二维相图和三维相图的计算
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2d表面表面粗糙度和3d形貌体征参数定义表面粗糙度是指物体表面不规则程度的度量,通常用来描述表面的凹凸程度和不平滑程度。
表面粗糙度可以用各种参数来定量描述,其中最常用的是2D表面粗糙度和3D形貌体征参数。
2D表面粗糙度是通过在二维平面上测量表面高度和间距来描述的。
常见的2D表面粗糙度参数包括均方根粗糙度(Ra)、平均峰谷高度(Rz)、最大峰谷高度(Rt)等。
其中,均方根粗糙度是指在某一测量区域内高度差的平方和的平均值的平方根,是最常用的2D表面粗糙度参数之一。
平均峰谷高度是指在某一测量区域内,峰值和谷值之间的平均高度差。
最大峰谷高度是指测量区域内最高点到最低点之间的距离。
然而,2D表面粗糙度只能提供表面的一部分信息,不能完全描述表面的形貌。
为了更准确地表征表面的凹凸特性,需要使用3D形貌体征参数。
3D形貌体征参数是通过在三维空间中测量表面高度来确定的,可以提供更多的表面形貌信息。
常见的3D形貌体征参数包括表面平均高度(Sa)、表面峰谷高度(Sz)、表面最大凹陷(Smr)、表面最大高度(Spr)等。
表面平均高度是测得表面上所有高度值与参考平面之间的平均高度差。
表面峰谷高度是测得表面上所有高度值与参考平面之间的最大高度差。
表面最大凹陷是测得在某一测量区域内,表面上所有凹陷的最大深度。
表面最大高度是测得在某一测量区域内,表面上所有突起的最大高度。
这些2D表面粗糙度和3D形貌体征参数在工程和科学研究中被广泛应用。
它们可以帮助我们定量描述物体表面的粗糙程度和不平滑程度,为材料表面的设计、制备和加工提供重要的依据。
不同的2D表面粗糙度和3D形貌体征参数适用于不同的实际应用需求,选择合适的参数可以更好地满足特定需求。
总之,2D表面粗糙度和3D形貌体征参数是对物体表面粗糙程度进行定量描述的重要指标。
它们通过测量表面高度和间距来确定,可以提供丰富的表面形貌信息,广泛应用于各个领域。
这些参数的正确使用可以帮助我们更好地了解和控制表面的性质,优化材料的表面处理和加工过程。
相图计算方法简介运用热力学计算相图:以相作为“单元”,计算整个体系的所有相的自由能,根据自由能最小原理确定稳定存在的相:pi=1minimum i i G n G ϕ==∑。
具体步骤:一、收集所要评估体系的实验相图数据和热力学实验数据 二、针对体系中各相的晶体结构,选择合理的热力学模型1) Cu-Ni 体系:有两个固溶体相,LIQUID 和 FCC_A1选择亚规则溶体模型.2) Pb-Sn 体系:有三个固溶体相,LIQUID 、BCT_A5和FCC_A1选择亚规则溶体模型.三、理解亚正规溶体模型中,相自由能的表达式,以及表达式中各项的具体含义1) 固溶体相的自由能的表达式为:()00ln ln i i j j i j i j i ij j m RT x x x x G G x x G x x L φφφφ+=+++ , mag Gφ+ i ,j 按元素字母顺序排列,如:在Cu-Ni 体系中i =Cu ,j =Ni 。
2) 其中0i j i j x x G G φφ+为纯组元项,0i G φ是φ相中的i 成分的自由能,25℃时稳定存在的纯物质的焓作为参考态来表述(SGTE 值);()ln ln i i j j RT x x x x +为理想混合熵项;i j ij x x L φ为过剩自由能项; , mag Gφ由于合金的磁性而附加自由能项(Co 、Ni 、Fe 合金)。
3) a).在过剩自由能项i j ij x x L φ中,ij L φ代表二元相互作用参数,其表达式为()0n nni j ij ij m L X X L φφ==-∑。
其中ln nij A BT CT T L φ=++,而A 、B 、C 即是相图计算所需要优化的参数。
b)., mag G φ是磁转矩,()(), =RTln 1mag f G φβτ∆+,CTT τ=, 0,0= ()nm m i i i i C j i j j im X T X X T X T X φφφ=+∑∑-,()0,0= n mm i i j iji i jim X X X X X φφφβββ=+∑∑-其中,mi j T φ,,mi jφβ是组元i 和j 的磁性相互作用参数,待优化参数。
基本概念回顾v自由度:体系的总变量数减去独立方程数的式,为 独立变量数,也即体系的自由度。
----计算方法冶金物理化学—相图体系总变量数为:(m-1)r+2(考虑温度和压力条件下)其中:假设体系有m个组元,存在r个相,则其中m-1个组元应为独立组 元。
则变量数为:(m-1)r独立方程数:(r-1)m 故自由度: f=m+2-r相律:若C表示组元的数量,P表示相的数量,则 相律常写为f=C-P+2。
冶金物理化学(相图)基本概念回顾 几个定义:v组元:组成系统的独立化学组成物。
合金中元素 视为组元,陶瓷中某一化合物视为组元。
v相:在一个多相体系中由界面分开的物质的均匀 部分,它们具有相同的物理、化学性质和晶体结 构。
v自由度:平衡状态下,在不改变相的类型和数目 时,可以独立变化的状态函数的数量。
冶金物理化学(相图)二元相图的类型v十二个基本类型1、具有最低共溶点或称简单共晶; 2、具有稳定化合物或称同分熔点化合物; 3、具有异分熔点化合物; 4、具有固相分解的化合物; 5、固相晶型转变; 6、液相分层; 7、形成连续固溶体; 8、具有最低点或最高点的连续固溶体; 9、具有低共熔点并形成不连续固溶体; 10、具有转熔反应并形成有限固溶体; 11、具有共析反应; 12、具有包析反应。
冶金物理化学(相图)二元相图的几何元素---面、线v 二元相图由曲线、水平线、垂直线和斜线组成,这些 线把整个图面分成若干区域 区域,形成若干交点 交点。
从而形成相 图中的基本几何元素点、线、面。
v二元相图的几何元素---线二元相图的垂直线:是两组分形成化合物的组成线,可以是 稳定化合物也可以是不稳定化合物。
在化合物的熔点温度,液相和固相有相同的组成,此种化合物 即为稳定化合物,又称同分熔点化合物 同分熔点化合物;若化合物没有固定熔点 仅有分解温度,作为分解产物的固相和液相组成都与原固相化合 物不同,此化合物即为不稳定化合物,也称为异分熔点化合物 异分熔点化合物。
二维相图和三维相图的计算二维相图和三维相图的计算描述二维相图和三维相图计算的算法。
虽然零相分数的概念是用于计算二维相图,单相分数的概念被应用于计算三维相图。
三维相图可以更好的观察等高线,例如在三维相边界的等温线。
零相分数和单相分数的概念已经被推广到任何属性的等高线。
引言材料是现代科技的基石。
材料目前面临的挑战是设计新材料,改进现有的技术,以满足新技术的需要。
为了提高材料的研究效率,概念集成计算材料工程(ICME)已被提出并应用在材料研究和工业应用中。
在近十年在ICME领域有许多重大的成就。
在ICME领域中的一个最重要的组成部分是相位特性变化的模拟,如热力学,动力学和力学性能的模拟。
所有相得相关属性与相平衡密切相关,它可以图形化地呈现在相图中。
相图,通常被称为材料的设计图,在材料设计中起重要作用。
在早期,大多数的相图通过实验测量并且局限于一元,二元和三元系统。
计算相图可以追溯到Van Laar 和meijering 两人。
他们计算了一些简单的二元和三元相图。
1970年,计算机作为一个新的材料研究方法由考夫曼等人开创的相图计算标志着相图计算的开始。
相图计算方法在ICME中已经成为一个重要的仿真方法。
相图被收集在一起便于查阅运用。
随着互联网的效率越来越高,许多常用的在线相图是在网上可以找到。
收集的相图和网上的资源大多数是二维(2D)静态图并且局限于低阶系统。
然而,在实际应用中,多组分相图通常在手册或在线相图数据库中不可用。
为了计算多组元相图的有用性,计算机软件和多组分热力学数据库是必要的。
近年来,一些相图计算软件,如Pandat, Thermo-Calc, 和FACTSage已经被开发用来解决这个问题。
二维相图和三维相图的计算
描述二维相图和三维相图计算的算法。
虽然零相分数的概念是用于计算二维相图,单相分数的概念被应用于计算三维相图。
三维相图可以更好的观察等高线,例如在三维相边界的等温线。
零相分数和单相分数的概念已经被推广到任何属性的等高线。
引言
材料是现代科技的基石。
材料目前面临的挑战是设计新材料,改进现有的技术,以满足新技术的需要。
为了提高材料的研究效率,概念集成计算材料工程(ICME)已被提出并应用在材料研究和工业应用中。
在近十年在ICME领域有许多重大的成就。
在ICME领域中的一个最重要的组成部分是相位特性变化的模拟,如热力学,动力学和力学性能的模拟。
所有相得相关属性与相平衡密切相关,它可以图形化地呈现在相图中。
相图,通常被称为材料的设计图,在材料设计中起重要作用。
在早期,大多数的相图通过实验测量并且局限于一元,二元和三元系统。
计算相图可以追溯到Van Laar 和meijering 两人。
他们计算了一些简单的二元和三元相图。
1970年,计算机作为一个新的材料研究方法由考夫曼等人开创的相图计算标志着相图计算的开始。
相图计算方法在ICME中已经成为一个重要的仿真方法。
相图被收集在一起便于查阅运用。
随着互联网的效率越来越高,许多常用的在线相图是在网上可以找到。
收集的相图和网上的资源大多数是二维(2D)静态图并且局限于低阶系统。
然而,在实际应用中,多组分相图通常在手册或在线相图数据库中不可用。
为了计算多组元相图的有用性,计算机软件和多组分热力学数据库是必要的。
近年来,一些相图计算软件,如Pandat, Thermo-Calc, 和FACTSage已经被开发用来解决这个问题。