得临界晶核半径 r*:
r 2SLVS 2SLVs Tm
GV
Hm T
形核功:G 136S 3L V H Sm T mT2
r* 与ΔT 成反比,即过冷度ΔT 越大,r* 越小; ΔG*与ΔT2成反比,过冷度ΔT 越大,ΔG* 越小。
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临界晶核的表面能为:
A S L 4(r )2 S L 16 S 3 L V H S m T m T 2
基本热力学条件(必要条件) 大量形核的过冷度( T *) 是完成形核过程的充分条件。
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§3-2 均质形核
• 均质形核 :形核前液相金属或合金中无外来固相质点而 从液相自身发生形核的过程,所以也称“自发形核” (实际生产中均质形核是不太可能的,即使是在区域精炼 的条件下,每1cm3的液相中也有约106个边长为103个原 子的立方体的微小杂质颗粒)。
第3章作业:
1.均质形核和异质形核的临界晶核半径都
是
2LS Vs Tm
Hm T
,两者区别何在?异质形核与
均质形核相比,其特点是什么?
2.界面共格对应原则的实质是什么?举例说
明此原则的应用。
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三、异质形核动力学
用异质形核的形核率 I **来描述: I**cexpGAK G* Tf()
· I**I* ( T相同时)
· 对同一形核衬底( 相同),
T越大,I **也越大。
· 不同形核衬底, 越小,T*越* 小
· 当T很大时,I * 和 I **反而越小
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进一步研究细化后引入界面共格对应原则: