过的电流的大小 , 尤其是末级放大 器 ,漏极电流大 ,所选用的电感必须容纳最够大的 电流 。
驱动级和放大级所用的 MOSFET和 VDMOS晶 体管均为增强型场效应管 ,栅极都存在门限电压 , 只有栅极电压超过门限电压 ,沟道才导通 ,管子才 能工作 ,所以各级放大管栅极都需要正向的偏置电 压 。晶体管的静态工作点由栅极电压确定 ,栅极电 压确定了 ,漏极电流就确定了 。在晶体管的技术参 数中 ,厂商提供了漏极电压和电流 ,并没有给出栅 极电压 ,需要通过直流仿真确定栅极电压 ,器件静 态 IV 曲线如图 3所示 。为保证放大器的线性 ,驱动 级的静态工作点选择在甲类 ,放大级的工作点选择 在乙 类 。各 级 放 大 管 漏 极 供 电 均 为 28 V , 在 对 MRF134、MRF136、SR705 直流仿真的基础上 ,通过 实际电 路 调 试 , 栅 极 电 压 可 分 别 确 定 为 3. 7 V、 4. 9 V、3. 9 V。
3 实测结果
制版完成 之后 , 进 行电 路测 试 。电源 电压 为 28 V ,静态工作电流为 7. 2 V , 输入信号为连续波
- 5 dBm ,从 50 MHz到 200 MHz每 10 MHz递增 ,放 大器输出信号经过 40 dB 衰减后用频谱仪测量输出 功率 ,每隔 10 MHz测得的输出功率及谐波功率如 表 1所示 。

常用功放IC

常用功放IC

发个常用功放IC常用集成电路功型号功能简述QBE 供电集成电路QS7785 环绕声解码集成电路QTT533 电源复位稳压集成电路RC4558DQ 枕形校正集成电路RCA4053 电子开关切换集成电路RCDRS52 红外遥控传感集成电路REF05/10 基准电源稳压集成电路RF9117E6 功率放大集成电路RF9118E6 功率放大集成电路RFF 射频输出集成电路RFIC17 功率放大900MHz集成电路RGB2932 倍速扫描处理集成电路RMC1201 红外遥控信号接收集成电路RN4906 基带选择控制集成电路RN5RZ20BA-TR 电源稳压＋2V集成电路RSC6416GW 寻呼机信号控制集成电路RSC646B 音频信号放大集成电路S13120C 电源稳压集成电路S1854 电源取样误差集成电路S1855FA-3 均衡集成电路S1D2140B3 视频信号处理110MHz集成电路S1D2503X01 视频信号处理200MHz集成电路S1D2512X01 偏转信号处理集成电路S24C01AFJ-TB-01 存储集成电路S24C08A 存储集成电路S24CO 存储集成电路S2754 系统控制处理集成电路S5D2501F 屏幕显示处理集成电路S5D2508A 屏幕显示处理集成电路S5D2509E 屏幕显示处理集成电路S6708A 开关电源稳压集成电路S8051ANR 电源复位稳压集成电路S80741AL 电源复位检测集成电路S80741AL-2 电源复位检测集成电路S9801 彩灯控制集成电路S9802 彩灯控制集成电路S9805 彩灯控制4组八段集成电路S9808 彩灯控制4组集成电路SA2007A 主轴电机驱动集成电路SA9613 解调集成电路SA9870 解码集成电路SAA1250 红外遥控信号发射集成电路SAA1280 微处理集成电路SAA1290 微处理集成电路SAA1293 微处理集成电路SAA1300 调谐切换集成电路SAA1351 微处理集成电路SAA3007 红外遥控信号发射集成电路SAA3010T 红外遥控信号发射集成电路SAA3028 代码转换集成电路SAA4955TJ 存储集成电路SAA4956TJ 存储集成电路SAA4961 梳状滤波集成电路SAA4977H 视频信号处理集成电路SAA4981 压缩处理16∶9集成电路SAA4991WP 扫描转换集成电路SAA5243 电视信号处理集成电路SAA5246 电视信号处理集成电路SAA5246A 电视信号处理集成电路SAA5261 电视信号处理集成电路SAA5281ZP 电视信号处理集成电路SAA5284 电视信号处理集成电路SAA5290ZP 微处理集成电路SAA5297 微处理集成电路SAA5565PS 微处理集成电路SAA5700GP 色度解码集成电路SAA7121H 视频信号处理集成电路SAA7185 数/模转换集成电路SAA7280 音频解码集成电路SAA7282ZP/M3 音频解码集成电路SAA7283 丽音解码集成电路SAA7283ZP 丽音解码集成电路SAA7320 数/模转换集成电路SAA7327 数字信号处理集成电路SAA7345GP/85 数字信号处理集成电路SAA7372GP 数字信号处理集成电路SAA9042 多标准图文信号处理集成电路SAA9050 色度解码集成电路SAA9051 色度解码集成电路SAA9055 色度解码集成电路SAA9057A 时钟信号发生集成电路SAA9058 取样变换集成电路SAA9060 数/模转换集成电路SAA9068 画中画控制集成电路SAA9069 数字信号处理集成电路SAA9079 数/模转换集成电路SAA9860 音频信号处理集成电路SAB3013 扩展集成电路SAB3035 频率同步环路控制集成电路SAB9077H 画中画控制集成电路SAF1032P 红外接收译码与发射集成电路SAS560S 触摸开关集成电路SB7700ML 解码集成电路SB7800ML 解码集成电路SB7830ML 解码集成电路SBX1692-01 梳状滤波集成电路SBX1765 梳状滤波集成电路SBX1836-01 色度、亮度信号分离集成电路SBX1981-11 红外遥控信号接收集成电路SBX-F201A 中放组件集成电路SBX-M002A 选台组件集成电路SC424689FU 系统控制、显示驱动集成电路SC430402CFC 微处理集成电路SC440301FU 系统控制、显示驱动集成电路SC608 自动频率微调集成电路SDA5273S 色度解码集成电路SDA9086-2 画中画锁相环集成电路SDA9087-5 数/模转换集成电路SDA9087XGEG 数/模转换集成电路SDA9088-2 画中画信号处理集成电路SDA9089XGEG 画中画信号处理集成电路SDA9187-2X 数/模转换集成电路SDA9188/3X 画中画信号处理集成电路SDA9189 画中画信号处理集成电路SDA9189XGEGA132 画中画信号处理集成电路SDA9205 数/模转换集成电路SDA9220 存储集成电路SDA9251 存储集成电路SDA9257 时钟信号发生集成电路SDA9280 显示处理集成电路SDA9288X 画中画信号处理集成电路SDA9290 图像信号处理集成电路SDA9361 偏转控制集成电路SDA9400 偏转控制集成电路SE013E 电源取样误差集成电路SE090 电源取样误差集成电路SE105 电源取样误差集成电路SE110N 电源取样误差集成电路SE115N 电源取样误差集成电路SE116 电源取样误差集成电路SE117M 电源取样误差集成电路SE120 电源取样误差集成电路SE130 电源取样误差集成电路SE135N 电源取样误差集成电路SE139N 电源取样误差集成电路SE140 电源取样误差集成电路SECL810 音频信号控制集成电路SF1166 行扫描信号处理集成电路SF1205 调频/调幅中频放大集成电路SF214 音频功率放大集成电路SF357 运算放大集成电路SF404 音频功率放大集成电路SF810 音频功率放大集成电路SFH615A-3 光电耦合集成电路SG3524 开关电源稳压集成电路SG3525A 开关电源稳压集成电路SKP1103S 微处理集成电路SKW01-829A2202 微处理集成电路SL1274 数码显示驱动集成电路SL315 调频/调谐及中频放大集成电路SL322 发光二极管显示驱动集成电路SL33 音频功率放大集成电路SL345 音频功率放大集成电路SL349 音频功率放大集成电路SL36 双声道音频功率放大集成电路SM5840CS 数字滤波集成电路SM5856AIF 防震控制集成电路SM5871A 数/模转换集成电路SM5875BM 数/模转换集成电路SM5876AM 数/模转换集成电路SMM201N 微处理集成电路SMR62000 开关电源厚膜集成电路SN103832APG 选择转换集成电路SN74HC138ANS 地址解码集成电路SN74HC377 八D触发集成电路SN74HCU04 时钟信号发生集成电路SN74LS221N 行线性校正集成电路SN76003ND 场扫描输出集成电路SN76013 场扫描输出集成电路SN76298N 色度信号放大、振荡集成电路SN94096N 频道选择集成电路SNY425 数/模转换集成电路SP928 射频电源及充电控制集成电路SPS410-1 红外遥控信号接收集成电路SPS415-1 红外遥控信号接收集成电路SPU2220 色度信号处理集成电路SRM6116 存储集成电路SRS5250S 音频信号处理集成电路SS133P3720 伺服处理集成电路SSA9058 取样交换集成电路SSHK315-03 数据处理集成电路SSM2250 音频功率放大集成电路ST13400 解码集成电路ST24C01B1 节目存储集成电路ST24C02 存储集成电路ST275 微处理集成电路ST63156 微处理集成电路ST6356B1 微处理集成电路ST6367B1/FCB 微处理集成电路ST6368 微处理集成电路ST6369 微处理集成电路ST6371 微处理集成电路ST6378B4 微处理集成电路ST7272N5B1 微处理集成电路ST80000D 电源控制集成电路ST92196 微处理集成电路ST9291 微处理集成电路STA441C 场扫描输出厚膜集成电路STA8012 开关电源稳压集成电路STC6311 键控操作及显示驱动集成电路STK2250 双声道音频功率放大集成电路STK392-110 会聚校正放大集成电路STK4028V 音频功率放大30W集成电路STK4036V 音频功率放大50W集成电路STK4038XI 音频功率放大60W集成电路STK4151 双声道音频功率放大集成电路STK4171-2S 音频功率放大集成电路STK4191 双声道音频功率放大50W集成电路STK420 音频功率放大集成电路STK4231 双声道音频功率放大100W×2集成电路STK4274 音频功率放大集成电路 STK430 双声道音频功率放大集成电路 STK433-105 双声道音频功率放大集成电路 STK4352 双声道音频功率放大7W×2集成电路STK436A 双声道音频功率放大集成电路 STK437 双声道音频功率放大集成电路 STK4833 双声道音频功率放大25W×2集成电路STK4843 双声道音频功率放大30W×2集成电路STK4863 双声道音频功率放大35W×2集成电路STK4913 双声道音频功率放大50W×2集成电路STK5325 电源稳压集成电路 STK5338 电源稳压集成电路 STK5340 电源稳压集成电路 STK5372 电源稳压集成电路 STK5391 电源稳压集成电路 STK5392 电源稳压集成电路 STK5421 电源稳压集成电路收藏 分享 评分回复 引用订阅 TOP菜鸟也想ＤＩＹ论坛游民 当前离线UID 215952#发表于 2007-4-19 14:39 | 只看该作者 | 发短消息STK5471 电源稳压集成电路 STK7216 电源稳压集成电路STK7308 电源稳压集成电路 STK7358 电源稳压集成电路 STK792-210 场扫描输出集成电路 STP2740 电子闹钟集成电路 STR1229 电源稳压集成电路帖子241精华积分282威望0 点9折卷HD币注册时间2007-4-13STR1816 电源稳压集成电路STR30112 电源稳压集成电路STR3050 复位电源稳压集成电路STR4090 开关电源稳压集成电路STR4090S 开关电源稳压集成电路STR41090 开关电源稳压集成电路STR4211 开关电源稳压集成电路STR440 开关电源稳压集成电路STR451 开关电源稳压集成电路STR456A 开关电源稳压集成电路STR50103 开关电源稳压集成电路STR50115 开关电源稳压集成电路STR50213 开关电源稳压集成电路STR5312 开关电源稳压集成电路STR54041 开关电源稳压集成电路STR5412 开关电源稳压集成电路STR55041M 开关电源稳压集成电路STR5532 双运算放大集成电路STR58041 开关电源稳压集成电路STR6020 开关电源稳压集成电路STR6020S 开关电源稳压集成电路STR6307 开关电源稳压集成电路STR6308 开关电源稳压集成电路STR6601 开关电源稳压集成电路STR80145A 整流开关集成电路STR81145 整流开关集成电路STR81145A 开关电源稳压集成电路STR83159 开关电源稳压集成电路STR-D1005T 开关电源稳压集成电路STR-D1806 开关电源稳压集成电路STR-D1816 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与非门四2输入集成电路T4027 或非门三3输入集成电路T4028 或非门四2输入集成电路T4031 与非门双4输入集成电路T4037 与非门四2输入集成电路T4047 解码、驱动BCD-7段集成电路T4055 与或非门二4输入集成电路T4085 四位大小比较集成电路T4138 解码、解调3-8线集成电路T4157 数据选择四位2选1集成电路T51390ASP 视频、解码及行场扫描信号处理集成电路T51496 音频、视频信号处理集成电路T591616AFT12 动态随机存储集成电路TA1200N 视频信号边缘校正集成电路TA1215AN 视频信号处理集成电路TA1216AN 音频信号处理集成电路TA1218N 音频、视频切换集成电路TA1219AN 音频、视频切换集成电路TA1222AN 视频、色度及行场扫描信号处理集成电路TA1226N 亮度瞬态校正集成电路TA1227AN 视频、解码及行场扫描信号处理集成电路TA1229N 色度解码集成电路TA1236F 伺服控制集成电路TA1253FN 伺服控制集成电路TA1259N 视频、解码及行场扫描信号处理集成电路TA1270BF 视频、色度信号处理集成电路TA1276AN 视频、解码及行场扫描信号处理集成电路TA1300AN 行、场振荡集成电路TA1316AN 逐行倍场扫描集成电路TA2002F 前置放大集成电路TA2009P 数字滤波集成电路TA2047N 模拟滤波集成电路TA2092N 伺服驱动集成电路TA2109F 伺服控制集成电路TA2136N 音频信号处理集成电路TA24C24 存储集成电路TA7060AP 中频放大集成电路TA7070P 自动频率调谐集成电路TA7073P 伴音中频放大、鉴频及音频功率放大集成电路TA7074P 图像中频放大集成电路TA7076P 视频信号检波集成电路TA71147 存储控制集成电路TA7120 音频前置放大集成电路TA7124P 图像中频放大集成电路TA7129P 电机驱动集成电路TA7130P 调频中频放大集成电路TA7137P 音频前置放大集成电路TA7146P 伴音中频放大、音频前置放大集成电路TA7148P 色度信号处理集成电路TA7149P 色度信号控制集成电路TA7161P 色度解码集成电路TA7162P 图像、伴音中频放大集成电路TA7174P 视频检波、AGC与AFT集成电路TA7177P 调谐选台集成电路TA7178P 调谐选台集成电路TA7193P 色度信号处理集成电路TA7200P 音频功率放大3.3W集成电路TA7204P 音频功率放大集成电路TA7205 音频功率放大集成电路TA7207P 音频功率放大集成电路TA7215P 双声道音频功率放大集成电路TA7222AP 音频功率放大集成电路TA7223P 音频功率放大集成电路TA7229P 双声道音频功率放大集成电路TA7230P 音频功率放大2.4W×2集成电路TA7232P 双声道音频功率放大集成电路TA7233P 双声道音频功率放大集成电路TA7237AP 双声道音频功率放大集成电路TA7240P 双声道音频功率放大集成电路TA7241AP 双声道音频功率放大集成电路TA7250BP 音频功率放大23W集成电路TA7251BP 音频功率放大23W集成电路TA7252P 音频功率放大集成电路TA7268P 音频功率放大集成电路TA7269P 双声道音频功率放大集成电路TA7270P 双声道音频功率放大集成电路TA7271P 双声道音频功率放大集成电路TA7273P 音频功率放大13W×2集成电路TA7274P 音频功率放大12W集成电路TA7275P 音频功率放大12W集成电路TA7280P 双声道音频功率放大5.8W×2集成电路TA7286P 音频功率放大4.6W×2集成电路TA7288P 电机驱动集成电路TA7291SA 电机驱动集成电路TA7294P 音频功率放大集成电路TA7295P 音频功率放大集成电路TA7302P 调频中频放大集成电路TA7307P 音频前置放大集成电路TA7313AP 音频功率放大集成电路TA7324P 降噪处理集成电路TA7325 双声道前置放大集成电路TA7328AP 双声道前置放大集成电路TA7331F 音频功率放大集成电路TA7331P 音频功率放大集成电路TA7332P 显示驱动集成电路回复引用TOP菜鸟也想ＤＩＹ论坛游民当前离线UID21595帖子241精华积分282威望0 点9折卷HD币注册时间2007-4-133#发表于 2007-4-19 14:40 | 只看该作者 | 发短消息TA7335F 调频/调谐及变频集成电路TA7336P 前置放大集成电路TA7337P 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施密特触发倒相集成电路TC7W32FTE12L 双音频信号处理集成电路TC7W32FU 与非门集成电路TC7WH74FU 触发集成电路TC7WU04FUT2L 三反相集成电路TC81201AF 视频解码集成电路TC89101P(Z) 存储集成电路TC9002AP 数字控制集成电路TC9012F-011 红外遥控信号发射集成电路TC9020P 字符信号处理集成电路TC9028F 红外遥控信号发射集成电路TC9031N 梳状滤波集成电路TC9067F 画中画信号处理集成电路TC9083F 画中画信号处理集成电路TC9089 色度、亮度信号分离集成电路TC9090AN 色度、亮度信号分离集成电路TC9092A 视频信号处理集成电路TC9097F 压缩信号处理集成电路TC90A19F 数字信号处理集成电路TC90A49P 色度、亮度信号分离集成电路TC9111 运算放大集成电路TC9121P 磁带音频控制集成电路TC9127P 锁相环集成电路TC9132P 红外遥控信号发射集成电路TC9134P 红外遥控信号接收集成电路TC9136P 微处理集成电路TC9138AP 自动选曲集成电路TC9146AP 微处理集成电路TC9147AP 微处理集成电路TC9148 红外线遥控信号发射集成电路TC9150 显示驱动集成电路TC9153 音量控制集成电路TC9154AP 音量控制集成电路TC9155AP 音量控制集成电路TC9156AP 音量控制集成电路TC9157AP 系统控制处理集成电路TC9159P 显示驱动集成电路TC9165P 自动选曲集成电路TC9167 磁带自动选曲集成电路TC9169AP 音量控制集成电路TC9173P 输入/输出接口集成电路TC9175N 显示驱动集成电路TC9185P 音量控制集成电路TC9187AN 均衡控制集成电路TC9188N 音量控制集成电路TC9189F 显示驱动集成电路TC9190 显示驱动集成电路TC9216P 锁相环集成电路TC9221F 数字信号处理集成电路TC9222N 音量控制集成电路TC9227P 锁相环集成电路TC9237P 数字滤波集成电路TC9287F 转换集成电路TC9289N 卡拉OK音频信号处理集成电路TC9300F-003 数字调谐控制集成电路TC9301AN 数字调谐集成电路TC9302AF 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射频功率放大器简介介绍

射频功率放大器简介介绍
作用
在无线通信系统中，射频功率放 大器将基带信号转换为高频信号 ，并将其放大到足够的功率水平 ，以便通过天线进行传输。
射频功率放大器的分类
01
02
03
按工作频率
可分为低频射频功率放大 器、高频射频功率放大器 、微波射频功率放大器等 。
按用途
可分为通用射频功率放大 器和专用射频功率放大器 。
按功率等级
频率范围与相位噪声
RF2301的工作频率范围为1.7 to 2.6 GHz， 相位噪声性能在偏离中心频率10 kHz时为85 dBc/Hz。
该芯片在无线通信系统中的应用与测试结果
应用场景
01
RF2301适用于多种无线通信系统，如蓝牙、Wi-Fi和
Zigbee等。
测试环境与配置
02 在实验室环境中，使用信号源、频谱分析仪和功率计
制造难点
由于射频功率放大器的工作频率较高 ，因此对芯片的设计和制造工艺要求 较高，同时对封装材料和形式也有特 殊要求。
解决方案
采用先进的芯片制造技术和高品质的 封装材料，优化设计以降低寄生效应 ，提高性能和可靠性。
05
射频功率放大器的发展趋势与 展望
射频功率放大器的发展趋势与展望
• 射频功率放大器是一种用于将低功率信号放大到高功率信号的电子设备，广泛应用于通信、雷达、电子战等领 域。下面将对射频功率放大器的基本概念、发展历程、研究热点、发展趋势和未来研究方向进行详细介绍。
电子战系统需要使用射频功率放大器来放大干扰信号，以干扰 敌方通信和雷达系统。
一些医疗设备需要使用射频功率放大器来放大微弱信号，以便 进行精确的诊断和治疗。
02
射频功率放大器的基本原理
射频功率放大器的电路组成

射频功放的设计

射频功放的设计

基于ADS的射频功率放大器仿真设计1.引言各种无线通信系统的发展，如GSM、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX和Wi-Fi，大大加速了半导体器件和射频功放的研究过程。

射频功放在无线通信系统中起着至关重要的作用，它的设计好坏影响着整个系统的性能。

因此，无线通信系统需要设计性能优良的放大器。

而且，为了适应无线系统的快速发展，产品开发的周期也是一个重要因素。

另外，在各种无线系统中由于采用了不同调制类型和多载波信号，射频工程师为减小功放的非线性失真，尤其是设计无线基站应用的高功率放大器时面临着巨大的挑战。

采用Agilent ADS 软件进行电路设计可以掌握设计电路的性能，进一步优化设计参数，同时达到加速产品开发进程的目的。

功放（PA）在整个无线通信系统中是非常重要的一环，因为它的输出功率决定了通信距离的长短，其效率决定了电池的消耗程度及使用时间。

2.功率放大器基础2.1功率放大器的种类根据输入与输出信号间的大小比例关系，功放可以分为线性放大器与非线性放大器两种。

输入线性放大器的有A、B、AB类；属于非线性放大器的则有C、E 等类型的放大器。

（1）A类：其功率器件再输入信号的全部周期类均导通，但效率非常低，理想状态下效率仅为50%。

（2）B类：导通角仅为180°，效率在理想状态下可达到78%。

（3）AB类：导通角大于180°但远小于360°。

效率介于30%~60%之间。

（4）C类：导通角小于180°，其输出波形为周期性脉冲。

理论上，效率可达100%。

（5）D、E类：其原理是将功率器件当作开关使用。

设计功放电路前必须先考虑系统规格要求的重点，再来选择电路构架。

对于射频功放，有的系统需要高效率的功放，有些需要高功率且线性度佳的功放，有些需要较宽的操作频带等，然而这些系统需求往往是相互抵触的。

例如，B、C、E类构架的功率放大器皆可达到比较高的效率，但信号的失真却较为严重；而A类放大器是所有放大器中线性度最高的，但它的最大缺点是效率低，这些缺点虽然可以用各种Harmonic Termination 电路的设计技巧予以改进，但仍无法提高到与高效率的功放相当的水平。

干货DIY射频功率放大器——记录了全部过程

干货DIY射频功率放大器——记录了全部过程

干货DIY射频功率放大器——记录了全部过程EEWorld电子资讯犀利解读技术干货每日更新好久没有写帖子了，最近不是出差就是上班，时间太赶了，没有静下心来写一篇帖子。

前段时间正赶上有个客户找我帮忙坐台功放，也算是忙里偷闲吧。

咱们说干就干，平时肯定是没时间的，还得要拖到周六。

客户给我的技术指标，我大概的整理了下：我也给他出了个方案，如上图这样，主要就是用一级功放管来实现就完全可以做到了。

接下来就是设计电路，画PCB，末级功放我采用的比较老的管子，MRF9045。

这个管子虽然比较老了，但是很好用，我很喜欢用这个管子。

电路图我就不公布了，就是PDF里面给的典型电路，我把版图贴出来。

我自己又在里面做了一级拖动，可以在0DBM输入输出到30W。

客户不需要，就无视，直接短接过去就可以了。

输出做了个环行器，避免输出口开路，损坏功放管。

在这里顺便问下，还有多少人在用protel99se画pcb。

我一直在用，哈哈哈~板子设计好了，下面就是画结构了，采用CAD，我画的不规范，因为没人教过，完全自学，能看懂就OK。

本来是打算发出去机加工的，厂家报价200每个，打样的价格。

由于客户目前需要1台，我算了算不划算，决定自己加工。

说干就干，等到周六早上起来就开始加工。

我的雕刻机搞起，控制软件采用mach3。

开料。

6061铝，雕刻机还是不行呀，太慢了，而且还不可以换刀，只好用一个刀慢慢的啃吧。

进过2个多小时，雏形终于出来了下面就是打孔攻丝，由于手里没有1.6mm的小铣刀，只好自己定位，用钻头开孔了。

还有侧面的TNC接头孔，慢慢的找定位。

盒子好了，还差上面的盖板，再找块2mm的铝板雕刻机切一个上盖板。

这里我找了下，手里有个2mm 的铣刀，刚刚好。

经过10多分钟，盖板也搞定了。

展示下最终成品。

自己手工打造的，还是挺满足的。

结构部分，到此结束，下面就是焊接，安装调试。

焊接，我早就焊好了，按装到盒子里面，调试。

用网分，测试902——928MHz的带内平坦度，还是蛮平的，但是这是小信号，不是最终的结果，仅供参考。

UHF宽带线性功率放大器设计

天馈伺系统UHF宽带线性功率放大器设计*张晓发1,王超1,袁乃昌1,万志坤2(1.国防科技大学电子科学与工程学院,长沙410073;2.江南遥感研究所,上海200436)【摘要】针对电磁环境模拟器应用设计了一个全固态UHF波段多级宽带线性高功率放大器。

驱动放大器工作在A 类,末级放大器以三个A B类功放模块频域分段覆盖工作频段,通过控制P I N开关切换。

末级输出接低通滤波器改善谐波。

实测从400M H z~1250MH z,功放的1dB压缩点功率为25W(44dB m),二次谐波低于-40dBc,输出功率在38dB m 时双音测试三阶交调(I M3)优于-44dBc。

【关键词】超高频;功率放大器;宽带;线性中图分类号:TN955文献标识码:AD esign of a UHF B roadband L i near Po w er AmplifierZ HANG X i a o-fa1,WANG Chao1,YUAN Na-i chang1,WAN Zh-i kun2(1.Schoo l o f E lectron ic Sc ience and Technology,NUDT,Changsha410073,Ch i n a)(2.Jiangnan Re m ote Sensi n g Institute,Shangha i200436,China)【Ab stract】A mu lt-i stage UHF broadband li near h i gh pow er a m plifier(PA)is desi gned for t he app licati on as an electro-m agnetic env iron m ent si m u lator.T he dr i ve amp lifi e r opera tes i n class-A.The out put a m plifi er is co m posed of three class-A B a m-p lifiers wh i ch cover t he whole band by seg m ent and the seg m ents can be s w itched by P I N s w itchs.T he m easured res u lt sho w s the 1dB co m pressi on po i nt o f the PA i s about44d Bm(25W),t he2nd harmonic i s be l ow-40d B and the3rd order i nter m odu l a ti ond i stortion(I M3)is bette r t han-44dBc(2-tone test at38dB m output)i n the w ho le band from400MH z to1250MH z.【K ey w ords】UHF;pow er a m plifi er;broadband;li nearity0引言电磁环境模拟器是大型电子设备外场测试装置,为电子设备外场测试提供准确、复杂的空间通信信号电磁环境。

MT9075cn

E1 MT9075单片收发器数据手册特点：●68管脚的PLCC封装或100管脚的MQFP封装集成了PCM 30 帧发生器、线路接口单元和链路控制器●可选择的比特率数据链路，通过HDLC控制器的Sa比特和16信道的HDLC控制器进行选择●LIU（线型接口单元） 20dB动态范围●增强的过程监控和可编程的错误插入功能●低抖动DPLL，用于产生时钟信号●可以以同步或自由方式运行●滑动方向可控的弹性接收缓冲器●可选的传输或接收抖动消除器●Intel 或 Motorola 非复用并行微处理器接口●CRC-4更新算法，用于消息数据连接应用●ST-BUS/GCI 2.048Mbit/s 底板总线，用于数据和信号发送应用：●E1增加/删除复用器和信道存储器●CO和PBX设备接口●低速率ISDN结点●数字交叉连接系统（DCS）描述：M9075是一款单片设备，它集成了PCM30帧发生器和线路接口单元（LIU）；帧发生器连接在2.048Mbit/s的底板上，并提供了速率可选的数据链路信道，该信道带可选的HDLC控制器（Sa比特和16号信道）；LIU将帧发生器和PCM30四线独立发送器连接起来。

MT9075符合并支持最新的ITU-T标准，包括基于PCM30的G..703，G.775，G.796，G.823标准和基于低速率ISDN的I.403标准。

该芯片同样符合并支持ETSI ETS300 011，ETS300 166，ETS300 233以及BS 6450标准；图1 功能模块说明图图2 管脚连接图管脚描述：设备总述：MT9075B是一款先进的30路PCM帧发生器，它的片上线路接口单元LIU 符合并支持最新的30路PCM以及ISDN低速率标准，如G.703，G.704，G.706，G.775，G.796，G.732，G.823和I.431。

该芯片同样符合并支持ETSI ETS300 011，ETS300 166，ETS300 233以及BS 6450标准。

东山发射站DTMB单频网发射系统简介


系统框图如图 1 所示。 下面将对东山发射台站 DTMB 单频 网主要发射设备进行介绍： ３．１ DTMB 激励器 DTMB 激励器是整个发射系统的心 脏，它的作用是将通过 SDH 光纤传入的 TS 流进行信道编码、调制及上变频至指 定频率，然后对上变频信号进行预激励 并输出射频信号给功率放大器。 KFSJ-VI-805 是 一 款 完 全 兼 容 我 国 地面数字电视 GB20600-2006 标准的广播 级的数字电视激励器。它将输入 ASI 数 据流进行适配、扰码、信道编码、交织、 N-QAM、基带处理后经上变频器输出高 质量的射频信号。并可对末级功放进行
图 １ 东山发射点 ＤＴＭＢ 单频网发射系统框图
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线性和非线性校正处理。其最大输出功 率为 500MW，可调步进 1Hz，0dBm 输出。 ３．２ 数字电视发射机 KFS-II-832 地 面 数 字 电 视 广 播 发 射 机 由 两 级 放 大 器 组 成， 前 置 级 是 双 管 MRF6V3090 放 大 管， 静 态 工 作 电 流 450mA， 后 级 采 用 三 个 并 联 射 频 大 功 率 场 效 应 管 BLF888 模 块， 每 只 功 放 管 静 态 电 流 是 0.5A。 功 放 单 元 总 增 益 是 32 ～ 35dB，输出功率大于 300W。功放 自带过流、过压、欠压、短路、防雷、 过载和过热保护等功能；主监测系统可 以通过 485 接口对功放运行参数进行监 测和控制。 KFS-II-832 地面数字电视广播发射 机 内 配 置 有 定 向 耦 合 器， 提 供 PO、PR 和 AGC 检波输出信号，分别用于整机的 输出功率指示、反射功率指示和主备激 励器自动增益控制，同时提供多个射频 监测信号用于主备激励器自适应校正和 整机射频监测。在功放外面配置了一个 带通滤波器，其特点是带肩陡峭、选择 性好，带内插入损耗≤ 0.5dB，谐波抑制 ≥ 40dB。其主要作用是抑制发射机的杂 散发射，使输出频谱达到设计要求。 数字电视发射机采用数字化高性 能 开 关 电 源 供 电， 开 关 电 源 输 入 电 压 220V， 输 出 电 压 50V， 最 大 输 出 电 流 32A。电源采用先进的谐振 PWM 软开关 技术，具有较高的可靠性和高转换效率。

1 kW地面数字电视发射机原理及维护


图2数字激励器系统框图
1.2功放单元 功放单元由前级功放单元、末级功放单元、功率 分配器和合成器、定向耦合器、监测和控制单元等组成。
该发射机前级功放单元主要由MRF6V3090功放 模块组成射频链路，采样模块、控制模块、通信模块 组成智能系统。该单元具有工作过程的数据采集、报 警、保护功能。实时显示电流、电压、温度、风量、 输出功率、反射功率等信息。工作异常时，实时上报 和显示过流、过温、驻波比过大、过荷等报警或保护 功能。并能对整机进行功率调整。当功放单元工作异
TS流. 斓器A —► 激励放大 -- ►
TS流. 緬器B
■ 激励放大
■♦ 0 切换器
分』 器
通用性好、互换性强，使用和维护方便。
数字电视信源数据码流送入激励器处理后，输出
所需预定频道的射频信号，再经过切换模块选择后，
进行小信号前级放大，再通过分配器将射频信号进行
多路分配送到多组相同功率等级的功放单元进行功率
(2 )在发射机运转期间,当班值班员要定时巡机, 并进行翔实记录。査看机器面板上的信息，检査发射 机的输出功率和反射功率，检查驻波比，检査各功放 模块的数据，特别是功放管的电流值；检查开关电源 的电压值和电流值，以及注意观察轴流风机的转速是 否正常。整机是否有告警信息，各个功能模块的指示 灯是否正常。巡机时可以用手触摸或者红外线测温器 测量发射机合成器、耦合器、滤波器、吸收负载及馈 管等同轴设备的表面温度，是否有异常升高现象。
[1]刘宏学.地面数字电视发射系统组成与维护[J]. 有线电视技术,20.中央广播电视节目无线 数字化覆盖工程地面数字电视发射系统 U],广播与电 视技术,2015(7):16-22.
⑶韩晓超.吉兆GME11D13P型1KW 风冷UHF 数字电视发射机介绍DJ.电子世界,20^5):155.
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RF Power Field Effect TransistorsN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETsDesigned for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large -signal, common -source amplifier applications in 26 volt base station equipment.•Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, V DD = 26 Volts,I DQ = 600 mA, P out = 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,Traffic Codes 8 Through 13) Power Gain — 17.8 dB Drain Efficiency — 30%ACPR @ 750 kHz Offset — -47 dBc @ 30 kHz Bandwidth•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW Output Power•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters •Integrated ESD Protection•N Suffix Indicates Lead-Free Terminations •200°C Capable Plastic Package•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.Table 1. Maximum RatingsRatingSymbol Value Unit Drain-Source Voltage V DSS -0.5, +68Vdc Gate-Source VoltageV GS -0.5, +15Vdc Total Device Dissipation @ T C = 25°C Derate above 25°C P D 2191.25W W/°C Storage Temperature Range T stg -65 to +150°C Operating Junction TemperatureT J200°CTable 2. Thermal CharacteristicsCharacteristicSymbol Value (1)Unit Thermal Resistance, Junction to Case Case Temperature 80°C, 70 W CW Case Temperature 78°C, 14 W CWR θJC0.800.93°C/WTable 3. ESD Protection CharacteristicsTest MethodologyClass Human Body Model (per JESD22-A114-B) 2 (Minimum)Machine Model (per EIA/JESD22-A115-A) A (Minimum)Charge Device Model (per JESD22-C101-A)IV (Minimum)Table 4. Moisture Sensitivity LevelTest MethodologyRating Package Peak TemperatureUnit Per JESD 22-A113D, IPC/JEDEC J-STD-020C3260°C1.Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to /rf. Select Documentation/Application Notes - AN1955.MRF5S9070NR1Rev. 3, 12/2004Freescale Semiconductor Technical DataMRF5S9070NR1MRF5S9070MR12RF Device DataFreescale SemiconductorMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1Table 5. Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOff CharacteristicsZero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS = 68 Vdc, V GS = 0 Vdc)I DSS ——10µAdc Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS = 26 Vdc, V GS = 0 Vdc)I DSS ——1µAdc Gate-Source Leakage Current (V GS = 5 Vdc, V DS = 0 Vdc)I GSS——1µAdcOn CharacteristicsGate Threshold Voltage(V DS = 10 Vdc, I D = 200 µA)V GS(th)2 2.74Vdc Gate Quiescent Voltage(V DS = 26 Vdc, I D = 600 mAdc)V GS(Q)— 3.7—Vdc Drain-Source On-Voltage(V GS = 10 Vdc, I D = 1.0 Adc)V DS(on)—0.180.22Vdc Forward Transconductance (V DS = 10 Vdc, I D = 4 Adc)g fs—4.7—SDynamic CharacteristicInput Capacitance(V DS = 26 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V GS = 0 Vdc)C iss —126—pF Output Capacitance(V DS = 26 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V GS = 0 Vdc)C oss —34—pF Reverse Transfer Capacitance(V DS = 26 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V GS = 0 Vdc)C rss—1.37—pFFunctional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V DD = 26 Vdc, I DQ = 600 mA, P out = 14 W Avg., f = 880 MHz, Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±750 kHz Offset. Peak/Avg. Ratio =9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF Power Gain G ps 1717.8—dB Drain EfficiencyηD 2930—%Adjacent Channel Power Ratio ACPR —-47-45dBc Input Return LossIRL—-19-9dBTypical GSM CW Performances (In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 οhm system) V DD = 26 Vdc, I DQ = 400 mA, P out = 60 W, f = 921-960 MHz Power Gain G ps —16.4—dB Drain Efficiency ηD —62—%Input Return LossIRL —-12—dB P out @ 1 dB Compression Point (f = 940 MHz)P1dB—68—WTypical GSM EDGE Performances (In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 οhm system) V DD = 26 Vdc, I DQ = 400 mA, P out = 25 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal Power Gain G ps —17—dB Drain Efficiency ηD —44—%Error Vector MagnitudeEVM — 1.5—%Spectral Regrowth at 400 kHz Offset SR1—-62—dBc Spectral Regrowth at 600 kHz OffsetSR2—-78—dBc (continued)MRF5S9070NR1 MRF5S9070MR13RF Device DataFreescale SemiconductorTable 5. Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted) (continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitTypical GSM CW Performances (In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50 οhm system) V DD = 26 Vdc, I DQ = 400 mA, P out = 60 W, f = 865-895 MHz Power Gain G ps —16.4—dB Drain Efficiency ηD —59—%Input Return LossIRL —-15—dB P out @ 1 dB Compression Point (f = 880 MHz)P1dB—71—WTypical GSM EDGE Performances (In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 865-895 MHz, 50 οhm system) V DD = 26 Vdc, I DQ = 400 mA, P out = 25 W Avg., f = 865-895 MHz, GSM EDGE Signal Power Gain G ps —17—dB Drain Efficiency ηD —41—%Error Vector MagnitudeEVM — 1.35—%Spectral Regrowth at 400 kHz Offset SR1—-66—dBc Spectral Regrowth at 600 kHz OffsetSR2—-81—dBc4RF Device DataFreescale SemiconductorMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1Figure 1. MRF5S9070NR1(MR1) Test Circuit SchematicV V Z100.245″ x 0.270″ Microstrip Z110.110″ x 0.270″ Microstrip Z120.055″ x 0.270″ Microstrip Z130.512″ x 0.060″ Microstrip Z140.106″ x 0.060″ Microstrip Z150.930″ x 0.060″ Microstrip Z160.365″ x 0.060″ MicrostripPCBTaconic RF-35, 0.030″, εr = 3.5Z10.140″ x 0.060″ Microstrip Z20.141″ x 0.060″ Microstrip Z30.280″ x 0.060″ Microstrip Z40.500″ x 0.100″ Microstrip Z50.530″ x 0.270″ MicrostripZ60.155″ x 0.270″ x 0.530″Taper Z70.376″ x 0.530″ Microstrip Z80.116″ x 0.530″ Microstrip Z90.055″ x 0.530″ MicrostripTable 6. MRF5S9070NR1(MR1) Test Circuit Component Designations and ValuesPartDescriptionPart NumberManufacturer B1Small Ferrite Bead, Surface Mount 2743019447Fair-Rite B2Large Ferrite Bead, Surface Mount 2743021447Fair-Rite C10.6-6.0 pF Variable Capacitor, Gigatrim 272715L Johanson C216 pF Chip Capacitor 100B160JP500X ATC C37.5 pF Chip Capacitor100B7R5JP500X ATC C4, C160.8-8.0 pF Variable Capacitor, Gigatrim 272915L Johanson C5, C615 pF Chip Capacitors100B150JP500X ATC C7, C8, C2010 µF, 35 V Tantalum Capacitors T491D106K035AS Kemet C9, C19, C220.58 µF Chip Capacitors 700A561MP150X ATC C10, C1818 pF Chip Capacitors100B180JP500X ATC C11100 µF, 50 V Electrolytic Capacitor 515D107M050BB6A Vishay -Dale C120.7 pF Chip Capacitor 100B0R7BP500X ATC C13, C1413 pF Chip Capacitors 100B130JP500X ATC C15 3.9 pF Chip Capacitor 100B3R9JP500X ATC C1722 pF Chip Capacitor100B180JP500X ATCC21470 µF, 63 V Electrolytic Capacitor SME63VB471M12X25LL United Chemi-Con L1, L212.5 nH Surface Mount Inductors A04T-5Coilcraft R1 1 k W Chip Resistor CRCW12061001F100Vishay -Dale R2560 k W Chip Resistor CRCW12065603F100Vishay -Dale R312 W Chip Resistor CRCW120612R0F100Vishay -Dale R427 W Chip ResistorCRCW120627R0F100Vishay -DaleMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR15RF Device DataFreescale SemiconductorFigure 2. MRF5S9070NR1(MR1) Test Circuit Component LayoutFreescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have no impact on form, fit or function of the current product.6RF Device DataFreescale SemiconductorMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1TYPICAL CHARACTERISTICS900820860−7045f, FREQUENCY (MHz)Figure 3. Class AB Broadband PerformanceG p s , P O W E R G A I N (d B )−30−15−18−21−24I N P U T R E T U R N L O S S (d B )I R L ,A C P R (d B c ), A L T (d B c )−2786587087588088589089519401835173016251514−4013−4512−5011−5510−609−65−1210015201P out , OUTPUT POWER (WATTS) PEPFigure 4. Two-Tone Power Gain versusOutput Power G p s , P O W E R G A I N (d B )1019181716100−60−201P out , OUTPUT POWER (WATTS) PEPFigure 5. Third Order Intermodulation Distortionversus Output PowerI M 3, T H I R D O R D E R I N T E R M O D U L A T I O N D I S T O R T I O N (d B c )−25−30−35−40−45−50−55101008201−6060P out , OUTPUT POWER (WATTS) PEPFigure 6. Power Gain, Drain Efficiency andIMD versus Output Power G p s , P O W E R G A I N (d B )I N T E R M O D U L A T I O N D I S T O R T I O N (d B c )I M D ,101840162014012−2010−40100−90−101P out , OUTPUT POWER (WATTS) PEPFigure 7. Intermodulation Distortion Productsversus Output PowerI N T E R M O D U L A T I O N D I S T O R T I O N (d B c )I M D ,10−20−30−40−50−60−70−80ηD , D R A I N E F F I C I E N C Y (%)ηD , D R A I N E F F I C I E N C Y (%)MRF5S9070NR1 MRF5S9070MR17RF Device DataFreescale SemiconductorTYPICAL CHARACTERISTICS37455527P in , INPUT POWER (dBm)Figure 8. Pulse CW Output Power versusInput Power P o u t , O U T P U T P O W E R (d B m )2829303132333435365453525150494847466201−8060P out, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.Figure 9. N-CDMA ACPR, Power Gain and Drain Efficiency versus Output PowerG p s , P O W E R G A I N (d B )A C P R , A D J A C E N T C H A N N E L P O W E R R A T I O (dB c )10184********12−2010−408−6010082011070P out , OUTPUT POWER (WATTS) CWFigure 10. Power Gain and Drain Efficiencyversus CW Output Power1860165014401230102010ηD , D R A I N E F F I C I E N C Y (%)ηD , D R A I N E F F I C I E N C Y (%)8RF Device DataFreescale SemiconductorMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1Figure 11. Series Equivalent Source and Load Impedancef MHz Z sourceΩZ load Ω865875885 2.1 + j0.61.8 + j0.82.0 + j0.70.7 + j0.40.7 + j0.50.6 + j0.5V DD = 26 Vdc, I DQ = 600 mA, P out = 14 W Avg.Z o = 2 Ω8951.8 + j0.90.5 + j0.5Z source =Test circuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measured from drain to ground.ZsourceZloadOutput Matching NetworkZ sourcef = 865 MHzf = 895 MHzZ loadf = 865 MHzf = 895 MHzMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR19RF Device DataFreescale SemiconductorNOTES10RF Device Data Freescale SemiconductorMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR1NOTESMRF5S9070NR1 MRF5S9070MR111RF Device DataFreescale SemiconductorPACKAGE DIMENSIONSTO-270-2PLASTICCASE 1265-08ISSUE GInformation in this document is provided solely to enable system and softwareimplementers to use Freescale Semiconductor products. There are no express orimplied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integratedcircuits or integrated circuits based on the information in this document.Freescale Semiconductor reserves the right to make changes without further notice toany products herein. Freescale Semiconductor makes no warranty, representation orguarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor doesFreescale Semiconductor assume any liability arising out of the application or use ofany product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including withoutlimitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters that may beprovided in Freescale Semiconductor data sheets and/or specifications can and dovary in different applications and actual performance may vary over time. All operatingparameters, including “Typicals”, must be validated for each customer application bycustomer’s technical experts. Freescale Semiconductor does not convey any licenseunder its patent rights nor the rights of others. Freescale Semiconductor products arenot designed, intended, or authorized for use as components in systems intended forsurgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life,or for any other application in which the failure of the Freescale Semiconductor productcould create a situation where personal injury or death may occur. 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